KR100508031B1 - 정전기 보호 소자를 포함하는 배선 구조 및 그 제조방법 - Google Patents

정전기 보호 소자를 포함하는 배선 구조 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100508031B1
KR100508031B1 KR1019970080221A KR19970080221A KR100508031B1 KR 100508031 B1 KR100508031 B1 KR 100508031B1 KR 1019970080221 A KR1019970080221 A KR 1019970080221A KR 19970080221 A KR19970080221 A KR 19970080221A KR 100508031 B1 KR100508031 B1 KR 100508031B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal pattern
pattern
layer
wiring
metal
Prior art date
Application number
KR1019970080221A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990060003A (ko
Inventor
이주형
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1019970080221A priority Critical patent/KR100508031B1/ko
Publication of KR19990060003A publication Critical patent/KR19990060003A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100508031B1 publication Critical patent/KR100508031B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0266—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using field effect transistors as protective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

투명한 절연 기판 위에 방전 금속 패턴이 상부막과 하부막의 이중막으로 형성되어 있고 상부막은 하부막의 안쪽에 형성되어 있으며 그 측면은 경사지게 형성되어 있다. 그 위에 게이트 절연막이 형성되어 있으며, 게이트 절연막 위에 데이터선이 형성되어 있다. 또한, 데이터선과 접촉하며 방전 금속 패턴의 상부막 측면 및 하부막과 접촉하는 투명 도전 연결 패턴이 형성되어 있는데, 방전 금속 패턴과 투명 도전 연결 패턴 사이에 불완전 접촉에 의한 공기층이 형성된다. 데이터선을 타고 흐르는 정전기는 이 공기층을 통하여 방전된다.

Description

정전기 보호 소자를 포함하는 배선 구조 및 그 제조 방법
본 발명은 배선 구조 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 정전기 발생에 따른 결함을 방지하는 배선 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
정전기는 순간적으로 국부적인 부분에 많은 전하가 발생하여 이것이 주변부와 전압차가 생기기 때문에 전하가 이동하는 현상이다. 대부분의 공정이 유리 기판 위에서 이루어지는 액정 표시 장치는 정전기에 취약한데, 이는 부도체인 유리 기판에서는 순간적으로 발생한 전하들이 기판 전체로 쉽게 분산되지 않기 때문이다. 따라서, 기판 위의 절연막 등이 파괴되어 기판에 불량이 발생한다.
정전기에 의한 기판의 불량을 막기 위하여, 기판 내의 금속 배선들을 쇼팅 바(shorting bar)를 형성하여 하나로 연결하는 방법, 정전기 다이오드와 같은 비선형 소자를 이용한 정전기 보호 회로를 사용하는 방법, 또는 여분의 유지 축전기를 소스 및 드레인 전극 또는 게이트선에 만들어 주는 방법 등이 쓰이고 있다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 종래의 기술에 따른 액정 표시 장치의 배선 및 그 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 1은 쇼팅 바를 가지고 있는 액정 표시 장치의 배선도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 기판(1) 위에 다수의 게이트선(10)이 가로 방향으로 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(도시하지 않음)이 덮여 있으며, 게이트 절연막(도시하지 않음) 위에는 다수의 데이터선(20)이 세로 방향으로 형성되어 있다. 게이트선(10)과 데이터선(20)에 의해 정의되는 화소 영역 내에는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있어서 데이터선(20)으로부터의 신호를 스위칭한다. 게이트선(10)의 바깥쪽에 형성되어 있는 게이트 쇼팅 바(11)에 게이트선(10)들이 연결되어 있고, 데이터선(20)의 바깥쪽에 형성되어 있는 데이터 쇼팅 바(21)에 데이터선(20)들이 하나로 연결되어 있으며, 게이트 쇼팅 바(11)와 데이터 쇼팅 바(21)는 서로 연결되어 있다.
이러한 액정 표시 장치의 배선 구조에서는 제조 공정 중에 발생한 정전기는 게이트 쇼팅 바(11) 및 데이터 쇼팅 바(21)를 통해 분산된다. 게이트 및 데이터 쇼팅 바(11, 21)는 모든 배선 공정을 마친 후 절단선(L)을 따라 절단한다.
그러나, 절단 과정 이후 유리 기판 가장자리에 금속 배선(10, 20)이 그대로 드러나기 때문에 기판을 취급하는 과정에서 배선(10, 20)이 손상될 수 있다. 이를 방지하기 위해 쇼팅 바(11, 21)의 절단 공정 이후에 유리 기판 테두리에 실리콘 접착제와 같은 비전도성 접착제를 얇게 발라주는 방법을 사용하기도 하지만, 추가 공정이 삽입되고, 접착제의 두께를 균일하게 유지하기 어려워 외관 기구부를 장착할 때에 불일치가 발생하는 등의 문제점이 있다.
이러한 문제점을 보완하기 위하여 다이오드 등과 같은 비선형 소자를 이용한 정전기 방지 회로를 사용하거나 더미(dummy) 유지 축전기를 형성하기도 하지만, 기판 내에 넓은 면적을 차지할 뿐 아니라 신호의 지연에 따른 크로스토크(crosstalk) 등과 같은 또 다른 문제점이 발생한다.
본 발명은 정전기를 효과적으로 분산시키는 배선 구조를 구현하는 것을 그 과제로 한다.
이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 배선 구조에서는 공기층이 형성되어 있는 방전 패턴을 이용한다.
여기에서 방전 패턴은 배선에 대해 병렬 또는 직렬의 형태로 연결되어 있을 수 있다.
본 발명에 따른 실시예에서는 액정 표시 장치의 게이트선 또는 데이터선 중 하나의 배선과 동일한 층에 동일한 물질로 방전 금속 패턴이 형성되어 있거나 배선과 다른 층에 방전 금속 패턴이 형성되어 있는 두 가지 경우를 언급한다. 두 가지 모든 경우에서 방전 금속 패턴은 측면이 경사지게 형성되어 있으며, 배선 및 방전 금속 패턴을 연결하는 투명 도전 연결 패턴을 가지고 있다. 이때, 투명 도전 연결 패턴은 경사진 방전 금속 패턴의 측면과 접촉됨으로써 공기층을 형성한다.
본 발명에 따른 또 다른 실시예에서는 방전 금속 패턴이 이중막으로 되어 있다. 즉, 방전 금속 패턴이 게이트선과 동일한 층에 동일한 물질로 이중막으로 형성되어 있고, 이중막 중 상부막의 측면이 경사지게 형성되어 있으며 상부막은 하부막보다 안쪽으로 형성되어 있어서, 데이터선과 방전 금속 패턴을 연결하는 투명 도전 연결 패턴이 각각 상부막의 측면 및 하부막의 일부와 접촉한다. 앞 선 실시예와 마찬가지로 불완전한 접촉이 일어나 공기층이 형성된다.
또한, 이러한 배선의 제조 방법은 게이트선 또는 데이터선을 형성할 때 방전 금속 패턴을 같이 형성하며, 방전 금속 패턴 상부에 절연막 또는 보호 절연막을 패터닝한 후 그 패턴을 마스크로 하여 방전 금속 패턴을 등방성 식각을 함으로써 측면이 경사지도록 한다. 다음, 화소 전극을 형성하는 단계에서 게이트선 또는 데이터선 및 방전 금속 패턴을 연결하는 연결 패턴을 실시함으로써 방전 금속 패턴을 측면 모서리에서 불완전 접촉에 의한 공기층을 형성한다.
이러한 액정 표시 장치용 배선 및 그 제조 방법은 공기층을 가지는 방전 패턴을 배선의 한쪽 끝에 형성함으로써 발생한 정전기를 공기층을 통해 방전한다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 배선에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 배선을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 투명 절연 기판(1) 위에 가로 방향으로 다수의 게이트선(100)이 형성되어 있고, 게이트선(100)의 한쪽 끝에는 게이트 패드(101)가 형성되어 있다. 또한, 세로 방향으로 다수의 데이터선(400)이 형성되어 있으며, 데이터선(400)의 끝에는 데이터 패드(401)가 형성되어 있다. 게이트선(100)과 데이터선(200)은 게이트 절연막(도시하지 않음)을 사이에 두고 절연되어 있다. 데이터선(400)과 게이트선(100)이 교차하여 정의되는 화소 영역(PX) 내에는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있으며, 화소 영역(PX)으로 이루어진 영역이 화상이 구현되는 액티브 영역(active area:A/A)이 된다.
정전기를 효과적으로 방전시키기 위한 방전 패턴(S1, S2)이 액티브 영역(A/A)의 바깥쪽에 데이터선(400)에 대해 직렬 또는 병렬 형태로 연결되어 있다. 방전 패턴(S1, S2)은 여러 개의 단위 패턴이 연결된 형태인데 그 연결 부위에 공기층(air gap:A/G)이 형성되어 있다.
기판(1) 내에 발생하여 패드(401)에서 데이터선(400)을 타고 흐르는 정전기는 방전 패턴(S1, S2)을 지나는 동안 공기층(A/G)을 통해 대부분 방전되어 액티브 영역(A/A)으로 흘러 들어가지 못한다. 따라서, 액티브 영역(A/A) 내의 박막 트랜지스터(TFT) 등이 파괴되는 것을 방지할 수 있다. 방전 패턴(S1, S2)의 자세한 구조에 대해서는 나중에 다시 설명한다.
다음은 도 3 내지 도 6을 참고로 하여 액정 표시 장치의 화소 영역을 좀 더 살펴본다.
도 3은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 화소를 나타낸 평면도이고, 도 4는 도 3의 IV-IV'선 즉, 박막 트랜지스터에 대한 단면도이고, 도 5는 도 3의 V-V' 선 즉, 데이터 패드부에 대한 단면도이고, 도 6a 및 도 6b는 도 3의 VI-VI' 선 및 VII-VII' 선 즉, 게이트 패드부에 대한 단면도이다.
기판(1) 위에 가로 방향으로 하부 크롬(Cr)막(111, 121), 상부 알루미늄(Al)막(112, 122) 등의 이중 금속막 또는 단일막으로 게이트선(100)이 형성되어 있고, 게이트선(100)으로부터 갈라져 나온 부분이 게이트 전극(110; 111, 112)을 이루며, 게이트선(100)의 끝에는 게이트 패드(101; 121, 122)가 형성되어 있다.
이러한 게이트선(100), 게이트 전극(110), 그리고 게이트 패드(101) 등과 같은 게이트 배선 위에 게이트 절연막(200)이 덮여 있으며, 게이트 전극(110)의 위치에 대응되는 게이트 절연막(200) 상부에는 비정질 규소층(310)이 형성되어 있다. 또한, 게이트 절연막(200) 위에는 세로 방향으로 데이터선(400)이 형성되어 있고, 데이터선(400)으로부터 갈라져 나온 부분이 비정질 규소층(310)의 일부와 중첩되어 소스 전극(410)이 되며, 게이트 전극(110)을 중심으로 소스 전극(410)의 반대편에는 드레인 전극(420)이 형성되어 있다. 소스 및 드레인 전극(410, 420)과 비정질 규소층(310)이 접촉하는 부분에는 접촉 저항을 줄이기 위한 n+ 비정질 규소층(321, 322)이 형성되어 있다. 또한, 데이터선(400)의 끝에는 데이터 패드(401)가 형성되어 있다.
소스 및 드레인 전극(410, 420), 데이터선(400) 및 데이터 패드(401) 등과 같은 데이터 배선의 상부에는 보호막(500)이 적층되어 있으며, 보호막(500)에는 드레인 전극(420), 데이터 패드(401)를 드러내는 접촉구(C1, C2)가 형성되어 있다. 또한, 보호막(500) 및 게이트 절연막(200)이 제거되어 게이트 패드(101)를 드러내는 접촉구(C3)가 형성되어 있다.
화소 영역(PX) 내에는 ITO로 화소 전극(600)이 형성되어 있으며, 화소 전극(600)은 접촉구(C1)를 통해 드레인 전극(420)과 접촉한다. 또한, 게이트 패드(101) 및 데이터 패드(401)의 상부에는 패드(101, 401)의 접촉 특성을 보완하기 위한 ITO 패턴(601, 602)이 형성되어 있는데, 접촉구(C2, C3)를 통해 각각 데이터 패드(401), 게이트 패드(101)와 접촉하고 있다.
이러한 액정 표시 장치 내에 정전기가 발생하면, 게이트 절연막(200)이 정전기에 의해 파괴되거나 박막 트랜지스터의 비정질 규소층(310)의 모서리가 타버리는 현상이 발생한다. 따라서, 본 발명에서는 정전기 전하를 방전시키기 위한 방전 패턴(S1, S2)을 액티브 영역 바깥쪽에 형성하여 놓는다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 방전 패턴, 즉 도 2의 A 부분을 확대하여 나타낸 배선도이고, 도 8은 도 7의 VIII-VIII' 선에 대한 단면도이다.
기판(1) 위의 게이트 절연막(200) 위에 데이터선(400)이 형성되어 있고, 데이터선(400) 상부에는 보호막(500)이 형성되어 있으며, 보호막(500)에는 데이터선(400)을 드러내는 접촉구(C4)가 형성되어 있다.
데이터선(400)의 바깥쪽으로는 정전기를 방전하기 위한 다수개의 방전 패턴이 데이터선(400)에 대해 병렬로 연결되어 있다.
도 8에 도시한 바와 같이, 기판(1) 위에 데이터선(400) 바깥쪽으로 제1 금속막(121)과 제2 금속막(122) 두 층으로 이루어진 금속 패턴(120)이 형성되어 있으며, 제2 금속막(122) 상부에는 게이트 절연막(210)과 보호막(510)이 패터닝되어 있다. 여기에서, 제2 금속막(122)은 제1 금속막(121)의 안쪽에 형성되어 있으며 그 측면은 경사져 있다.
ITO 보조 패턴(610)이 데이터선(400)으로부터 금속 패턴(120)에 이르는 부분까지 형성되어 있어서, 데이터선(400)의 측면 및 접촉구(C4)를 통해 데이터선(400)과 접촉하고 일부 제1 금속막(121) 면 및 제2 금속막(122)의 측면과 접촉한다. 데이터선(400) 및 제2 금속막(122)은 비스듬히 형성되어 있기 때문에 ITO 보조 패턴(610)이 데이터선(400)의 측면 및 제2 금속막(122)의 측면과 접촉하는 부분에서 접촉이 불완전하여 공기층(G)이 형성된다.
이러한 방전 패턴은 기판 내에 정전기가 발생하면 정전기 전하가 ITO 보조 패턴(610)을 따라 이동하다가 공기층(G)으로 분산되도록 한다. 필요에 따라, 앞서 설명한 금속 패턴(120)과 같은 형태의 이중막 구조를 가지는 방전 패턴을 여러개 연결함으로써 정전기를 충분히 방전시킬 수 있다.
방전 패턴의 금속 패턴(120)은 단일막일 수 있는데, 이에 대해 도 9a 내지 도 9c를 참고로 하여 설명한다.
도 9a 내지 도 9c는 단일막 구조의 금속 패턴을 가지는 방전 패턴에 대한 배치도 및 단면도이다.
도 9a에 도시한 바와 같이, 단일막인 금속 패턴(120)은 ITO 보조 패턴(610, 620)에 의해 연결되어 있다.
도 9b는 게이트 절연막(200) 위에 데이터 배선용 금속으로 방전을 위한 금속 패턴(120)이 형성되어 있는 경우로서 금속 패턴(120)은 측면이 일정 경사를 가지도록 테이퍼 처리되어 있어서, ITO 보조 패턴(610, 620)과 접촉하는 부분에 공기층(G)이 형성된다.
도 9c는 기판(1) 위에 게이트 배선용 금속으로 방전 패턴용 금속 패턴(120)이 형성되어 있는 경우로서, 금속 패턴(120) 상부에는 게이트 절연막(210, 220) 및 보호막(510, 520)이 형성되어 있다. 이때도 마찬가지로 금속 패턴(120)의 측면은 테이퍼 처리되어 있다.
앞선 실시예에서와 마찬가지로, ITO 보조 패턴(610, 620)과 금속 패턴(120)의 불완전한 접촉으로 형성된 공기층(G)을 통해 정전기가 방전된다.
다음은 방전 패턴이 데이터선(400)에 대해 직렬 형태로 연결되어 있는 제2 실시예에 대하여 도 10을 참고로 하여 설명한다.
도 10에 도시한 바와 같이, 데이터선(400)은 제1 및 제2 부분(411, 412)으로 나뉘어 있고, 제1 부분(411)과 제2 부분(412)은 다수개의 방전용 ITO 보조 패턴(610, 620, 630, 640, 650, 660, 670)과 금속 패턴(121, 122)들에 의해 제1 실시예와 마찬가지의 형태로 연결된다. 즉, 측면이 경사지게 형성되어 있는 이중 또는 단일막의 금속 패턴(121, 122)이 ITO 보조 패턴(610, 620,..., 670)에 의해 연결되는데, 그 접촉 부분에 공기층이 형성되도록 연결된다.
방전 패턴이 직렬 형태로 연결되어 있는 제2 실시예의 경우, 제1 실시예보다 방전 패턴의 개수를 필요에 따라 적절히 조절할 수 있으므로 정전기를 더욱 효과적으로 방전시킬 수 있다. 물론 적게는 방전 패턴을 하나만 쓸 수도 있다.
그러면, 다음에서 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 배선의 제조 방법에 대하여 도 3 내지 도 6 및 도 11a 내지 도 11e를 참고로 설명한다.
도 11a 내지 도 11e는 방전 패턴을 중심으로 제조 방법을 나타낸 단면도로서, 이중막을 가지는 방전 패턴 구조에 관한 것이다.
투명한 절연 기판(1) 위에 크롬(Cr), 몰리브덴-텅스텐(MoW), 티타늄(Ti) 또는 탄탈륨(Ta) 등과 같은 게이트 배선용 제1 금속막을 증착하고, 이어 알루미늄(Al)과 같은 제2 금속막을 증착한다. 제1 및 제2 금속막(121, 122)을 동시에 패터닝하여 게이트선(100), 게이트 패드(101), 게이트 전극(110) 등의 게이트 배선과 방전 패턴용 금속 패턴(120)을 형성한다. 다음, 그 위에 게이트 절연막(200)을 적층한다(도 11a 참조).
게이트 절연막(200) 위에 비정질 규소층(310) 및 n+ 비정질 규소층(321, 322)으로 이루어진 반도체 패턴을 형성한다. 그 위에 알루미늄(Al)과 같은 데이터 배선용 금속막을 증착하고 패터닝하여 데이터선(400), 데이터 패드(401), 소스 및 드레인 전극(410, 420) 등의 데이터 배선을 형성한 다음(도 11b 참조), 소스 및 드레인 전극(410, 420)을 마스크로 하여 n+ 비정질 규소층(321, 322)을 식각한다.
그 위에 보호막(500)을 적층하고(도 11c 참조) 건식 식각으로 보호막(500) 및 게이트 절연막(200)을 패터닝한다. 이때, 방전 패턴용 금속 패턴(120) 상부에 게이트 절연막(200) 및 보호막(510, 520)이 남도록 패터닝하며, 데이터 패드(401), 드레인 전극(420) 및 액티브 영역 바깥쪽에 위치한 데이터선(400)의 일부가 드러나도록 보호막(500)을 제거하여 접촉구(C2, C1, C4)를 형성한다. 또한, 게이트 패드(101)가 드러나도록 게이트 절연막(200)과 보호막(500)을 제거하여 접촉구(C3)를 형성한다. 다음, 등방성 습식 식각으로 금속 패턴(120)의 제2 금속막(122)을 일부 식각한다. 이 과정에서, 제2 금속막(122)은 보호막(510, 520) 하부의 안쪽으로 그 측면이 경사를 가지게 식각된다. 이때, 제1 금속막(121)은 제2 금속막(122)보다 식각비가 작은 물질로 형성되어 있으므로 식각되지 않는다(도 11d 참조).
마지막으로, ITO 물질을 적층하고 패터닝하여 화소 전극(600) 및 방전 패턴용 ITO 보조 패턴(610, 620,..)을 형성한다. ITO 보조 패턴(610, 620)은 데이터선(400)과 금속 패턴(120), 금속 패턴(120)과 금속 패턴(120)을 서로 연결하도록 패터닝한다(도 11e 참조).
앞서 구조에서 설명한 바와 같이, 방전 금속 패턴은 단일막으로 형성할 수 있다. 이 경우, 상부의 절연막 패턴을 마스크로 하여 등방성 식각을 실시하여 방전 금속 패턴이 절연막 안쪽에서 측면이 경사지도록 형성한다.
또는, 방전 금속 패턴을 데이터선과 동일한 층에 동일한 물질로 형성하는 것도 가능하다.
이상에서는 데이터선(400)을 따라 발생한 정전기를 방전시키기 위한 방전 패턴에 대해서 설명하였다.
게이트선(100)에 발생한 정전기를 방전시키기 위한 방전 패턴도 앞 서 설명한 실시예와 거의 동일한 구조를 가지며, 같은 방법으로 형성한다. 즉, 방전 금속 패턴을 게이트선과 동일한 층 또는 데이터선과 동일한 층에 측면이 경사를 가지도록 형성한 후, 게이트선과 방전 금속 패턴을 연결하는 투명 도전 연결 패턴을 화소 전극 물질로 형성한다.
이상에서와 같이, 액티브 영역의 바깥쪽에 위치하는 데이터선 또는 게이트선에 앞 서 설명한 형태의 방전 패턴 다수개를 직렬 또는 병렬로 연결함으로써, 기판 내에 발생한 정전기를 효과적으로 방전시킬 수 있다.
도 1은 종래의 기술에 따른 액정 표시 기판을 개략적으로 나타낸 배치도이고,
도 2는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 배선을 개략적으로 나타낸 배치도이고,
도 3은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 화소를 나타낸 배치도이고,
도 4는 도 3의 IV-IV'선에 대한 단면도이고,
도 5는 도 3의 V-V' 선에 대한 단면도이고,
도 6은 도 3의 VI-VI' 선에 대한 단면도이고,
도 7은 도 2의 A 부분을 확대하여 나타낸 배치도이고,
도 8은 도 7의 VIII-VIII' 선에 대한 단면도이고,
도 9a 내지 도 9c는 도 2의 A부분에 대한 다른 실시예를 나타낸 배치도 및 단면도이고,
도 10은 도 2의 B 부분을 확대하여 나타낸 배치도이고,
도 11a 내지 도 11e는 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 배선을 형성하는 방법을 공정 순서에 따라 도시한 단면도이다.

Claims (20)

  1. 절연 기판,
    상기 기판 위에 일 방향으로 형성되어 있는 배선,
    측면이 경사지게 형성되어 있는 금속 패턴,
    상기 금속 패턴의 위에 형성되어 있으며, 상기 금속 패턴의 상부면보다 폭이 넓게 형성되어 있는 절연층,
    상기 절연층의 일부 또는 전부를 덮으며, 상기 금속 패턴과 상기 배선을 연결하는 연결부,
    상기 금속 패턴, 상기 연결부 및 상기 절연층으로 둘러 쌓인 공기층으로 형성되어 있는 방전부를 포함하며,
    정전기는 상기 공기층을 통해 방전되는 배선 구조.
  2. 제1항에서,
    상기 방전부가 상기 배선에 병렬 형태로 두 개 이상 연결되어 있는 배선 구조.
  3. 제1항에서,
    상기 방전부가 상기 배선에 직렬 형태로 연결되어 있는 배선 구조.
  4. 절연 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있는 배선,
    상기 기판 위에 형성되어 있으며, 측면은 경사지게 형성되어 있는 주 금속 패턴,
    상기 배선 및 상기 주 금속 패턴 위에 형성되어 있으며 상기 배선을 드러내는 제1 접촉구를 가지고 있는 절연막,
    상기 제1 접촉구를 통해 상기 배선과 접촉되고 상기 주 금속 패턴의 측면과 접촉되는 제1 도전 연결 패턴을 포함하며,
    상기 주 금속 패턴의 측면과 상기 제1 도전 연결 패턴의 사이에 공기층이 형성되어 상기 배선을 타고 흐르는 정전기가 상기 공기층으로 방전되는 배선 구조.
  5. 제4항에서,
    상기 기판 위에 측면이 경사지게 형성되어 있는 부 금속 패턴, 상기 주 금속 패턴 및 상기 부 금속 패턴의 측면에서 접촉되도록 연결하는 제2 도전 연결 패턴을 더 포함하며,
    상기 주 금속 패턴의 측면 및 상기 부 금속 패턴의 측면과 상기 제2 도전 연결 패턴의 사이에는 공기층이 형성되어 있는 배선 구조.
  6. 제5항에서,
    상기 주 금속 패턴의 하부에 형성되어 있으며 상기 제1 및 제2 도전 연결 패턴과 연결되어 있는 하부 금속 패턴을 더 포함하는 배선 구조.
  7. 제4항에서,
    상기 주 금속 패턴의 측면과 접촉하며 상기 제1 도전 연결 패턴과 분리되어 있는 제2 도전 연결 패턴을 더 포함하며,
    상기 주 금속 패턴의 측면과 상기 제2 도전 연결 패턴의 사이에는 공기층이 형성되어 있는 배선 구조.
  8. 제7항에서,
    상기 배선은 서로 분리되어 있는 제1 및 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 접촉구는 상기 제1 부분 위에 형성되어 있고, 상기 절연막은 상기 제2 부분을 드러내는 제2 접촉구를 가지고 있으며 상기 제2 도전 연결 패턴은 상기 제2 접촉구를 통하여 상기 제2 부분과 연결되는 배선 구조.
  9. 제7항에서, 상기 기판 위에 형성되어 있는 부 금속 패턴,
    상기 부 금속 패턴의 측면과 접촉하며 상기 제1 및 제2 도전 연결 패턴과 분리되어 있는 제3 도전 연결 패턴을 더 포함하며,
    상기 배선은 서로 분리되어 있는 제1 및 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 접촉구는 상기 제1 부분 위에 형성되어 있고, 상기 절연막은 상기 제2 부분을 드러내는 제2 접촉구를 가지고 있고, 상기 제2 도전 연결 패턴은 상기 부 금속 패턴의 측면과 접하고 있으며 상기 제3 도전 연결 패턴은 상기 제2 접촉구를 통하여 상기 제2 부분과 연결되는 배선 구조.
  10. 투명한 절연 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트 배선,
    상기 게이트 배선과 동일한 층에 형성되어 있는 방전 패턴용 제1 금속 패턴,
    상기 게이트 배선 및 상기 제1 금속 패턴 위에 형성되어 있는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 데이터 배선,
    상기 데이터 배선 및 상기 게이트 절연막의 상부에 형성되어 있으며 상기 데이터 배선을 드러내는 접촉구를 가지고 있는 보호 절연막,
    상기 접촉구를 통해 상기 데이터 배선과 접촉하며 상기 제1 금속 패턴의 측면과 접촉하는 형태로 상기 데이터 배선과 상기 제1 금속 패턴을 연결하는 제1 도전 패턴을 포함하며,
    상기 제1 금속 패턴과 상기 제1 도전 패턴의 사이에는 공기층이 형성되어 있는 액정 표시 장치용 배선 구조.
  11. 제10항에서,
    상기 제1 금속 패턴은 측면이 경사지게 형성되어 있는 액정 표시 장치용 배선구조.
  12. 제11항에서,
    상기 제1 금속 패턴과 동일한 층에 동일한 물질로 형성되어 있으며 측면이 경사지게 형성되어 있는 방전 패턴용 제2 금속 패턴, 상기 제1 금속 패턴 및 상기 제2 금속 패턴의 측면에서 접촉되는 제2 도전 연결 패턴을 더 포함하며,
    상기 제1 금속 패턴 및 상기 제2 금속 패턴과 상기 제2 도전 연결 패턴의 사이에는 공기층이 형성되어 있는 액정 표시 장치용 배선 구조.
  13. 제10항에서,
    상기 제1 및 제2 금속 패턴은 상부막과 하부막의 이중막으로 형성되어 있으며 상기 상부막의 측면은 경사지게 형성되어 있고, 상기 제1 및 제2 도전 연결 패턴은 상기 상부막의 측면과 접촉하고 있으며 상기 하부막과 연결되어 있는 액정 표시 장치용 배선 구조.
  14. 제13항에서,
    상기 상부막의 윗면은 상기 보호 절연막의 안쪽에 형성되어 있는 액정 표시 장치용 배선 구조.
  15. 제13항에서,
    상기 하부막은 크롬, 몰리브덴-텅스텐 또는 티타늄으로 형성되어 있으며 상기 상부막은 알루미늄으로 형성되어 있는 액정 표시 장치용 배선 구조.
  16. 제15항에서,
    상기 게이트선은 하부막과 상부막으로 이루어지며, 상기 게이트선의 하부막은 상기 크롬, 몰리브덴-텅스텐 또는 티타늄으로 형성되어 있으며 상기 게이트선의 상부막은 알루미늄으로 형성되어 있는 액정 표시 장치용 배선 구조.
  17. 투명 절연 기판 위에 게이트 배선 및 방전 금속 패턴을 형성하는 단계,
    게이트 절연막을 형성하는 단계,
    상기 게이트 절연막 위에 데이터 배선을 형성하는 단계,
    보호 절연막을 형성하는 단계,
    상기 보호 절연막을 마스크로 하여 상기 게이트 절연막, 상기 게이트 배선 및 상기 방전 금속 패턴을 등방성 식각하는 단계,
    투명 도전 물질을 적층하는 단계,
    상기 투명 도전 물질을 패터닝하여 상기 데이터 배선 및 상기 방전 금속 패턴을 연결하는 연결 패턴과 화소 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 액정 표시 장치용 배선의 제조 방법.
  18. 제17항에서,
    상기 게이트 배선 및 상기 방전 금속 패턴은 제1 및 제2 금속막의 이중막으로 형성하며, 상기 제2 금속막은 상기 보호 절연막을 마스크로 하여 등방성 식각하는 액정 표시 장치용 배선의 제조 방법.
  19. 제18항에서,
    상기 제1 금속막은 상기 제2 금속막보다 식각비가 작은 물질로 형성하는 액정 표시 장치용 배선의 제조 방법.
  20. 제16항에서,
    상기 제1 금속막은 알루미늄으로 형성하며, 상기 제2 금속막은 몰리브덴-텅스텐, 크롬, 티타늄 또는 탄탈륨으로 형성하는 액정 표시 장치용 배선의 제조 방법.
KR1019970080221A 1997-12-31 1997-12-31 정전기 보호 소자를 포함하는 배선 구조 및 그 제조방법 KR100508031B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970080221A KR100508031B1 (ko) 1997-12-31 1997-12-31 정전기 보호 소자를 포함하는 배선 구조 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970080221A KR100508031B1 (ko) 1997-12-31 1997-12-31 정전기 보호 소자를 포함하는 배선 구조 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990060003A KR19990060003A (ko) 1999-07-26
KR100508031B1 true KR100508031B1 (ko) 2005-10-27

Family

ID=37305721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970080221A KR100508031B1 (ko) 1997-12-31 1997-12-31 정전기 보호 소자를 포함하는 배선 구조 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100508031B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102591727B1 (ko) * 2016-09-13 2023-10-23 삼성디스플레이 주식회사 정전기 방지 다이오드 및 정전기 방지 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05173155A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Toshiba Corp 液晶表示装置
JPH09146107A (ja) * 1995-10-31 1997-06-06 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 液晶表示装置及びその製造方法
KR19980031816A (ko) * 1996-10-31 1998-07-25 김광호 정전기 방전 구조를 갖춘 액정 표시 장치
KR100235474B1 (ko) * 1994-12-21 1999-12-15 니시무로 타이죠 표시장치 및 그 제조방법(a display device and the method for producing the same)

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05173155A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Toshiba Corp 液晶表示装置
KR100235474B1 (ko) * 1994-12-21 1999-12-15 니시무로 타이죠 표시장치 및 그 제조방법(a display device and the method for producing the same)
JPH09146107A (ja) * 1995-10-31 1997-06-06 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 液晶表示装置及びその製造方法
KR19980031816A (ko) * 1996-10-31 1998-07-25 김광호 정전기 방전 구조를 갖춘 액정 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990060003A (ko) 1999-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3734891B2 (ja) 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
US6771346B2 (en) Liquid crystal display and manufacturing method thereof
US6444484B1 (en) Wiring structure of thin film transistor array and method of manufacturing the same
KR100321925B1 (ko) 4장의마스크를이용한액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법및액정표시장치용박막트랜지스터기판
KR100878237B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판
KR100558714B1 (ko) 액정표시패널 및 그 제조 방법
KR0151296B1 (ko) 정전기방지구조를 갖춘 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100656900B1 (ko) 정전기 방전 구조를 가지는 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP2000164874A (ja) 薄膜トランジスタアレイ基板とその製造方法および液晶表示装置
KR100729783B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR100552298B1 (ko) 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치용 기판 제조 방법
KR100508031B1 (ko) 정전기 보호 소자를 포함하는 배선 구조 및 그 제조방법
KR100560968B1 (ko) 두개 이상의 쇼팅 바를 갖는 액정 표시 장치 및 제조 방법
KR100656899B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 그 정렬 키 구조
KR100543021B1 (ko) 정전기 보호 소자를 포함하는 배선 구조 및 그 제조방법
KR100686224B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및그 수리 방법
KR100759968B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및그 수리 방법
KR20000014539A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100646780B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100750921B1 (ko) 수리 구조를 갖추고 있는 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및 그 수리 방법
KR20010091686A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
JPH11119257A (ja) Ｔｆｔ基板とその製造方法
KR100543029B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100529574B1 (ko) 평면 구동 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조방법
US7006166B2 (en) Liquid crystal display having a member for preventing electrical shorting

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110719

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120713

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee