KR100581117B1 - 유기금속화학기상증착 공법을 이용한 화합물 반도체 박막성장 방법 및 이 방법에 의해 제조된 화합물 반도체레이저 다이오드 - Google Patents

유기금속화학기상증착 공법을 이용한 화합물 반도체 박막성장 방법 및 이 방법에 의해 제조된 화합물 반도체레이저 다이오드 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기금속화학기상증착 공법을 이용한 화합물 반도체 박막 성장 방법 및 이 방법에 의해 제조된 화합물 반도체 레이저 다이오드에 대한 것이다. 본 발명에 따른 화합물 반도체 박막 성장 방법은, 먼저 에피 기판을 증착 챔버에 인입시킨다. 그런 다음 상기 증착 챔버로 5족 소스가스를 위주로 주입하면서 증착 챔버 내부의 압력을 안정화시킨다. 이어서 상기 증착 챔버로 5족 소스가스를 위주로 주입하면서 증착 챔버의 온도를 화합물 반도체의 박막 성장 온도까지 상승시킨다. 그러고 나서 상기 증착 챔버로 5족 소스가스와 캐리어 가스를 주입하면서 증착 챔버 내부의 온도를 안정화시킨다. 마지막으로 상기 증착 챔버로 5족 소스가스, 캐리어 가스, 및 상기 5족 소스가스와 반응하여 화합물 반도체 박막을 상기 에피 기판 상에 형성할 수 있는 3족 유기금속 소스가스를 증착 챔버로 주입한다.
본 발명에 따르면, 회절격자가 있는 에피 기판 상에 계면 특성이 좋고 결점이 저감된 화합물 반도체 박막을 성장시킬 수 있다.

Description

유기금속화학기상증착 공법을 이용한 화합물 반도체 박막 성장 방법 및 이 방법에 의해 제조된 화합물 반도체 레이저 다이오드{METHOD FOR GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM LAYER USING METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND LASER DIODE MANUFACTURED BY THE SAME}
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
도1은 본 발명의 실시예에 따른 유기금속화학기상증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition: 이하, MOCVD) 공법을 이용한 화합물 반도체 박막 성장 방법에 대한 각 공정 단계를 시간(X축)과 온도(Y축) 그래프에 나타낸 도면이다.
도2는 상기 각 공정 단계의 가스 공급 방법을 나타낸 표이다.
도3 및 도4는 각각 종래기술 및 본 발명에 따라 에피 기판(epitaxial substrate) 상에 화합물 반도체 박막을 성장시킨 후 에피 기판의 단면을 전자현미경으로 관찰한 사진이다.
도5 및 도6은 각각 종래기술 및 본 발명에 따라 에피 기판 상에 화합물 반도체 박막을 성장시킨 후 에피 기판 상부 표면을 광학현미경으로 관찰한 사진이다.
본 발명은 광통신용 화합물 반도체 레이저 다이오드의 제조에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 MOCVD 공법을 이용하여 회절격자가 형성된 에피 기판 상에 안정적으로 화합물 반도체 박막을 성장시키는 방법과 이 방법에 의해 제조된 화합물 반도체 레이저 다이오드에 대한 것이다.
일반적으로 장거리, 대용량 및 초고속 광통신에서는 엄격한 광 파장 제어가 이루어져야 하므로, 최근에는 화합물 반도체로 이루어진 레이저 다이오드가 광변조 소자로 널리 이용되고 있다. 이러한 레이저 다이오드의 대표적인 예로는 분포 궤환형 레이저 다이오드(Distributed-Feedback Laser Diode: DFB 레이저 다이오드)와 분포 브래그 반사형 레이저 다이오드(Distributed Bragg Reflector: DBR 레이저 다이오드)를 들 수 있다.
상기 레이저 다이오드(이하, DFB 및 DBR 레이저 다이오드를 함께 지칭하는 용어로 사용함)는 광 분산을 억제하고 전기적 신호를 단파장의 광으로 변조하기 위해 광도파로와 파장선택용 회절격자를 결합시킨 구조를 가지고 있는 것을 특징으로 한다. 따라서 레이저 다이오드의 초기 제조 공정에서 에피 기판 상부를 인위적으로 식각하여 회절격자를 형성(grating)한 후 그 위에 MOCVD 공법에 의해 화합물 반도체 박막을 소정의 두께로 성장시키고 사진 식각 공정 등을 적용하여 레이저 다이오드를 형성하게 된다.
보다 구체적으로 회절격자가 형성된 에피 기판 상에 MOCVD 공법을 이용하여 화합물 반도체 박막을 성장시키는 종래의 공정을 살펴보면, 먼저 식각공정에 의해회절격자가 형성된 에피 기판을 증착 챔버에 인입시킨 후 상온에서 캐리어 가스를 증착 챔버 내에 충분히 주입하여 박막 성장을 위한 적정 압력을 유지시킨다. 그런 다음 5족 소스가스를 주입하면서 박막의 성장온도까지 증착 챔버의 내부 온도를 상승시키는데, 이러한 과정에서 증착 챔버의 내부는 다량의 캐리어 가스와 소량의 5족 소스가스로 채워지게 된다.
증착 챔버의 내부 온도가 박막 성장에 적합한 온도까지 상승하면 소정 시간 동안 온도 안정화 단계를 진행시킨 후 챔버 내부로 3족 유기금속 소스가스를 주입시킨다. 그러면 에피 기판 상부에는 3-5 족 화합물 반도체가 소정의 두께로 성장되게 된다.
그런데 본 출원인은 위와 같은 박막 성장 방법을 적용하게 될 경우, 회절격자와 박막간의 계면 특성이 열화될 뿐만 아니라, 박막 내에는 원자층 단위의 물질막 성장이 이루어지지 않고 그레인의 형태로 물질막이 성장하는 그레인 결점(grain defect)이 발생되는 한계가 있음을 확인하였다.
이러한 한계는 화합물 반도체의 박막 성장 온도까지 에피 기판이 가열되는 과정에서 에피 기판의 물질 원자(예컨대, InP 기판의 경우, In 원자)가 외부로 방출되고, 기판 표면에 노출되어 있는 불안정한 결정격자 사이에서 물질 교환이 일어나 물질 원자가 서로 결합함으로써 그레인으로 성장(예컨대, InP 기판의 경우, In 그레인) 하기 때문에 발생되는 것으로 예측되고 있다.
이에 따라 화합물 반도체 박막을 성장시키기 전에 추가적인 화학적 식각공정을 적용하여 에피 기판 상부의 결정격자 손상 층을 제거하는 방법과, 증착 챔버의 온도를 박막 성장 온도까지 상승시킬 때 온도 증가율을 다양하게 변화시켜 에피 기판 상부의 결정격자 손상을 안정화시키는 방법이 제안된 바 있다.
하지만 전자의 방법은 별개의 공정이 추가되어야 하므로 수율이 떨어지고 제조비용이 증가되는 문제가 있고, 후자의 방법은 공정 재현성이 떨어져 대량 생산에 적용되기에는 적합하지 않은 문제가 있다.
따라서 본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 회절격자가 있는 레이저 다이오드를 제조하기 위한 초기 공정에서, 회절격자가 형성된 에피 기판 상에 MOCVD 공법을 이용하여 화합물 반도체 박막을 안정적으로 성장시킬 수 있는 방법과, 이 방법에 의해 제조된 화합물 반도체 레이저 다이오드를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기금속화학기상증착 공법을 이용한 화합물 반도체 박막 성장 방법은, (a) 에피 기판을 증착 챔버에 인입시키는 단계; (b) 상기 증착 챔버로 5족 소스가스를 위주로 주입하면서 증착 챔버 내부의 압력을 안정화시키는 단계; (c) 상기 증착 챔버로 5족 소스가스를 위주로 주입하면서 증착 챔버의 온도를 화합물 반도체의 박막 성장 온도까지 상승시키는 단계: (d) 상기 증착 챔버로 5족 소스가스와 캐리어 가스를 주입하면서 증착 챔버 내부의 온도를 안정화시키는 단계; 및 (e) 상기 증착 챔버로 5족 소스가스, 캐리어 가스, 및 상기 5족 소스가스와 반응하여 화합물 반도체 박막을 상기 에피 기판 상에 형성할 수 있는 3족 유기금속 소스가스를 증착 챔버로 주입하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 5족 소스가스는 PH3 가스, AsH3 가스 또는 이들의 혼합가스일 수 있다. 그리고 상기 3족 유기금속 소스가스는 트리에틸갈륨 가스, 트리메틸갈륨가스, 트리에틸인듐가스, 트리메틸인듐가스 또는 이들의 혼합가스일 수 있다.
상기 (b) 단계에서는 증착 챔버의 압력을 30 ~ 80 torr로 안정화시키는 것이 바람직하다.
상기 (c) 단계에서는 상기 증착 챔버의 온도를 560 ~ 640 ℃로 상승시키는 것이 바람직하다.
상기 (d) 단계에서는 상기 캐리어 가스의 유량을 10 ~ 30 ℓ/min 까지 점진적으로 증가시키면서 상기 증착 챔버의 온도를 2 ~ 6 분간 유지하여 온도를 안정화시키는 것이 바람직하다.
상기 (b) 단계 또는 (c) 단계에서 캐리어 가스를 증착 챔버로 더 주입할 수 도 있다. 이러한 경우 상기 캐리어 가스의 유량은 5족 소스가스의 유량보다 상대적으로 작은 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 에피 기판은 상부에 회절격자를 포함하는, 인위적으 로 식각된 에피 기판일 수 있다.
본 발명은 상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여 상술한 화합물 반도체 박막 성장 방법에 의하여 제조된 화합물 반도체 레이저 다이오드를 제공한다.
상기 레이저 다이오드는 분포 궤환형 레이저 다이오드 또는 분포 브래그 반사형 레이저 다이오드일 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도1은 본 발명에 따른 MOCVD 공법을 이용한 화합물 반도체 박막 성장 방법에 대한 각 공정 단계를 시간(X축)과 온도(Y축) 그래프에 나타낸 도면이고, 도2는 상기 각 공정 단계의 가스 공급 방법을 나타낸 표이다.
도1 및 2를 참조하면, 본 발명은 먼저 식각공정에 의해 상부에 회절격자가 형성된 에피 기판을 증착 챔버로 인입시킨다. 여기서 상기 에피 기판은 InP 기판 또는 GaAs 기판일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
그런 다음 상온에서 증착 챔버에 5족 소스가스를 위주로 주입시키면서 챔버 내의 압력을 안정화시킨다(①). 이 때 증착 챔버의 압력은 30 ~ 80 torr 로 안정화시키는 것이 바람직하다. 여기서 상기 5족 소스가스로는 PH3 가스, AsH3 가스 또는 이들의 혼합가스가 채용가능하나 이에 한정되는 것은 아니다.
선택적으로 상기 압력 안정화 단계를 진행할 때 증착 챔버에 소량의 불활성 캐리어 가스를 더 주입할 수도 있다. 이러한 경우 캐리어 가스의 유량은 5족 소스가스의 유량보다 상대적으로 작은 것이 바람직하다. 상기 캐리어 가스의 유량은 0.1 ~ 5ℓ/min 이하로 조절 가능하며, 상기 캐리어 가스로는 H2 가스, N2 가스 또는 이들의 혼합가스가 채용가능하나 이에 한정되는 것은 아니다(이하 동일하다).
증착 챔버의 압력이 안정화되고 나면, 압력 안정화 단계와 동일한 조건으로 증착 챔버에 5족 소스가스를 주입시키면서 증착 챔버의 온도를 화합물 반도체 박막 성장 온도까지 점진적으로 상승시킨다(②). 이 때 증착 챔버의 온도는 560 ~ 640 ℃ 까지 상승시키는 것이 바람직하다.
선택적으로 상기 온도 상승 단계(②)를 진행할 때 증착 챔버에 소량의 불활성 캐리어 가스를 더 주입할 수도 있다. 이러한 경우 캐리어 가스의 유량은 5족 소스가스의 유량보다 상대적으로 작은 것이 바람직하다. 상기 캐리어 가스의 유량은 0.1 ~ 5ℓ/min 이하로 조절 가능하다.
상기한 온도 상승 단계(②)가 진행될 때 챔버 내부에는 다량의 5족 소스가스 가 존재한다. 따라서 에피 기판이 가열되는 과정에서 에피 기판 표면, 특히 식각공정에 의해 생성된 회절격자 표면에 5족 소스가스가 화학적 및/또는 물리적으로 흡착하게 된다. 이렇게 되면 에피 기판 표면에 노출된 불안정한 결정격자의 격자사이트에서 에피 기판을 이루는 물질이 외부로 방출되거나 인접 결정격자에 있는 물질 원자가 서로 결합하여 그레인 단위로 성장하는 것이 방지된다. 왜냐하면 불안정한 결정격자의 외부로 노출된 격자 사이트에 흡착된 5족 소스가스에 포함된 5족 원소가 결정격자 사이트에 결합함으로써 결정격자의 안정화가 이루어지기 때문이다.
이러한 점을 감안할 때, 온도 상승 단계(②)의 진행시 캐리어 가스를 더 주입할 경우에는 5족 소스가스에 의한 에피 기판 상부 표면의 결정격자 손상에 대한 안정화가 방해되지 않을 정도로 그 유량을 조절하는 것이 바람직하다.
증착 챔버의 온도가 박막 성장 온도까지 상승되고 나면, 증착 챔버에 5족 소스가스, 캐리어 가스를 동시에 주입시키면서 증착 챔버의 온도를 안정화시킨다(③). 본 온도 안정화 단계는 2 ~ 6 min 간 지속되는 것이 바람직하다. 그리고 캐리어 가스의 유량은 화합물 반도체의 박막 성장을 위해 필요한 유량, 즉 10 ~ 30 ℓ/min 까지 점진적으로 서서히 증가시키는 것이 바람직하다.
증착 챔버의 온도가 안정화되고 나면, 캐리어 가스 및 5족 소스가스를 증착챔버에 유입시키면서, 상기 5족 소스가스와 반응하여 에피 기판 상에 원자층 단위로 화합물 반도체 박막을 형성할 수 있는 3족 유기금속 소스가스를 소정 시간 동안 증착 챔버 내에 주입시킨다. 여기서 3족 유기금속 소스가스로는 트리에틸인듐 가스, 트리메틸인듐 가스, 트리에틸갈륨 가스, 트리메틸갈륨 가스 또는 이들의 혼합 가스가 채용가능하나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기와 같이 3족 유기금속 소스가스가 증착 챔버에 소정시간 동안 주입되면 에피 기판 상부에 화합물 반도체 박막이 소정의 두께로 성장되게 된다.
이로써 본 발명에 따른 유기금속화학기상증착 공법을 이용한 화합물 반도체 박막 성장 공정이 완료된다.
본 발명에서는 증착 챔버의 압력 안정화 단계(①), 온도 상승 단계(②) 및 온도 안정화 단계(③)가 진행되는 동안 5족 소스가스가 증착 챔버 내에 다량으로 존재하게 된다. 따라서 회절격자가 형성되는 과정에서 에피 기판 상부에 야기된 결정격자 손상이 박막 성장 단계가 실질적으로 진행되기 전에 5족 소스가스에 의해 안정화되게 된다. 이에 따라 에피 기판 상에는 회절격자와의 계면 특성이 우수하고 그레인 결점이 저감된 화합물 반도체 박막이 얻어지게 된다.
<실험예>
본 출원인은 아래와 같이 종래기술과 본 발명에 따른 화합물 반도체 박막 성장 방법을 이용하여 회절격자가 형성된 에피 기판 상에 화합물 반도체 박막을 형성함으로써 샘플1 및 2를 각각 얻었다.
샘플1의 준비
먼저 증착 챔버에 InP 에피 기판을 인입시키고 상온(25℃)에서 캐리어 가스 H2 가스를 챔버 내 압력이 60 torr 가 될 때까지 20ℓ/min의 유량으로 주입하고 이 압력을 5분 동안 유지시켰다(압력 안정화 단계). 그런 다음 캐리어 가스의 유량과 증착 챔버의 압력은 그대로 유지시키고 5족 소스가스로서 PH3 가스와 AsH3 가스를 각각 270 sccm 및 27 sccm 의 유량으로 증착 챔버 내로 유입시키면서 3분 동안 증착 챔버의 온도를 600℃ 까지 증가시켰다(온도 상승 단계). 그러고 나서 캐리어 가스 및 5족 소스가스의 유량과 증착 챔버의 온도 및 압력을 그대로 유지하면서 3분 동안 온도를 안정화하였다(온도 안정화 단계). 그 이후에 증착 챔버의 압력과 온도는 그대로 유지한 상태에서, PH3 가스 및 AsH3 가스를 각각 270 sccm 및 17 sccm 의 유량으로 증착 챔버 내에 주입하면서 3족 유기금속 소스가스로서 트리메틸인듐 가스와 트리에틸갈륨 가스를 각각 200 sccm 및 27 sccm 의 유량으로 증착 챔버에 주입하여 InP 에피 기판 상에 화합물 반도체 박막을 성장시켜 샘플1을 얻었다(박막 성장 단계).
< 샘플2의 준비 >
먼저 증착 챔버에 InP 에피 기판을 인입시키고 상온(25℃)에서 챔버 내 압력이 60 torr 가 될 때까지 5족 소스가스로서 PH3 가스 및 AsH3 가스를 각각 270 sccm 및 27 sccm 의 유량으로 주입하고 이 압력을 5분 동안 유지시켰다(압력 안정화 단계). 그런 다음 5족 소스가스의 유량과 증착 챔버의 압력은 그대로 유지시키면서 3분 동안 증착 챔버의 온도를 600℃ 까지 증가시켰다(온도 상승 단계). 그러고 나서 3분 동안 증착 챔버의 온도를 600℃ 로 유지시키면서 캐리어 가스인 H2 가스를 그 유량이 20 ℓ/min 가 될 때까지 점진적으로 증가시킴으로써 증착 챔버 내의 온도를 안정화하였다(온도 안정화 단계). 그 이후에 증착 챔버의 압력과 온도는 그대로 유지한 상태에서, PH3 가스 및 AsH3 가스를 각각 270 sccm 및 17 sccm 의 유량으로 증착 챔버 내에 주입하면서 3족 유기금속 소스가스로서 트리메틸인듐 가스와 트리에틸갈륨 가스를 각각 200 sccm 및 27 sccm 의 유량으로 증착 챔버에 주입하여 InP 에피 기판 상에 화합물 반도체 박막을 성장시켜 샘플2를 얻었다(박막 성장 단계).
상기한 바에 따라 샘플1 및 2를 얻은 후 전자현미경으로 InP 에피 기판의 단면을 관찰하여 도3(샘플1) 및 4(샘플2)에 도시된 사진을 얻었다.
도3 및 도4를 참조하면, 종래기술에 의해 성장된 화합물 반도체 박막은 회절격자와의 계면 특성이 열화되어 있는 반면, 본 발명에 의해 성장된 화합물 반도체 박막은 계면 특성이 우수하고 박막의 성장이 균일하게 이루어졌음을 확인할 수 있다.
아울러 샘플1 및 2의 상부 표면을 광학현미경으로 관찰하여 도5(샘플1) 및 도6(샘플2)에 도시된 사진을 얻었다.
도5 및 도6을 참조하면, 종래기술에 의해 성장된 화합물 반도체 박막은 원자층 단위가 아닌 그레인 단위로 성장한 그레인 결점이 박막 전체적으로 분포하고 있음을 확인할 수 있다. 이에 반하여, 본 발명에 의해 성장된 화합물 반도체 박막은 그레인 결점이 저감되어 박막 전체가 원자층 단위로 균일하게 성장하였음을 확인할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
본 발명은, 회절격자가 형성된 에피 기판 상부의 결정격자 손상을 안정화시키고 난 이후에 화합물 반도체 박막을 성장시키므로 계면 특성이 좋고 결점이 저감된 화합물 반도체 박막을 얻을 수 있게 된다.

Claims (11)

  1. (a) 에피 기판을 증착 챔버에 인입시키는 단계;
    (b) 상기 증착 챔버로 5족 소스가스를 위주로 주입하면서 증착 챔버 내부의 압력을 안정화시키는 단계;
    (c) 상기 증착 챔버로 5족 소스가스를 위주로 주입하면서 증착 챔버의 온도를 화합물 반도체 박막의 성장 온도까지 상승시키는 단계:
    (d) 상기 증착 챔버로 5족 소스가스와 캐리어 가스를 주입하면서 증착 챔버 내부의 온도를 안정화시키는 단계; 및
    (e) 상기 증착 챔버로 5족 소스가스, 캐리어 가스 및 상기 5족 소스가스와 원자층 단위로 화합물 반도체 박막을 상기 에피 기판 상에 형성할 수 있는 3족 유기금속 소스가스를 증착 챔버로 주입하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착 공법을 이용한 화합물 반도체 박막 성장 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 5족 소스가스는 PH3 가스, AsH3 가스 또는 이들의 혼합가스임을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착 공법을 이용한 화합물 반도체 박막 성장 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 3족 유기금속 소스가스는 트리메틸인듐 가스, 트리에틸인듐 가스, 트리메틸갈륨 가스, 트리에틸갈륨가스 또는 이들의 혼합가스임을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착 공법을 이용한 화합물 반도체 박막 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 캐리어 가스는 H2 가스, N2 가스 또는 이들의 혼합가스임을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착 공법을 이용한 화합물 반도체 박막 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 (b) 단계는,
    상기 증착 챔버의 압력을 30 ~ 80 torr로 안정화시키는 단계임을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착 공법을 이용한 화합물 반도체 박막 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 (c) 단계는,
    상기 증착 챔버의 온도를 560 ~ 640 ℃로 상승시키는 단계임을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착 공법을 이용한 화합물 반도체 박막 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 (d) 단계는,
    상기 캐리어 가스의 유량을 10 ~ 30 ℓ/min 까지 점진적으로 증가시키면서 상기 증착 챔버의 온도를 2 ~ 6 분간 유지하여 온도를 안정화시키는 단계임을 특징 으로 하는 유기금속화학기상증착 공법을 이용한 화합물 반도체 박막 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계에서,
    상기 5족 소스가스보다 상대적으로 작은 유량으로 캐리어 가스를 증착 챔버에 더 주입하는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착 공법을 이용한 화합물 반도체 박막 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 에피 기판은 상부에 회절격자를 포함하는, 인위적으로 식각된 에피 기판인 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착 공법을 이용한 화합물 반도체 박막 제조 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 화합물 반도체 레이저 다이오드.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 화합물 반도체 레이저 다이오드는 분포 궤환형 레이저 다이오드 또는 분포 브래그 반사형 레이저 다이오드인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 레이저 다이오드.
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