KR100653990B1 - 포토마스크 데이터베이스 패턴의 불량 검사 방법 - Google Patents

포토마스크 데이터베이스 패턴의 불량 검사 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 포토마스크 데이터베이스 패턴의 불량 검사 방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 소자의 디자인 룰에 따라 포토마스크 데이터베이스의 패턴을 설계하는 단계와, 설계된 패턴에 왜곡 현상 보정을 수행하는 단계와, 설계된 패턴에 대해 각 라인 임계 크기에 따른 적어도 두 개 이상의 스페이스 폭을 근거로 하여 다수개의 바이어스량을 구하고 이들 바이어스량에서 최적 바이어스량을 갖는 패턴 형태를 검사하는 패턴 불량 검사를 수행하는 단계를 포함한다. 그러므로 본 발명은 포토마스크 데이터베이스 패턴의 라인 임계 크기별로 차등적인 스페이스 폭을 적용하여 패턴의 불량을 검사함으로써 조명계, 서브막, 레지스트 두께 등에 따라 달라지는 패터닝 불량을 미리 검사할 수 있으며 동일한 패턴의 임계 크기를 갖고 있지만 패턴 라인의 길이가 다름에 따라 발생하는 쓰러짐 또는 브릿지 등을 서로 다른 바이어스값으로 패턴 불량을 보상할 수 있다.
포토마스크 패턴, 바이어스, 임계 크기, 스페이스

Description

포토마스크 데이터베이스 패턴의 불량 검사 방법{Method for detecting database pattern's fail on the photo mask}
도 1은 종래 기술에 의한 포토마스크 데이터베이스 패턴을 검사하는 과정을 간략하게 나타낸 흐름도,
도 2는 본 발명에 따른 포토마스크 데이터베이스 패턴을 검사하는 과정을 간략하게 나타낸 흐름도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 포토마스크 데이터베이스 패턴에서 OPC된 패턴의 불량을 검사하는 과정을 나타낸 흐름도,
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따라 패턴의 불량을 검사하는 방법에서 룰 테이블과 바이어스량을 구하는 예를 나타낸 도면,
도 5는 본 발명의 포토마스크 데이터베이스 패턴의 불량 검사를 하는 예를 나타낸 도면,
도 6은 본 발명의 포토마스크 데이터베이스의 다른 패턴의 불량 검사를 하는 예를 나타낸 도면,
도 7은 도 5의 불량 검사 대상의 패턴을 웨이퍼 상에 구현되었을 때의 패턴 형태를 나타낸 도면,
도 8은 도 6의 불량 검사 대상의 패턴을 웨이퍼 상에 구현되었을 때의 패턴 형태를 나타내 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 전체 칩 20 : 패턴
22 : 바이어스량
본 발명은 포토마스크 패턴 검사 방법에 관한 것으로서, 특히 포토마스크 데이터베이스 패턴의 불량 검사 방법에 관한 것이다.
반도체 칩에 집적된 소자 및 연결선의 최소선 폭이 작아짐에 따라 자외선을 이용한 전통적인 리소그래피 기술로는 웨이퍼에 형성되는 패턴의 왜곡현상을 피하기 힘들게 되었다. 즉 최근 사용되고 있는 자외선, i-선의 파장이 0.365㎛인 반면에 최소 임계 크기는 0.35㎛에 달하고 있으므로 빛의 회절, 간섭 등에 의한 패턴의 왜곡은 공정에서 심각한 제약 조건으로 등장하였다. 이와 같은 패턴의 근접에 따른 왜곡 현상(OPE : Optical Proximity Effect)은 앞으로 최소 임계 크기가 더욱 작아짐에 따라 더욱 심각해질 것으로 예상된다. 이에 포토 리소그래피의 해상 한계에서 발생하는 패턴의 왜곡 현상에 대한 보정(OPC : Optical Proximity Correction)은 이제 불가피한 기술이 되고 있다.
포토 리소그래피에서는 일반적으로 포토마스크의 패턴을 광학 렌즈를 통하여 웨이퍼에 복사하는 방법을 사용하고 있다. 이때, 상을 투영시키는 광학계가 저대역 필터(low-pass filter)로 작용하기 때문에 웨이퍼에 맺히는 상은 원래의 모양에서 왜곡된 형태가 나타난다. 이 영향은 사각형 모양의 마스크를 사용했을 경우, 높은 주파수 부분, 즉 모서리 부분이 투과되지 않으므로 원형의 패턴으로 보이게 된다. 포토마스크 패턴의 크기(또는 주기)가 큰 경우에는 기본 스페이스 주파수가 낮으므로 비교적 많은 차수의 주파수까지 투과가 가능하여 원래의 패턴과 유사한 상이 맺히게 된다. 하지만 패턴의 크기가 작아지면 스페이스 주파수가 높아지므로 투과되는 주파수의 개수가 감소하고 따라서 왜곡은 점점 심해지게 된다.
따라서 현재까지는 포토 리소그래피 장비의 개발로 이와 같은 문제를 해결해 왔으나 이제 장비의 한계에 도달하여 설계 차원의 접근이 필요하게 되었다. 포토마스크 패턴의 왜곡 현상 보정(OPC)은 이와 같은 왜곡을 감안하여 미리 포토마스크의 패턴 모양을 변형하여 웨이퍼에 맺히는 최종 패턴이 원하는 모양이 되도록 하자는 것으로서, 일반적으로 몇 개의 규칙을 정하여 이를 패턴 설계에 반영하는 규칙 위주의 방법(rule-based Method)을 주로 사용하고 있다.
한편 도 1은 종래 기술에 의한 포토마스크 데이터베이스 패턴을 검사하는 과정을 간략하게 나타낸 흐름도이다.
도 1과 같이, 종래 기술에서 포토마스크 데이터베이스 패턴을 검사하는 방법은 설계가 완료된 데이터베이스 패턴의 라인 임계 크기(line CD)나 스페이스(space)에 대한 규칙 파일(rule file)을 작성하고 규칙 파일에 대해 디자인 룰 체크(DRC : Design Rule Check)를 수행한 후에, 포토마스크의 패턴 모양을 변형하여 웨이퍼에서 노광되는 최종 패턴 형태가 원하는 모양이 되도록 하는 왜곡 현상 보정(OPC)을 수행한다.(S10∼S30)
그런데, 종래 포토마스크 데이터베이스 패턴을 검사하는 방법에 있어서 디자인 룰 체크(DRC)에서 라인 임계 크기나 스페이스에 대해 검사할 뿐 패터닝시 공정 불량에 의한 패턴 불량을 검사하지 않고 있다. 게다가 동일한 임계 크기를 갖는 패턴에서도 라인 길이가 긴 경우와 라인 길이가 짧은 경우에 대한 검사 기능도 없기 때문에 왜곡 현상 보정(OPC)이 된 패턴의 경우에도 라인 길이가 긴 경우 웨이퍼 상에 노광되었을 때 패턴이 쓰러지거나(collapse) 패턴 사이에 브릿지가 형성되는 등의 문제점이 발생하고 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 포토마스크 패턴의 라인 임계 크기별로 차등적인 스페이스 폭을 적용함으로써 조명계, 서브막, 레지스트 두께 등에 따라 달라지는 패터닝 불량을 검사할 수 있어 동일한 임계 크기를 갖고 있지만 패턴 라인의 길이가 다름에 따라 발생하는 쓰러짐 또는 브릿지 등의 불량을 미리 검사할 수 있는 포토마스크 데이터베이스 패턴의 불량 검사 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 포토마스크 패턴의 불량을 검사하는 방법에 있어서, 반도체 소자의 디자인 룰에 따라 포토마스크 데이터베이스의 패턴을 설계하는 단계와, 설계된 패턴에 왜곡 현상 보정을 수행하는 단계와, 설계된 패턴에 대해 각 라인 임계 크기에 따른 적어도 두 개 이상의 스페이스 폭을 근거로 하여 다수개의 바이어스량을 구하고 이들 바이어스량에서 최적 바이어스량을 갖는 패턴 형태를 검사하는 패턴 불량 검사를 수행하는 단계를 포함하는 포토마스크 데이터베이스 패턴의 불량 검사 방법을 제공한다.
여기서, 상기 다수개의 바이어스량은 적어도 하나 이상의 양의 값을 갖는 바이어스량과 적어도 하나 이상의 음의 값을 갖는 바이어스량인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 패턴 불량 검사를 수행하는 단계는, 상기 반도체 소자의 전체 칩 패턴에 대해 수행하거나, 상기 설계된 패턴 중에서 상기 왜곡 현상 보정된 패턴에 대해 수행하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 설계된 패턴에 왜곡 현상 보정을 수행하는 단계 이전에, 상기 설계된 패턴의 디자인 룰을 체크하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 패턴 불량 검사를 수행하는 단계는, 상기 디자인 룰 체크 결과, 디자인 룰이 위배된 패턴에 대해 수행하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 패턴 불량 검사를 수행하는 단계는, 초점 심도 마아진별로 다수개의 바이어스량을 구하고, 이들 바이어스량에서 최적의 초점 심도 마아진 바이어 스량을 갖는 패턴 형태를 검사하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명하고자 한다.
도 2는 본 발명에 따른 포토마스크 데이터베이스 패턴을 검사하는 과정을 간략하게 나타낸 흐름도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 포토마스크 데이터베이스 패턴을 검사하는 방법은 반도체 소자의 디자인 룰에 따라 포토마스크 데이터베이스의 패턴을 설계한다.(S100)
설계가 완료된 데이터베이스 패턴의 라인 임계 크기(line CD)나 스페이스(space)에 대한 규칙 파일(rule file)을 작성하고 규칙 파일에 대해 디자인 룰 체크(DRC)를 수행한다.(S110)
설계가 완료된 패턴 모양을 변형하여 웨이퍼에서 노광되는 최종 패턴 형태가 원하는 모양이 되도록 하는 왜곡 현상 보정(OPC)을 수행한다.(S120)
그리고 본 발명에 따라 설계가 완료된 패턴에 대해 각 라인 임계 크기에 따른 적어도 두 개 이상의 스페이스 폭을 근거로 하여 다수개의 바이어스량을 구하고 이들 바이어스량에서 최적 바이어스량을 갖는 패턴 형태를 검사하는 패턴 불량 검사(ORC : Optical Rule Check)를 수행한다.(S130)
그러므로 본 발명에 따른 포토마스크 데이터베이스 패턴을 검사하는 방법은 설계 완료된 패턴의 라인 임계 크기에 따라 서로 다른 스페이스 폭을 근거로 하여 다수개의 바이어스량을 구하여 최적의 상태로 패터닝되는 바이어스량을 갖는 패턴 형태를 검사하는 패턴 불량 검사(ORC)를 추가 수행함으로써 동일한 임계 크기를 갖는 패턴에서도 라인 길이에 따라 패턴이 쓰러지거나(collapse) 패턴 사이가 브릿지되는 등의 불량 결함에 대응되게 바이어스를 수행할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 포토마스크 데이터베이스 패턴에서 OPC된 패턴의 불량을 검사하는 과정을 나타낸 흐름도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따라 왜곡 현상 보정(OPC)이 수행된 패턴의 불량을 검사하는 방법은 다음과 같다.
우선, 도 4b와 같이 반도체 소자의 디자인 룰에 따라 설계된 다수개의 패턴에 대해 각 라인 임계 크기에 따라 적어도 두 개 이상의 스페이스 폭을 구분하는 ORC 룰 테이블을 작성한다.(S132) 예를 들어, ORC 룰 테이블에는 패턴의 라인 임계 크기가 200㎚ 이상인 경우 스페이스 폭이 190㎚미만인 경우와 다른 스페이스 폭이 240㎚이상인 경우가 정의되어 있다.
이와 같이 ORC 룰 테이블에 작성된 임의의 패턴의 라인 임계 크기와 적어도 두 개 이상의 스페이스 폭을 근거로 하여 다수개의 바이어스량을 구한다.(S134)
이때 다수개의 바이어스량은 적어도 하나 이상의 양(+)의 값을 갖는 바이어스량과 적어도 하나 이상의 음(-)의 값을 갖는 바이어스량이 바람직하다. 예를 들어 패턴이 150㎚∼160㎚의 라인 폭을 갖으며 패턴 사이의 스페이스 폭이 250㎚미만인 경우 초점 심도 마아진별로 바이어스량이 +10㎚, +20㎚, +30㎚, +40㎚의 값을 갖는다. 이에 따라 바이어스값이 양의 값(+)일 경우 패턴이 쓰러지는(collapse) 형태를 가지며 반대로 바이어스값이 음의 값(-)일 경우 패턴이 브릿지되는 형태를 가진다.
그리고 시뮬레이션 툴 장치에 의해 이들 바이어스량에 따라 패턴 길이를 보정(늘리거나 줄이거나)하여 다수개의 바이어스된 패턴을 형성한다.(S136) 즉, 패턴이 150㎚∼160㎚의 라인 폭을 가질 경우 해당 라인 폭에 바이어스 값 +10㎚, +20㎚, +30㎚, +40㎚을 각각 더하여 다수개의 바이어스된 패턴을 형성한다.
그 다음 뷰어 장치에 의해 다수개의 바이어스된 패턴들 중에서 최적의 바이어스량을 갖는 패턴 형태를 검사한다.(S138)
상기와 같이 최적의 바이어스량으로 패턴을 보정하고, 다른 패턴에서 불량이 검출되는지를 판단하여 불량이 검출될 경우 S134 단계부터 반복 수행한다.(S139) 그리고 S139 단계에서 더 이상 포토마스크의 패턴 불량이 검출되지 않을 경우 종료한다. 한편, 본 발명은 노광 장치의 초점 심도 마아진(DOF margin)별로 ORC 룰 테이블을 작성해서 패턴의 불량을 검사하는 방법을 수행할 수도 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따라 패턴의 불량을 검사하는 방법에서 룰 테이블과 바이어스량을 구하는 예를 나타낸 도면이다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 포토마스크 데이터베이스 패턴을 검사하는 방법은 패턴 중에서 쓰러짐(a) 또는 브릿지(b) 등의 불량 영역에 있는 왜곡 현상 보정된 패턴에 대해서만 수행한다. 또는 디자인 룰 체크(DRC) 결과, 디자인 룰 체크된 패턴들 중에서 디자인 룰이 위배된 패턴에 대해서만 수행하거나, 전체 칩에 대해 모두 패턴 불량을 검사를 수행한다.
도 4b에 도시된 패턴 불량 검사(ORC) 룰 테이블에는 패턴의 라인 임계 크기, 적어도 두 개이상의 스페이스 폭, 해당 바이어스량, 패턴 에러 결과를 포함한다. 예를 들어, 패턴이 150㎚∼160㎚의 라인 폭을 가질 경우 해당 패턴 사이의 스페이스 폭은 s<？？㎚인 경우 ？？？>s인 경우로 나누어지며 각각의 스페이스 폭에 맞추어 바이어스량이 +？？ 값 또는 -？？ 값으로 구해지며 이때의 바이어스값에 따른 패턴의 에러 결과(bridge, collapse)가 나타나 있다.
도 5는 본 발명의 포토마스크 데이터베이스 패턴의 불량 검사를 하는 예를 나타낸 도면이다.
본 발명에 따라 도 5에 도시된 포토마스크 데이터베이스 패턴을 불량 검사하게 되면, 반도체 소자의 전체 칩(10) 중에서 임의의 패턴(20)이 150㎚∼160㎚의 라인 폭을 가질 경우 해당 패턴(20) 사이의 스페이스 폭(S)이 S<250㎚ 미만이므로 해당 패턴(20)에 대한 바이어스량이 초점 심도(DOF) 마아진별로 +10㎚(DOF=0.3㎛), +20㎚(DOF=0.2㎛), +30㎚(DOF=0.1㎛), +40㎚(DOF=0.0㎛)으로 구해진다. 이때 패턴의 최적의 바이어스량(22)은 최적의 초점 심도 마아진을 갖는 바이어스량인 +20㎚(DOF=0.2㎛)이다.
도 6은 본 발명의 포토마스크 데이터베이스의 다른 패턴의 불량 검사를 하는 예를 나타낸 도면이다.
본 발명에 따라 도 6에 도시된 포토마스크 데이터베이스 패턴을 불량 검사하게 되면, 반도체 소자의 전체 칩(10) 중에서 임의의 패턴이 500㎚∼560㎚의 라인 폭을 가질 경우 해당 패턴 사이의 스페이스 폭이 S<160㎚ 미만이므로 해당 패턴에 대한 바이어스량이 초점 심도(DOF) 마아진별로 -10㎚(DOF=0.3㎛), -20㎚(DOF=0.2㎛), -30㎚(DOF=0.1㎛), -40㎚(DOF=0.0㎛)으로 구해진다. 이때 패턴의 최적의 바이어스량은 최적의 초점 심도 마아진을 갖는 -20㎚(DOF=0.2㎛)이다.
도 7은 도 5의 불량 검사 대상의 패턴을 웨이퍼 상에 구현되었을 때의 패턴 형태를 나타낸 도면이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 포토마스크 데이터베이스 패턴 중에서 설계가 완료된 패턴들 중에서 동일한 임계 크기를 갖는 패턴이 웨이퍼 상에 구현되었을 때 패턴의 라인 길이에 따라 패턴이 쓰러지게(collapse) 되는 경우가 있다. 본 발명은 패턴의 라인 임계 크기에 따라 스페이스 폭을 다르게 하여 바이어스량을 구하며 초점 심도 마아진별로 다수개의 바이어스량 중에서 최적의 바이어스량을 선택하여 해당 패턴을 양(+) 또는 음(-)의 값으로 바이어스함으로써 포토마스크 패턴이 웨이퍼상에 패터닝되었을 때 발생되는 패턴의 쓰러짐을 보상한다.
그러므로 도 7의 불량 패턴에 본 발명의 방법을 적용하게 되면 패턴의 바이어스량에 의해 패턴의 쓰러짐이 최소화되는 형태로 구현된다.
도 8은 도 6의 불량 검사 대상의 패턴을 웨이퍼 상에 구현되었을 때의 패턴 형태를 나타내 도면이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 포토마스크 데이터베이스 패턴 중에서 설계가 완료된 패턴들 중에서 동일한 임계 크기를 갖는 패턴이 웨이퍼 상에 구현되었을 때 패턴의 라인 길이에 따라 패턴이 브릿지되는 경우가 있다. 본 발명은 패턴의 라인 임계 크기에 따라 스페이스 폭을 다르게 하여 바이어스량을 구하며 초점 심도 마아 진별로 다수개의 바이어스량 중에서 최적의 바이어스량을 선택하여 해당 패턴을 양(+) 또는 음(-)의 값으로 바이어스함으로써 포토마스크 패턴이 웨이퍼상에 패터닝되었을 때 발생되는 패턴의 브릿지를 보상한다.
그러므로 도 8의 불량 패턴에 본 발명의 방법을 적용하게 되면 바이어스량에 의해 패턴의 브릿지 현상이 최소화되는 형태로 구현된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 포토마스크 데이터베이스 패턴의 라인 임계 크기별로 차등적인 스페이스 폭을 적용하여 패턴의 불량을 검사함으로써 조명계, 서브막, 레지스트 두께 등에 따라 달라지는 패터닝 불량을 미리 검사할 수 있으며 동일한 패턴의 임계 크기를 갖고 있지만 패턴 라인의 길이가 다름에 따라 발생하는 쓰러짐 또는 브릿지 등을 서로 다른 바이어스값으로 패턴 불량을 보상할 수 있다.
또한 본 발명은 다수개의 초점 심도 마아진에 따라 불량 패턴에 대해 다수개의 바이어스량을 구하고 최적의 초점 심도 마아진의 바이어스량에 맞추어 패턴 불량을 보상함으로써 포토마스크 패턴의 해상력을 향상시킬 수 있다.

Claims (7)

  1. 포토마스크 패턴의 불량을 검사하는 방법에 있어서,
    상기 반도체 소자의 디자인 룰에 따라 포토마스크 데이터베이스의 패턴을 설계하는 단계;
    상기 설계된 패턴에 왜곡 현상 보정을 수행하는 단계; 및
    상기 설계된 패턴에 대해 각 라인 임계 크기에 따른 적어도 두 개 이상의 스페이스 폭을 근거로 하여 다수개의 바이어스량을 구하고 이들 바이어스량에서 최적 바이어스량을 갖는 패턴 형태를 검사하는 패턴 불량 검사를 수행하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크 데이터베이스 패턴의 불량 검사 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 다수개의 바이어스량은 적어도 하나 이상의 양의 값을 갖는 바이어스량과 적어도 하나 이상의 음의 값을 갖는 바이어스량인 것을 특징으로 하는 포토마스크 데이터베이스 패턴의 불량 검사 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 패턴 불량 검사를 수행하는 단계는, 상기 반도체 소자의 전체 칩 패턴에 대해 수행하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 데이터베이스 패턴의 불량 검사 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 패턴 불량 검사를 수행하는 단계는, 상기 설계된 패턴 중에서 상기 왜곡 현상 보정된 패턴에 대해 수행하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 데이터베이스 패턴의 불량 검사 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 설계된 패턴에 왜곡 현상 보정을 수행하는 단계 이전에, 상기 설계된 패턴의 디자인 룰을 체크하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 데이터베이스 패턴의 불량 검사 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 패턴 불량 검사를 수행하는 단계는, 상기 디자인 룰 체크 결과, 디자인 룰이 위배된 패턴에 대해 수행하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 데이터베이스 패턴의 불량 검사 방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 패턴 불량 검사를 수행하는 단계는, 초점 심도 마아진별로 다수개의 바이어스량을 구하고, 이들 바이어스량에서 최적의 초점 심도 마아진 바이어스량을 갖는 패턴 형태를 검사하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 데이터베이스 패턴의 불량 검사 방법.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5050365B2 (ja) * 2006-02-23 2012-10-17 富士通セミコンダクター株式会社 フォトマスクの製造方法
JP2009042660A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Renesas Technology Corp 半導体装置、フォトマスク、半導体装置の製造方法およびパターンレイアウト方法
CN101458444B (zh) * 2007-12-13 2010-11-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 制作光掩模版及图形化的方法
CN101458442B (zh) * 2007-12-13 2011-05-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 布局、光掩模版的制作及图形化方法
HUE027639T2 (en) * 2009-03-24 2016-11-28 Janssen Pharmaceutica Nv Biomarkers for the study of peripheral neuropathy response to treatment with a proteasome inhibitor
JP6002222B2 (ja) 2011-08-11 2016-10-05 ヤンセン ファーマシューティカ エヌ．ベー． がん治療用予測因子
CN103186030B (zh) * 2011-12-27 2015-07-01 无锡华润上华科技有限公司 光学邻近修正方法
CN103186034A (zh) * 2011-12-31 2013-07-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近修正方法
CN104183513B (zh) * 2013-05-21 2018-05-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件的检测方法
CN103745072B (zh) * 2014-01-29 2016-09-28 上海华力微电子有限公司 自动扩展缺陷图形库的方法
JP6428555B2 (ja) * 2014-10-24 2018-11-28 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの欠陥寸法の評価方法、選別方法及び製造方法
CN106206358B (zh) * 2016-09-18 2019-03-26 上海华力微电子有限公司 降低化学机械抛光工艺热点检测漏报率的方法
KR102545141B1 (ko) * 2017-12-01 2023-06-20 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그의 제조 방법
WO2019148181A1 (en) 2018-01-29 2019-08-01 Cognos Therapeutics, Inc. Intratumoral delivery of bortezomib

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2667940B2 (ja) 1992-04-27 1997-10-27 三菱電機株式会社 マスク検査方法およびマスク検出装置
JP3934719B2 (ja) * 1995-12-22 2007-06-20 株式会社東芝 光近接効果補正方法
JP4131880B2 (ja) * 1997-07-31 2008-08-13 株式会社東芝 マスクデータ作成方法及びマスクデータ作成装置
US6080670A (en) 1998-08-10 2000-06-27 Lsi Logic Corporation Method of detecting a polishing endpoint layer of a semiconductor wafer which includes a non-reactive reporting specie
US7355673B2 (en) * 2003-06-30 2008-04-08 Asml Masktools B.V. Method, program product and apparatus of simultaneous optimization for NA-Sigma exposure settings and scattering bars OPC using a device layout
US7842436B2 (en) * 2003-10-23 2010-11-30 Panasonic Corporation Photomask
US6998205B2 (en) * 2003-11-16 2006-02-14 Nanya Technology Corp. Optical proximity correction method
KR100567746B1 (ko) * 2003-12-31 2006-04-05 동부아남반도체 주식회사 반도체 선폭 캘리브레이션 방법

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