KR100806886B1 - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

하판으로 쓰일 모기판 위에 다수의 게이트선, 다수의 데이터선, 박막 트랜지스터를 형성하고, 화소 전극을 형성한다. 다음, 상판으로 쓰일 모기판 위에 적, 녹, 청의 색 필터를 각각 형성하고 색 필터를 덮는 공통 전극을 형성한다. 두 모기판이 각각 완성되면 두 기판 중 어느 한 기판 위에 스페이서를 산포하고, 봉인재 패턴을 형성한 후, 열압착을 실시하여 두 모기판을 접착시킨다. 다음, 상부 모기판의 바깥쪽에 감광성 유기막을 코팅하고 하부 모기판의 바깥쪽에서 노광을 실시한 후 현상하여 배선 및 박막 트랜지스터의 모양을 따라 블랙 매트릭스를 형성한다. 이때, 노광 장비 내에 설치되어 있는 가림 장치로 주변부 영역을 가려줌으로써 노광 후 현상했을 때 주변부 영역에도 블랙 매트릭스가 형성되도록 한다. 다음, 두 모기판으로 이루어진 액정 셀을 잘라서 다수의 액정 셀을 만든다. 다음, 액정 주입구를 통해 액정을 주입한 후 액정 주입구를 봉인재 패턴을 이용하여 막는다. 다음, 상판 및 하판의 바깥쪽에 각각 편광판을 부착한다.
블랙 매트릭스, 개구율

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{liquid crystal display and manufacturing method thereof}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 하판을 도시한 평면도이고,
도 2는 도 1에서 단위셀 영역 중 어느 한 영역(A)의 일부를 도시한 평면도이고,
도 3은 도 2에서 Ⅲ 부분을 확대하여 도시한 배치도이고,
도 4는 도 3에서 Ⅳ-Ⅳ 선을 따라 잘라 도시한 단면도로서, 상판과 함께 도시한 것이고,
도 5a 내지 도 5c는 도 4에 도시한 액정 표시 장치를 제조하는 공정을 그 순서에 따라 차례로 도시한 단면도이다.
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 개구율을 높이는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중의 하나 로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 유리 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져 있으며, 두 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시켜 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
이러한 액정 표시 장치의 한 기판은 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터를 갖는 것이 일반적이며, 이러한 박막 트랜지스터 기판에는 박막 트랜지스터 외에도 게이트선 및 데이터선을 포함하는 배선, 외부로부터 신호를 인가받아 게이트선 및 데이터선으로 각각 전달하는 게이트 패드 및 데이터 패드가 형성되어 있다. 게이트선과 데이터선이 교차하여 정의되는 화소 영역에는 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극이 형성되어 있다.
이러한 박막 트랜지스터 기판과 마주하는 다른 한 기판에는 화소 전극에 대응하는 적, 녹, 청의 색 필터가 형성되어 있으며 색 필터 사이에는 블랙 매트릭스가 형성되어 있고, 색 필터 및 블랙 매트릭스 위에 공통 전극이 형성되어 있다.
두 기판은 다수의 사진 식각 공정을 통하여 형성하며, 두 기판이 완성되면 정렬하여 조립하게 된다. 이때, 오정렬을 고려하여 블랙 매트릭스의 선폭을 크게 형성하는데 이로 인해 개구율이 감소하는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 개구율을 높이는 것이다.
이러한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에서는 상판의 바깥쪽에 배선의 모양을 따라 블랙 매트릭스를 형성한다.
본 발명에 따르면, 제1 절연 기판이 있고, 제1 기판의 내면과 마주하는 내면을 가지며 제1 기판과 결합되어 있는 제2 절연 기판이 있다. 제1 기판의 내면에 다수의 배선이 형성되어 있고, 제1 기판의 내면에 배선과 연결되어 있는 다수의 스위칭 소자가 형성되어 있다. 제1 기판의 내면에 스위칭 소자와 연결되어 있는 다수의 화소 전극도 형성되어 있다. 제2 기판의 내면에는 화소 전극에 대응하는 색 필터가 형성되어 있고, 제2 기판 내면의 색 필터 위에 공통 전극이 형성되어 있다. 제2 기판의 외면에 배선 및 스위칭 소자에 대하여 자기 정렬되어 있는 표시 영역 블랙 매트릭스가 형성되어 있다.
여기서, 다수의 색 필터가 모여 표시 영역을 이루며, 제2 기판은 표시 영역의 바깥쪽에 위치하는 주변부 영역을 포함하고, 주변부 영역에 주변부 블랙 매트릭스가 형성되어 있을 수 있다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치를 제조할 때 먼저, 제1 절연 기판의 내면에 다수의 배선, 배선에 연결되어 있는 스위칭 소자 및 스위칭 소자와 연결되어 있는 화소 전극을 형성한다. 다음, 제2 절연 기판의 내면에 화소 전극에 대응하는 색 필터 및 색 필터를 덮는 공통 전극을 형성한다. 다음, 제1 기판과 제2 기판의 내면이 마주보도록 정렬하여 결합한다. 제2 기판의 외면에 감광성 유기막을 도포하고, 제1 기판의 외면에서 빛을 조사한 후 감광성 유기막을 현상하여 블랙 매트릭스를 형성한다.
이때, 제1 기판의 외면에서 빛을 조사할 때 다수의 화소 전극이 모여 이루어진 표시 영역의 바깥쪽인 주변부 영역의 감광성 유기막이 노광되는 것을 방지하여 감광성 유기막을 현상한 후 주변부 영역에도 블랙 매트릭스가 형성되도록 하는 것이 바람직하다.
이러한 본 발명에서는 블랙 매트릭스가 배선 및 박막 트랜지스터의 모양을 따라 형성되어 있으므로 개구율이 감소하지 않는다.
그러면, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.
먼저, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 하판을 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1에서 단위셀 영역 중 어느 한 영역(A)의 일부를 도시한 평면도이고, 도 3은 도 2에서 Ⅲ 부분을 확대하여 도시한 배치도이고, 도 4는 도 3에서 Ⅳ-Ⅳ 선을 따라 잘라 도시한 단면도로서, 상판과 함께 도시한 것이다. 도 4에서는 도 3의 구성 요소를 모두 도시하지 않고 설명에 필요한 구성만 도시하였다.
유리로 이루어진 모기판(mother glass)(100)은 점선을 따라 여섯 개의 단위셀(cell) 영역(A, B, C, D, E, F)으로 나뉘어 있으며, 각 단위셀 영역은 다수의 화소 영역(P)이 모여 이루어진 표시 영역(a)과 표시 영역(a) 바깥쪽의 빗금친 부분인 주변부 영역(b)으로 나뉜다. 표시 영역(a)은 다수의 화소 영역(P)으로 이루어져 있으며 각 화소 영역(P)마다 박막 트랜지스터(TFT)와 화소 전극(Pi)이 형성되어 있다. 주변부 영역(b)에는 외부로부터 신호를 전달받아 화소 전극(Pi)에 전달하는 패드부(Q1, Q2)가 형성되어 있다.
모기판(100)과 마주하는 상부의 모기판(101)의 바깥면에는 감광성 유기막으로 이루어진 블랙 매트릭스(131)가 패터닝되어 형성되어 있다. 이때, 블랙 매트릭스 패턴(131)은 하판(100)의 주변부 영역(b)과 표시 영역의 배선(21, 61) 및 박막 트랜지스터(TFT)의 모양을 따라 형성되어 있다. 즉, 배선(21, 61) 및 박막 트랜지스터(TFT)에 대하여 자기 정렬되어 있다. 이에 대하여는 이후에 상세히 설명한다.
그러면, 상판 및 하판의 각 구조에 대하여 상세히 설명한다.
먼저, 하판(100)의 윗면에 금속 또는 도전체로 이루어진 다수의 게이트선(21)이 형성되어 있고, 이와 절연되어 교차하여 다수의 화소 영역(P)을 정의하는 다수의 데이터선(61)이 형성되어 있으며, 게이트선(21) 및 데이터선(61)의 끝에 각각 게이트 패드(23) 및 데이터 패드(64)가 형성되어 있다. 여기서, 다수의 화소 영역(P)이 모여 표시 영역(a)을 이루며, 다수의 게이트 패드(23) 및 데이터 패드(64)가 모여 각각 패드부(Q1, Q2)를 이룬다. 화소 영역(P)에는 게이트선(21)에 연결되어 있는 게이트 전극(22), 게이트 전극(22) 상부에 형성되어 있는 반도체층(41), 데이터선(61)에 연결되어 있는 소스 전극(62) 및 소스 전극(62)과 분리되어 있는 드레인 전극(63)으로 이루어진 박막 트랜지스터(TFT)가 위치하고 있으며, 박막 트랜지스터(TFT)와 접촉 구멍(72)을 통해 연결되어 있는 화소 전극(Pi)이 형성되어 있다. 한편, 게이트 패드(23) 및 데이터 패드(64)는 접촉 구멍(73, 74)을 통해 각각 보조 게이트 패드(83) 및 보조 데이터 패드(84)와 연결되어 있을 수도 있다.
다음, 상판(101)의 아랫면에 화소 전극(Pi)에 대응하는 적, 녹, 청의 색 필터(110)가 형성되어 있으며 색 필터(110) 하부에 공통 전극(120)이 형성되어 있다. 상판(101)의 윗면에는 감광성 유기막으로 이루어진 블랙 매트릭스(131)가 게이트선(21) 및 데이터선(61)의 모양을 따라 형성되어 있으며, 표시 영역(a)의 바깥쪽 주변부 영역(b)에도 블랙 매트릭스(131)가 형성되어 있다.
종래 기술에서는 오정렬을 고려하여 블랙 매트릭스의 선폭을 크게 형성하여 개구율이 감소하지만, 본 발명에서는 블랙 매트릭스(131)가 배선(21, 61) 및 박막 트랜지스터(TFT)에 대하여 자기 정렬되어 있으므로 개구율이 감소하지 않는다.
그러면, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 대하여 도 5a 내지 도 5c, 앞서의 도 4를 참조하여 설명한다.
먼저, 도 5a 및 도 5b에서와 같이, 하판 및 상판으로 각각 쓰일 각각의 모기판(100, 101) 위에 다수의 사진 식각 공정을 통하여 다층의 박막 패턴을 형성하는데, 하부의 모기판(100) 및 상부의 모기판(101)의 제조 방법에 대하여 각각 설명한다.
도 5a에서와 같이, 하판으로 쓰일 모기판(100) 위에 다수의 게이트선(21)을 형성하고 이와 절연되어 교차하여 화소 영역을 정의하는 다수의 데이터선(61)을 형성하며, 게이트선(21) 및 데이터선(61)과 연결되는 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다. 다음, 화소 영역(P)에 화소 전극(Pi)을 형성한다.
다음, 도 5b에서와 같이, 상판으로 쓰일 모기판(101) 위에 적, 녹, 청의 색 필터(110)를 각각 형성하는데, 색 필터(110)를 형성하는 공정을 자세히 설명하면 다음과 같다. 먼저, 적색 안료를 포함하는 감광성 수지를 도포하고 사진 현상하여 적색 색 필터를 형성한다. 다음, 녹색 안료를 포함하는 감광성 수지를 도포하고 사진 현상하여 적색 색 필터 사이에 위치하는 녹색 색 필터를 형성한다. 다음, 마지막으로 청색 안료를 포함하는 감광성 수지를 도포하고 사진 현상하여 적색 색 필터와 녹색 색 필터 사이에 위치하는 청색 색 필터를 형성한다. 이때, 적, 녹, 청의 색 필터(110)를 형성하는 순서는 바뀔 수도 있다. 다음, 색 필터(110)를 덮는 공통 전극(120)을 형성한다.
이와 같이 두 모기판(100, 101)이 각각 완성되면 두 기판(100, 101) 중 어느 한 기판 위에 스페이서(도시하지 않음)를 산포한다.
다음, 두 모기판(100, 101) 중 어느 한 기판 위에 액정 주입구(도시하지 않음)만 남겨 놓고 표시 영역(a)과 주변부 영역(b)의 경계를 따라 봉인재 패턴(sealant)(도시하지 않음)을 형성한다.
다음, 두 모기판(100, 101)을 정렬하고 열압착을 실시하여 두 모기판(100, 101)을 접착시키면 도 5c에서와 같이, 두 모기판(100) 사이에 액정 주입 공간을 갖는 액정 셀이 만들어진다.
다음, 상부 모기판(101)의 바깥면에 검은색 안료가 첨가된 감광성 유기막(130)을 코팅하고 하부 모기판(100)의 바깥쪽에서 노광을 실시한 후 현상하면, 앞서의 도 4에서와 같이 배선(21, 61) 및 박막 트랜지스터(TFT)에 대하여 자기 정렬되어 있는 블랙 매트릭스(131)가 형성된다. 하부 모기판(100)의 바깥쪽에서 노광하면 하부 모기판(100)의 게이트선(21) 및 데이터선(61)은 불투명 도전막이므 로 이들에 의해 감광성 유기막(130)에는 빛이 조사되지 않고 나머지 부분에는 빛이 조사되어 현상 후 게이트선(21) 및 데이터선(61)의 모양을 따라 감광성 유기막(131)이 남는다. 이와 같이 게이트선(21) 및 데이터선(61)의 모양을 따라 남은 감광성 유기막(131)이 블랙 매트릭스의 역할을 한다. 이때, 노광 장비 내에는 주변부 영역(b)을 가리고 표시 영역(a)만 노출시킬 수 있는 가림 장치가 설치되어 있는데, 이 가림 장치로 주변부 영역(b)을 가려줌으로써 노광 후 현상했을 때 주변부 영역(b)에도 블랙 매트릭스가 형성되도록 한다.
다음, 두 모기판(100, 101)으로 이루어진 액정 셀을 잘라서 앞서의 A, B, C, D, E, F의 영역으로 이루어진 다수의 액정 셀을 만든다.
다음, 액정 주입구를 통해 액정(도시하지 않음)을 주입한 후 액정 주입구를 봉인재 패턴(도시하지 않음)을 이용하여 막는다.
다음, 상판 및 하판의 바깥쪽에 각각 편광판(도시하지 않음)을 부착한다.
이와 같이 본 발명에서는 블랙 매트릭스가 배선 및 박막 트랜지스터의 모양을 따라 형성되어 있으므로 개구율이 감소하지 않는다.

Claims (4)

  1. 제1 절연 기판,
    상기 제1 기판의 내면과 마주하는 내면을 가지며 상기 제1 기판과 결합되어 있는 제2 절연 기판,
    상기 제1 기판의 내면에 형성되어 있는 복수의 배선,
    상기 제1 기판의 내면에 형성되어 있으며 상기 배선과 연결되어 있는 복수의 스위칭 소자,
    상기 제1 기판의 내면에 형성되어 있으며 상기 스위칭 소자와 연결되어 있는 복수의 화소 전극,
    상기 화소 전극에 대응하며 상기 제2 기판의 내면에 형성되어 있는 복수의 색 필터,
    상기 제2 기판 내면의 상기 색 필터 위에 형성되어 있는 공통 전극,
    상기 제2 기판의 외면에 형성되어 있으며 상기 배선 및 상기 스위칭 소자에 대하여 자기 정렬되어 있는 표시 영역 블랙 매트릭스
    를 포함하는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 다수의 색 필터가 모여 표시 영역을 이루며, 상기 제2 기판은 상기 표시 영역의 바깥쪽에 위치하는 주변부 영역을 포함하고, 상기 주변부 영역에 형성되어 있는 주변부 블랙 매트릭스를 더 포함하는 액정 표시 장치.
  3. 제1 절연 기판의 내면에 복수의 배선, 상기 배선에 연결되어 있는 스위칭 소자 및 상기 스위칭 소자와 연결되어 있는 복수의 화소 전극을 형성하는 단계,
    제2 절연 기판의 내면에 상기 화소 전극에 대응하는 색 필터 및 상기 색 필터를 덮는 공통 전극을 형성하는 단계,
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 내면이 마주보도록 정렬하여 결합하는 단계,
    상기 제2 기판의 외면에 감광성 유기막을 도포하는 단계,
    상기 제1 기판의 외면에서 빛을 조사하는 단계,
    상기 감광성 유기막을 현상하여 블랙 매트릭스를 형성하는 단계
    를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  4. 제3항에서,
    상기 제1 기판의 외면에서 빛을 조사하는 단계에서는 상기 복수의 화소 전극이 모여 이루어진 표시 영역의 바깥쪽인 주변부 영역의 상기 감광성 유기막이 노광되는 것을 방지하여 상기 감광성 유기막을 현상한 후 주변부 영역에도 블랙 매트릭스가 형성되도록 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1048616A (ja) * 1996-07-29 1998-02-20 Hitachi Ltd 液晶表示装置およびその遮光膜の欠陥修正方法
JPH11295712A (ja) * 1998-04-09 1999-10-29 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH11295744A (ja) * 1998-04-06 1999-10-29 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
KR20000068600A (ko) * 1997-07-22 2000-11-25 요트.게.아. 롤페즈 디스플레이 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1048616A (ja) * 1996-07-29 1998-02-20 Hitachi Ltd 液晶表示装置およびその遮光膜の欠陥修正方法
KR20000068600A (ko) * 1997-07-22 2000-11-25 요트.게.아. 롤페즈 디스플레이 장치
JPH11295744A (ja) * 1998-04-06 1999-10-29 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
JPH11295712A (ja) * 1998-04-09 1999-10-29 Hitachi Ltd 液晶表示装置

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