KR100648685B1 - 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 장치와 구동 방법 - Google Patents

플라즈마 표시 장치 및 그 구동 장치와 구동 방법 Download PDF

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Abstract

플라즈마 표시 장치의 전극에 하이 레벨 전압과 로우 레벨 전압을 교대로 인가하는 구동 회로에서, 전원부에 형성된 하이 레벨 전압을 공급하는 제1 커패시터를 사용하여 전극의 전압을 하이 레벨 전압까지 증가시킨다. 그리고 제1 커패시터와 로우 레벨 전압을 공급하는 전원 사이에 연결된 제2 커패시터를 사용하여 전극의 전압을 감소시킨다. 이와 같이 하면, 전극의 전압을 하이 레벨 전압까지 빠르게 증가시킬 수 있으며, 또한 소프트 스위칭으로 전극에 하이 레벨 전압을 인가할 수 있다.
PDP, 에너지 회수, 인덕터, 공진

Description

플라즈마 표시 장치 및 그 구동 장치와 구동 방법 {PLASMA DISPLAY, AND DRIVING DEVICE AND METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 개략적인 개념도이며,
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유지 방전 펄스를 나타내는 도면이며,
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유지 방전 회로의 개략적인 회로도이며,
도 4는 도 3의 유지 방전 회로의 신호 타이밍도이며,
도 5a 내지 도 5d는 각각 도 4의 신호 타이밍에 따른 도 3의 유지 방전 회로의 동작을 나타내는 도면이며,
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유지 방전 펄스를 나타내는 도면이며,
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유지 방전 회로의 개략적인 회로도이다.
본 발명은 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 장치와 구동 방법에 관한 것으로, 특히 플라즈마 표시 장치의 에너지 회수 회로에 관한 것이다.
플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 장치이다. 일반적으로 플라즈마 표시 장치는 한 프레임이 복수의 서브필드로 분할되어 구동된다. 각 서브필드의 어드레스 기간 동안 켜질 셀과 켜지지 않을 셀이 선택되고, 유지 기간 동안 실제로 영상을 표시하기 위해 켜질 셀에 대하여 유지 방전이 수행된다.
특히, 유지 기간 동안 유지 방전을 수행하는 전극에 하이 레벨 전압과 로우 레벨 전압이 교대로 인가된다. 이때, 유지 방전이 일어나는 두 전극은 용량성 성분으로 작용하므로, 전극에 하이 레벨 전압 또는 로우 레벨 전압을 인가하기 위해서는 무효 전력이 필요하다. 따라서 플라즈마 표시 장치의 유지 방전 회로에는 무효 전력을 회수하여 재사용하는 에너지 회수 회로가 사용된다.
종래의 에너지 회수 회로에서 커패시터에는 하이 레벨 전압과 로우 레벨 전압의 중간 전압에 해당하는 전압이 충전되어 있으므로, 전극과 전력 회수 회로 사이에 형성되는 기생 성분으로 인해서 커패시터에 충전된 전압만으로는 전극의 전압을 하이 레벨 전압까지 증가시키지 못한다. 따라서 전극에 하이 레벨 전압을 인가할 때 하이 레벨 전압을 전달하는 트랜지스터에서 하드 스위칭이 발생한다. 이러한 하드 스위칭으로 인해 전력 손실 및 소자 소손이 발생할 수 있으며, 또한 전자파 간섭(electro-magnetic interference, EMI)이 많이 발생할 수도 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 소프트 스위칭을 할 수 있는 플라즈 마 표시 장치 및 그 구동 장치와 구동 방법을 제공하는 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 한 실시예에 따르면, 복수의 제1 전극, 제1 및 제2 커패시터, 제1 내지 제4 트랜지스터, 인덕터 및 전류 경로를 포함하는 플라즈마 표시 장치가 제공된다. 제1 트랜지스터는 제1 커패시터의 제1단과 복수의 제1 전극 사이에 연결되어 있으며, 제2 커패시터의 제1단은 제1 커패시터의 제2단에 연결되어 있다. 제2 트랜지스터는 제2 커패시터의 제2단과 복수의 제1 전극 사이에 연결되어 있으며, 인덕터의 제1단은 복수의 제1 전극에 연결되어 있다. 제3 트랜지스터는 제1 커패시터의 제1단과 인덕터의 제2단 사이에 연결되어 있으며, 제4 트랜지스터는 인덕터의 제2단과 커패시터의 제1단 사이에 연결되어 있다. 그리고 전류 경로는 제2 커패시터의 제2단에서 인덕터의 제2단으로 전류가 흐르도록 한다.
이때, 전류 경로는 제2 커패시터의 제2단과 인덕터의 제2단 사이에 연결되어 있는 제1 다이오드를 포함할 수 있다.
그리고 플라즈마 표시 장치는 인덕터의 제2단과 제4 트랜지스터 사이 또는 제4 트랜지스터와 제2 커패시터의 제1단 사이에 연결되어 있는 제2 다이오들 더 포함하고, 제2 다이오드는 제2 커패시터의 제1단에서 인덕터의 제2단 방향으로의 전류 경로를 차단할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법이 제공된다. 이 구동 방법은, 제1 전압을 공급하는 제1 전원에 제1단 이 연결된 커패시터와 제1 커패시터의 제2단에 제1단이 연결되고 제2 전압을 공급하는 제2 전원에 제2단이 연결된 제2 커패시터에 저장된 에너지를 제1 커패시터의 제1단과 인덕터를 통하여 제1 전극으로 주입하는 단계를 포함한다. 이 구동 방법은, 제1 커패시터의 제1단을 통하여 제1 전극에 제1 전압을 인가하는 단계, 제1 전극에 저장된 에너지를 인덕터를 통하여 제2 커패시터로 회수하는 단계, 그리고 제1 전극에 제2 전압을 인가하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제1 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 장치가 제공되며, 이 구동 장치는 제1 내지 제4 트랜지스터 및 인덕터를 포함한다. 제1 트랜지스터는 제1 전압을 공급하는 제1 전원과 제1 전극 사이에 연결되어 있으며, 제2 트랜지스터는 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 공급하는 제2 전원과 제1 전극 사이에 연결되어 있다. 인덕터의 제1단은 제1 전극에 연결되어 있으며, 제3 트랜지스터는 제1 전원과 인덕터의 제2단 사이에 연결되어 있다. 제4 트랜지스터는 제1 전압과 제2 전압 사이의 제3 전압을 공급하는 제3 전원과 인덕터의 제2단 사이에 연결되어 있다.
이 구동 장치는 제2 전원에 애노드가 연결되고 인덕터의 제2단에 캐소드가 연결되어 있는 제1 다이오드를 더 포함할 수 있다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설 명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
그리고 명세서 전체에서 전압을 유지한다는 표현은 특정 2점간의 전위차가 시간 경과에 따라 변화하여도 그 변화가 설계상 허용될 수 있는 범위 내이거나 변화의 원인이 당업자의 설계 관행에서는 무시되고 있는 기생 성분에 의한 경우를 포함한다. 또한, 방전 전압에 비해 반도체 소자(트랜지스터, 다이오드 등)의 문턱 전압이 매우 낮으므로 문턱 전압을 0V로 간주하고 근사 처리한다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 장치와 구동 방법에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 개략적인 개념도이며, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유지 방전 펄스를 나타내는 도면이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(100), 제어부(200), 어드레스 전극 구동부(300), 유지 전극 구동부(400), 주사 전극 구동부(500) 및 전원부(600)를 포함한다.
플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 어드레스 전극(이 하 "A 전극"이라 함)(A1-Am), 그리고 행 방향으로 서로 쌍을 이루면서 뻗어 있는 복수의 유지 전극(이하, "X 전극"이라 함)(X1-Xn) 및 주사 전극(이하, "Y 전극"이라 함)(Y1-Yn)을 포함한다. 일반적으로 X 전극(X1-Xn)은 각 Y 전극(Y1-Yn)에 대응해서 형성되어 있으며, Y 전극(Y1-Yn)과 X 전극(X1-Xn)은 A 전극(A1-Am)과 직교하도록 배치된다. 이때, A 전극(A1-Am)과 X 및 Y 전극(X1-Xn, Y1-Yn)의 교차부에 있는 방전 공간이 방전 셀(110)을 형성한다.
제어부(200)는 외부로부터 영상 신호를 수신하여 구동 제어 신호를 출력하며, 한 프레임을 각각의 휘도 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할하여 구동한다. 그리고 각 서브필드는 어드레스 기간 및 유지 기간을 포함한다. A 전극, X 전극 및 Y 전극 구동부(300, 400, 500)는 제어부(200)로부터의 구동 제어 신호에 따라 각각 A 전극(A1-Am), X 전극(X1-Xn) 및 Y 전극(Y1-Yn)에 구동 전압을 인가한다.
구체적으로, 각 서브필드의 어드레스 기간 동안 A 전극, X 전극 및 Y 전극 구동부(300, 400, 500)는 복수의 방전 셀(110) 중에서 해당 서브필드에서 켜질 방전 셀과 켜지지 않을 방전 셀을 선택한다. 각 서브필드의 유지 기간 동안, 도 2에 도시한 바와 같이 X 전극 구동부(400)는 복수의 X 전극(X1-Xn)에 하이 레벨 전압(Vs) 및 로우 레벨 전압(0V)을 교대로 가지는 유지 방전 펄스를 해당 서브필드의 가중치에 해당하는 횟수만큼 인가한다. 그리고 Y 전극 구동부(500)는 복수의 Y 전극(Y1-Yn)에 유지 방전 펄스를 X 전극(X1-Xn)에 인가되는 유지 방전 펄스와 반대 위 상으로 인가한다. 이와 같이 하면, 각 Y 전극과 각 X 전극의 전압차가 Vs 전압과 -Vs 전압을 교대로 가지며, 이에 따라 켜질 방전 셀에서 유지 방전이 소정 횟수만큼 반복하여 일어난다.
전원부(600)는 제어부(200), A 전극, X 전극 및 Y 전극 구동부(300, 400, 500)의 동작에 필요한 전원을 공급한다. 일반적으로 전원부(600)는 교류 전원으로부터 직류 전압을 생성하는 스위칭 모드 전원 공급 장치(switching mode power supply, 이하 "SMPS"라 함)를 포함할 수 있다.
다음, 도 2의 유지 방전 펄스를 공급하는 유지 방전 회로에 대해서 도 3 내지 도 5를 참조하여 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유지 방전 회로(410)의 개략적인 회로도이다. 도 3에서는 설명의 편의상 복수의 X 전극(X1-Xn)에 연결되어 있는 유지 방전 회로(410)만을 도시하였으며, 이러한 유지 방전 회로(410)는 도 1의 X 전극 구동부(400)에 형성될 수 있다. 그리고 복수의 Y 전극(Y1-Yn)에 연결된 유지 방전 회로(510)도 도 3의 유지 방전 회로(410)와 동일한 구조를 가질 수 있으며, 도 3의 유지 방전 회로(410)와 다른 구조를 가질 수도 있다.
이러한 유지 방전 회로(410)는 복수의 X 전극(X1-Xn)에 공통으로 연결될 수도 있으며, 또는 복수의 X 전극(X1-Xn) 중 일부에만 연결될 수도 있다. 그리고 유지 방전 회로(410)에서는 설명의 편의상 하나의 X 전극(X)과 하나의 Y 전극(Y)만을 도시하였으며, 또한 X 전극(X)과 Y 전극(Y)에 의해 형성되는 용량성 성분을 패널 커 패시터(Cp)로 도시하였다.
도 3에 도시한 바와 같이, 제1 실시예에 따른 유지 방전 회로(410)는 트랜지스터(S1, S2, S3, S4), 다이오드(D1, D2), 인덕터(L1) 및 커패시터(C1, C2)를 포함한다. 도 3에서는 트랜지스터(S1-S4)를 n채널 전계 효과 트랜지스터, 특히 NMOS(n-channel metal oxide semiconductor) 트랜지스터로 도시하였으며, 이들 트랜지스터(S1-S4)에는 소스에서 드레인 방향으로 바디 다이오드가 형성되어 있다. 그리고 NMOS 트랜지스터 대신에 유사한 기능을 하는 다른 트랜지스터가 이들 트랜지스터(S1-S4)로 사용될 수도 있다. 또한, 도 3에서는 트랜지스터(S1-S4)를 각각 하나의 트랜지스터로 도시하였지만, 트랜지스터(S1-S4)는 각각 병렬로 연결된 복수의 트랜지스터로 형성될 수도 있다.
구체적으로, 두 커패시터(C1, C2)는 전원부(600)의 SMPS(도시하지 않음)에서 Vs 전압이 출력되는 출력단과 접지단 사이에 직렬로 연결되어 있으며, 커패시터(C1)의 제1단에 의해 Vs 전압이 공급된다. 커패시터(C1)의 제2단이 커패시터(C2)의 제1단에 연결되고, 커패시터(C2)의 제2단이 접지단에 연결되어 있다. 즉, 두 커패시터(C1, C2)는 유지 방전 펄스의 하이 레벨 전압(Vs)을 공급하는 전원으로 동작하며, 접지단이 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압(0V)을 공급하는 전원으로 동작한다. 그리고 두 커패시터(C1, C2)에 충전된 전압은 SMPS의 피드백 동작에 의해 Vs 전압을 유지할 수 있다. 여기서, 커패시터(C1, C2)의 용량이 대략 동일하다고 하면, 두 커패시터(C1, C2)에는 각각 Vs/2 전압이 충전되어 있다.
그리고 커패시터(C1)의 제1단에 드레인이 연결된 트랜지스터(S1)의 소스가 X 전극(X)에 연결되어 있으며, 접지단에 소스가 연결된 트랜지스터(S2)의 드레인이 X 전극(X)에 연결되어 있다. 인덕터(L1)의 제1단은 X 전극에 연결되어 있으며, 인덕터(L1)의 제2단에 트랜지스터(S3)의 소스와 다이오드(D1)의 캐소드가 연결되어 있다. 트랜지스터(S3)의 드레인은 커패시터(C1)의 제1단에 연결되어 있으며, 다이오드(D1)의 애노드는 접지단에 연결되어 있다. 인덕터(L1)의 제2단에 다이오드(D2)의 애노드가 연결되고, 다이오드(D2)의 캐소드에 트랜지스터(S4)의 드레인이 연결되어 있다. 그리고 트랜지스터(S4)의 소스는 커패시터(C2)의 제2단에 연결되어 있으며, 커패시터(C2)가 Vs/2 전압을 공급하는 전원으로 동작한다.
이때, 다이오드(D2)는 트랜지스터(S4)의 바디 다이오드로 인한 전류 경로를 차단하기 위한 것으로, 트랜지스터(S4)에 바디 다이오드가 형성되지 않는 경우에는 다이오드(D2)를 제거할 수 있다. 그리고 다이오드(D2)와 트랜지스터(S4)의 연결 순서는 바뀔 수도 있다. 또한, 다이오드(D1)는 커패시터(C2)의 제2단에서 인덕터(L1)의 제2단으로의 전류 경로를 형성하기 위한 것으로, 다이오드(D1) 대신에 전류 경로를 형성할 수 있는 다른 소자(예를 들어, 트랜지스터)를 사용할 수도 있다.
다음, 도 3의 유지 방전 회로(410)의 동작에 대해서 도 4 및 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 상세하게 설명한다.
도 4는 도 3의 유지 방전 회로(410)의 신호 타이밍도이며, 도 5a 내지 도 5d는 각각 도 4의 신호 타이밍에 따른 도 3의 유지 방전 회로(410)의 동작을 나타내는 도면이다.
먼저, 도 4의 모드 1(M1) 직전(M4)에 트랜지스터(S2)가 턴온되어 X 전극의 전압(Vx)이 0V 전압을 유지하고 있는 것으로 가정한다.
도 4의 M1 및 도 5a를 보면, 모드 1(M1)에서 트랜지스터(S2)가 턴오프되고 트랜지스터(S3)가 턴온되어, 커패시터(C1, C2), 트랜지스터(S3), 인덕터(L1) 및 패널 커패시터(Cp)의 경로로 공진이 발생한다. 그러면 공진에 의해 커패시터(C1, C2)에 충전된 에너지(IL1)가 인덕터(L1)를 통하여 패널 커패시터(Cp)에 주입이 되어 X 전극의 전압(Vx)이 0V 전압에서 Vs 전압까지 증가한다. 이때, 커패시터(C1, C2)는 Vs 전압을 공급하므로, 유지 방전 회로(410)에 기생 성분이 없으면 공진 주기의 (1/4)에 해당하는 기간 동안에 X 전극 전압(Vx)이 Vs 전압까지 증가할 수 있다. 즉, Vs/2 전압으로 공진을 형성하는 경우에 비해 X 전극의 전압(Vx)을 Vs 전압까지 빠르게 증가시킬 수 있다. 또한, 유지 방전 회로(410)에 기생 성분이 없으면 X 전극 전압(Vx)을 2Vs 전압까지 증가시킬 수 있으므로, 기생 성분이 존재하는 경우에도 X 전극 전압(Vx)을 Vs 전압까지 충분히 증가시킬 수 있다. 그리고 X 전극 전압(Vx)이 Vs 전압 이상으로 증가하여도 트랜지스터(S1)의 바디 다이오드에 의해 X 전극 전압(Vx)은 Vs 전압으로 클램핑될 수 있다.
다음, 모드 2(M2)에서 트랜지스터(S1)가 턴온되고 트랜지스터(S3)가 턴오프되어 X 전극(X)에 Vs 전압이 인가되어 X 전극 전압(Vx)이 Vs 전압으로 유지된다. 이때, X 전극 전압(Vx)이 Vs 전압일 때 트랜지스터(S1)가 턴온되므로, 트랜지스터(S1)는 소프트 스위칭될 수 있다. 그리고 도 5b에 도시한 바와 같이 모드 1(M1)에서 X 전극 전압(Vx)을 Vs 전압까지 증가시킨 후에 인덕터(L1)에 남아 있는 전류 (IL1)는 인덕터(L1), 트랜지스터(S1)의 바디 다이오드, 커패시터(C1, C2) 및 다이오드(D1)를 통하여 프리휠링한다. 즉, 인덕터(L1)에 남아 있는 에너지가 커패시터(C1, C2)로 회수된다.
모드 3(M3)에서는 트랜지스터(S1)가 턴오프되고 트랜지스터(S4)가 턴온된다. 그러면 도 5c에 도시한 바와 같이 패널 커패시터(Cp), 인덕터(L1), 다이오드(D2), 트랜지스터(S4) 및 커패시터(C2)의 경로로 공진이 발생하여, X 전극 전압(Vx)이 Vs 전압에서 0V 전압까지 감소한다. 즉, 패널 커패시터(Cp)에 저장된 에너지가 인덕터(L1)를 통하여 커패시터(C2)로 회수된다.
이어서, 모드 4(M4)에서는 트랜지스터(S2)가 턴온되고 트랜지스터(S4)가 턴오프되어 X 전극에 0V 전압이 인가되어 X 전극 전압(Vx)이 0V 전압을 유지한다.
이와 같이, 본 발명의 제1 실시예에서는 유지 기간 동안 모드 1 내지 4(M1-M4)가 해당 서브필드의 가중치에 해당하는 횟수만큼 반복되어 X 전극에 Vs 전압과 0V 전압이 교대로 인가될 수 있다. 제1 실시예에 따른 유지 방전 회로는 모드 1(M1)에서 패널 커패시터(Cp)에 주입한 에너지를 모드 3(M3)에서 회수할 수 있다. 그리고 모드 1(M1)에서 1/4 공진을 이용하므로 X 전극 전압(Vx)을 Vs 전압까지 빠르게 증가시킬 수 있으며, 또한 기생 성분이 존재하는 경우에도 X 전극 전압(Vx)을 Vs 전압까지 충분히 증가시킬 수 있다.
그리고 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에서 Y 전극에 연결된 유지 방전 회로(510)는 X 전극에 Vs 전압이 인가되는 동안 Y 전극에 0V 전압을 인가하고 X 전극에 0V 전압이 인가되는 동안 Y 전극에 Vs 전압을 인가할 수 있다.
이상, 본 발명의 제1 실시예에서는 X 전극과 Y 전극에 하이 레벨 전압과 로우 레벨 전압을 교대로 가지는 유지 방전 펄스를 반대 위상으로 인가하는 경우에 대해서 설명하였지만, 이와는 달리 X 전극과 Y 전극 중 하나의 전극에만 유지 방전 펄스가 인가될 수도 있다. 아래에서는 이러한 실시예에 대해서 도 6 및 도 7을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유지 방전 펄스를 나타내는 도면이며, 도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유지 방전 회로(410')의 개략적인 회로도이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에서는 유지 기간 동안 복수의 X 전극(X1-Xn)에 Vs 전압과 -Vs 전압을 교대로 가지는 유지 방전 펄스가 인가되고, 복수의 Y 전극(Y1-Yn)에는 0V 전압이 인가된다. 이와 같이 하면, 도 2의 유지 방전 펄스와 동일하게 X 전극과 Y 전극의 전압차가 Vs 전압과 -Vs 전압을 교대로 가질 수 있다.
도 7을 보면, 제2 실시예에 따른 유지 방전 회로(410')는 커패시터(C1)에서 공급하는 전압을 제외하면 제1 실시예와 동일하다. 구체적으로 커패시터(C1)의 제1단은 전원부(600)의 SMPS에서 Vs 전압이 출력되는 출력단에 연결되고, 커패시터(C2)의 제2단은 전원부(600)의 SMPS에서 -Vs 전압이 출력되는 출력단에 연결되어 있다. 따라서, 두 커패시터(C1, C2)에는 2Vs 전압이 충전되어 있으며, 커패시터 (C1)의 제1단은 Vs 전압을 공급하는 전원으로 동작하고 커패시터(C2)의 제2단은 -V 전압을 공급하는 전원으로 동작한다. 또한, 커패시터(C2)의 제1단에 의해 0V 전압이 공급된다. 따라서 이러한 유지 방전 회로(410')에 의해 X 전극에는 Vs 전압과 -Vs 전압이 교대로 인가될 수 있다.
그리고 도 6 및 도 7에서는 X 전극에 유지 방전 회로(410')가 연결되고 Y 전극에는 0V 전압이 인가되는 것으로 가정하였지만, Y 전극에 유지 방전 회로가 연결되고 X 전극에 0V 전압이 인가될 수도 있다. 또한, X 전극과 Y 전극에 Vs/2 전압과 -Vs/2 전압을 교대로 가지는 유지 방전 펄스가 반대 위상으로 인가될 수도 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
이와 같이 본 발명의 실시예에 따르면, 유지 방전 회로에서 트랜지스터와 다이오드의 개수를 줄일 수 있다. 그리고 X 전극 및 Y 전극에 유지 방전 펄스를 인가할 때 영전압 스위칭을 할 수 있다. 또한 본 발명의 다른 실시예에 따르면 전원부에 형성된 커패시터를 에너지 회수용 커패시터로 사용하므로, 유지 방전 회로에 별로도 커패시터를 형성하지 않을 수 있다.

Claims (17)

  1. 복수의 제1 전극,
    제1 커패시터,
    상기 제1 커패시터의 제1단과 상기 복수의 제1 전극 사이에 연결되어 있는 제1 트랜지스터,
    상기 제1 커패시터의 제2단에 제1단이 연결되어 있는 제2 커패시터,
    상기 제2 커패시터의 제2단과 상기 복수의 제1 전극 사이에 연결되어 있는 제2 트랜지스터,
    상기 복수의 제1 전극에 제1단이 연결되어 있는 인덕터,
    상기 제1 커패시터의 제1단과 상기 인덕터의 제2단 사이에 연결되어 있는 제3 트랜지스터,
    상기 인덕터의 제2단과 상기 커패시터의 제1단 사이에 연결되어 있는 제4 트랜지스터, 그리고
    상기 제2 커패시터의 제2단에서 상기 인덕터의 제2단으로 전류가 흐르도록 할 수 있는 전류 경로
    를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전류 경로는 상기 제2 커패시터의 제2단과 상기 인덕터의 제2단 사이에 연결되어 있는 제1 다이오드를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 인덕터의 제2단과 상기 제4 트랜지스터 사이 또는 상기 제4 트랜지스터와 상기 제2 커패시터의 제1단 사이에 연결되어 있으며, 상기 제2 커패시터의 제1단에서 상기 인덕터의 제2단 방향으로의 전류 경로를 차단하는 제2 다이오드
    를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    교류 전원으로부터 직류 전압을 생성하는 전원부를 더 포함하며,
    상기 제1 및 제2 커패시터는 상기 전원부에 형성되어 있는 플라즈마 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 전원부는 스위칭 모드 전원 공급 장치(switching mode power supply)를 포함하며,
    상기 스위칭 모드 전원 공급 장치의 출력단이 상기 제1 커패시터의 제1단에 연결되고, 상기 제2 커패시터의 제2단은 접지단에 연결되어 있는 플라즈마 표시 장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 커패시터의 제1단에서 제1 전압이 공급되며, 상기 제2 커패시터의 제2단에서 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압이 공급되는 플라즈마 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 제1 전극과 함께 유지 방전을 수행하는 복수의 제2 전극, 그리고
    상기 복수의 제1 전극에 상기 제1 전압이 인가되는 동안 상기 복수의 제2 전극에 상기 제2 전압을 인가하며, 상기 복수의 제1 전극에 상기 제2 전압이 인가되는 동안 상기 복수의 제2 전극에 상기 제1 전압을 인가하는 구동부
    를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 제1 전극과 함께 유지 방전을 수행하며, 유지 기간 동안 상기 제1 전압과 제2 전압 사이의 전압이 인가되는 복수의 제2 전극
    을 더 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    제1 기간 동안 상기 제3 트랜지스터를 턴온 상태로 설정하고, 상기 제1 기간 이후의 제2 기간 동안 상기 제1 트랜지스터를 턴온 상태로 설정하고, 상기 제2 기 간 이후의 제3 기간 동안 상기 제4 트랜지스터를 턴온 상태로 설정하고, 상기 제3 기간 이후의 제4 기간 동안 상기 제2 트랜지스터를 턴온 상태로 설정하는 제어부를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  10. 제1 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법에 있어서,
    제1 전압을 공급하는 제1 전원에 제1단이 연결된 커패시터와 제1 커패시터의 제2단에 제1단이 연결되고 제2 전압을 공급하는 제2 전원에 제2단이 연결된 제2 커패시터에 저장된 에너지를, 상기 제1 커패시터의 제1단과 인덕터를 통하여 상기 제1 전극으로 주입하는 단계,
    상기 제1 커패시터의 제1단을 통하여 상기 제1 전극에 상기 제1 전압을 인가하는 단계,
    상기 제1 전극에 저장된 에너지를 상기 인덕터를 통하여 상기 제2 커패시터로 회수하는 단계, 그리고
    상기 제1 전극에 상기 제2 전압을 인가하는 단계
    를 포함하는 구동 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 플라즈마 표시 장치는 상기 제1 전극과 함께 유지 방전을 수행하는 제2 전극을 더 포함하며,
    상기 제1 전극에 상기 제1 전압을 인가하는 단계는, 상기 제2 전극에 상기 제2 전압을 인가하는 단계를 더 포함하며,
    상기 제1 전극에 상기 제2 전압을 인가하는 단계는 상기 제2 전극에 상기 제1 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는 구동 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 플라즈마 표시 장치는 상기 제1 전극과 함께 유지 방전을 수행하는 제2 전극을 더 포함하며,
    상기 제1 전극에 상기 제1 전압을 인가하는 단계 및 상기 제1 전극에 상기 제2 전압을 인가하는 단계는 각각, 상기 제2 전극에 상기 제1 전압과 상기 제2 전압 사이의 제3 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는 구동 방법.
  13. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 전극에 상기 제1 전압을 인가하는 단계는, 상기 인덕터에 저장되어 있는 에너지를 상기 제1 및 제2 커패시터로 회수하는 단계를 더 포함하는 구동 방법.
  14. 제1 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 장치에 있어서,
    제1 전압을 공급하는 제1 전원과 상기 제1 전극 사이에 연결되어 있는 제1 트랜지스터,
    상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 공급하는 제2 전원과 상기 제1 전극 사 이에 연결되어 있는 제2 트랜지스터,
    상기 제1 전극에 제1단이 연결되어 있는 인덕터,
    상기 제1 전원과 상기 인덕터의 제2단 사이에 연결되어 있는 제3 트랜지스터, 그리고
    상기 제1 전압과 상기 제2 전압 사이의 제3 전압을 공급하는 제3 전원과 상기 인덕터의 제2단 사이에 연결되어 있는 제4 트랜지스터
    를 포함하는 구동 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제2 전원에 애노드가 연결되고 상기 인덕터의 제2단에 캐소드가 연결되어 있는 제1 다이오드
    를 더 포함하는 구동 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4 트랜지스터는 각각 바디 다이오드를 포함하며,
    상기 제4 트랜지스터에 연결되어 상기 제4 트랜지스터의 바디 다이오드를 통한 전류 경로를 차단하는 제2 다이오드를 더 포함하는 구동 장치.
  17. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    제1단을 통하여 상기 제1 전압을 공급하는 제1 커패시터, 그리고
    상기 제1 커패시터의 제2단에 제1단이 연결되고 상기 제2 전원에 제2단이 연결되어 있는 제2 커패시터를 더 포함하며,
    상기 제1 및 제2 커패시터는 상기 제1 전원으로 동작하며, 상기 제2 커패시터는 상기 제3 전원으로 동작하는 구동 장치.
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