JPH0712947A

JPH0712947A - 半導体放射線検出装置

Info

Publication number: JPH0712947A
Application number: JP14817493A
Authority: JP
Inventors: Nobuko Ogawa; 伸子小川; Yoshiyuki Ogawa; 美之小川
Original assignee: GE Yokogawa Medical System Ltd
Current assignee: GE Healthcare Japan Corp
Priority date: 1993-06-21
Filing date: 1993-06-21
Publication date: 1995-01-17

Abstract

(57)【要約】【目的】時間経過とともに検出出力が低下することを
防止する。【構成】サンフ゜リンク゛スイッチSSがオフ，リセットスイッチDSがオンの
状態で、Ｘ線照射を開始し、同時にバイアス用電極３に
第１バイアス電圧（バイアス）を印加する。その第１バ
イアス電圧を印加した直後の過渡状態が終わった後、リセ
ットスイッチDSをオフにし、検出電流ｉでコンデンサＣを充電
する。所定時間充電後にサンフ゜リンク゛スイッチSSをオンして、そ
の時の検出出力電圧Ｖをデータ収集系で読み出す。次
に、サンフ゜リンク゛スイッチSSをオフし、リセットスイッチDSをオンし、同
時にバイアス用電極３に第２バイアス電圧（逆バイア
ス）を印加して半導体結晶ブロック１内に蓄積された電
荷を引き抜く。それから、バイアス用電極３に第１バイ
アス電圧を印加する。その第１バイアス電圧を印加した
直後の過渡状態が終わった後、リセットスイッチDSをオフにし、
検出電流ｉでコンデンサＣを充電する。これを繰り返
す。【効果】時間経過とともに検出出力が低下することを
防止でき、安定した検出出力が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体放射線検出装
置に関し、さらに詳しくは、Ｘ線ＣＴ装置のデテクタと
して特に有用な半導体放射線検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１１に、従来の半導体放射線検出装置
の一例を示す。この半導体放射線検出装置５０におい
て、１は、Ｘ線に対して有感なテルル化カドミウムの半
導体結晶ブロックである。２は、白金層をショットキー
接合した信号取出用電極である。３は、インジウム層を
オーミック接合したバイアス用電極である。これら半導
体結晶ブロック１と信号取出用電極２とバイアス用電極
３とで、半導体放射線検出器４が構成されている。６
は、前記バイアス用電極３に例えば５００Ｖ程度のバイ
アス電圧を印加するバイアス用電源である。図１１のα
方向またはβ方向からＸ線が照射されると、そのＸ線強
度に応じた大きさの検出電流ｉが半導体放射線検出器４
から出力される。

【０００３】６０は、前記検出電流ｉを検出出力電圧Ｖ
に変換する前処理装置である。この前処理装置６０は、
コンデンサＣと，リセットスイッチＤＳと，サンプリン
グスイッチＳＳと，アンプＡと，スイッチ切換回路７０
とから構成されている。

【０００４】図１２は、Ｘ線照射とサンプリングスイッ
チＳＳのオンオフとリセットスイッチＤＳのオンオフの
タイミング図である。Ｘ線照射中に、サンプリングスイ
ッチＳＳをオンして、その時の検出出力電圧Ｖをデータ
収集系（図示省略）で読み出す。次に、リセットスイッ
チＤＳをオンしてコンデンサＣの電圧を０に戻し、それ
からリセットスイッチＤＳをオフにして検出電流ｉでコ
ンデンサＣを充電する。これを繰り返している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】図１３に示す特性曲線
ａ’は、一定強度のＸ線を照射したときの上記半導体放
射線検出装置５０からの検出電流ｉの時間変化である。
また、特性曲線ｂは、上記半導体放射線検出装置５０の
代りにキセノンガスＸ線検出装置（図示省略）を用いた
場合の検出電流ｉの時間変化である。これから判るよう
に、キセノンガスＸ線検出装置では検出電流ｉの時間変
化はないが、上記半導体放射線検出装置５０では、時間
経過とともに検出電流ｉが低下する問題点がある。そこ
で、この発明の目的は、時間経過とともに検出電流ｉが
低下することを防止できるようにした半導体放射線検出
装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明の半導体放射線
検出装置は、放射線に対して有感な半導体結晶ブロック
の一方の面にバイアス用電極を設置し他方の面に信号取
出用電極を設置した半導体放射線検出器と、前記バイア
ス用電極に第１バイアス電圧を印加するか又は前記第１
バイアス電圧に対して相対的に負の第２バイアス電圧を
切換印加する電圧切換印加手段と、放射線の照射中に前
記バイアス用電極に前記第２バイアス電圧を１回以上印
加するように前記電圧切換印加手段を制御する制御手段
とを具備したことを構成上の特徴とするものである。

【０００７】上記構成において、半導体放射線検出器の
信号取出用電極とＧＮＤの間にマスキングスイッチを接
続し、制御手段は、第１バイアス電圧印加前に前記マス
キングスイッチをオンにし、第１バイアス電圧印加直後
の過渡状態を経過後に前記マスキングスイッチをオフに
するように制御するのが好ましい。半導体放射線検出器
の信号取出用電極とＧＮＤの間にコンデンサとリセット
スイッチとが接続されている場合には、そのリセットス
イッチをマスキングスイッチとして機能させれば、新た
なマスキングスイッチは不要である。

【０００８】

【作用】従来の半導体放射線検出装置で時間経過ととも
に検出電流ｉが低下する原因は、Ｘ線照射により半導体
結晶ブロック内で発生した電荷が結晶欠陥にトラップさ
れ、蓄積されるためである。ところが、この発明の半導
体放射線検出装置では、第１バイアス電圧に対して相対
的に負の第２バイアス電圧を放射線照射中に少なくとも
１回印加して、半導体結晶ブロック内に蓄積された電荷
を引き抜いてしまう。このため、放射線照射時間の経過
とともに検出電流ｉが低下することが防止される。

【０００９】なお、第１バイアス電圧印加直後の過渡状
態は検出出力の安定性が悪いので、半導体放射線検出器
の信号取出用電極とＧＮＤの間にマスキングスイッチを
接続し、前記過渡状態の間は、前記マスキングスイッチ
をオンにしておけば、安定した検出出力を得られるよう
になる。

【００１０】

【実施例】以下、図に示す実施例に基づいてこの発明を
さらに詳細に説明する。なお、これによりこの発明が限
定されるものではない。図１に、この発明の半導体放射
線検出装置の第１実施例を示す。この半導体放射線検出
装置１１において、１は、Ｘ線に対して有感なテルル化
カドミウムの半導体結晶ブロックである。２は、白金層
をショットキー接合した信号取出用電極である。３は、
インジウム層をオーミック接合したバイアス用電極であ
る。これら半導体結晶ブロック１と信号取出用電極２と
バイアス用電極３とで、半導体放射線検出器４が構成さ
れている。５は、前記バイアス用電極３に第１バイアス
電圧（通常のバイアス電圧に相当する）または第２バイ
アス電圧（通常のバイアス電圧の極性を逆にした逆バイ
アス電圧）を切換印加する電圧切換印加スイッチであ
る。６は、前記第１バイアス電圧または第２バイアス電
圧を印加するための例えば５０Ｖ程度の電源である。３
１は、前記電圧切換印加スイッチ５の切換を制御する制
御回路である。

【００１１】前記バイアス用電極３に第１バイアス電圧
を印加した状態で、図１のα方向またはβ方向からＸ線
が照射されると、そのＸ線強度に応じた大きさの検出電
流ｉが半導体放射線検出器４から出力される。

【００１２】２０は、前記検出電流ｉを検出出力電圧Ｖ
に変換する前処理装置である。この前処理装置２０は、
コンデンサＣと，リセットスイッチＤＳと，サンプリン
グスイッチＳＳと，アンプＡとから構成されている。リ
セットスイッチＤＳとサンプリングスイッチＳＳの切換
制御は、前記制御回路３１で行われる。なお、前処理装
置は、この発明の構成要素ではなく、任意の構成でよ
い。この第１実施例では電流をコンデンサに充電する方
式の前処理装置を使っているが、後述する第４実施例の
ように電流を電圧に変換する方式のものを使用してもよ
いし、その他の方式のものを使用してもよい。

【００１３】図２は、Ｘ線照射とサンプリングスイッチ
ＳＳのオンオフと電圧切換印加スイッチ５の切換とリセ
ットスイッチＤＳのオンオフのタイミング図である。サ
ンプリングスイッチＳＳがオフ，リセットスイッチＤＳ
がオンの状態で、Ｘ線照射を開始し、同時にバイアス用
電極３に第１バイアス電圧（バイアス）を印加する。そ
の第１バイアス電圧を印加した直後の過渡状態が終わっ
た後、リセットスイッチＤＳをオフにし、検出電流ｉで
コンデンサＣを充電する。所定時間充電後にサンプリン
グスイッチＳＳをオンして、その時の検出出力電圧Ｖを
データ収集系（図示省略）で読み出す。次に、サンプリ
ングスイッチＳＳをオフし、リセットスイッチＤＳをオ
ンしてコンデンサＣの電圧を０に戻し、同時にバイアス
用電極３に第２バイアス電圧（逆バイアス）を印加して
半導体結晶ブロック１内に蓄積された電荷を引き抜く。
それから、バイアス用電極３に第１バイアス電圧を印加
する。その第１バイアス電圧を印加した直後の過渡状態
が終わった後、リセットスイッチＤＳをオフにし、検出
電流ｉでコンデンサＣを充電する。これを繰り返してい
る。この繰り返しは、例えばＣＴにおいては、各ビュー
の検出値を得ることに相当する。

【００１４】なお、Ｘ線が照射されない期間は電荷の蓄
積を無視できるから、Ｘ線照射をオフしている期間は、
第１バイアス電圧を印加しても第２バイアス電圧を印加
してもかまわない。また、リセットスイッチＤＳをオン
しておいてもかまわない。また、要求精度により、電荷
の引き抜きを、Ｘ線照射中に１回以上行えばよい。さら
に、リセットスイッチＤＳをマスキングスイッチとして
機能させているが、第１バイアス電圧印加直後の過渡状
態をマスキングする必要がなければ、マスキングスイッ
チとして機能させなくてもよい。

【００１５】図３に示す特性曲線ａは、一定強度のＸ線
を照射したときの上記半導体放射線検出装置１１からの
検出電流ｉの時間変化である。また、特性曲線ｂは、上
記半導体放射線検出装置１１の代りにキセノンガスＸ線
検出装置（図示省略）を用いた場合の検出電流ｉの時間
変化である。これから判るように、上記半導体放射線検
出装置１１は、キセノンガスＸ線検出装置と同様に、検
出電流ｉの時間変化がない。

【００１６】図４に、この発明の半導体放射線検出装置
の第２実施例を示す。この半導体放射線検出装置１２に
おいて、半導体放射線検出器４および電源６は、第１実
施例と同じ構成である。７は、前記バイアス用電極３に
第１バイアス電圧または第２バイアス電圧（逆バイアス
およびＧＮＤ）を印加する電圧切換印加スイッチであ
る。８は、前記バイアス用電極３に逆バイアスを印加す
るための電源である。３２は、前記電圧切換印加スイッ
チ７およびリセットスイッチＤＳとサンプリングスイッ
チＳＳの切換を制御する制御回路である。前処理装置２
０は、第１実施例と同じ構成である。

【００１７】図５は、Ｘ線照射とサンプリングスイッチ
ＳＳのオンオフと電圧切換印加スイッチ７の切換とリセ
ットスイッチＤＳのオンオフのタイミング図である。サ
ンプリングスイッチＳＳがオフ，リセットスイッチＤＳ
がオンの状態で、Ｘ線照射を開始し、同時にバイアス用
電極３に第１バイアス電圧（バイアス）を印加する。そ
の第１バイアス電圧を印加した直後の過渡状態が終わっ
た後、リセットスイッチＤＳをオフにし、検出電流ｉで
コンデンサＣを充電する。所定時間充電後にサンプリン
グスイッチＳＳをオンして、その時の検出出力電圧Ｖを
データ収集系（図示省略）で読み出す。次に、サンプリ
ングスイッチＳＳをオフし、リセットスイッチＤＳをオ
ンしてコンデンサＣの電圧を０に戻し、同時にバイアス
用電極３に第２バイアス電圧（逆バイアス）を印加し、
次いでＧＮＤにして、半導体結晶ブロック１内に蓄積さ
れた電荷を引き抜く（第２バイアス電圧として逆バイア
スを印加すると、電荷の引き抜きを早める効果がある
が、長く印加しすぎると、トラップが生じるので、適当
な時間でＧＮＤに戻す）。それから、バイアス用電極３
に第１バイアス電圧を印加する。その第１バイアス電圧
を印加した直後の過渡状態が終わった後、リセットスイ
ッチＤＳをオフにし、検出電流ｉでコンデンサＣを充電
する。これを繰り返している。この繰り返しは、例えば
ＣＴにおいては、各ビューの検出値を得ることに相当す
る。なお、Ｘ線が照射されない期間は電荷の蓄積を無視
できるから、Ｘ線照射をオフしている期間は、第１バイ
アス電圧を印加しても第２バイアス電圧（逆バイアスま
たはＧＮＤ）を印加してもかまわない。また、リセット
スイッチＤＳをオンしておいてもかまわない。また、要
求精度により、電荷の引き抜きを、Ｘ線照射中に１回以
上行えばよい。さらに、リセットスイッチＤＳをマスキ
ングスイッチとして機能させているが、第１バイアス電
圧印加直後の過渡状態をマスキングする必要がなけれ
ば、マスキングスイッチとして機能させなくてもよい。

【００１８】この第２実施例の半導体放射線検出装置１
２でも、検出電流ｉの時間変化を防止できる。

【００１９】図６に、この発明の半導体放射線検出装置
の第３実施例を示す。この半導体放射線検出装置１３に
おいて、半導体放射線検出器Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３は、第１
実施例の半導体放射線検出器４と同じ構成である。電源
６も、第１実施例と同じ構成である。９は、半導体放射
線検出器Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のバイアス用電極に第１バイ
アス電圧または第２バイアス電圧（ＧＮＤ）を印加する
電圧切換印加スイッチである。３３は、前記電圧切換印
加スイッチ９の切換を制御する制御回路である。２３
は、半導体放射線検出器Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の検出電流ｉ
１，ｉ２，ｉ３を検出出力電圧Ｖに変換する前処理装置
である。この前処理装置２３は、コンデンサＣ１〜Ｃ３
と，リセットスイッチＤＳ１〜ＤＳ３と，サンプリング
スイッチＳＳ１〜ＳＳ３と，アンプＡとから構成されて
いる。リセットスイッチＤＳ１〜ＤＳ３とサンプリング
スイッチＳＳ１〜ＳＳ３の切換は、前記制御回路３３で
行われる。

【００２０】制御回路３３は、Ｘ線照射中に、サンプリ
ングスイッチＳＳ１〜ＳＳ３の一つを順にオンにする。
これにより、半導体放射線検出器Ｄ１〜Ｄ３に対応する
検出出力電圧Ｖを順にデータ収集系（図示省略）で読み
出すことが出来る。図６は、サンプリングスイッチＳＳ
２をオンしている状態である。また、制御回路３３は、
サンプリングスイッチをオンにする所定時間前から、対
応する半導体放射線検出器のバイアス用電極に第１バイ
アス電圧を印加するように、電圧切換印加スイッチ９の
切換を制御する。また、制御回路３３は、バイアス用電
極に第１バイアス電圧を印加する前に、バイアス用電極
に０電圧（ＧＮＤ）を印加して半導体結晶ブロック内に
蓄積された電荷を引き抜くように、電圧切換印加スイッ
チ９の切換を制御する。さらに、制御回路３３は、第１
バイアス電圧を印加した直後は、対応するリセットスイ
ッチＤＳ１〜ＤＳ３をオンにし、それからリセットスイ
ッチをオフにすることで、過渡状態を避けてコンデンサ
Ｃを充電させる。

【００２１】この第３実施例の半導体放射線検出装置１
３でも、検出電流ｉの時間変化を防止することが出来
る。

【００２２】図７に、この発明の半導体放射線検出装置
の第４実施例を示す。この半導体放射線検出装置１４に
おいて、半導体放射線検出器Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３は、第１
実施例の半導体放射線検出器４と同じ構成である。電源
６も、第１実施例と同じ構成である。９ａは、半導体放
射線検出器Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のバイアス用電極に同時に
第１バイアス電圧または第２バイアス電圧（ＧＮＤ）を
印加する電圧切換印加スイッチである。９ｂは、半導体
放射線検出器Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各信号取出用電極を信
号処理系２４に接続するか又はＧＮＤに接続する切換ス
イッチである。３４は、前記電圧切換印加スイッチ９ａ
および切換スイッチ９ｂの切換を制御する制御回路であ
る。

【００２３】２４は、半導体放射線検出器Ｄ１，Ｄ２，
Ｄ３の検出電流ｉ１，ｉ２，ｉ３を検出出力電圧Ｖに変
換する前処理装置である。この前処理装置２４は、コン
デンサＣ１〜Ｃ３と，サンプリングスイッチＭＵＸと，
リセットスイッチＲＳと，アンプＡとから構成されてい
る。サンプリングスイッチＭＵＸとリセットスイッチＲ
Ｓの切換は、前記制御回路３４で行われる。

【００２４】制御回路３４は、Ｘ線照射中に、サンプリ
ングスイッチＭＵＸの一つの接点を順にオンにする。こ
れにより、半導体放射線検出器Ｄ１〜Ｄ３に対応する検
出出力電圧Ｖを順にデータ収集系（図示省略）で読み出
すことが出来る。また、制御回路３４は、複数の半導体
放射線検出器Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のバイアス用電極に同時
に第１バイアス電圧を印加するように、電圧切換印加ス
イッチ９ａの切換を制御する。そして、それより少し遅
れて（過渡状態を避けて）、複数の信号取出用電極を同
時に信号処理系２４に接続するように、切換スイッチ９
ｂの切換を制御する。

【００２５】また、制御回路３４は、バイアス用電極に
第１バイアス電圧を印加する前に、複数のバイアス用電
極に同時に第２バイアス電圧（ＧＮＤ）を印加し且つ複
数の信号取出用電極を同時にＧＮＤに接続するように、
電圧切換印加スイッチ９ａおよび切換スイッチ９ｂの切
換を制御し、半導体結晶ブロック内に蓄積された電荷を
引き抜く。

【００２６】この第４実施例の半導体放射線検出装置１
４でも、検出電流ｉの時間変化を防止することが出来
る。また、第１バイアス電圧や第２バイアス電圧の印加
を複数の半導体放射線検出器Ｄ１〜Ｄ３に対して同時に
行うので、構成を簡単化できる。なお、切換スイッチ９
ｂの動作とデータ収集のタイミングは非同期でもよい。
そのため、パルス状に電圧を発生させる電源装置を用い
てもよい。また、第１実施例および第２実施例でも、第
１バイアス電圧や第２バイアス電圧の印加を複数の半導
体放射線検出器に対して同時に行うようにしてもよい。

【００２７】図９に、この発明の半導体放射線検出装置
の第５実施例を示す。この半導体放射線検出装置１５に
おいて、半導体放射線検出器４および電源６は、第１実
施例と同じ構成である。１０ａは、バイアス用電極３に
第１バイアス電圧または第２バイアス電圧（ＧＮＤ）を
印加する電圧切換印加スイッチである。１０ｂは、信号
取出用電極２とＧＮＤの間に接続されたマスキングスイ
ッチである。３５は、前記電圧切換印加スイッチ１０
ａ，マスキングスイッチ１０ｂおよびサンプリングスイ
ッチＳＳの切換を制御する制御回路である。４０は、電
流を電圧に変換する電流−電圧変換回路である。電流−
電圧変換回路４０の出力は、サンプリングスイッチＳＳ
を介して後段のアンプに入力される。

【００２８】図１０は、Ｘ線照射と，サンプリングスイ
ッチＳＳのオンオフと，電圧切換印加スイッチ１０ａの
切換と，マスキングスイッチ１０ｂのオンオフのタイミ
ング図である。サンプリングスイッチＳＳがオフ，マス
キングスイッチ１０ｂがオンの状態で、Ｘ線照射を開始
し、同時にバイアス用電極３に第１バイアス電圧（バイ
アス）を印加する。その第１バイアス電圧を印加した直
後の過渡状態が終わった後、マスキングスイッチ１０ｂ
をオフにし、サンプリングスイッチＳＳをオンして、そ
の時の検出出力電圧Ｖをデータ収集系（図示省略）で読
み出す。次に、サンプリングスイッチＳＳをオフし、バ
イアス用電極３に第２バイアス電圧（ＧＮＤ）を印加
し、同時にマスキングスイッチ１０ｂをオンし、半導体
結晶ブロック１内に蓄積された電荷を引き抜く。それか
ら、バイアス用電極３に第１バイアス電圧を印加する。
その第１バイアス電圧を印加した直後の過渡状態が終わ
った後、マスキングスイッチ１０ｂをオフにし、サンプ
リングスイッチＳＳをオンして、その時の検出出力電圧
Ｖをデータ収集系（図示省略）で読み出す。これを繰り
返している。この繰り返しは、例えばＣＴにおいては、
各ビューの検出値を得ることに相当する。

【００２９】なお、Ｘ線が照射されない期間は電荷の蓄
積を無視できるから、Ｘ線照射をオフしている期間は、
第１バイアス電圧を印加しても第２バイアス電圧を印加
してもかまわない。また、マスキングスイッチ１０ｂを
オンしておいてもかまわない。また、要求精度により、
電荷の引き抜きをＸ線照射中に１回以上行えばよい。さ
らに、第１バイアス電圧印加直後の過渡状態をマスキン
グする必要がなければ、マスキングスイッチ１０ｂを設
けなくてもよい。

【００３０】この第５実施例の半導体放射線検出装置１
５でも、検出電流ｉの時間変化を防止できる。

【００３１】なお、第１実施例および第２実施例では、
バイアス用電極３に逆バイアスを印加するので、電荷の
引き抜き時間を短縮できる利点がある。一方、第３実施
例〜第５実施例では、バイアス用電極３をＧＮＤに落と
すだけなので、構成を簡単化できる利点がある。

【００３２】

【発明の効果】この発明の半導体放射線検出装置によれ
ば、第１バイアス電圧に対して相対的に負の第２バイア
ス電圧を放射線照射中に１回以上印加し、半導体結晶ブ
ロック内に蓄積された電荷を引き抜いてしまうから、放
射線照射時間の経過とともに検出電流ｉが低下すること
を防止できる。また、第１バイアス電圧の印加直後の過
渡状態はマスキングスイッチでマスクするから、安定し
た検出出力を得られるようになる。

【００３３】なお、次のような付随的効果もある。結晶欠陥の少ない高品質の半導体結晶ブロックを用い
なくてもよいので、コストを下げることが出来る。連続照射しても、出力低下が無視できるので、検出器
が原因となる測定時間への制限を与えない。出力低下を見越した高いバイアス電圧を印加する必要
がないので、バイアス系の構成が簡単かつ安価になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体放射線検出装置の第１実施例を
示す構成図である。

【図２】第１実施例の半導体放射線検出装置の動作を示
すタイムチャートである。

【図３】第１実施例の半導体放射線検出装置における検
出電流の特性図である。

【図４】本発明の半導体放射線検出装置の第２実施例を
示す構成図である。

【図５】第２実施例の半導体放射線検出装置の動作を示
すタイムチャートである。

【図６】本発明の半導体放射線検出装置の第３実施例を
示す構成図である。

【図７】本発明の半導体放射線検出装置の第４実施例を
示す構成図である。

【図８】第４実施例の半導体放射線検出装置の動作を示
すタイムチャートである。

【図９】本発明の半導体放射線検出装置の第５実施例を
示す構成図である。

【図１０】第５実施例の半導体放射線検出装置の動作を
示すタイムチャートである。

【図１１】従来の半導体放射線検出装置の一例を示す構
成図である。

【図１２】従来の半導体放射線検出装置の動作を示すタ
イムチャートである。

【図１３】従来の半導体放射線検出装置における検出電
流の特性図である。

【符号の説明】１半導体結晶ブロッ
ク２信号取出用電極３バイアス用電極４半導体放射線検出
器５，７，９，９ａ，１０ａ電圧切換印加スイ
ッチ６電源８逆バイアス用電源９ｂ切換スイッチ１１，１２，１３，１４，１５半導体放射線検出
装置３１，３２，３３，３４，３５制御回路１０ｂマスキングスイッ
チＣコンデンサＤＳリセットスイッチ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】放射線に対して有感な半導体結晶ブロッ
クの一方の面にバイアス用電極を設置し他方の面に信号
取出用電極を設置した半導体放射線検出器と、前記バイ
アス用電極に第１バイアス電圧を印加するか又は前記第
１バイアス電圧に対して相対的に負の第２バイアス電圧
を切換印加する電圧切換印加手段と、放射線の照射中に
前記バイアス用電極に前記第２バイアス電圧を１回以上
印加するように前記電圧切換印加手段を制御する制御手
段とを具備したことを特徴とする半導体放射線検出装
置。
【請求項２】請求項１に記載の半導体放射線検出装置
において、半導体放射線検出器の信号取出用電極とＧＮ
Ｄの間にマスキングスイッチを接続し、制御手段は、第
１バイアス電圧印加前に前記マスキングスイッチをオン
にし、第１バイアス電圧印加直後の過渡状態を経過後に
前記マスキングスイッチをオフにするように制御するこ
とを特徴とする半導体放射線検出装置。
【請求項３】請求項２に記載の半導体放射線検出装置
において、半導体放射線検出器の信号取出用電極とＧＮ
Ｄの間にコンデンサとリセットスイッチとが接続されて
いる場合に、そのリセットスイッチを請求項２のマスキ
ングスイッチとして機能させることを特徴とする半導体
放射線検出装置。
【請求項４】請求項１に記載の半導体放射線検出装置
において、複数の半導体放射線検出器のバイアス用電極
を共通の電圧切換印加手段に接続し、前記各半導体放射
線検出器の信号取出用電極を信号処理系に接続するか又
はＧＮＤに接続する切換スイッチを前記各信号取出用電
極にそれぞれ接続し、制御手段により前記電圧切換印加
手段と前記切換スイッチを制御して，複数の前記バイア
ス用電極に同時に第１バイアス電圧を印加し且つそれと
同時または少し遅れて複数の信号取出用電極を同時に信
号処理系に接続すると共に，複数の前記バイアス用電極
に同時に第２バイアス電圧を印加し且つ複数の信号取出
用電極を同時にＧＮＤに接続することを特徴とする半導
体放射線検出装置。