KR100517491B1 - 광학 고분자 조성물 - Google Patents

광학 고분자 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR100517491B1
KR100517491B1 KR1019970060591A KR19970060591A KR100517491B1 KR 100517491 B1 KR100517491 B1 KR 100517491B1 KR 1019970060591 A KR1019970060591 A KR 1019970060591A KR 19970060591 A KR19970060591 A KR 19970060591A KR 100517491 B1 KR100517491 B1 KR 100517491B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical
formula
polymer composition
refractive index
optical waveguide
Prior art date
Application number
KR1019970060591A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980042558A (ko
Inventor
김은지
장우혁
이태형
한관수
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Publication of KR19980042558A publication Critical patent/KR19980042558A/ko
Priority to GB9825116A priority Critical patent/GB2331303B/en
Priority to CN98124930A priority patent/CN1245183A/zh
Priority to JP10327247A priority patent/JPH11236511A/ja
Priority to US09/193,135 priority patent/US6107402A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100517491B1 publication Critical patent/KR100517491B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L27/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L27/02—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L27/12—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L53/00—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L53/00—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L53/02—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers of vinyl-aromatic monomers and conjugated dienes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
    • G03F9/7015—Reference, i.e. alignment of original or workpiece with respect to a reference not on the original or workpiece
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically

Abstract

본 발명은 임의의 비율로 혼합되어 있는 화학식 1로 표시되는 공중합체와 화학식 2로 표시되는 공중합체를 포함하는 광학 고분자 조성물을 제공한다.
Figure pat00001
Figure pat00002
상기식중, A 및 B는 폴리아릴렌설피드, 폴리할로아릴렌설피드, 폴리술폰, 폴리할로술폰, 폴리술포네이트, 폴리할로술포네이트, 폴리카보네이트, 폴리할로카보네이트 또는 폴리아크릴레이트를 구성하는 반복단위중에서 서로 다르게 선택되고(여기에서 상술한 할로겐 화합물들은 화합물내의 C-H, O-H, S-H 또는 N-H 결합에서의 수소가 불소(F) 및 염소(Cl)중에서 선택된 적어도 하나에 의하여 부분적으로 치환되어 있거나 완전히 치환되어 있음), 0＜n＜1, 0＜k＜1, 0＜m＜1, 0＜ℓ＜1(여기에서, n, k, m 및 ℓ은 몰분율(mole fraction)으로서, n+k=1이고, m+ℓ=1임)이고, 0＜X＜100, 0＜Y＜100 (단, X+Y=100)이다. 본 발명의 광학 고분자 조성물은 동일한 반복단위를 갖되 공중합비는 서로 다른 고분자의 혼합중량비를 적절히 조절함으로써 원하는 굴절율값을 갖는 광학 재료를 얻을 수 있다. 그리고, 광도파로를 구성하는 코아와 클래드의 굴절율 차이를 미세조절하는 것이 용이하여 광도파로 소자를 제조하기가 종래의 경우에 비하여 매우 쉬워진다.

Description

광학 고분자 조성물{Optical polymer composition}
본 발명은 광학 고분자 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하기로는 광도파로를 구성하는 코아와 클래드의 굴절율 차이를 미세하게 조절할 수 있는 광학 고분자 조성물에 관한 것이다.
광학렌즈 또는 컴팩트 디스크와 같은 광학기판 등에는 일반적으로 고분자가 이용되고 있다. 최근에는 이러한 고분자를 근적외선 영역에서의 광운송을 위한 광도파용 재질로 이용하고자 하는 연구가 시도되고 있다.
그러나, 상기와 같은 분야에 적용되어 온 고분자들은 통상 1000 내지 1700nm의 근적외선 파장 영역의 광을 흡수한다. 고분자가 근적외선 영역의 광을 흡수하는 것은 알킬기, 페닐기, 기타 유사한 작용기의 탄소-수소(C-H) 결합의 스트레칭(stretching) 진동과 디포메이션(deformation) 진동에 따른 고조파(harmonics)의 배음(overtone)에 기인된 것이다. 따라서, 상기와 같은 고분자를 근적외선 파장 영역의 광을 이용하는 광도파용 재료로서 이용하는 것은 광진행손실이 매우 크기 때문에 바람직하지 않다. 이러한 광진행손실을 줄이기 위해서는 광흡수 파장 영역을 근적외선 파장영역에서 이보다 장파장 또는 단파장 영역으로 이동해야 한다. 이를 위해서는 C-H 결합의 수소를 불소(F)나 중수소(D)로 치환하는 방법이 제안되었다.
상기 방법중 수소를 중수소로 치환하는 방법을 사용하는 경우, C-D 결합은 1500nm 파장대의 광을 매우 많이 흡수하기 때문에 1500nm 파장대를 이용하는 광통신소자용 재료로 사용하는 것은 적합하지 않다. 반면, 수소를 불소로 치환하는 방법은 1000∼1700nm 파장대의 광흡수손실을 최소화할 수 있는 방법으로 확인되었다.
한편, 광도파로 소자 제조시 광신호가 코아를 통하여 도파될 수 있도록 코아를 감쌀수 있는 클래드가 필요하다. 이 때 광통신 파장 영역에서 클래드는 코아보다 굴절율이 낮아야 한다. 이러한 코아와 클래드의 굴절율 차이는 광도파로의 크기를 결정하며, 광도파로 소자의 설계에도 큰 영향을 미친다.
고분자의 굴절율은 일반적으로 그 분자구조에 의하여 결정된다. 종래에는 굴절율이 서로 다른 코아와 클래드용 재료를 만들기 위해서는 먼저 소정 크기의 굴절율을 갖는 제1고분자를 일차적으로 얻은 다음, 이 고분자의 일부를 변형하여 미세한 굴절율 차이를 갖는 제2고분자를 제조하여 이 제1고분자와 제2고분자를 코어와 클래드용 재료로 각각 이용하였다.
광도파로 소자용 재료는 일반적으로 다음과 같은 조건을 만족시켜야 한다.
먼저, 광특성 측면에서 살펴보면, 광진행손실을 줄이기 위해서는 먼저 재료 자체의 광흡수손실이 낮아야 한다. 그리고 공정특성 측면에서 살펴 보면, 광도파로를 제조할 수 있도록 성막성이 우수하여야 하고, 공정중의 외부적인 요인에 의한 손상 등에 견딜수 있는 열적 특성, 편광 특성 등이 양호해야만 한다.
그런데, 상술한 조건을 만족시키면서 소정의 굴절율을 갖는 고분자를 독립적으로 합성해내는 것은 많은 인력 및 시간적인 투자를 필요로 할 뿐만 아니라, 현실적으로 매우 어려운 일이다. 또한, 상술한 바와 같이 코아는 클래드에 비하여 굴절율이 높아야 하기 때문에 코아 형성용 고분자의 구조를 클래드 형성용 고분자의 구조와 유사하게 만드는 경우, 클래드 형성용 고분자에 비하여 코아 형성용 고분자내에 함유된 불소의 함유량을 감소시켜야 한다. 그러나 이와 같이 고분자내의 불소 함유량을 감소시키면 재료 자체의 광흡수에 의하여 광전달손실이 유발되는 문제점이 있다.
원하는 굴절율 차이 특성을 만족시키는 코아와 클래드용 재료를 얻기 위하여 서로 다른 굴절율을 갖는 화합물을 적정한 혼합비로 혼합하는 방법이 제안되었다. 그러나, 이 방법에 따라 여러 가지 화합물들을 혼합해 본 결과, 상분리(phase separation) 현상이 발생되어 실질적으로 사용이 불가능하였다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기한 상분리 문제를 해결하여 광도파로용 재료로서 요구되는 굴절율 값을 갖는 광학 고분자 조성물을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에서는, 임의의 비율로 혼합되어 있는 화학식 1로 표시되는 공중합체와 화학식 2로 표시되는 공중합체를 포함하는 광학 고분자 조성물을 제공한다.
<화학식 1>
Figure pat00003
<화학식 2>
Figure pat00004
상기식중, A 및 B는 폴리아릴렌설피드, 폴리할로아릴렌설피드, 폴리술폰, 변형된 폴리술폰(예: 폴리에테르술폰, 폴리설피드술폰), 폴리할로술폰, 변형된 폴리할로술폰, 폴리술포네이트, 변형된 폴리술포네이트(예: 폴리에테르술포네이트, 폴리설피드술포네이트), 폴리할로술포네이트, 변형된 폴리할로술포네이트, 폴리카보네이트, 폴리할로카보네이트, 폴리아크릴레이트, 폴리할로아크릴레이트, 폴리아릴렌에테르, 폴리할로아릴렌에테르, 폴리에스테르, 폴리할로에스테르, 폴리올레핀(예: 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부틸렌), 폴리할로올레핀, 폴리비닐할라이드, 폴리옥솔, 폴리할로옥솔, 폴리디옥솔, 폴리할로디옥솔, 폴리시올, 폴리할로시올, 폴리디시올, 폴리할로디시올, 폴리옥솔린, 폴리할로옥솔린, 폴리디옥솔린, 폴리할로디옥솔린, 폴리시올린, 폴리할로시올린, 폴리디시올린, 폴리할로디시올린, 폴리이미드, 변형된 폴리이미드(예: 폴리에스테르이미드, 폴리에테르이미드, 폴리설피드이미드), 폴리할로이미드, 변형된 폴리할로이미드, 폴리아미드, 폴리할로아미드, 변형된 폴리아미드(예: 폴리에스테르아미드, 폴리에테르아미드, 폴리설피드아미드), 변형된 폴리할로아미드, 폴리스티렌, 폴리할로스티렌, 폴리실록산, 폴리할로실록산, 폴리실란, 폴리할로실란, 폴리말레이미드, 폴리비스말레이미드, 폴리할로말레이미드, 폴리포스파진, 폴리할로포스파진, 폴리포스포네이트 또는 폴리할로포스포네이트를 구성하는 반복단위중에서 서로 다르게 선택되고(여기에서 상술한 할로겐 화합물들은 화합물내의 C-H, O-H, S-H 또는 N-H 결합에서의 수소가 불소(F) 및 염소(Cl)중에서 선택된 적어도 하나에 의하여 부분적으로 치환되어 있거나 완전히 치환되어 있음),
0＜n＜1, 0＜k＜1, 0＜m＜1, 0＜ℓ＜1(여기에서, n, k, m 및 ℓ은 몰분율(mole fraction)으로서, n+k=1이고, m+ℓ=1임)이다.
본 발명의 광학 고분자 조성물은 공중합비가 서로 다른 고분자 즉, 화학식 1의 공중합체와 화학식 2의 공중합체를 적절한 비율로 혼합함으로써 광도파로를 구성하는 코아와 클래드의 굴절율 차이를 미세조절할 수 있다. 이 때 상기 조성물을 구성하는 화학식 1의 공중합체와 화학식 2의 공중합체의 혼합비는 어떠한 비율이여도 무관하다. 그리고 화학식 1의 공중합체와 화학식 2의 공중합체간의 상분리가 거의 일어나지 않기 때문에 상분리로 인하여 발생되는 광산란 손실이 최소화된다.
이하, 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 광학 고분자 조성물에 대하여 살펴보기로 한다.
화학식 3의 공중합체와 화학식 4의 공중합체는 제1반복단위 (퍼플루오로-2,2-디메틸-1,3-디옥솔)(fluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole)와 제2반복단위 (테트라플루오로에틸렌)(tetrafluoroethylene)을 포함하고 있다. 이러한 제1반복단위 및 제2반복단위의 공중합비에 따라 서로 다른 굴절율 값을 갖는 화학식 3의 공중합체와 화학식 4의 공중합체를 임의의 비율로 혼합하여 광학 고분자 조성물을 제조한다. 이 때 이 조성물의 굴절율은 화학식 3 및 4의 공중합체의 혼합중량비에 의하여 결정된다.
Figure pat00005
Figure pat00006
상기식중, n, k, ℓ, m, X 및 Y는 상술한 바와 같다.
상기 고분자 조성물은 광산란 문제를 야기할 만한 상분리 현상이 발생되지 않으며, 광도파로 소자를 구성하는 코아와 클래드의 굴절율 차이를 미세하게 조절하는 것이 용이하여 코아 및 클래드 재료로서 매우 유용하게 사용할 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 광학 고분자 조성물은 화학식 1 및 2에서 반복단위 A와 B의 공중합비와, 동일한 반복단위를 갖되 공중합비는 서로 다른 제1고분자와 제2고분자의 혼합중량비를 조절함으로써 원하는 굴절율값을 갖는 광학 재료를 얻을 수 있다. 그리고 이러한 광학 고분자 조성물을 이용하면, 광도파로를 구성하는 코아와 클래드의 굴절율 차이를 미세조절하는 것이 용이하여 광도파로 소자를 제조하기가 종래의 경우에 비하여 매우 쉬워진다.
본 발명의 광학 고분자 조성물은 광전집적회로(Opto Electronic Integrated Circuits :OEIC), 광-전자 혼합배선판(Opto-Electrical Mixed Wiring Board: OEMWB), 하이브리드 집적화소자(Hybride Integration), 플라스틱 광섬유(Plastic Optical Fiber), 광다중기판소자(Multi Chip Module: MCM) 등과 같은 광통신용 소자 제조시 필수적인 광학재료로서 매우 유용하게 사용할 수 있다.

Claims (1)

  1. 하기 화학식 3으로 표시되는 고분자와 하기 화학식 4로 표시되는 고분자를 포함하는 광학 고분자 조성물:
    <화학식 3>
    Figure pat00007
    <화학식 4>
    Figure pat00008
    상기식중, 0＜n＜1, 0＜k＜1, 0＜m＜1, 0＜ℓ＜1(여기에서, n, k, m 및 ℓ은 몰분율(mole fraction)으로서, n+k=1이고, m+ℓ=1임)이다.
KR1019970060591A 1996-11-14 1997-11-17 광학 고분자 조성물 KR100517491B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9825116A GB2331303B (en) 1997-11-17 1998-11-17 Polymer composition for optical wave guides
CN98124930A CN1245183A (zh) 1997-11-17 1998-11-17 光学聚合物组合物
JP10327247A JPH11236511A (ja) 1997-11-17 1998-11-17 光学高分子組成物
US09/193,135 US6107402A (en) 1997-11-17 1998-11-17 Optical polymer composition

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31865796 1996-11-14
JP1996-318657 1996-11-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980042558A KR19980042558A (ko) 1998-08-17
KR100517491B1 true KR100517491B1 (ko) 2006-03-09

Family

ID=18101587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970060591A KR100517491B1 (ko) 1996-11-14 1997-11-17 광학 고분자 조성물

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6160619A (ko)
EP (1) EP0843221B1 (ko)
KR (1) KR100517491B1 (ko)
DE (1) DE69728948T2 (ko)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1144263C (zh) 1996-11-28 2004-03-31 株式会社尼康 曝光装置以及曝光方法
JPH10209039A (ja) 1997-01-27 1998-08-07 Nikon Corp 投影露光方法及び投影露光装置
US20030145353A1 (en) * 1997-05-07 2003-07-31 Lightner Jonathan E. Starch biosynthetic enzymes
JP3441966B2 (ja) * 1998-06-02 2003-09-02 キヤノン株式会社 走査型露光装置および方法、デバイス製造方法
TW554257B (en) * 2000-07-10 2003-09-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
JP2002231622A (ja) * 2000-11-29 2002-08-16 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
US6891624B2 (en) * 2001-03-13 2005-05-10 Zygo Corporation Cyclic error reduction in average interferometric position measurements
JP4030960B2 (ja) * 2001-08-23 2008-01-09 ザイゴ コーポレーション 入力ビームの方向の動的干渉分光制御
JP2003086492A (ja) * 2001-09-12 2003-03-20 Canon Inc 露光装置及びその制御方法並びにデバイスの製造方法
JP2005509147A (ja) 2001-11-05 2005-04-07 ザイゴ　コーポレーション 干渉周期誤差の補償
JP2005512035A (ja) * 2001-12-03 2005-04-28 ザイゴ　コーポレーション 干渉計における非一様な気体混合の影響の補償
WO2003069286A2 (en) * 2002-02-12 2003-08-21 Zygo Corporation Method and apparatus to measure fiber optic pickup errors in interferometry systems
US6906784B2 (en) * 2002-03-04 2005-06-14 Zygo Corporation Spatial filtering in interferometry
AU2003247779A1 (en) 2002-07-08 2004-01-23 Zygo Corporation Cyclic error compensation in interferometry systems
US7428685B2 (en) * 2002-07-08 2008-09-23 Zygo Corporation Cyclic error compensation in interferometry systems
US7616322B2 (en) * 2002-07-08 2009-11-10 Zygo Corporation Cyclic error compensation in interferometry systems
US7262860B2 (en) * 2002-07-29 2007-08-28 Zygo Corporation Compensation for errors in off-axis interferometric measurements
US7274462B2 (en) * 2002-09-09 2007-09-25 Zygo Corporation In SITU measurement and compensation of errors due to imperfections in interferometer optics in displacement measuring interferometry systems
JP2006505778A (ja) * 2002-11-04 2006-02-16 ザイゴ　コーポレーション 干渉計経路内の屈折度の摂動の補正
JP4546255B2 (ja) * 2002-12-12 2010-09-15 ザイゴ コーポレーション フォトリソグラフィック露光サイクルの間のステージ・ミラー歪の工程内補正
JP4311713B2 (ja) * 2003-03-10 2009-08-12 キヤノン株式会社 露光装置
JP2007526450A (ja) 2003-06-19 2007-09-13 ザイゴ　コーポレーション 平面ミラー干渉計測定システムにおけるビーム・ミスアライメントの幾何学的な影響に対する補償
US7327465B2 (en) * 2003-06-19 2008-02-05 Zygo Corporation Compensation for effects of beam misalignments in interferometer metrology systems
US7289226B2 (en) * 2003-11-04 2007-10-30 Zygo Corporation Characterization and compensation of errors in multi-axis interferometry systems
WO2005067815A1 (en) * 2004-01-05 2005-07-28 Zygo Corporation Stage alignment in lithography tools
WO2005067579A2 (en) * 2004-01-06 2005-07-28 Zygo Corporation Multi-axis interferometers and methods and systems using multi-axis interferometers
JP2007534941A (ja) * 2004-04-22 2007-11-29 ザイゴ　コーポレーション 光学干渉計システムおよび光学干渉計システムを用いる方法
US7375823B2 (en) * 2004-04-22 2008-05-20 Zygo Corporation Interferometry systems and methods of using interferometry systems
WO2006041984A2 (en) * 2004-10-06 2006-04-20 Zygo Corporation Error correction in interferometry systems
US7433049B2 (en) * 2005-03-18 2008-10-07 Zygo Corporation Multi-axis interferometer with procedure and data processing for mirror mapping
JP5089143B2 (ja) * 2006-11-20 2012-12-05 キヤノン株式会社 液浸露光装置
US7576868B2 (en) * 2007-06-08 2009-08-18 Zygo Corporation Cyclic error compensation in interferometry systems
JP6614880B2 (ja) * 2015-09-10 2019-12-04 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置および物品の製造方法
JP6207671B1 (ja) * 2016-06-01 2017-10-04 キヤノン株式会社 パターン形成装置、基板配置方法及び物品の製造方法
US11720032B2 (en) * 2018-09-24 2023-08-08 Asml Netherlands B.V. Process tool and an inspection method

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4617350A (en) * 1985-02-20 1986-10-14 Central Glass Company, Limited Fluorine-containing resin composition for optical use
US4861835A (en) * 1986-12-23 1989-08-29 Central Glass Company, Limited Polymer blend composition suitable as optical material
JPH085848Y2 (ja) * 1993-04-06 1996-02-21 松本金属株式会社 キャスター
JPH08334601A (ja) * 1995-06-09 1996-12-17 Yasuhiro Koike 屈折率分布型の光学樹脂材料
JPH08337723A (ja) * 1995-06-09 1996-12-24 Yasuhiro Koike 屈折率分布型光学樹脂材料

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2606285B2 (ja) * 1988-06-07 1997-04-30 株式会社ニコン 露光装置および位置合わせ方法
US5243195A (en) * 1991-04-25 1993-09-07 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor
JP3282233B2 (ja) * 1992-08-18 2002-05-13 株式会社ニコン 距離測定装置、及びそれを用いた投影露光装置
JP3412704B2 (ja) * 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JPH07103713A (ja) * 1993-10-04 1995-04-18 Canon Inc 移動ステージ装置
EP0841594A3 (en) * 1996-11-07 1999-08-25 Nikon Corporation Mark for position detection, mark detecting method and apparatus, and exposure system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4617350A (en) * 1985-02-20 1986-10-14 Central Glass Company, Limited Fluorine-containing resin composition for optical use
US4861835A (en) * 1986-12-23 1989-08-29 Central Glass Company, Limited Polymer blend composition suitable as optical material
JPH085848Y2 (ja) * 1993-04-06 1996-02-21 松本金属株式会社 キャスター
JPH08334601A (ja) * 1995-06-09 1996-12-17 Yasuhiro Koike 屈折率分布型の光学樹脂材料
JPH08337723A (ja) * 1995-06-09 1996-12-24 Yasuhiro Koike 屈折率分布型光学樹脂材料

Also Published As

Publication number Publication date
US6160619A (en) 2000-12-12
DE69728948D1 (de) 2004-06-09
KR19980042558A (ko) 1998-08-17
EP0843221A3 (en) 1999-08-11
DE69728948T2 (de) 2005-09-15
EP0843221A2 (en) 1998-05-20
EP0843221B1 (en) 2004-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100517491B1 (ko) 광학 고분자 조성물
Ando Optical properties of fluorinated polyimides and their applications to optical components and waveguide circuits
Matsuura et al. Polyimides derived from 2, 2'-bis (trifluoromethyl)-4, 4'-diaminobiphenyl. 4. Optical properties of fluorinated polyimides for optoelectronic components
EP0907088B1 (en) Graded-refractive-index optical plastic material and method for its production
CN103562271B (zh) 固化性组合物及光学用粘接剂
JPH049805A (ja) 光伝送システム，光学部品およびその重合体並びに用途
KR19990024596A (ko) 광통신용 폴리아릴렌에테르
Ando et al. Perfluorinated polymers for optical waveguides
JP4174007B2 (ja) 光学用樹脂及びそれを用いた用途
US6107402A (en) Optical polymer composition
DE4435992A1 (de) Optische Elemente aus Kunststoff
CA2073308C (en) Polarisation filter
Vanlathem et al. Novel silicone materials for LED packaging and optoelectronics devices
Nawata et al. Organic-inorganic hybrid material for optical interconnects and application to optical coupling method
Maruno et al. Fluorine‐containing optical adhesives for optical communications systems
JP2847171B2 (ja) ペルフルオロ有機高分子材料を用いた光導波路
Yasuhara et al. Low-loss circular core single-mode polymer optical waveguide compatible with Si photonics chips for off-chip interconnects
Dreyer et al. New reactive polymeric systems for use as waveguide materials in integrated optics
DE60008384T2 (de) Wellenleiterbauelemente oder strukturen oder teile davon enhaltend polycyanatcopolymere aus polyfunktionellen cyanaten und fluorierten monocyanaten
Rousseau et al. Synthesis and characterization of organic materials for integrated optical devices
Kassim et al. Polymer material for optical devices application
JPH09324051A (ja) 高分子光学材料及びそれを用いた光導波路
JP2003215364A (ja) ポリイミド光導波路および該光導波路を用いたポリイミドフィルタ型波長合分波器
JP2002332349A (ja) フッ素含有ポリイミド共重合体、前駆体、光部品、光部品の屈折率の制御方法
KR20000033986A (ko) 불소 치환 폴리아릴렌에테르 공중합체 및 이를 이용한 폴리머광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee