KR100622557B1

KR100622557B1 - 방사선 촬상 장치를 위한 스위칭/탈분극화 전원

Info

Publication number: KR100622557B1
Application number: KR1020057010400A
Authority: KR
Inventors: 콘스탄티노스 스파티오티스; 올리 만니스토
Original assignee: 요 아야트 리미티드
Priority date: 2002-12-13
Filing date: 2003-12-11
Publication date: 2006-09-13
Also published as: EP1570299A4; AU2003296500A1; JP2006513406A; WO2004055550A1; US20060097180A1; EP1570299B1; KR20050084209A; EP1570299A1; US7154100B2

Abstract

X선/감마선 이미징 카메라용 고전압 스위칭 전원(10)은 고전압 스위칭 및 탈분극화 능력을 제공한다. 전원은 고전압 극성 스위칭 및 이미지 검출기 전하 방출 회로(90)를 포함하고, 특히 차단 컨택트를 갖는 기판으로서 Cd-Te계 검출기 기판(검출기 재료 내의 전하 축적이 이미징 효율 감소시킴)을 이용하는 고에너지 방사선 이미징 카메라에 있어서 특히 유용하다.

고에너지 방사선, 탈분극화, 고전압 극성 스위칭, 전원, 동적 촬상, 카드뮴-텔루르

Description

방사선 촬상 장치를 위한 스위칭/탈분극화 전원{SWITCHING/DEPOLARIZATION POWER SUPPLY FOR A RADIATION IMAGING DEVICE}

본 특허출원은 2003년 12월 13일자로 출원된 미국특허출원인 가출원 번호 제60/433,457호에 근거한 우선권 이익을 주장하며 본 특허출원은 정규의 미국 국내특허출원이다.

본 발명은 X선 및 감마선 방사의 디지털 쵤상분야에 관한 것이다. 보다 상세하게는 X-선 및 감마선 촬상 장치를 위한 스위칭 타입 전압 공급원에 관한 것이다.

발명의 배경

본 발명은 동적 촬상 카메라(DIC) 또는 주사 카메라(SCAN)에 관한 것으로서, X-선 신호를 이미징(영상화)(imaging)하기 위한 카드뮴-텔루르계 화합물(Cd-Zn-Te를 포함하는 Cd-Te 화합물)에 기초한 방사선 검출기를 갖는 동적 촬상 카메라(DIC) 또는 주사 카메라(SCAN)에 관한 것이다. X-선 신호를 이미징하는 Cd-Te계 검출기는 본 발명의 기술분야에서 알려져 있는데, 특히 고에너지 방사선 이미징에 유용하다. 고에너지 방사선 이미징은 1.0KeV 및 이 보다 큰 범위에서의 X-선 및 감마선 방사를 포함한다. 일반적으로, 이들 검출기들은 한쪽 면에서 차단 컨택트를 갖고, 다른쪽 면에서 픽셀 컨택트를 갖는다. 차례로, 픽셀 컨택트는 주문형 반도체(ASICs)를 충전하기 위해 범프(bump)방식으로 결합된다. 차단 컨택트는 검출기의 암전류 또는 외래 전류를 3배 내지 10배 줄이는 기능을 한다. 낮은 암전류는 들어오는 X-선(신호)에 대한 높은 민감도를 의미한다.

그러나, 차단 컨택트를 갖는 Cd-Te 검출기에서 문제가 존재할 수 있다. 이러한 컨택트(예를 들어, 인듐계 차단 컨택트)는 동작 후 몇초 후, 즉 1초에서 수백초 후에 분극화될 수 있다. 이러한 분극화는 검출기가 신호를 잃기 시작하고, 영상은 선명도 또는 명료함을 잃어 흐릿하게 되는 것을 의미한다. 분극화는 Cd-Te 검출기의 재료 내에서의 점진적인 전하 트래핑에 기인하여 일어난다. 종래에는 분극화 영향으로 이러한 X-선 이미징 모드에 있어서 수초 이상 동안 Cd-Te 검출기 물질을 이용할 수 없었다.

따라서, Cd-Te계 방사선 검출기를 이용하는 고에너지 X-선 이미징 시스템에서 전하 트래핑 영향을 방지하거나 극복하는 것은 본 발명의 기술분야에서 유용하다.

발명의 요약

일반적으로 Cd-Te계 DIC 검출기는 적절하게 동작하기 위해 고전압(HV) 바이어스 전위를 요구한다. 유감스럽게도, 이러한 검출기는 전하를 신속하게 축적하고 분극화된다. 분극화 전하는 고전압 바이어스 전위를 오프셋시켜 카메라 촬상 장치의 동작 및 화상 품질에 악영향을 준다. 일단 한번 분극화되면, 검출기 유닛은 "리프레쉬(refresh)" 동작, 즉 트래핑 또는 축적된 전하의 방출을 요구하여 검출기 유닛을 탈분극화하고 장치의 동작효율을 회복하게 된다.

본 발명은 Cd-Te계 검출기(Cd-Zn-Te계 검출기 포함)를 갖는 고에너지 X선 카메라 이미징 장치에 사용하기 위한 고전압 스위칭 전원에 관한 것이다. 이러한 X선 이미징 카메라는, 전원과 함께 일반적으로 CMOS 기판에 결합되고 인터페이스/신호처리 보드에 장착된 검출기 기판을 포함한다. 카메라로부터의 출력은 이미지 처리를 위해 일반적으로 컴퓨터에 전달된다. 본 발명의 탈분극화 스위칭 고전압 전원은 이러한 X선 이미징 카메라를 위한 전원으로서 의도된 것이다.

본 발명의 고전압 스위칭 전원은 동적 이미징 카메라 X선 이미징 시스템 및 주사 카메라/센서 이미징 시스템에서 Cd-Te 검출기(특히 차단 컨택트를 갖는 것)의 사용을 가능하게 한다. 고전압 스위칭 전원은 상기 X선 이미징 시스템의 Cd-Te 검출기에 고전압을 공급하기 위해 사용된다. 고전압 스위칭 전원의 고전압 출력은 사용자가 결정한 간격으로 스위칭(온/오프)가능하다. 예를 들어, 수초마다 스위칭 전원의 고전압 출력은 수 밀리초 동안 자동적으로 오프되고 그런 다음 다시 매우 빠르게 온으로 되는 사이클을 갖는다. 고전압 출력이 오프로 될 때, 검출기에 트래핑된 전하는 방출될 수 있게 되고 이는 검출기의 분극을 반대로 하거나 방지하게 된다. 이는 전하의 축적을 방지하고 차단 컨택트를 갖는 Cd-Te 검출기의 분극화를 방지한다. 분극화의 방지는 Cd-Te 타입의 검출기를 갖는 DIC 이미징 장치의 계속적인 사용을 가능하게 하고, 인라인 이미징(inline imaging), 예를 들어 비파괴 검사 또는 자동화된 X선 검사시스템에서의 이러한 장치의 사용을 가능하게 한다.

본 발명의 탈분극화 고전압 스위칭 전원은, 차단 컨택트를 갖거나 갖지 않는 Cd-Te계 방사선 검출기에 전력을 공급하는데 유용한 고전압 및 저전압 양자를 제공한다. Cd-Te계 방사선 검출기를 위한 전형적인 고전압 및 저저압 요건들은 본 발명의 기술분야에서 알려져 있다. 예를 들어, Cd-Te 타입의 검출기를 위한 낮은 바이어스 전압 요건은 검출기의 내부 회로를 동작시키기 위해 +/- 1.0V에서 +/- 15.0V DC의 수치범주이다. 또한, 본 발명의 고전압 스위칭 전원은 검출기를 구동하기 위한 +80V DC에서 +450V DC의 조정가능하고 높은 바이어스 전압을 제공한다.

본 명세서에서 기술된 바와 같이 고전압을 온/오프 스위칭하는 본 발명의 전원을 사용함으로써, Cd-Te 또는 Cd-Zn-Te 검출기를 이용하는 복수의 동적 이미지 응용들이 가능하게 된다. 본 발명자는 초당 50프레임, 100프레임 또는 400프레임에서 동작하는 카메라를 이미 개발한 바가 있다. 이러한 카메라들은 검출기를 수동으로 리프레쉬(수동으로 전원을 끄고 기다리고 그런 다음 다시 고전압을 온으로 스위칭하는 것)할 필요없이 수시간 또는 실제 여러 날에 걸쳐 부드럽게 동작한다. X선 이미징 응용에서 부드럽고 안정성 있고 중단없는 동작은 필수적이다. 본 발명은 이러한 DIC 또는 SCAN 카메라들이 사용될 수 있는 예시적인 응용들이 포함되지만 비파괴성 검사, 인라인 검사, 자동화된 X선 검사, 치과용 파노라마 영상화, 컴퓨터화된 단층촬영 등에 제한되는 것은 아니다.

또한, 본 발명은 차단 컨택트를 갖는 Cd-Te 또는 Cd-Zn-Te계 검출기에 대해 대부분 적합한 것이 강조되었으나, 차단 컨택트를 갖지 않는 Cd-Te 또는 Cd-Zn-Te계 검출기에서 응용될 수 있다. 단, 이때 이들은 백금, 금 또는 다른 종래의 컨택트가 구비되어야 한다. 비록 이러한 종래의 컨택트가 수분 또는 수시간 후에 분극을 생성할 수 있지만, 본 명세서에 기술된 고전압 전원은 수시간 또는 수일에 걸쳐 부드럽고 안정성 있는 동작을 위해 이상적이다.

도1 내지 도5는 본 발명의 탈분극화/스위칭 전원 및 구성 회로를 도시하는 개략적인 도면이다.

도6은 상승기울기를 나타내고 있는데, 실제의 Cd-Te 반도체 검출기 기판의 램프 상승 및 램프 하강 파형을 나타내고 있다. 이때, 고전압 전원의 조건은 Ch1: HV_EN=5V, 50μsec/div.; Ch2: 검출기 전압, 100V/div.이다.

도7은 하강기울기를 나타내고 있는데, 실제의 Cd-Te 반도체 검출기 기판의 램프 상승 및 램프 하강 파형을 나타내고 있다. 이때, 고전압 전원의 조건은 Ch1: HV_EN=5V, 50μsec/div.; Ch2: 검출기 전압, 100V/div.이다.

도8은 상승기울기를 나타내고 있는데, 순수한 용량성 부하 및 전원 전류 제한기에 의해 생성된 평탄한 기울기를 도시하고 있다. 이때, Ch1=HV_EN이고, Ch2=커패시터 전압, 100μsec, 100V/div.이다.

도9는 하강기울기를 나타내고 있는데, 순수한 용량성 부하 및 전원 전류 제한기에 의해 생성된 평탄한 기울기를 도시하고 있다. 이때, Ch1=HV_EN이고, Ch2=커패시터 전압, 100μsec, 100V/div.이다.

바람직한 실시예의 상세한 설명

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 상세한 설명이 사실적으로 그리고 도식적으로 설명된다. 도면에서 유사한 구성요소는 유사한 도면부호로 표시하였는데, 임의의 유사한 구성요소는 상이한 소문자 접미사가 붙어 있는 유사한 도면부호로 표시하였다.

도1은 일반적으로 본 발명의 탈분극화/스위칭 전원(10)을 도시하고 있다. 도1에 예시된 바람직한 실시예에서, 본 발명은 의료등급의 외부 전원(미도시)으로부터 +24V DC의 전압이 외부에서 공급되고 있다. 물론 적당한 공급전압의 공급원과 같은 다른 전원이 본 발명의 당업자에게 알려져 있고, 내부에서 또는 외부에서 선택가능하다. 본 실시예에서, 본 발명의 스위칭 전원을 위한 전력 요건은 약 10W 수치범위이다.

도1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 고전압 스위칭 전원(10)은 5개의 주요 회로들의 조합, 즉 제어/조절 회로(18), 내부 전원(30), 저전압 전원(50), 고전압 전원(70) 및 고전압 스위치(90)를 포함한다. 제어/조절 회로(18)는 외부 전원 접속(20)을 갖고 있고, 주 전원 온/오프 스위치(24)를 포함한다. 제어/조절 회로(18)는 전원(10)의 다른 회로들에 의한 사용에 적합하게 외부 전원을 조절한다. 주 동작 전압원 접속(22)은 상기 조절된 전력을 전원(10)의 다른 회로들에 전달한다. 바람직하게, 본 발명의 고전압 스위칭 전원(10)은 전기적으로 차폐되어 있는데, 이는 본 발명의 기술분야의 당업자에 의해 달성가능하다. 바람직한 실시예에 있어서, 스위칭 전원은 금속 케이스(미도시)에 의해 하우징되어 있는데, 이 케이스는 전원 접지(J2-1)에 연결되어 전자기 간섭(EMI)을 감쇠시키거나 제거한다. 일반적으로, 상기 전원에서 사용되는 커넥터는 정전기적 방전(ESD)으로부터 보호되고, EMI를 위해 필터된다. DC 전압 접속들은 반대극성 및 전압 스파이크로부터 보호된다. 또한, 고전압 인에이블 신호회로는 과전압으로부터 보호되고, 풀다운(pull-down) 특성을 갖는다. 본 발명의 이러한 보호기능을 달성하기 위한 노하우는 당업자에게 알려지고 실행가능한 것이다. 바람직하게, 차폐된 케이블은 전류운반 전도체용으로 사용되고, 동축 케이블은 바이어스 전압 전도체용으로 사용된다.

도2는 본 발명의 고전압 스위칭 전원(10)에서 실시되는 내부 전원 회로(int_supply)(30)의 바람직한 실시예의 개략적인 다이어그램이다. 내부 전원(30)은 본 발명의 스위칭 전원(10)의 다른 회로들에 대해 요구되는 저전압 전력을 공급한다. 내부 전원(30)은 +12V DC 출력(46)을 공급하기 위해 조정된 선형 레귤레이터(N5)(32) 및 선형 레귤레이터 회로(34)를 포함한다. LM317 집적회로가 선형 레귤레이터 회로(34)의 선형 레귤레이터(32)로서 이용된다. 또한, 내부 전원(30)은 스위칭 레귤레이터(N1)(38) 및 스위칭 레귤레이터 회로(40)를 포함한다. 스위칭 레귤레이터 회로(40)는 고전압 스위칭 전원(10)의 다른 회로에서 요구되는 낮은 네거티브 전압(예를 들어, 예시된 실시예에서는 -5V DC)을 네거티브 바이어스 전압 출력(42)에서 제공한다. 벅-부스터(buck-booster) 구성인 내쇼날 LM2672 집적회로의 260kHz 스위칭 레귤레이터는 스위칭 레귤레이터(38)로서 이용된다. 네거티브 바이어스 전압 출력(42)의 최소 드레인은 LED(44)에 의해 제공된다.

도3은 본 발명의 고전압 스위칭 전원(10)에서 실시되는 낮은 DC 전압 전원 회로(power_supply)(50)의 바람직한 실시예의 개략적인 다이어그램이다. 전원 회로(50)는 전원(10)에 연결된 검출기 유닛과 같은 외부 장치들을 동작시키기 위한 낮 은 DC 전압을 제공한다. 예시된 바람직한 실시예에서, 전원 회로(50)는 2개의 스위칭 레귤레이터 회로(52, 53)를 구비하여, 검출기 소자들을 동작시키기 위한 +6.7V 및 +5V를 각각 공급한다. 내쇼날 LM2672 레귤레이터들(56)은 스위칭 레귤레이터 회로들(52, 53)에서 사용되어 각각 +6.7V 출력(Vout1)(58) 및 +5V 출력(Vout2)(60)을 제공한다. 양 스위칭 레귤레이터 회로들(52, 53)의 내쇼날 LM2672 레귤레이터들(56)은 벅(buck) 구성으로 위치하고 있다. 본 바람직한 실시예에서, +5V의 스위칭 레귤레이터 회로(53)는 녹색의 SMD LED(62)를 갖고 +6.7V의 스위칭 레귤레이터 회로(52)는 노란색의 앵글 LED(63)를 가짐으로써 저전압 전원(50)이 턴-온(turn-on)된 것을 구별하고 지시한다.

도4는 본 발명의 탈분극화/스위칭 전원(10)의 고전압 스위칭 전원 회로(HV_supply)(70)의 바람직한 실시예의 개략적인 다이어그램이다. 고전압 스위칭 전원 회로(70)는 고전압 바이어스 출력(72)을 고전압 스위칭 회로(90)(도5 참조)에 제공한다. 도시된 바람직한 실시예에서, 고전압 스위칭 전원 회로(70)는 부스트 구성에서 약 75kHz에서 동작하는 표준 UC3842 전류-모드 PWM 콘트롤러(76)를 이용한다. 전압 피드백 루프는 고전압 바이어스 출력(72)에서의 전압을 소정의 레벨(본 실시예에서는 약 +350V)로 조정하기 위해 사용된다. 전류 피드백은 스위칭 전원 회로(70)가 단락 회로로 되는 것을 방지하고, 양호한 과도 응답을 제공하여 고전압 바이어스 상승시간을 향상시킨다.

고전압 전원 회로(70)의 전압 피드백 루프에서 이용되는 전압 디비젼(division)은 무겁고, 보상없는 1-2Vpp의 리플 전압을 생성한다. UC3842의 오실레 이터 회로에 동기화된 보상회로가 각 전류 펄스에 대해 인위적인 램프를 추가한다. 이러한 보상은, 전원이 펄스를 감지하지 않는 것이 일어나지 않도록 하게 하고, 전압 리플을 약 200mVpp로 제한한다. 정전류 부하가, 출력전압과 독립하여 전원을 위한 약 1.0mA 전류 드레인을 제공하기 위해 사용된다.

도5는 본 발명의 고전압 탈분극화/스위칭 전원(10)에서 실시가능한 고전압 스위칭 회로(HV_switch)(90)의 바람직한 실시예의 개략적인 다이어그램이다. 도5에 도시된 바와 같이, 고전압 스위칭 회로(90)는 신호 입력(HV-EN)(94)에서의 활성 고전압 인에이블 신호의 존재에 응답하여 고전압 출력(92)에서 고전압 바이어스를 제공한다.

그러나, 신호 입력(94)에서의 고전압 인에이블 신호가 비활성 또는 디스에이블되었을 때, 고전압 스위칭 회로(90)는 -5V DC 바이어스를 전압 출력(92)에서 제공한다. 또한, 신호 입력(94)에서의 고전압 인에이블 신호가 비활성으로 되거나 디스에이블될 때, 고전압 스위칭 회로(HV_switch)(90)의 FET 하위 회로는 고전압 바이어스 전압을 차단(컷오프)(cut-off)하게 된다. 고전압 바이어스 전압이 컷오프될 때, 고전압 출력(92)에서의 바이어스 전압은 -5V까지 끌어 내려지고, 이는 카드륨-텔루르 화합물의 광-전도체 재료에서의 바이어스 전류의 역전을 유발한다. 광-전도체 재료에서의 바이어스 전류의 역전은 트래핑된 전하를 방출시키고, 검출기 유닛을 탈분극화시킨다.

Q5 FET(100)는 고전압 바이어스와 직렬로 연결되어 있다. 이것은 고전압 바이어스와의 풀-업(pull-up)을 갖는데, 이로써 정상 상태에서 고전압의 Vgs가 출력 된다. 램프상승 동안에, 저항(102)을 통과하여 흐르는 전류는 전압차를 유발한다. 설정 전류 제한이 초과되면 Q7 트랜지스터(104)는 FET 게이트(100)를 끌어 당겨 닫는다. 이렇게 함으로써 고전압 바이어스 전압을 위한 삼각형의 파형이 생성된다.

Q3 FET(106)가 열리게 될 때 Q5 FET 게이트(100)를 -5V까지 끌어 내린다. 이렇게 함으로써, Q5 FET(100)가 닫히고 바이어스 전압이 역전된다. Q3 FET(106)는 Q5 FET(100)와 유사한 전류-제한기 회로를 가짐으로써 선형의 하강 기울기를 나타내게 된다. Q3 FET(106)를 열고 닫는 것은 바이어스 전압을 제어하는 것을 가능하게 한다. Q3 FET 게이트(106)의 전압은 신호 입력(94)에서의 고전압 인에이블 신호에 의해 제어된다. 신호 입력(94)에서의 고전압 인에이블 신호가 활성(인에이블 또는 "풀-하이(pulled high)")일 때, 표시 LED(110)는 켜지게 된다.

고전압 스위칭 회로(90)는 설명된 실시예 보다 훨씬 높은 스위칭 주파수에서 동작될 수 있다. 낮은 바이어스 전압에서 높은 바이어스 전압으로의 전이와 고전압 바이어스 전압 램프의 시작 사이에 약 50μ초의 초기 지연이 있다. 이 지연은 풀업 회로에서 사용된 큰 저항들과 FET 게이트 커패시턴스에 의해 유발되는 것으로 보인다. 이러한 구성요소들의 특성변형으로 지연을 줄일 수 있다. 본 실시예에서는 이미징 시스템이 초당 약 50프레임으로 동작하여, 움직이는 물체를 동적으로 영상화하는 것, X선화하는 것을 가능케 하고자 하는데 있다.

고전압 바이어스 전압의 상승과 하강 시간은 바이어스 전압전류 제한기(도5 참조)와, DIC 검출기 유닛의 커패시턴스에 의해 결정된다. 상태 변화 시간(t)을 근사화시키면 다음과 같은 식이 된다.

t=(350V * C)/5mA

감쇠/성장 시간(t)의 약 6-7%는 전류제한적이지 않다. 검출기 커패시턴스(C)에 의해 나타나는 부하 저항은 알려져 있지 않다. 정확한 결과는 검출기 및 전원(10)의 각 조합에 대해 각각 측정될 수 있다. 근사치의 결과는, 고전압 바이어스 전압이 정상 상태의 1% 내에서 정착되었을 때 평가를 위해 곱해져야 한다(도6 참조).

도6 내지 도9는 실제 Cd-Te 반도체 검출기 유닛의 램프 상승 및 램프 하강 파형을 나타내고 있다. 테스트 중의 유닛은 4개의 1cm²을 갖는다. DIC(100)는 25cm² 면적을 갖는다. 하강 기울기는 언더슈트(undershoot)를 보이는데, 이는 Cd-Te 검출기 유닛으로부터 유래하는 것으로 보인다. 언더슈트의 진폭은 고전압 스위치(90)의 전원(10) 전류 제한기에 의해 제한된다. 도시된 신호는 언더슈트가 피크를 이룰 때까지 거의 완전한 5mA의 전류-제한된 기울기를 나타낸다.

상승 시간이 약 200μ초이고 하강 시간은 약 250μ초이다. 그러나, 검출기는 상태 변화 후 안정화하기 위해 수 밀리초가 소요된다. 따라서, 고전압의 램프형 변화에 대한 전원의 능력은 탈분극화 과정에서 제한적인 요소가 아니다. 도면들은 순수한 용량성 부하 및 전원 전류 제한기에 의해 생성된 평탄한 기울기를 도시하고 있다. Cd-Te 검출기 유닛의 하강 기울기에 의해 나타나는 언더슈트는 용량성 부하에 의해 존재하지 않는다.

전술한 상세한 설명이 다수의 특정된 사례를 포함하고 있음에도 불구하고, 이는 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 아니되며 하나 또는 다른 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에게 자명한 많은 다른 변경들이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위는 첨부된 청구항들의 범위에 의해 결정되어야 하며, 단지 실시예에 의해 결정되어서는 아니된다.

Claims

고에너지 이미징 카메라에 있어서의 카드뮴-텔루르계 방사선 검출기 유닛과,

전하 방출수단을 갖는 탈분극화, 스위칭 고전압 전원(10)으로서, 상기 방사선 검출기 유닛과 전기적으로 연결되어 있는 탈분극화, 스위칭 고전압 전원(10)을 포함하는 고에너지 X선 이미징 시스템.
제1항에 있어서,

상기 탈분극화, 스위칭 고전압 전원(10)은,

외부 전원(20)과 연결되고, 상기 전원(10)의 다른 회로들에 조절된 전력을 전달하기 위한 주 동작 전압원 접속(22)을 제공하는 외부 전력 조절 회로(18)와,

상기 주 동작 전압원 접속(22)과 전기적으로 연결되어 있고, 상기 탈분극화, 스위칭 고전압 전원(10)의 다른 회로들에 대해 요구되는 낮은 포지티브 및 네거티브 전압을 제공하는 내부 전원(30)과,

상기 주 동작 전압원 접속(22)과 전기적으로 연결되어 있고, 상기 검출기 유닛을 동작시키기 위한 낮은 DC 전압을 생성하고 제공하는 저전압 공급 회로(50)와,

상기 주 동작 전압원 접속(22)과 전기적으로 연결되어 있고, 고전압 스위치 회로(90)에 전달하기 위한, 고전압 바이어스 출력(72)에서의 높은 바이어스 전압을 생성하고 제공하는 고전압 전원(70)과,

상기 주 동작 전압원 접속(22)과 전기적으로 연결되어 있고, 빠른 온/오프 스위칭이 가능하며, 신호 입력(94)에서 관련 신호의 존재에 응답하여 고전압 스위치 출력(92)에서 교대로 높은 DC 전압 바이어스 및 낮은 반대 극성의 DC 방출 전압을 제공하는 고전압 스위치(90)를 포함하고,

상기 고전압 스위치 출력(92)에서의 낮은 반대 극성의 DC 방출 전압은 상기 검출기 유닛을 탈분극화시키기 위한 방출수단을 포함하는 고에너지 X선 이미징 시스템.
제2항에 있어서,

상기 고전압 스위치(90)는 신호 입력(94)에서의 신호의 존재에 응답하여 고전압 스위치 출력(92)에서 교대로 높은 포지티브 DC 전압 바이어스 및 낮은 네거티브 DC 방출 전압을 제공하는 것을 특징으로 하는 고에너지 X선 이미징 시스템.