JP4176869B2 - X線検出器及び放射線検出方法及び放射線検出装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はX線などの放射線が照射されたマトリックス状に配列された光電素子から撮影画像を形成するための信号を読み出すX線検出器及び放射線検出方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のX線検出器を構成するマトリックス状に配置された光電素子による信号収集手法には、様々な方式があるが、その中で、図8に示すように、X線照射後に前記光電素子に相当する各画素に蓄積された画素電荷をTFT(Thin Film Transistor)等のスイッチング素子を経由して信号線に読み出し、チャージアンプで電荷を電圧変換してサンプリングする最も簡単な方式が知られている。
【0003】
この方式は、例えば“Construction and evaluation of a prototype real-time detector",Zhao et.al,:Med Phys.Vol.24(12),1997 に記載されており、広く知られている。実際に市販(EG&G社AmplifierーMultiplexer array chip,MB Series)されてもいる。
【0004】
図8は上記したマトリックス状に配置された光電素子とスイッチング素子で形成されるひとつの画素回路に着目した図である。但し、画素は等価回路として、電荷を蓄積するコンデンサCPで示してある。X線等が照射されることにより、画素CPに蓄積された電荷QはTFT等のスイッチング素子1がオンになったタイミングで、信号線2上に送出される。この信号線2上に送出された電荷Qはチャージアンプ(演算増幅器31とコンデンサCfから成る積分回路)3により電圧V0に変換され、この電圧V0は更にサンプルホールド回路4のサンプリング用のスイッチ41をオンすることによってコンデンサCに蓄積されて、サンプルホールドされる。
【0005】
上記したチャージアンプ3の出力電圧V0に重畳するノイズは下式で与えられることも知られており、上記市販されるデータシートにも記載がある。
【0006】
ノイズ=(チャージアンプの発生するノイズ)×[1+(Cs/Cf)]…(1)
ここで、Csはスイッチング素子からチャージアンプ3の入力までの容量成分であり、信号線2の浮遊容量なども含まれる。Cfはチャージアンプの出力電圧V0と入力電荷量Qの関係を与える容量成分であり、V0=−Q/Cfで与えられる。
【0007】
このような従来の回路では(1)式から明らかなように、ノイズを低減するにはチャージアンプ3の性能を格段に向上させ、Csを小さくすることが必要である。
【0008】
しかし、Csはゼロにすることが不可能であるばかりか、マトリックス状に配列された各画素CPの電荷Qを運ぶ信号線2が長くなると、大きくなり、従って、ノイズの低減には限界があつた。また、仮にCsを十分小さくして設計したとしてもチャージアンプ3のノイズ成分以下には低減できず、そのノイズはチャージアンプ3を構成する初段のFET等の性能で決まってしまう。それにも限界があり、低ノイズのFETは高価で量産も困難であった。
【0009】
上記のような事情に対して図9に示すような対策が,“CMOS low noise amplifier for microstrip readout design and results",Nuclear Instruments and Method in Physics Research A301(1991)に記載されている。
【0010】
図9にて、チャージアンプ3の後段に、破線で囲まれたノイズ低減用の整形回路5が挿入されている。これにより、チャージアンプ3の出力からサンプルホールド回路4までの間は、更に下記周波数特性を有することになる。
【0011】
F(w)=a・w/SQR(w2+b2)…(2) 但し、SQRは根号を表わし、a=Cd/Cx b=1/(Cx−RX)であり、wはこの回路に入力する信号の角周波数成分である。
【0012】
この(2)式によれば、整形回路5により特に低周波成分のノイズが除去できるため、結果としてサンプリング時のノイズは低減する。更に、整形回路5の後段にコンデンサと抵抗器で構成された積分器を付けた回路も同じ文献にて考案されており、このような積分器を付けることによって、高周波ノイズまで除去できる効果がある。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
上記図9に示した回路は、ガンマ線検出器のようにパルス状に到来する放射線で生じた電荷を逐次検出する目的で考案されたものであり、図10(A)で示すように整形回路5の出力電圧VXの波形がパルス状になる。この時、チャージアンプ3の出力信号V0は図10(B)に示す如くであり、時間が経つと共に減衰する。図10(A)で示したパルス信号の位置は信号線2上に存在する抵抗値に依存する。またピーク値はこの抵抗値と信号源となる電荷量Qとで定まる。従って,抵抗値が一定ならば予めピーク位置を求めておき、その位置でサンプリングすれば電荷量Qに対応する信号がサンプルされる。
【0014】
しかしながら、マトリックス状の画素から電荷を取り出すためのスイッチング素子1として、TFTのような抵抗値が電荷量Qによって変化するものが使われることがあり、このような場合、図11に示すように電圧(Vds)と電流(Ids)の関係は線形関係にならないことが生じる。これは、トランジスタ構造を有するスイッチング素子1には一般的に観測されがちな特性である。
【0015】
この特性のため、上記図9に示した回路を使用すれば、図10(A)に示した出力電圧VXのピーク位置が電荷量Qに依存して変動するため、一定のタイミングでサンプリングすることができない。また、ピーク値と電荷量Qとの関係も非常に煩雑な関係となることから、図9に示した回路をそのまま使用することは困難であるという問題があった。
【0016】
本発明は、上述の如き従来の課題を解決するためになされたもので、その目的は、各画素の電荷を取り出すスイッチング素子の電圧、電流特性が非線形であっても、一定のサンプリングタイミングで前記電荷を低ノイズで確実に読み出すことができるX線検出器及び放射線検出方法を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、第1の発明の特徴は、2次元マトリックス状に配列された画素にX線を当てることにより各画素に蓄積された電荷をスイッチング素子を介して順次取り出し、取り出した電荷をチャージアンプにより電圧に変換し、この電圧をサンプルホールド回路によりサンプルホールドして出力するX線検出器において、前記チャージアンプとサンプルホールド回路との間に積分回路を備え、この積分回路により前記電圧を積分して得た電圧をサンプルホールドして出力することにある。
【0018】
この第1の発明によれば、TFTなどの前記スイッチング素子をオンして、前記画素に蓄積された電荷を取り出して所定時間以上経つと、前記積分回路の出力電圧は前記スイッチング素子の抵抗の影響のない値になるため、これをサンプリングすれば、前記スイッチング素子が非線形特性を有していても、蓄積電荷の量によらない一定のサンプリングタイミングによりサンプリングし得るようになる。また、前記積分回路の周波数特性を高周波で減衰するようにすることにより、チャージアンプなどによるノイズが低減される。
【0019】
第2の発明の特徴は、前記スイッチング素子をオンした時点から所定時間後に前記積分回路の出力電圧をサンプリングすることにある。
【0020】
第3の発明の前記積分回路は、抵抗器とコンデンサと増幅器により構成され、且つ、前記抵抗器をカップリングコンデンサを介して前記チャージアンプに接続し、且つ、前記カップリングコンデンサと積分回路により構成される回路の前記チャージアンプから出力される電圧の出力値の高周波成分が低減するように該回路の諸定数を決定する。
【0021】
この第3の発明によれば、前記積分回路は前記チャージアンプ等から入力される高周波ノイズを低減する。
【0022】
第4の発明の前記積分回路は、抵抗器とコンデンサにより構成され、且つ、前記抵抗器を前記チャージアンプに直接接続し且つ、前記積分回路の前記チャージアンプから出力される電圧の出力値の高周波成分が低減するように該回路の諸定数を決定する。
【0023】
この第4の発明によれば、前記積分回路は前記チャージアンプ等から入力される高周波ノイズを低減する。
【0024】
第5の発明の特徴は、前記積分回路を構成するコンデンサを前記サンプルホールド回路を構成するコンデンサと兼用にすることにある。
【0025】
この第5の発明によれば、前記積分回路と前記サンプルホールド回路が兼用になり、装置の構成が簡単化される。
【0026】
第6の発明の特徴は、前記積分回路のコンデンサ及びカップリングコンデンサの各々に蓄積電荷を放電させるリセットスイッチを並列接続し、これらリセットスイッチのオン、オフは前記スイッチング素子のオン、オフと所定の位相差を保つて同期して行うようにすることにある。
【0027】
この第6の発明によれば、前記スイッチング素子がオンする前に、前記リセットスイッチをオンして蓄積電荷を放電した後、前記リセットスイッチをオフした状態で、前記スイッチング素子をオンして、蓄積電荷をチャージアンプに入力することにより、前記積分回路から前記蓄積電荷量に正確に対応する電圧が得られる。
【0028】
第7の発明の特徴は、前記積分回路を構成する前記抵抗器の値又は、前記カップリングコンデンサの値を可変とすることによって、前記抵抗器又は、前記カップリングコンデンサの値を任意に選択して設定すると共に、選択した値に応じて前記積分回路の出力電圧のサンプリングタイミングを変えることにある。
【0029】
この第7の発明によれば、例えば、前記抵抗器の値を大きくすれば、時定数が増大し、積分回路の積分効果が大きくなって、ノイズ低減効果を増大させるが、前記積分回路の出力電圧が前記スイッチング素子の非線形特性の影響のない安定した値になるまでの時間が延びるため、前記スイッチング素子がオンしてサンプリングするまでの時間を長くしなければならない。このサンプリングするまでの時間が長いと画像の分解能が低減することになる。従って、ノイズ低減効果を増大すれば、その反面、画像の分解能が低減することになる。
【0030】
第8の発明の特徴は、2次元マトリックス状に配列された画素に放射線を当てることにより各画素に蓄積された電荷を順次取り出して電圧に変換し、この電圧をサンプルホールドして出力する放射線検出方法において、前記画素から取り出した電荷を対応する電圧に変換する過程と、前記変換により得られた電圧を積分する過程と、前記積分して得られた電圧をサンプルホールドする過程とを備えることにある。
【0031】
この第8の発明によれば、前記積分過程の周波数特性を高周波で低減するように設定しておけば、前記電荷を電圧に変換する際に発生する高周波ノイズが低減され、これがサンプルホールドされることになる。又、前記積分過程により前記画素から電荷を取り出す半導体素子の抵抗の影響が排除される時間経ってから、前記積分して得られた電圧をサンプリングすることにより、前記半導体素子が非線形特性を有していても、前記サンプリングにより、前記積分して得られた電圧を常に安定に得ることができる。
【0032】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1は本発明のX線検出器の第1の実施の形態を示したブロック図である。但し、従来例と同一部分には同一符号を用いて説明する。
【0033】
本例は、Nライン×M列のマトリックス状に配列した画素回路13の中の1本のラインを取り出して示したものである。X線を照射すると画素の容量成分CP(以降画素CPと称する)は電荷Qを蓄積し、この電荷QはTFTなどのスイッチング素子1を介して信号線2上に読み出される。チャージアンプ3は信号線2上に読み出された電荷Qを積分し、この積分値に対応した電圧V0を発生する。この電圧V0はカップリングコンデンサCdを通して積分回路6に入力され、ここで積分されて電圧VXとなり、これがサンプルホールド回路4により保持される。この際、読出制御回路8はスイッチング素子1のオンオフ、チャージアンプ3や積分回路6のリセット及びサンプルホールド回路4のサンプリングタイミングなどを制御して、電荷Qの読み出し制御を行う。
【0034】
ここで、チャージアンプ3は演算増幅器31、コンデンサCf及びリセットスイッチ32により構成されている。積分回路6は抵抗RX、演算増幅器62、コンデンサCx及びリセットスイッチ63により構成されている。サンプルホールド回路4はサンプリングスイッチ41と電荷保持用のコンデンサCsampleより構成されている。又、カップリングコンデンサCdにはリセットスイッチ61が並列接続されている。
【0035】
次に本実施の形態の動作について説明する。上記した画素CPを構成する光電素子にはアモルフアスSe等の光導電体が使用され、x線が当たるとその強度に応じた量の正孔と電子を生じる。この光導電体には電界が掛けられており、電子は高電位側の電極に、正孔は低電位側の画素電極にそれぞれ引き寄せられる。この誘電作用により生じた電荷は図1に示した画素の等価回路のCPに蓄積されるQで表わされる。このQを蓄積する容量成分は上記したようにCPで表わされており、実際の構成では上記光導電体がそのまま容量成分を構成したり、或いは補助的な容量成分が上記画素電極とグラウンド電位との間に設けられてCPなる容量成分を形成する。
【0036】
読出制御回路8は当初スイッチング素子1をオフ状態にする。この間、X線照射が行われる。これにより画素CPに電荷QTが蓄積される。その後、読出制御回路8はリセットスイッチ32、61、63をオフにすると共に、スイッチング素子1をオン状態にして電荷Qを信号線2上に伝達する。これにより、チャージアンプ3はV0=Q/Cfなる電圧を出力する。なお、リセットスイッチ32、61、63の開閉タイミングは全て読出制御回路8により同一のタイミングで制御されるものとする。
【0037】
V0は積分回路6により積分されて電圧VXとなり、この電圧VXがサンプルホールド回路4に入力される。読出制御回路8は適切なタイミングで、サンプリングスイッチ41をオンすることにより、電圧VXをコンデンサCsampleに保持し、その後、サンプリングスイッチ41をオフし、更に、リセットスイッチ32、61、63をオンして、各回路に蓄積されている電荷を放電して、各回路をリセットする。
【0038】
ここで、図2は図1の回路を含んだ本例のX線検出器の全体構成図を示したブロック図である。図1の画素CPに相当する光電変換素子21は、例えば1000×1000の行列状に配置されて画素を形成する。各光電変換素子21のそれぞれに対応して設けられた読み出し用のスイッチング素子1としての複数のTFT22と、各列のTFT22のゲートに駆動信号を送出するゲートドライバ23と、各行のTFT22のドレインが共通に接続された図1に示した回路のチャージアンプ3、積分回路6及びサンプルホールド回路4に相当する初段処理回路24と、各初段処理回路24の出力を時分割多重化するマルチプレクサ25と、マルチプレクサ25の出力を増幅するアンプ26と、アンプ26の出力をアナログ/デジタル変換してX線画像信号として出力するA/Dコンバータ27とを備えている。
【0039】
従って、サンプルホールド回路4により一旦ホールドされた電圧はアナログマルチプレクサ25へ他のライン出力と共に入力され、マルチプレクサ25で逐次ライン出力の選択を行って1次元電気信号として出力された後、A/Dコンバータ27でデジタル化されて、図示されない2次元メモリ上の2次元光電変換素子21の位置に応じたアドレスに格納される。
【0040】
ところで、画素回路13を構成するスイッチング素子1は図2に示したようにTFT22などの半導体素子で構成され、この半導体素子は一般に図11に示すような非線形の電圧一電流特性を有している。即ち、電荷Qによってスイッチング素子1にはQ/CPなる電圧Vdsが掛かるが、このVdsに対して実際に流れる電流は図示のように線形関係にはならず、Vdsが大きくなっても電流はそれに比例しない。
【0041】
即ち、Vdsが大きいと、このスイッチング素子1自体の抵抗値は見かけ上大きくなるような現象が現れる。これはこのスイッチング素子1を構成する半導体で決定される特性であるが、TFTのようなトランジスタ構造を有する素子には、この現象が生じ易い。
【0042】
ここで、スイッチング素子(TFT)1がオンの状態になり、電荷Qが信号線2に流れている状態ではリセットスイッチスイッチ32、61、63はオフに制御されており、V0には下記に述べるような電圧が発生する。ここで、Rtはスイッチング素子1のオン時の抵抗値を表わし、Nは図11に示すようにノイズ源を表わす。
【0043】
この場合、チャージアンプ3の出力V0は、V0=(−Q/cf)[1−exp(−t/(CP−Rt))]+(1+Cs/Cf)N で表され、この式から十分時間が経過した後で、サンプリングを行えば、V0=(−Q/Cf)+(1+Cs/Cf)N という電圧を観測でき、Rtが図11の特性を有していても、信号電荷Qに比例した電圧が得られることが示される。しかし、ノイズ源Nは信号線2の浮遊容量Csが大きければ大きいほど、信号観測に悪影響を与えることが示される。
【0044】
本例の目的は、Rtに影響されずノイズを小さくさせるものである。上記したV0は更に積分回路6により積分されて、電圧VXとなるが、この電圧VXは時間経過と共に下記に示したようになる。
【0045】
Vx=Q(Cd/(Cf・Cx))[1+α・CP・Rt−exp(−t/(CP・Rt))−α・Cd・RX−exp(−t/(Cd・RX))]+Nx…(2)
但し、α=Cd・RX−CP・Rtであり、ノイズをNxで表わしている。
【0046】
式(2)にて、積分回路6のの出力Vxはスイッチング素子1をオンしてからサンプリングを行うまでの時間がCd・RXなる時定数に対して十分大きければ、図3に示すように、
Vx=Q[Cd/(Cf・Cx)]+Nx となって、Rtに依存しない安定した出力として取り出し得ることが分かる。
【0047】
ー方、Vxの信号成分に重畳するノイズ成分Nxは積分回路6の伝達関数F(S)から推定解析することができる。
【0048】
F(S)=(1/Cx・RX)〔1/(S+(1/Cd・RX))] で示される。ここで、S=jwとおけば、F(w)=(1/Cx・RX)[1/SQR(W2+(1/Cd・RX)2)]…(3)となり、その周波数特性が得られる。
但し、wはノイズの角周波数である。(3)式は図4に示すように表され、その周波数特性からノイズの高周波成分の低減は明らかである。即ち、(3)式より、積分回路6はノイズの高周波成分を低減させることが分かる。この周波数特性はw=√3/(Cd・RX)の位置でゲインが半分になるような特性であり、図4に示すように高周波になるに従って次第に0に漸近する。
【0049】
以下、本回路の具体的なパラメータの例を上げて説明する。画素CPを1000×1000のマトリックス構成として、1秒間に10msのX線を照射し、30コマのフレームレートで画像収集する場合を例示する。
【0050】
X線を照射している時間、画素CPは電荷を蓄積する動作を行い、X線照射後に電荷読み出す動作を行うとすれば、1フレームあたり23msで画像を取集する必要がある。信号線1ラインには1000画素の画素回路13が接続されているため、1画素当たりの信号収集は23μsで行わなければならないことになる。ここでは、スイッチング素子(TFT)1をオン状態になってから電荷を読み出し、サンプリングするまでの時間を20μ程度に設定するものとする。
【0051】
スイッチング素子1のRtは前述のように電荷Qによって変動するが、ここでは2MΩ>Rt>1MΩとする。またCsは浮遊容量であるから制御しにくいが、ここでは50pF程度とする。この場合、図1の抵抗やコンデンサの定数を以下のように設定すればよい。
【0052】
CP=1pF
Cd=50pF
Cf=10pF
Cx=10pF
RX=50kΩ
このように設定すれば、CP・Rt=1〜2μs、Cd・RX=2.5μsとなり、20μ後にはVxの信号成分は一定の値に収束する。なお、Vxは積分回路6がない図8の従来例の出力電圧V0に比べて、Cd/Cx倍されるが、上記のように値を選択すれば5倍大きな信号が検出できることになる。信号が大きければ、それより後段の回路で生じるノイズの耐性が向上するため、上記の設定によってノイズ耐性の利点も生ぜしめる。
【0053】
さて、チャージアンプ3の発生ノイズNxが図4に示すような周波数特性で低減することを説明したが、ノイズは以下のように低減される。
【0054】
つまり、信号が5倍になる一方でチャージアンプ3から発生するノイズはこのように高周波になるに従って低減するため、S/N比は極めて高く、例えば1MHzのノイズ周波数では約15倍のS/N向上が達成される。従って,ここで例示したパラメータで回路を構成し、スイッチング素子1をオンした後、20μs後にサンプリングスイッチ41をオン/オフして電圧をホールドすれば、S/Nが向上した信号をデジタル化することが可能であり、微弱なX線によつて生じる微弱信号のノイズを低減して画像化することが可能となる。
【0055】
本実施の形態によれば、画素CPより電荷Qを読み出してから適切なタイミングでサンプルホールドすることにより、積分回路6から出力される電圧VXからスイッチング素子1の抵抗Rtの影響を排除することができるため、一定の値に収束した電圧VXをサンプルホールド回路4で安定且つ確実にホールドすることができ、電荷Qの読み出しを安定に行うことができる。しかも、積分回路6は図4に示したような周波数特性を有するため、チャージアンプ3で発生したような高周波ノイズを低減することができ、読み出し信号のS/Nを向上させることができる。これにより、弱いX線照射時にも、鮮明なX線撮像画像を得ることができる。
【0056】
図5は本発明のX線検出器の第2の実施の形態を示したブロック図である。但し、図1に示した第1の実施の形態と同様の部分は同一符号を用い、適宜その説明を省略する。本例はカップリングコンデンサCdと演算増幅器62との間に挿入される抵抗として、抵抗値の小さなRX1と抵抗値の大きなRX2があり、モードによりスイッチ10、11によりいずれか一方の抵抗が読出制御回路8により選択されるようになっている。他の構成は、図1に示した第1の実施の形態と同様である。
【0057】
次に本実施の形態の動作について説明する。例えば、X線透視下で長時間観察を行う場合などでは、空間分解能はそれほと要求されず、被曝低減の方が重要な場合がある。このような場合には、X線線量を半減するなどの措置が取られるが、画素に蓄積される電荷量も半減するため、読み出される信号のS/Nが悪くなる。 上記のように被曝低減を図った場合、スイッチ11をオンにして、抵抗RX2を使用することによりS/Nの改善を行う。図中、RXlは第1の実施の形態で例示した50kΩの抵抗器、RX2は100kΩとして、被曝低減モードの場合はRX2を選択して動作させる意図を示すものである。
【0058】
ここで、RXの値を大きくすると、回路の時定数が増大し、図6(B)に示すF(w)の形状が変化して小さいレベルのノイズ周波数に対しても低減効果を得ることができるようになる。即ち、前記時定数が増大すると、積分回路6の積分効果が向上してノイズ低減作用が増加する。従って、積分回路6の出力である電圧VxのS/N比も向上するようになる。但し、抵抗RXを大きくすれば電圧Vxの信号の時定数が図6(B)に示すように増大するため、スイッチング素子1をオンしてからサンプリングを行うまでの時間を相対的に長く(40μS)する必要がある。
【0059】
これには、空間解像度を半減させ500×500の分解能になるように、隣接した2つの画素CPのスイッチング素子1を同時にオンするように読出回路8により制御して、1ラインに500画素の読み出しを行うようにすればよい。
【0060】
ところで、X線線量が通常レベルである場合は、スイッチ10がオンされることにより、抵抗RX1が選択されて使用される。この場合は第1の実施の形態と同様に、積分回路8の出力電圧VXは図6(A)で示したようになり、20μSで画素を読み出すことができ、1000×1000の分解能が得られる。
【0061】
本実施の形態によれば、被爆低減モードを選択でき、この場合RXの値を通常モードの2倍に設定して、スイッチング素子1をオン状態にしてから40μS後にサンプリングを行うことにより、S/Nを改善した信号を得ることができる。他の効果は図1に示した第1の実施の形態と同様である。尚、上記した時定数はCdの値を変化させて変化させることができるため、Cdの値を変化させても上記と同様の作用効果を得ることができる。
【0062】
図7は本発明のX線検出器の第3の実施の形態を示したブロック図である。但し、図1に示した第1の実施の形態と同様の部分は同一符号を用い、適宜その説明を省略する。本例は、チャージアンプ3以降のノイズを低減する積分回路を抵抗RXとコンデンサCsmpleで構成し、このコンデンサCsmpleに並列にリセットスイッチ65が接続され、読出制御回路8により開閉される。即ち、抵抗RXとコンデンサCsampleはノイズ低減用の積分回路とサンプルるホールド回路を兼ねている。このように構成しても、前記積分回路を図4に示したような周波数特性とすることができ、図1に示した第1の実施の形態と同様の高周波ノイズの低減効果がある。本実施例の場合は十分にノズル低減が行なわれる時間の間はサンプリングSWをON状態にしておく必要があるが、回路が簡単になるため、X線検出器を安価に作ることができる。
【0063】
図中(sampleに並列に挿入されたリセントSW65は必ずしも必要ではないが、急激にX線分布が変化しているような領域、例えば極端に明るい領域と暗い領域が隣接しているような場合は直前に蓄積された画素を完全にリセットして次の画素信号を読み取る方が好ましい。この目的で例示されている。
【0064】
尚、本例の積分回路兼サンプルホールド回路を図5に示したチャージアンプ以降に用いても、図5に示した第2の実施の形態と同様の動作を行うことができ、同様の効果を得ることができる。
【0065】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明のX線検出器及び放射線検出方法によれば、画素から取り出した電荷を電圧に変換するために積分した後、更にノイズを低減するために積分することにより、前記画素の電荷を取り出すスイッチング素子の電圧、電流特性が非線形であっても、一定のサンプリングタイミングで前記電荷を低ノイズで確実に読み出すことができる。これにより、披見者の被爆低減のために、微弱なX線によつて生じる微弱信号のノイズを低減し、S/Nの良好な撮影画像を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のX線検出器の第1の実施の形態を示したブロック図である。
【図2】図1に示したX線検出器の全体構成例を示したブロック図である。
【図3】図1に示した電圧VXの時間経過波形を示した特性図である。
【図4】図1に示した積分回路の伝達関数を示した特性図である。
【図5】本発明のX線検出器の第2の実施の形態を示したブロック図である。
【図6】図5に示した電圧VXの時間経過波形を示した特性図である。
【図7】本発明のX線検出器の第3の実施の形態を示したブロック図である。
【図8】従来のX線検出器の構成例を示したブロック図である。
【図9】従来のX線検出器の他の構成例を示したブロック図である。
【図10】図9に示した電圧VXとV0の時間経過波形例を記した特性図である。
【図11】図9に示したスイッチング素子の電圧電流関係を示した特性図である。
【符号の説明】
1 スイッチング素子
2 信号線
3 チャージアンプ
4 サンプルホールド回路
6、7 積分回路
8 読出制御回路
10、11 切替スイッチ
13 画素回路
21 光電変換素子
22 TFT
23 ゲートドライバ
24 初段処理回路
25 マルチプレクサ
26 アンプ
27 A/Dコンバータ
31、61 演算増幅器
32、61、63、65 リセットスイッチ
41 サンプリングスイッチ
Cd、Cf、Cx、Csample コンデンサ
CP 画素
RX、RX1、RX2 抵抗
Q 電荷
Claims (9)
- 2次元マトリックス状に配列された画素にX線を当てることにより各画素に蓄積された電荷をスイッチング素子を介して順次取り出し、取り出した電荷をチャージアンプにより電圧に変換し、この電圧をサンプルホールド回路によりサンプルホールドして出力するX線検出器において、
前記チャージアンプとサンプルホールド回路との間に積分回路を備え、この積分回路により前記電圧を積分して得た電圧をサンプルホールドして出力することを特徴とするX線検出器。 - 前記スイッチング素子をオンした時点から所定時間後に前記積分回路の出力電圧をサンプリングすることを特徴とする請求項1記載のX線検出器。
- 前記積分回路は、抵抗器とコンデンサと増幅器により構成され、且つ、前記抵抗器をカップリングコンデンサを介して前記チャージアンプに接続し、且つ、前記カップリングコンデンサと積分回路により構成される回路の前記チャージアンプから出力される電圧の出力値の高周波成分が低減するように該回路の諸定数を決定したことを特徴とする請求項1記載のX線検出器。
- 前記積分回路は、抵抗器とコンデンサにより構成され、且つ、前記抵抗器を前記チャージアンプに直接接続し且つ、前記積分回路の前記チャージアンプから出力される電圧の出力値の高周波成分が低減するように該回路の諸定数を決定したことを特徴とする請求項1記載のX線検出器。
- 前記積分回路を構成するコンデンサを前記サンプルホールド回路を構成するコンデンサと兼用にすることを特徴とする請求項4記載のX線検出器。
- 前記積分回路のコンデンサ及びカップリングコンデンサの各々に蓄積電荷を放電させるリセットスイッチを並列接続し、これらリセットスイッチのオン、オフは前記スイッチング素子のオン、オフと所定の位相差を保って同期して行うようにすることを特徴とする請求項3に記載のX線検出器。
- 前記積分回路を構成する前記抵抗器の値又は、前記カップリングコンデンサの値を可変とすることによって、前記抵抗器又は、前記カップリングコンデンサの値を任意に選択して設定すると共に、選択した値に応じて前記積分回路の出力電圧のサンプリングタイミングを変えることを特徴とする請求項3に記載のX線検出器。
- 2次元マトリックス状に配列された画素に放射線を当てることにより各画素に蓄積された電荷を順次取り出して電圧に変換し、この電圧をサンプルホールドして出力する放射線検出方法において、
前記画素から取り出した電荷を対応する電圧に変換する過程と、 前記変換により得られた電圧を積分する過程と、
前記積分して得られた電圧をサンプルホールドする過程と
を備えることを特徴とする放射線検出方法。 - 2次元マトリックス状に配列された画素に放射線を当てることにより各画素に蓄積された電荷を順次取り出して電圧に変換し、この電圧をサンプルホールドして出力する放射線検出装置において、
前記画素から取り出した電荷を対応する電圧に変換する手段と、
前記変換により得られた電圧を積分する手段と、
前記積分して得られた電圧をサンプルホールドする手段と
を備えることを特徴とする放射線検出装置。
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