KR100619551B1

KR100619551B1 - 고체 촬상 장치 및 화소 데이터 판독 전압 인가 방법

Info

Publication number: KR100619551B1
Application number: KR1020040079895A
Authority: KR
Inventors: 야나기사와마코토; 이노우에타다오; 야마모토가츠요시
Original assignee: 후지쯔 가부시끼가이샤
Priority date: 2004-05-28
Filing date: 2004-10-07
Publication date: 2006-09-12
Also published as: CN100413080C; KR20050113115A; CN1702871A; US20050264664A1; EP1601183A1; JP2005341438A

Abstract

본 발명은 2차원형 화소 배열의 한쪽에만 수직 시프트 레지스터를 구비하여, 레이아웃 면적을 삭감시키는 동시에, 비용을 저감하는 것을 목적으로 한다.

2차원형 화소 배열(1)의 가로 방향의 화소의 줄을 선택하기 위한 선택 신호를 출력하는 시프트 레지스터로서, 상기 화소 배열의 좌 외측 또는 우 외측의 어느 하나로부터 상기 화소 배열(1)에 대하여 선택 신호를 부여하는 수직 시프트 레지스터(2)와, 상기 선택 신호가 출력된 후에 화소 배열(1)에 대하여 상기 선택 신호가 부여된 측과 반대측에서부터 가로 방향으로 배열된 화소에 대한 데이터 판독을 위해 전원 전압을 인가하는 수단(3)을 구비한다.

Description

고체 촬상 장치 및 화소 데이터 판독 전압 인가 방법 {SOLID-STATE IMAGE PICKUP APPARATUS, AND PIXEL DATA READ VOLTAGE APPLYING METHOD}

도 1은 본 발명의 고체 촬상 장치의 원리 구성 블록도.

도 2는 본 실시 형태에 있어서 1 라인의 화소에 대응하는 드라이버와 시프트 레지스터의 배치 설명도.

도 3은 본 실시 형태에 있어서 고체 촬상 장치의 전체 구성도.

도 4는 본 실시 형태에 있어서 VD 및 VG 드라이버와, VD 드라이버의 배치를 설명한 도면.

도 5는 VD 및 VG 드라이버와, VD 드라이버의 회로 구성을 도시한 도면.

도 6은 도 5의 회로에 있어서 동작의 타임 차트.

도 7은 도 5에 대응하는 종래예에 있어서 드라이버의 구성을 도시한 도면.

도 8은 고체 촬상 장치의 종래예의 전체 구성을 도시한 도면.

도 9는 종래예에 있어서 수직 시프트 레지스터와 드라이버의 배치를 설명한 도면.

도 10은 종래예에 있어서의 시프트 레지스터의 구성예를 도시한 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 2차원형 화소 배열

2, 21 : 수직 시프트 레지스터

3 : 전압 인가 수단

10 : 화소

11, 12 : 드라이버

13 : 시프트 레지스터

15 : VG선

16 : VD선

17 : 판독선

22 : VD 및 VG 드라이버

23 : 수평 시프트 레지스터

24 : CDS 회로

25, 27, 28, 29, 34, 36, 39 : 트랜지스터

26 : 포토다이오드

30 : VD 드라이버

31, 33, 35, 38 : NAND 게이트

32, 37 : 인버터

40 : 픽셀

본 발명은 예컨대 CMOS 센서 등의 고체 촬상 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 고체 촬상 장치에 있어서 2차원형 화소 배열의 가로 방향의 화소의 줄을 선택하기 위한 수직 시프트 레지스터를 화소 배열의 한쪽에만 설치하여, 레이아웃 면적을 삭감하면서, 화소 배열의 양측에서부터 화소 데이터 판독 전압을 공급하는 고체 촬상 장치 및 화소 데이터 판독 전압 인가 방법에 관한 것이다.

종래부터 광전 변환 소자, 예컨대 포토다이오드를 세로(수직) 방향과 가로(수평) 방향의 2차원형으로 배열하고, 각각의 광전 변환 소자에 축적된 전하를 각각 복수의 트랜지스터를 이용하여 판독하는 고체 촬상 장치가 사용되고 있다.

도 8은 그러한 고체 촬상 장치의 종래예의 구성 블록도이다. 동 도면에 있어서 장치에는 가로 방향의 화소의 줄을 선택하기 위한 수직 시프트 레지스터(21), 각 화소에 대응하는 트랜지스터를 구동하기 위한 VD 및 VG 드라이버(22), 가로 방향의 화소의 줄의 데이터를 1 화소씩 선택하기 위한 수평 시프트 레지스터(23), 판독 신호의 랜덤 잡음을 저감시키기 위한 상관 이중 샘플링(CDS) 회로(24) 및 로드 신호가 게이트에 부여되어 판독 신호 VS를 CDS 회로(24)에 공급하기 위한 (MOS)트랜지스터(25)가 화소 배열(20)의 주위에 구비되어 있다.

화소 배열(20)의 내부에는 하나의 화소에 대응하는 포토다이오드(26)와, 그 전하의 판독을 제어하기 위한 3 개의 트랜지스터에 의한 구성이 표시되어 있다. 트랜지스터(27)의 게이트 단자에 신호 VG가 부여됨으로써 이 화소가 선택되고, 트랜지스터(28)의 드레인 단자에 전원 전압 신호 VD가 부여되며, 또한 트랜지스터(29)의 게이트 단자에 리셋 신호(RST)가 부여된다.

도 9는 도 8의 종래예에 있어서 가로 방향의 화소의 줄을 수직 방향으로 선택하기 위한 수직 시프트 레지스터와 드라이버의 구성의 설명도이다. 수직 시프트 레지스터(21)는 가로 방향의 화소의 줄을 선택하기 위한 선택 신호를 출력하고, 가로 방향의 화소의 줄에 각각 대응하는 VD 및 VG 드라이버(22) 중에서 선택해야 할 드라이버에 대하여 선택 신호를 부여함으로써, 선택된 가로 방향의 줄의 화소에 대하여 VG 신호, VD 신호 및 RST 신호가 부여되어, 화소 데이터의 판독이 행해진다.

도 10은 도 8 및 도 9에 있어서 화소 배열(픽셀 어레이)의 양측에 구비되는 수직 시프트 레지스터의 구성예이다. 동 도면에 있어서 시프트 레지스터는 화소의 가로 방향의 줄, 즉 수직 방향 화소의 각각에 대하여 선택 신호 및 리셋(RST) 신호를 출력하기 위한 NAND 게이트(50), 인버터(51) 및 플립플롭(52)을 구비하고, 추가로 화소 선택을 위한 디코드선에 해당하는 다수의 배선을 구비하고 있다.

도 10의 시프트 레지스터에 의해, 예컨대 화소 배열의 가장 위에서부터 수직 방향의 화소가 순차 선택되어, 화소 데이터의 판독을 행하는 것도, 또한 임의의 위치의 화소로부터 처음으로 순차 아래 방향으로 화소의 하나씩을 선택해 나가는 것도, 혹은 역방향으로 선택해 나가는 것도 가능하다. 또한, 좌측의 플립플롭(52) 중에서, 선택된 수직 방향 화소에 대응하는 플립플롭만이 그 선택 상태를 기억하고 있으며, RST 신호의 입력 시점에서 그 출력의 반전에 의해 선택된 화소에 대한 RST 선택(리셋) 신호가 부여된다.

그러나, 도 8 내지 도 10에서 설명한 종래예에 있어서는, 2차원형의 화소 배열의 양측에 수직 방향으로 화소를 선택하기 위한 수직 시프트 레지스터가 구비되 어, 이들 시프트 레지스터에 의해 출력된 선택 신호에 대응하여 VD 및 VG 드라이버에 의해 양측에서부터 예컨대 화소 데이터 판독을 행하기 위한 전원 전압이 공급되고 있었다.

이와 같이 양측에 시프트 레지스터를 배치하고, 양측에서 화소를 드라이브하는 이유는, 화면의 대형화에 따라 예컨대 가로 방향의 화소의 수가 증대하여, 한 쪽, 예컨대 좌측으로부터만 화소의 드라이브를 행하는 경우에는 화면의 우단의 화소에 대해서는 부여되어야 할 전원 전압에 대하여 전압 강하를 일으켜서 촬상 성능이 저하하기 때문이다.

그러나, 이와 같이 화소 배열의 양측에 수직 시프트 레지스터를 배치하면, 도 10에서 설명한 바와 같이 수직 시프트 레지스터가 많은 소자와 많은 배선에 의해 구성되기 때문에, 그 면적이 커져서 촬상 장치의 소형화가 곤란하게 되어 버린다고 하는 문제점이 있었다.

이러한 고체 촬상 장치에 관한 종래 기술로서 다음 문헌이 있다.

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 평성 제11-26740호 공보 「고체 촬상 장치」

[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 제2003-134399호 공보 「고체 촬상 장치 및 그 구동 방법」

특허 문헌 1에는 낮은 전원 전압으로 잔상이 적고, 변환 이득이 높은 고체 촬상 장치를 제공하기 위해서, 칩 내에 승압 회로를 탑재하는 기술이 개시되어 있다.

특허 문헌 2에는 수광부의 유효 면적을 좁게 하지 않고, 화소 주변의 배선을 일부 겸용함으로써 배선 갯수를 삭감하여, 촬상 소자의 소형화를 실현하는 기술이 개시되어 있다.

그러나, 이 2 개의 문헌에 있어서도, 2차원형 화소 배열의 양측에 수직 시프트 레지스터가 구비되어 있고, 수직 시프트 레지스터의 면적이 큼으로써 촬상 장치의 소형화가 곤란하다고 하는 문제점은 해결되어 있지 않았다.

본 발명의 과제는 전술한 문제점을 감안하여 2차원형 화소 배열의 양측에 종래에 구비하고 있었던 수직 시프트 레지스터를 한쪽에만 구비하고, 또한 선택된 수직 방향의 화소를 드라이브하는 드라이버를 양측에 구비함으로써, 레이아웃 면적을 삭감시키는 동시에 비용을 저감하면서, 촬상 출력 성능이 높은 고체 촬상 장치 및 화상 판독 전압 인가 방법을 제공하는 것이다.

도 1은 본 발명의 고체 촬상 장치의 원리적인 구성 블록도이다. 동 도면은 화소가 2차원형으로 배열된 고체 촬상 장치의 원리 구성을 나타내고, 고체 촬상 장치는 적어도 2차원형 화소 배열(1), 수직 시프트 레지스터(2) 및 전압 인가 수단(3)을 구비한다.

수직 시프트 레지스터(2)는 2차원형 화소 배열(1)의 가로 방향의 화소의 줄을 선택하기 위한 선택 신호를 출력하는 것으로, 화소 배열(1)의 좌 외측 또는 우 외측의 어느 하나로부터 화소 배열(1)에 대하여 선택 신호를 부여한다.

전압 인가 수단(3)은 수직 시프트 레지스터(2)에 의해 선택 신호가 출력된 후에 화소 배열(1)에 대하여 선택 신호가 출력된 측과 반대측에서부터 가로 방향으로 배열된 화소에 대한 데이터 판독을 위해 전원 전압을 인가하는 것이다.

발명의 실시 형태에 있어서는, 수직 시프트 레지스터(2)에 의해 선택 신호가 출력된 후에, 그 선택 신호가 부여된 측에서부터 화소 배열(1)에 대하여 가로 방향으로 배열된 화소에 대한 데이터 판독을 위해 전원 전압을 인가하는 시프트 레지스터측 전압 인가 수단을 더 구비할 수도 있다.

또한, 실시 형태에 있어서는, 전압 인가 수단(3) 및/또는 시프트 레지스터측 전압 인가 수단은 상기 화소에 대한 데이터 판독 전압으로서 전원 전압보다 승압된 승압 전압을 인가할 수도 있다.

또한, 실시 형태에 있어서는, 고체 촬상 장치가 수직 시프트 레지스터(2)로부터 출력된 선택 신호를 지연시켜 전압 인가 수단(3)측에 부여하는 제1 지연 수단을 더 구비하는 것도, 또한 그 제1 지연 수단의 출력을 더욱 지연시켜서 전압 인가 수단(3)에 부여하는 제2 지연 수단을 더 구비하는 것도, 혹은 이 제1 지연 수단 및 제2 지연 수단에 의한 각각의 지연 시간의 합에 해당하는 시간만큼 수직 시프트 레지스터(2)로부터 출력된 선택 신호를 지연시켜서 시프트 레지스터측 전압 인가 수단에 부여하는 제3 지연 수단을 더 구비하는 것도 가능하다.

실시 형태에 있어서는, 2차원형 화소 배열(1)에 있어서 화소의 각각이 CMOS 소자에 의해 구성되는 동시에, 전술한 제1 지연 수단의 출력이 화소로부터의 데이터 판독 신호를 화소 배열(1)의 외부에 부여하기 위한 MOS 트랜지스터의 게이트에 부여되는 것도 가능하다.

또한, 본 발명의 고체 촬상 장치는 2차원형으로 복수의 화소가 배열되어, 상기 2차원형 배열 내의 행 방향의 화소 열에 대해서 양단으로부터 전압을 공급하는 것으로, 양단 중 일단측에 대해서만 설치되고, 상기 전압 공급을 행해야 할 행을 선택하는 시프트 레지스터와, 상기 시프트 레지스터의 행 선택에 의해 생기는 전압 변동을 타단에서 수신하고, 상기 전압 변동이 존재한 행에 대하여 타단측에서 전압 공급을 행하는 전압 인가 수단을 구비한다.

다음에, 본 발명에 있어서 화소 데이터 판독 전압 인가 방법에 있어서는, 2차원형 화소 배열의 좌 외측 또는 우 외측의 어느 하나로부터 화소 배열의 가로 방향의 화소의 줄을 선택하기 위한 선택 신호를 출력하고, 그 선택 신호의 출력 후에 선택 신호가 출력된 측과 반대측에서부터 가로 방향으로 배열된 화소에 대한 데이터 판독을 위해 전원 전압을 인가하는 방법이 이용된다.

이상과 같이 본 발명에 따르면, 2차원형 화소 배열의 좌 외측 또는 우 외측의 어느 하나에 수직 시프트 레지스터가 구비되고, 그 수직 시프트 레지스터와 반대측 또는 양측에 가로 방향의 화소의 줄에 대한 데이터 판독을 위해 전원 전압을 인가하는 전압 인가 수단이 구비된다.

도 2는 본 실시 형태에 있어서 화소의 가로 방향(행 방향)의 줄, 예컨대 1 라인에 대응하는 드라이버와 시프트 레지스터의 배치 설명도이다. 동 도면에 있어서 1 라인 상의 화소(10)에 대해서는 도 8의 종래예와 마찬가지로 VG선(15), VD선(16)이 공통으로 설치되고, 그 양측에 드라이버(11, 12)가 구비되며, 예컨대 드라이버(11)측에 시프트 레지스터(13)가 구비되어 있다. 시프트 레지스터(13)에 의해 선택된 라인 상의 화소로부터는 판독선(17)에 의해 1 화소씩 화소 데이터의 판독이 행해진다. 여기서 시프트 레지스터(13)측의 드라이버(11)는 시프트 레지스터(13)로부터 선택 신호를 수신하여 선택된 라인 상의 화소를 드라이브하는 것이지만, 반대측의 드라이버(12)는 드라이버(11)로부터 신호를 폴딩하여 화소의 드라이브를 행하는 것으로, 드라이버(11)와 드라이버(12)의 구성은 다르다. 그 구성에 대해서는 후술한다.

도 3은 본 실시 형태에 있어서의 촬상 장치의 전체 구성 블록도이다. 도 8의 종래예와 비교하면 화소 배열(20)의, 예컨대 우측의 수직 시프트 레지스터(21)가 생략되고, 또한 우측의 VD 및 VG 드라이버(22) 대신에 VD 드라이버(30)가 구비되어 있는 점이 다르다.

도 4는 종래예의 도 9에 대응하는 본 실시 형태에 있어서의 드라이버와 수직 시프트 레지스터의 배치 설명도이다. 도 3에 있어서와 마찬가지로, 화소 배열의 우측에는 VD 드라이버(30)만이 구비되고, VD 드라이버(30)는 예컨대 우측의 VD 및 VG 드라이버(22)로부터의 VG 신호를 폴딩하여 가로 방향의 화소의 줄, 즉 1 라인의 화소에 대한 판독을 위해 전원 전압 신호 VD를 인가한다.

도 5는 VD 및 VG 드라이버와 VD 드라이버의 구성을 도시한 회로도이고, 도 6은 이 회로에 있어서의 동작의 타임 차트이다. 도 6을 이용하면서 도 5의 회로의 동작을 설명한다. 도 5에 있어서 수직 시프트 레지스터(21)로부터 선택 신호, 즉 도 6의 행 선택선 신호 Φ1이 출력된다. 그 후, 도 6에 도시한 바와 같이 VG 제어용 신호 Φ2가 출력되고, NAND 게이트(31)의 출력은 L, 인버터(32)의 출력은 H가 되며, 예컨대 도 3에 있어서 트랜지스터(27)의 게이트에 부여되는 신호는 H가 되고, 화소로부터의 데이터 판독 신호를 화소 배열(20)의 외부에 부여하는 트랜지스터(27)는 온이 된다.

그 후, VD 제어용 타이밍 제어 신호로서 Φ3이 출력되면, VD 드라이버(30)측의 NAND 게이트(33)의 출력은 L이 되고, 트랜지스터(34)가 온이 되며, 화소에 대하여 전원 전압을 부여하는 신호 VD가 H가 된다. 여기서 VPP는 촬상 장치의 전원 전압 VDD보다 승압된 전압이다.

한편, VD 및 VG 드라이버(22)측에서는, Φ1에 덧붙여 VD 제어용 신호 Φ3이 H가 된 시점에서 NAND 게이트(35)의 출력이 L이 되고, 트랜지스터(36)가 온이 되어 승압 전압 VPP가 화소에 대한 VD선에 화소 배열의 좌측에서부터 부여되게 된다.

또한, 본 발명의 특허 청구의 범위의 청구항 4 내지 7에 있어서의 제1 지연 수단은 도 5의 NAND 게이트(31)와 인버터(32)에, 제2 지연 수단은 NAND 게이트(33)에, 제3 지연 수단은 NAND 게이트(35)에 해당하고, 청구항 1에 있어서의 전압 인가 수단은 트랜지스터(34)에 해당하며, 청구항 2에 있어서의 시프트 레지스터측 전압 인가 수단은 트랜지스터(36)에 해당한다.

트랜지스터(39)는 현재의 라인이 비선택 상태가 되었을 때 화소에 대하여 전원 전압 VDD를 인가하기 위한 것이다. 즉, 선택 상태에서는 Φ1이 H가 되고, 인버터(37)의 출력이 L이 된 후에, 신호 Φ3과 마찬가지로 VD 제어용 신호 Φ4가 H가 되어도 NAND 게이트(38)의 출력 Φ5는 H로서, 트랜지스터(39)는 온이 되지 않고, VD선에는 전원 전압 VDD는 인가되지 않는다.

이것에 대하여 현재의 라인이 비선택인 경우에는 Φ1이 L이고, 인버터(37)의 출력이 H가 되기 위해서, 신호 Φ4가 H가 된 시점에서 NAND 게이트(38)의 출력 Φ5는 L이 되고, 트랜지스터(39)는 온이 되며, 화소에 대해서는 전원 전압 VDD가 인가되게 된다. 또한, 여기서 VD 제어용 신호 Φ3과 Φ4의 펄스는 완전히 동일한 위치로 되어 있지만, 스큐 등을 고려하여 위치(위상)를 어긋나게 하는 것도 당연히 가능하다. 또한, 비선택 상태의 라인의 화소에 전원 전압 VDD를 인가하는 이유는 비선택 상태의 화소의 광전 변환 소자에 축적된 전하의 영향에 따른 노이즈를 저감시키기 때문이다.

이상 설명한 바와 같이 도 5의 회로에서는 VD 및 VG 드라이버(22)측에서 VG 제어용 신호 Φ2가 H가 되고, 인버터(32)의 출력이 H가 되고 나서, VD 드라이버(30)측에서 신호 Φ3이 H가 되며, 트랜지스터(34)가 온이 되어 승압 전압 VPP가 VD선에 인가될 때까지 시간차를 두고 있다. 즉, VG가 H가 되고 나서 VPP가 VD선에 인가될 때까지의 사이에 시간차를 두게 됨으로써, VD 드라이버(30)에 의한 신호의 폴딩을 확실하게 행하는 것이 가능하게 되어, 스큐나 노이즈의 영향을 피할 수 있다.

도 7은 본 실시 형태에 있어서 도 5와 비교한 경우의 종래예에 있어서의 드라이버 및 수직 시프트 레지스터의 구성도이다. 종래예에 있어서는 우측에도 수직 시프트 레지스터(21)가 설치되고, 또한 도 5의 우측의 VD 드라이버(30) 대신에 좌측과 완전히 동일한 VD 및 VG 드라이버(22)가 구비되게 된다. 이것에 비하여 도 5에 있어서는, 우측의 수직 시프트 레지스터가 생략되는 것에 덧붙여서 우측의 드라이버의 구성이 간단하게 되어 촬상 장치의 소형화와 비용 저감을 실현할 수 있다.

본 실시예에서는, 3 개의 트랜지스터형의 픽셀을 이용하여 설명하였지만, 다른 형태의 픽셀이어도 좋은 것은 물론이다.

본 발명에 따르면, 종래의 2차원형 화소 배열의 양측에 설치된 수직 시프트 레지스터 중 한 쪽을 생략하는 것이 가능하게 되어, 레이아웃 면적의 삭감, 비용의 저감 및 촬상 장치의 소형화에 기여하는 바가 크다.

Claims

화소가 2차원형으로 배열된 고체 촬상 장치에 있어서,

상기 2차원형 화소 배열의 가로 방향의 화소의 줄을 선택하기 위한 선택 신호를 출력하는 시프트 레지스터로서, 상기 화소 배열의 좌 외측 또는 우 외측의 어느 하나로부터 상기 화소 배열에 대하여 선택 신호를 부여하는 수직 시프트 레지스터와;

상기 수직 시프트 레지스터에 의해 상기 선택 신호가 출력된 후에 상기 화소 배열에 대하여 상기 선택 신호가 부여된 측과 반대측에서부터 상기 가로 방향으로 배열된 화소에 대한 데이터 판독을 위해 전원 전압을 인가하는 전압 인가 수단; 및

상기 수직 시프트 레지스터에 의해 선택 신호가 출력된 후에 상기 화소 배열에 대하여 상기 수직 시프트 레지스터에 의해 선택 신호가 부여된 측에서부터 상기 가로 방향으로 배열된 화소에 대하여 데이터 판독을 위해 전원 전압을 인가하는 시프트 레지스터측 전압 인가 수단

을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
삭제
제1항에 있어서, 상기 전압 인가 수단 및/또는 시프트 레지스터측 전압 인가 수단은 상기 화소에 대하여 전원 전압보다 승압된 승압 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
제1항에 있어서, 상기 수직 시프트 레지스터로부터 출력된 상기 선택 신호를 지연시켜 상기 전압 인가 수단측에 부여하는 제1 지연 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
제4항에 있어서, 상기 제1 지연 수단의 출력을 더욱 지연시켜 상기 전압 인가 수단에 부여하는 제2 지연 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
제5항에 있어서, 상기 제1 지연 수단에 의한 지연 시간과, 상기 제2 지연 수단에 의한 지연 시간의 합에 해당하는 시간만큼, 상기 수직 시프트 레지스터로부터 출력되는 선택 신호를 지연시켜 시프트 레지스터측 전압 인가 수단에 부여하는 제3 지연 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
제4항에 있어서, 상기 화소의 각각이 CMOS 소자에 의해 구성되는 동시에,

상기 제1 지연 수단의 출력이 화소로부터의 데이터 판독 신호를 상기 화소 배열의 외부에 부여하는 MOS 트랜지스터의 게이트에 부여되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
화소가 2차원형으로 배열된 고체 촬상 장치에 있어서 화소 데이터 판독을 위한 전압 인가 방법으로서,

상기 2차원형 화소 배열의 좌 외측 또는 우 외측의 어느 하나로부터 2차원형 화소 배열의 가로 방향의 화소의 줄을 선택하기 위한 선택 신호를 부여하고,

상기 선택 신호의 출력 후에 상기 선택 신호의 출력측과 반대측에서부터 상기 가로 방향으로 배열된 화소에 대한 데이터 판독을 위해 전원 전압을 인가하는 동시에 상기 선택 신호가 부여된 측에서 상기 가로 방향으로 배열된 화소에 대하여 데이터 판독을 위해 전원 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 화소 데이터 판독 전압 인가 방법.
2차원형으로 복수의 화소가 배열되고, 상기 2차원형 배열 내의 행 방향의 화소 열에 대해서 양단으로부터 전압을 공급하는 고체 촬상 장치로서,

상기 양단 중 일단측에 대해서만 설치되고, 상기 전압 공급을 행하는 행을 선택하는 시프트 레지스터와;

상기 시프트 레지스터의 행 선택에 의해 생기는 전압 변동을 타단에서 수신하고, 상기 전압 변동이 존재한 행에 대하여 타단측에서부터 전압 공급을 행하는 전압 인가 수단

을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.