KR100632713B1 - 디스플레이 장치 - Google Patents
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Abstract
스위칭 속도가, 예를 들면, LC 물질의 유체 역학적 성질들을 고려하면서 화소들 양단의 전압의 변화시 화소들을 증속 구동함으로써 증가되는, "인 플레인 스위칭"에 기초한 LC 디스플레이 장치가 제공된다. 주변 또는 액체 온도의 변화들을 보정하기 위해 보정 수단이 사용될 수도 있다.
디스플레이 장치, 화소, 스위칭 속도, 보정 수단, 온도 센서
Description
본 발명은, 두 개의 기판들을 포함하며, 상기 기판들 중 적어도 하나의 기판이 투명한 디스플레이 장치에 관한 것으로,
- 기판들 사이의 액정 물질,
- 기판들과 실질적으로 평행하게 액정 물질의 분자들을 배향시키는 배향 수단,
- 기판들 중 적어도 하나의 기판 상의 전극들,
- 편광 수단,
- 적어도 하나의 화소를 선택하기 위한 선택 수단으로서, 선택동안 동작 상태에서 상기 기판들과 실질적으로 평행하게 전계가 인가되는, 상기 선택 수단, 및
- 화소에 연결된 전극에 신호 전압을 공급하기 위한 구동 수단을 구비한다.
이러한 형태의 디스플레이 장치들은 텔레비전, 모니터, 문자·숫자 디스플레이(alphanumerical displays) 등과 같은 평판 디스플레이 장치들에 사용된다.
상기 언급된 형태의 디스플레이 장치는 EP-A-0 667 555호에 기술되어 있다. 이 장치는 "인 플레인 스위칭 효과(in plane switching effect)"에 기초하며, 기판들에 대해 실질적으로 평행한 방향의 전계에 의해 상이한 전기-광학 상태들 사이에서 스위칭되며, 따라서 "수평 전계형 디스플레이(horizontal electrical field type display)"라고 한다. 그러나, 이 효과는 일반적으로 사용되는 TN(twisted nematic, 트위스티드 네마틱) 효과보다 훨씬 느리기 때문에, 빠른 속도가 요구되는 응용들(비디오, 모니터)에서는 사용될 수 없거나 또는 거의 사용될 수 없다.
EP-A-0 667 555호는 스위칭 속도가 증가될 수 있는 방법을 개시하고 있지만, 최적으로 실현된 스위칭 시간이 25msec 내지 30msec이었으며, 비디오 응용들에 대해서, 60㎐의 신호 주파수에서 통상적으로 16.7msec인 1 필드 시간 내에서의 완전 전이(full transition)가 요구된다.
특히, 본 발명의 목적은, 상당히 빨리 스위칭하는 상술된 형태의 디스플레이 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 비디오 속도, 가능하게는 100㎐ 이상까지의 속도로 구동될 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
이를 위해서, 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 화소의 선택 동안 공급된 외부 데이터 전압 및 동일 화소의 이전 선택 동안 공급된 외부 데이터 전압에 의존하여, 상기 화소의 선택 동안, 화소에 연결된 전극에 공급될 신호 전압을 조정하는 보정 수단(correction means)을 구동 수단이 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 언급된 구성(IPS 또는 "인 플레인 스위칭")에서 화소의 스위칭 속도는, 디스플레이 목적으로 사용되는 외부 데이터 전압들의 범위에 대해서 화소에 연결된 전극에 공급될 신호 전압들의 범위를 상당한 정도로 확장함으로써 개선된다. 다른 전기-광학 효과(예를 들면, SSFLC와 같은 쌍안정 효과(bistable effects) 또는 게스트-호스트 효과(guest-host effect))에서, 이러한 방법은 가속 효과를 전혀 나타내지 않는다.
바람직하게, 보정 수단은 화소가 동일 화소의 다음 선택 이전에 외부 데이터 전압과 관련된 화소의 투과 또는 반사 값에 도달하도록 화소에 연결된 전극에 공급될 신호 전압을 조정한다.
트위스티드 네마틱 액정 디스플레이 장치에 있어서, 이전 선택 동안의 신호 값들에 기초하여, 외부에서 공급된 신호들을 미리 보정하는 것은 미국 특허 제 5,495,265 호에 그 자체로 공지되어 있다. 그러나, 이 미국 특허는, 전압의 변화시, 이 화소의 커패시턴스 변화로 인한 화소 양단의 전하의 보정에 대해 언급하고 있다. 두 극단적인 상태들 사이에서 전이할 때, 유전율은 ε∥에서 ε⊥로, 또는 그 역으로 변한다. 전계가 증가할 때, 최대값을 갖는 유전율은 더 많은 영향을 받을 것이다. IPS에 사용되는 구성에서, 기판 물질(예를 들어, 유리)의 유전율은 액정 물질의 유전율보다 훨씬 큰 영향을 받는다. 특정한 구조로 인해, 전계 라인들의 적어도 동일한 크기의 부분은 기판들을 통해 연장한다. 기판들의 유전율은 스위칭 동안 변하지 않는다. 액정 분자들의 적은 회전으로 인해, 액정 물질의 유전율 역시 아주 작은 정도로 변경된다. 따라서, 화소 전극들간의 전체 커패시턴스는 투과 상태가 변할 때 실질적으로 일정하게 되기 때문에, "인 플레인 스위칭 효과"에 기초한 디스플레이 장치의 화소들의 커패시턴스는 구동 전압(또는 화소 양단의 전압)에 대해 변하지 않거나 또는 거의 변하지 않는다. 따라서, 미국 특허 제 5,495,265 호에 개시된 보정은 이러한 디스플레이 장치에서 어떠한 영향도 끼치지 못한다. "인 플레인 스위칭 효과"에 기초한 디스플레이 장치에서, 선택의 지속 기간 및 액정 물질의 유체 역학적 성질들은 보정의 정도를 크게 한정한다. 이 보정은 실험적으로(또는 간단한 공식에 의해 근사적으로) 규정될 수 있으며, 예를 들면, 한 형태의 디스플레이 장치에 대해 룩업 테이블(look-up table)에 실질적으로 저장될 수 있으며, 대안적으로는, 마이크로프로세서가 보정을 계산하기 위해 사용될 수 있다.
필요하다면, 액정의 온도 또는 주변 온도의 변화가 보정에 포함될 수 있다.
본 발명은 3극 스위치들(박막 트랜지스터들) 또는 2극 스위치들과 같은 액티브 스위치들에 의해 선택이 발생하는 액티브 매트릭스들뿐만 아니라, 플라즈마 덕트(plasma ducts)를 통해 선택이 발생하는 플라즈마 어드레스 액정 디스플레이(PALC, Plasma Addressed Liquid Crystal)에도 적용될 수 있다.
본 발명의 상기 및 다른 특징들은 이하 설명되는 실시예들로부터 명백하게 될 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면.
도 2는 상술된 원리("인 플레인 스위칭" 또는 IPS)에 따라 동작하는 화소의 평면도.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 라인을 따라 취해진 단면도.
도 3a는 도 3의 다른 실시예를 도시하는 도면.
도 3a는 도 3의 다른 실시예를 도시하는 도면.
도 4는 화소와 관련된 투과/전압 특성을 도시하는 도면.
도 5는 본 발명에 따른 보정 수단을 갖는 장치와 보정 수단을 갖지 않는 장치 모두에 대한, 화소의 스위칭 동작의 일 예를 도시하는 도면.
도 6은 관련된 펄스 패턴들을 개략적으로 도시하는 도면.
도 7은 본 발명에 따른 보정 수단의 가능한 구현 예를 도시하는 도면.
도 8은 IPS에 기초해서 동작하는 다른 화소의 평면도.
도 9는 도 8의 Ⅸ-Ⅸ 라인을 따라 취해진 단면도.
도면은 실척이 아니라 도식적인 것이며, 대응하는 소자들은 일반적으로 동일한 도면 부호들로 표기되었다.
도 1은 화상 디스플레이 장치(1)의 일부분의 등가 회로를 개략적으로 도시한다. 이 장치는 행과 열로 배열된 화소들(2)의 매트릭스를 포함한다. 화소들(2)은 본 실시예에서 TFT 트랜지스터들(3)인 스위치들을 통해 열 또는 데이터 전극들(4)에 접속된다. 화소들의 행은 TFT들의 게이트 전극들을 통해 관련 행을 선택하는 행 또는 선택 전극들(5)을 통해 선택된다. 행 전극들(5)은, 예를 들면, 시프트 레지스터인 행-구동 회로(6)에 의해 연속적으로 선택된다.
예를 들면, (비디오) 정보(7)인 인입 데이터 신호들은 처리/구동 유닛(8)에서 처리되고, 필요하다면 보정되어, 데이터 레지스터(9)에 저장된다. 데이터 레지스터(9)에 의해 공급되는 전압들은 그레이 레벨들의 원하는 스케일을 설정하기에 충분한 전압 범위를 포괄한다. 여기서, 커패시터들로 나타낸 화소들(2)은, 전극들(11)이 선택 동안 열 전극들로부터 전압을 취하기 때문에 TFT들(3)을 통해 양 또는 음으로 충전된다. 본 실시예에서, 전극들(12)은, 예를 들면, 공통 접속부(14)를 통해 접지에 접속된다. 상호 동기(mutual synchronization)가 구동 라인들(10)을 통해 발생한다.
도 2는, 예를 들면, 유리인 두 기판들(16, 17) 사이에 존재하며 전극들(11, 12)을 각각 구비하는 네마틱 액정 물질(2)을 갖는 액정 화소(2)를 포함하는 액정 디스플레이 장치의 일부분의 평면도이고, 도 3은 단면도이다. 본 실시예에서 액정 디스플레이 장치는 기판들의 내벽들 상의 액정 물질을 전극들(11, 12)의 방향으로 배향시키는 배향층들(orientation layers)(38, 39)을 더 포함한다. 이 경우, 액정 물질은 양의 광학적 이방성(positive optical anisotropy) 및 양의 유전 이방성(positive dielectric anisotropy)을 갖는다. 전극들(11, 12)이 전압에 의해 전류를 통하게 되면, 그에 따라 분자들(21)은 자신들을 전계의 방향으로 배향시킨다.
이를 위해서, 전극(11)에는 데이터 전극(4)에 접속되는 박막 트랜지스터(TFT)(3)를 통해 데이터 전압이 제공된다. 예를 들면, 비정질 실리콘의 이 트랜지스터가 선택 전극(5)을 통해 선택되면, TFT는 도통 상태가 된다. 이 때 데이터 전극(4)의 전압이 전극(11)으로 전달된다. 이를 위해서, 게이트 절연체로서 기능하는 절연 물질(25)의 (연속하는) 층이 선택 전극(5)과 비정질 실리콘(22) 사이에 존재한다. 또한, TFT는 전기적으로 도통하는 방식으로 콘택트 금속부들(contact metallizations)(23, 24)을 통해 전극들(4, 11)에 접속되는 소스 영역(44)과 드레인 영역(45)을 포함한다. 본 실시예에서, 전극(12)은 접지된다. 액정 물질의 열화를 방지하기 위해서, 데이터 전압은 양과 음으로 교대로 공급된다. 입사광(26)에 의한 TFT에서의 누설 전류를 방지하기 위해서, 기판(16)은 또한 블랙 마스크(20)를 구비한다.
액정층(15)은 두 인접하는 전극들(11, 12) 사이의 거리(L)보다 훨씬 작은 두께(t)를 갖기 때문에(예를 들면, d는 0.3×L), 분자들(21)은 두 기판들과 실질적으로 평행한 평면 내에서, 인가된 전계(화살표(18)로 표시됨)로 인해 회전한다. 서두에서 언급된 바와 같이, 전계는 기판들(16, 17)까지 연장하기 때문에, 기판들의 유전율은 주로 전극들(11, 12) 간의 커패시턴스를 결정한다. 명백히 하기 위해서, 이것은 두 전극들(11, 12)이 동일 기판(17) 상에 존재하는 다른 실시예(도 3a)에 한번 더 도시되어 있다.
이러한 회전은, 일반적으로 공지된 방식으로, 후광(backlight)의 (입사) 광(26)의 투과를 변화시키는 복굴절을 도입한다. 액정 디스플레이 장치는 그 편광 방향이, 예를 들면, 서로 평행한 2개의 편광기들(19)을 더 포함한다. 편광기들의 상호 배향(mutual orientation)의 수정은 디스플레이 장치의 콘트라스트를 최적화한다.
관련된 투과/전압 특성 곡선이 도 4에 도시된다. 디스플레이 셀 양단의 전압이 6볼트일 때, 본 실시예에서는 최대 광량의 약 30%가 투과되지만(30% 투과), 디스플레이 셀 양단의 전압이 7볼트일 때, 최대 광량의 약 60%가 투과된다(60% 투과). 디스플레이 셀의 동적 거동은 도 5 및 도 6을 참조로 설명된다. 복수의 행들을 포함하는 디스플레이 장치에 있어서, 각 행은, 예를 들면, 16.7msec인 각 필드 시간(tf) 동안 라인 선택 시간(t1) 동안 선택된다. 비디오 응용들에 있어서, 홀수 라인의 정보는 제 1 필드 동안 공급되고, 후속하는 짝수 라인의 정보는 다음 필드에서 동일한 행에 공급된다.
도 5 및 도 6의 실시예에서, 정보는 화소의 투과 레벨이 30%로부터 60%로 변하도록 순간(t0)에서 변한다. 이를 위해서, 화소 양단의 전압은 순간(t0)에 후속하는 선택 시간 동안 6볼트에서 7볼트로 상승되며(도 6의 패턴 26); 후속하는 선택 시간 동안, 정보가 다시 변경될 때까지 7볼트의 전압이 공급된다. 이것은 액정 물질의 관성에 의해 주로 결정되는 화소 양단의 전압의 패턴 28(도 5에서 곡선(1))과 관련된다. 화소의 커패시턴스는 거의 변하지 않기 때문에, 미국 특허 제 5,495,265 호에 공지된 바와 같이, 보정은 거의 영향을 끼치지 않는다.
그러나, 상당히 높은 값(또는 더 낮은 투과 레벨로 스위칭할 때는 더 낮은 값)의 전압을 한번 공급(도 6의 패턴 27)함으로써 스위칭이 가속될 수 있음이 의외로 밝혀졌다. 따라서, 밝혀진 보정들은, 미국 특허 제 5,495,265 호에 개시된 바와 같이, TN 효과에 대해 일반적인 것 보다 수 배 더 크다. 결과적으로, 순간(t0)에 후속하는 선택 시간 동안 화소 양단의 전압이 6볼트에서 8볼트로 상승되면(도 6의 패턴 27), 화소 양단의 전압은 패턴 29(도 5의 곡선(2))를 나타내게 된다. 도 5에서 명백한 바와 같이, 원하는 투과 레벨은 1 필드 시간(tf) 내에 도달되므로, 보정은 t1부터 더 이상 필요없게 된다. 따라서, t1에서부터, 후속하는 선택 시간들 동안 7볼트의 전압이 화소 양단에 다시 인가된다(패턴 26). 이제 화소 양단의 전압은 패턴 30(도 5의 곡선(3))을 나타내게 된다. 도 6에서 화소 양단의 전압들은 하나의 극성을 갖지만, 실제로는 극성 변경이 사용된다. 본원에 예시된 실시예에 대해서, Merck사의 ZLI 4792가 액정 물질로서 사용되었다. 하기의 표 1은 화소 양단의 원하는 전압에서 (다음 선택 동안) 화소 양단에 어떤 전압이 한번 공급되어야만 하는지를 나타낸다. 좌측 열은 정보 변경 이전의 화소 양단의 전압을 나타내고, 첫 번째 행은 정보 변경 후의 화소 양단의 원하는 전압을 나타낸다.
3V | 4V | 5V | 6V | 7V | 8V | |
3V | 6.6V | 9.3V | 11.8V | 13.7V | 15.4V | |
4V | 2.2V | 6.8V | 9.1V | 11.2V | 12.9V | |
5V | 2.0V | 3.2V | 7.3V | 9.3V | 11.1V | |
6V | 1.65V | 2.6V | 4.0V | 8.0V | 9.8V | |
7V | 1.6V | 2.6V | 3.5V | 4.9V | 8.8V | |
8V | 1.6V | 2.4V | 3.1V | 4.4V | 6.2V |
보정은, 예를 들면, 도 7에 도시된 회로에 의해 수행된다. 제 1 필드 동안 공급되는 화상 라인의 정보(7)(Datain)는 1 필드 시간의 지연 시간을 갖는 지연 회로(32)와, LUT(룩-업 테이블)(33) 및 가산기(34)에 제공된다. 1 필드 시간 후에, 정보(7)는 변경된다. 변경된 정보(New Datain)는 이 순간부터 지연 회로(32), LUT(33) 및 가산기(34)에 공급된다. 이전 필드로부터의 지연된 정보(Old Datain)와 변경된 정보(New Datain)는, 예를 들면, 표 1을 참조로 설명된 바와 같이, 보정을 결정하는 LUT(33)를 공동으로 어드레스한다. 가산기(34)에서, 이 보정은 변경된 정보(New Datain)에 가산된다. 이렇게 결정된 데이터는 시프트 레지스터(9)를 경유하거나 또는 경유하지 않고 열 전극들(4)에 공급된다. 구동 유닛(8)에서 결정되는 대신, 보정은 대안적으로 시프트 레지스터(9)에 의해 공급되는 전압들을 참조하여 결정될 수도 있다.
필요하다면, 각 화소는 보조 커패시터(13)를 구비한다. 보조 커패시터들(13)의 존재는 화소들 양단에서의 전압 손실을 감소시킨다. 보조 커패시터들은, 예를 들면, 화소 커패시턴스의 약 6배의 커패시턴스를 갖는다. 화소 커패시턴스의 상대적인 변화는 미국 특허 제 5,495,265 호에 개시된 보정의 사용이 거의 어떠한 효과도 갖지 않도록 더 감소된다.
플라즈마 어드레스 LCD(PALC, Plasma Addressed LCD)의 디스플레이 장치의 일부분을 도시하는 도 8 및 도 9에서, 화소들의 연속하는 행들은, 기판(17)에 실현되고 캐소드(36)와 애노드(37)를 구비하는 플라즈마 덕트(35)에 의해 선택된다. 적절한 가스 혼합물로 채워진 덕트 내의 캐소드와 애노드에 의해 플라즈마 방전이 발생된다. 그에 의해, 덕트는 도통 상태가 되고, 화소들의 행에 대한 선택 기능을 수행하게 된다. 덕트는 얇은 유전층(40)에 의해 액정층으로부터 분리된다. 이러한 형태의 장치들에 대한 완전한 동작을 설명하기 위해서, Buzak 등에 의한 「"A 16-Inch Full Color Plasma Addressed Liquid Crystal Display", Digest of Techn. Papers, 1993 SID Int. Symp., Soc. for Info. Displ. pp. 883-886」이 참조된다. 간단히 하기 위해, 편광기들과 같은 다수의 소자들은 도 8 및 도 9에서 생략되었다.
본 실시예에서 다른 기판(16) 상에 제공된 행 전극들은, 예를 들면, 플라즈마 덕트와 평행한 이(teeth)를 갖는 콤형(comb-shaped) 구조를 갖고, 액정층(15)이 플라즈마 덕트와 이 사이의 거리보다 훨씬 작은 두께를 갖기 때문에, 인가된 전계(화살표(18)로 도시됨)로 인해, 분자들은 두 기판들과 실질적으로 평행한 평면 내에서 다시 회전한다. 도면에 도시된 도면 부호는 이전의 실시예들과 동일한 의미를 갖는다. 투과/전압 특성은 도 4에 도시된 것과 유사한 변동을 가지며, 화소들 양단에 더 높은 전압들이 요구된다. 인입 정보에 따라서, 도 1 내지 도 3의 장치에 대해서와 유사하게 보정 테이블이 이 데이터 전압들에 대해 유도될 수 있다. 보정은 도 7에 도시된 회로에 의해 다시 실현될 수 있다.
액정 디스플레이 장치는, 예를 들면, 불투명한 물질로 이루어진 기판(17)을 제조하고 이것에 반사기를 제공함으로써 투과형뿐만 아니라 반사형이 될 수도 있다. 대안적으로, 음의 유전 이방성을 갖는 LC 물질이 선택될 수 있다. 또한, 도 7의 회로의 변형예도 가능하다. 예를 들면, 대안적으로 보정은 마이크로프로세서에 의해 계산될 수도 있다. 이 경우에, 또한 LUT의 경우에, 주변 또는 액체 온도의 (디지털화된) 값은 온도 동요를 보정하기 위해 여분의 입력 데이터(41)로서 작용할 수도 있다.
요약하면, 본 발명은 "인 플레인 스위칭"에 기초한 LC 디스플레이 장치에 관한 것으로, 여기서 스위칭 속도는, 예를 들면, LC 물질의 유체 역학적 성질들을 고려하면서 이 화소들 양단의 전압의 변화시 화소들을 증속 구동(overdriving)함으로써 증가된다. 보정 수단은 주변 또는 액체 온도의 변화들을 보정하기 위해 사용될 수도 있다.
Claims (7)
- 적어도 하나가 투명한 두 개의 기판들을 포함하는 디스플레이 장치로서,- 상기 기판들 사이의 액정 물질,- 상기 기판들과 실질적으로 평행하게 상기 액정 물질의 분자들을 배향시키는 배향 수단,- 상기 기판들 중 적어도 한 기판 상의 전극들,- 편광 수단,- 적어도 하나의 화소를 선택하기 위한 선택 수단으로서, 선택동안 동작 상태에서 상기 기판들과 실질적으로 평행하게 전계가 인가되는, 상기 선택 수단, 및- 상기 화소에 연결된 전극에 신호 전압을 공급하기 위한 구동 수단을 구비하는 상기 디스플레이 장치에 있어서,상기 구동 수단은, 화소의 선택 동안 공급된 외부 데이터 전압 및 동일 화소의 이전 선택 동안 공급된 외부 데이터 전압에 의존하여, 상기 화소의 선택 동안, 상기 화소에 연결된 전극에 공급될 신호 전압을 조정하는 보정 수단을 구비하고,상기 선택의 지속 기간 및 상기 액정 물질의 유체 역학적 성질들이, 상기 보정 수단에 의한 상기 신호 전압의 조정을 결정하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 보정 수단은, 상기 화소가 동일 화소의 다음 선택 이전에 상기 외부 데이터 전압과 관련된 투과 또는 반사 값에 도달하도록 상기 신호 전압을 조정하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 장치.
- 삭제
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 디스플레이 장치는 온도 센서를 구비하고, 상기 보정 수단은 온도 변화들에 대한 보정을 조정하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 보정 수단은 마이크로프로세서 또는 룩-업 테이블(look-up table)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 디스플레이 장치는 화소들의 매트릭스를 포함하고, 상기 화소의 전극은 보정된 데이터 전압에 대한 데이터 전극에 박막 트랜지스터를 통해 연결되며, 상기 선택 수단은 상기 박막 트랜지스터를 선택하기 위한 행 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 디스플레이 장치는 화소들의 매트릭스를 포함하고, 상기 화소의 전극은 상기 기판들 중 하나의 기판 상의 데이터 전극에 연결되고, 상기 선택 수단은 다른 한 기판의 플라즈마 덕트를 포함하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 장치.
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