KR100489714B1 - 액정장치제조방법,액정패널,및액티브매트릭스표시장치제조방법 - Google Patents
액정장치제조방법,액정패널,및액티브매트릭스표시장치제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100489714B1 KR100489714B1 KR1019970017679A KR19970017679A KR100489714B1 KR 100489714 B1 KR100489714 B1 KR 100489714B1 KR 1019970017679 A KR1019970017679 A KR 1019970017679A KR 19970017679 A KR19970017679 A KR 19970017679A KR 100489714 B1 KR100489714 B1 KR 100489714B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- patterns
- liquid crystal
- gate bus
- discharge promotion
- discharge
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
상호간의 플라즈마 방전에 의한, 도체 패턴들의 손상을 회피하는 액정 전기 광학 (표시) 패널을 구성하는 기판 상에 형성된 배선 패턴을 가진 액정 전기 광학 (표시) 장치의 제조 공정에 관한 것으로서, 상기 공정은 액정 전기 광학 (표시) 패널의 표시 영역 이외에 방전 촉진 패턴 구조를 형성하는 단계를 포함하고, 인접하는 배선 패턴들 사이의 간격은 배선 패턴의 최소 배선폭의 2배 이하의 길이로 설정된다.
Description
(발명의 배경)
1. 발명의 분야
본 발명은, 일반적으로 액정 전기 광학 (표시) 장치에 관한 것으로, 특히 박막 트랜지스터(이하 본원에서는 간단히 TFT라고 함)를 사용한 액티브 매트릭스 액정 전기 광학 (표시) 장치(이하 본원에서는 간단히 LCD라고 함) 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
2. 관련 기술의 설명
액티브 매트릭스 LCD들은 화소들 사이의 크로스 토크(cross talk)를 억제할 수 있을 뿐만 아니라, 고속 구동을 가능하게 하기 때문에, 복수의 화소들을 갖는 컬러 LCD들에 널리 사용된다.
액티브 매트릭스 액정 표시장치들에서는 개개의 화소들은 대응하는 TFT들에 의해 구동되고, 상기 TFT들은 LCD의 표시 패널을 구성하는 유리 기판 상의 행 및 열로 형성된 복수의 배선 패턴들에 의해 구동된다. 일반적으로, 이러한 배선 패턴들은 저저항의 A1층을 상기 기판 상에 퇴적하고, 이것을 습식 에칭에 의해 패터닝하여 형성하는 것이 많다. 그러나, 최근에는, 보다 높은 개구율을 구하기 위한 요구에 따라, 배선 패턴폭을 감소시켜, 제어성이 보다 우수한 건식 에칭 공정에 의해 패터닝을 실행하는 것이 연구되고 있다.
그러나, 절연체, 즉, 유리 기판 상에서 고주파 전계를 사용하여 건식 에칭을 실행하면, 기판 상에 차지업(charge up)이 발생해 버리고, 형성된 배선 패턴 사이에서 방전이 생기는 경우가 있다. 이와 같은 방전이 생기면, 미세한 배선 패턴들이 손상되기 때문에, 이와 같은 차지업의 발생을 억제하는 구성이 제안되고 있다.
도 6은 이러한 종래의 액티브 매트릭스 액정 표시장치에서, 유리 기판(10)상에 형성된 배선 패턴의 구성을 나타낸다.
도 6을 참조하면, 유리 기판(10) 상에는 게이트 드라이버(gate driver: 11)가 형성되고, 게이트 드라이버(11)로부터는 행방향으로, A1 또는 A1합금으로 이루어지는 다수의 게이트 버스 패턴들(111, 112, 113 ··· 11n)이 연장한다. 또한, 유리 기판(10) 상에는 데이터 드라이버(12)가 형성되고, 데이터 드라이버(12)로부터는 열방향으로, A1 또는 A1합금으로 이루어지는 다수의 데이터 버스 패턴들(121, 122, 123,··· 12n)이 연장한다. 이 때, 게이트 버스 패턴들(111, 112, 113, ···11n)은 제 1 층의 패턴들을 구성하고, 데이터 버스 패턴들(121, 122, 123,···12n)은 제 2 층의 패턴들을 구성한다. TFT들은 게이트 버스 패턴들(111, 112, 113,··· 11n)과 데이터 버스 패턴들(121, 122, 123,··· 12n)의 각각의 교점에 대응하여 형성되어, TFT 매트릭스를 형성한다. 또한, 기판(10)과, 이것에 대향하는 기판(도면에 도시하지 않음)을 전기적으로 접속하기 위해, 기판(10)상에는 접속패드(13)가 형성되어 있다.
앞에서도 설명한 것과 같이, 이와 같은 게이트 버스 패턴들(111, 112, 113,··· 11n),또는 데이터 버스 패턴들(121, 122, 123,··· 12n)을 건식 에칭으로 형성하도록 하면, 특히 도 6중 사선으로 도시한 영역에서 차지업에 기인하는 방전이 발생하고, 게이트 버스 패턴들(111, 112, 113,··· 11n), 또는 데이터 버스 패턴들(121, 122, 123,··· 12n)에, 플라즈마 방전에 의해 손상이 생길 수 있다. 특히, 게이트 버스 패턴들(111, 112, 113,··· 11n)에 국소적으로 큰 전계가 걸리면, 게이트 절연막의 절연 파괴(dielectric breakdown)가 발생하고, 소자 특성 이상으로 된다. 건식 에칭은, 이른바 SOI구조를 가지는 것도 포함하고, Si LSI들의 제조에서 널리 사용되고 있으나, 액정 표시장치에서는 기판(10)의 사이즈가 매우크고, 또한 건식 에칭은 통상 주변부로부터 진행하기 때문에, 도 6중에 사선으로 도시한 주변 영역은 특히 장시간 플라즈마에 노출되게 된다.
액정 표시장치들의 이러한 문제를 해결하기 위해, 종래부터, 액정 표시장치의 제조 공정 중, 게이트 버스 패턴들(111, 112, 113,··· 11n), 또는 데이터 버스 패턴들(121, 122, 123,··· 12n)을 쇼트 링(short ring: 14)에 의해 단락시켜 두고, 방전을 회피하는 것이 제안되어 있다. 이와 같은 쇼트 링(14)은, 액정 표시 장치를 완성하고 개개의 패널로 분리될 때, 제거된다. 그러나, 도 6에서, 데이터 버스 패턴들(121, 122, 123,··· 12n)의 각각은 쇼트 링(14)에 콘택트 홀(contact hole: 14a)에서 접속되어 있다.
그러나, 보다 고성능, 고정세 해상도(higher definition and resolution)의 액정 표시장치를 제작하기 위해서는 배선층의 저항을 낮추고, 배선폭을 감소시킬 필요가 있으나, 이와 같은 경우에는 도 6에 도시한 쇼트 링(14)만으로는 방전을 저감시키는 데 불충분한 것을 발견하였다.
특히, 이와 같은 방전에 의한 손상은, 배선층에 A1과 같은 저항율이 낮은 금속을 사용하고, 또는 배선폭을 약 3㎛정도로 가늘게 한 경우에 발생하는 것을 발견하였다. 이것은 저저항 금속이 플라즈마에 노출된 경우, 금속에 인가된 전계가 감쇠하기 어렵기 때문에, 국소적인 전계 집중이 발생하기 쉬운 것, 또한 전계는 일반적으로 미세한 형상의 개소에 집중하기 쉽기 때문이라고 생각된다.
이와 같은 플라즈마 방전에 의한 배선 패턴들의 손상문제는, 대형 기판에서, 배선에 A1과 같은 저저항 금속을 사용하고, 배선 패턴을 건식 에칭에 의해 형성하는 경우에 특히 문제가 되는 것을 발견하였다. 그러나, 이와 같은 플라즈마 방전은, 건식 에칭 중에만 발생하는 것에 한정되지 않는다. 예를 들면, TFT의 소스, 드레인을 형성할 때에, 레지스트마스크를 사용하여 이온주입을 행하지만, 이러한 이온주입에 따라 경화되어 버린 레지스트를 박리(strip off)하기 위해, 기판을 산소 플라즈마 중에서 처리하는 경우가 있다. 이와 같은 산소 플라즈마 처리에서도, 이러한 방전은 발생하는 것이 있다.
(발명의 요약)
본 발명은 상기와 같은 과제들을 해결한, 신규이고 유용한 액정 전기 광학 (표시) 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의해 구체적인 목적은 플라즈마 방전에 의한 손상을 최소화할 수 있는 구성의 액정 전기 광학 (표시) 장치, 및 그 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
따라서, 본 발명의 제 1 양태에 의하면, 액정 표시 패널을 구성하는 기판 상에 제공된 배선 패턴을 가진 액정 표시 장치의 제조 방법으로서, 상기 배선 패턴에, 상기 액정 패널의 표시 영역을 피해, 배선 패턴 사이의 간격을, 배선 패턴의 최소 배선폭의 2배 이하가 되는 방전 촉진 패턴 구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 제 2 양태에 의하면, 상기 제 1 양태에 기재된 액정 표시 장치의 제조 방법으로서, 상기 배선 패턴이 건식 에칭에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 제 3 양태에 의하면, 제 1 양태에 기재된 액정 표시 장치의 제조방법으로서, 인접하는 배선 패턴들 사이의 간격이 배선 패턴 사이에서의 방전이 용이하게 발생하도록 된 길이로 설정되는 것을 특징으로 하는 상기 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 제 4 양태에 의하면, 제 1 내지 제 3 양태 중 어느 하나에 기재된 액정 표시 장치의 제조 방법으로서, 방전 촉진 패턴 구조는 상기 배선 패턴으로부터 분기하고, 종단을 가진 가지를 포함하고, 상기 종단과, 이것에 대향하는 배선 패턴과의 사이의 간격이 상기 배선 패턴의 최소 배선폭의 2배 이하의 길이로 설정되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 제 5 양태에 의하면, 배선 패턴을 가진 기판을 가지는 액정 표시 패널로서, 상기 배선 패턴이 상기 액정 표시 패널의 표시 영역을 피하여, 인접하는 배선 패턴사이의 간격이, 배선 패턴의 최소 배선폭의 2배 이하의 길이로 설정되는 방전 촉진 패턴 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널을 제공한다.
본 발명의 제 6 양태에 의하면, 상기 제 5 양태에 기재된 액정 표시 패널로서, 인접하는 배선 패턴들 사이의 간격이 배선 패턴들 사이에서 방전이 용이하게 발생하도록 된 길이로 설정되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널을 제공한다.
본 발명의 제 7 양태에 의하면, 상기 제 5 또는 제 6 양태에 기재된 액정 표시 패널로서, 상기 방전 촉진 패턴 구조가, 상기 배선 패턴으로부터 분기되고, 종단을 가지는 가지를 포함하고, 상기 종단과, 이것에 대향하는 배선 패턴사이의 간격이, 상기 배선 패턴의 최소 배선폭의 2배 이하의 길이로 설정하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널을 제공한다.
본 발명에 의하면, 기판 상의 배선 패턴에, 액정 표시 패널의 표시 영역을 피하여, 인접하는 배선 패턴들 사이의 간격이 배선 패턴의 최소 배선폭의 2배 이하의 길이로 설정되는 방전 촉진 패턴 구조를 형성함으로써, 액정 표시 장치의 제조공정 중에서, 이 구조에 선택적으로 방전을 발생시킬 수 있다. 그 결과, 기판의 차지업에 따른, 액정 표시 패널의 표시 영역에서의 배선 패턴들 자체 사이에서의 방전 문제를 해결한다.
이하, 본 발명을 본 발명에 의한 바람직한 실시예를 참조하여 보다 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 다음의 실시예로 한정하고자 하는 것은 아니라는 것을 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1실시예에 의한 액정 표시장치의 구성을 도시한다. 단, 도 1 중, 앞서의 도 6에서 설명한 부분에는 동일한 참조부호를 붙이고, 설명을 생략한다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에서는 게이트 버스 패턴들(111, 112, 113,··· 11n) 및 데이터 버스 패턴들(121, 122, 123,··· 12n)의 각각에는, 쇼트 링(14)과 접속되는 말단부에 도 2에 도시한 방전 촉진 구조(14A)가 형성된다.
도 2를 참조하면, 방전 촉진 구조(14A)는, 각각의 게이트 버스 패턴들(111, 112, 113,··· 11n) 또는 데이터 버스 패턴들(121, 122, 123,··· 12n)에 형성된 복수의 가지들(12a)에 의해 구성되고, 각각의 가지(12a)의 선단(front end)은, 인접하는 도체 패턴에, 설계규칙(design rule)에 따라 최소 패턴폭의 1/2 이하의 거리까지 근접한다. 도시한 예에서는, 최소 패턴폭은 10㎛로 되어 있고, 이것에 대응하여 예를 들면 데이터 패턴(122)으로 형성된 가지(12a)의 선단은, 이 선단에 대응하는 데이터 버스 패턴(121)에 대하여 5㎛ 이내의 거리까지 연장한다.
이와 같이, 다른 패턴에 대하여 선단이 최소 배선폭의 1/2 이하의 거리에까지 근접하도록 가지들(12a)을 형성함으로써, 가지들의 선단들에서 선택적으로 플라즈마 방전이 발생하고, 그 결과 액정 표시장치의 표시 영역(1) 내에서의 게이트 버스 패턴들 또는 데이터 버스 패턴들의 플라즈마 방전에 의한 손상을 최소화하는 것이 가능하게 된다.
상기 방전 촉진 구조(14A)는, 쇼트 링(14)과 동일하게, 액정 표시장치의 표시영역(1)외에 형성된다. 따라서, 기판(10)을 개개의 액정 표시 패널들로 분할할 때에 제거되어, 완성된 액정 표시 장치에는 포함되지 않는다. 이 때문에, 이러한 구조를 형성하여도, 완성된 액정 표시 장치의 동작에 악영향을 주는 것은 아니다.
또한, 건식 에칭이나 그 밖의 플라즈마 처리 시, 플라즈마 기판(10)의 주변부로부터 내부로 향해, 게이트 버스 패턴들 또는 데이터 버스 패턴들을 따라 진입하기 때문에, 이러한 방전 촉진 구조는 표시영역(1)의 외측의 쇼트 링(14)근방에 형성하는 것이 효과적이다.
또한, 도 1의 실시예에서는, 기판의 구석에 형성되는 접속 패드(13)를 방전으로부터 보호하기 때문에, 도3에 도시한 것과 같이, 다른 방전 촉진 구조(14B)가 접속패드(13)의 주변에 형성된다.
도 3을 참조하면, 접속 패드(13)로부터는 배선 패턴(13A)이 연장하고, 패턴(13A)의 하측에는, 메시(mesh) 형상의 도체 패턴(14b)이, 패드(13)를 둘러싸도록 형성된다. 도체 패턴(14b)은 각각 돌출된 종단(14c)을 가지는 메시형 내지 격자 패턴으로 이루어지고, 상기 도체 패턴은 상호 패턴의 최소폭의 1/2 이하의 간격으로 배치되어 있다. 예를 들면, 패턴(14b)의 최소폭이 10㎛인 경우, 인접하는 도체 패턴의 간격은 5㎛ 이하로 설정된다. 이러한 방전 촉진 구조(14B)를 형성함으로써, 패드(13) 주변에서의 방전이 촉진되고, 또한 패드(13) 자체가 관여하는 방전이 억제된다.
종래의 구조에서는, 드레인 버스들의 건식 에칭 후에 도1에 도시된 사선부내, 특히 횡방향의 오른쪽 약 1/3, 또한 종방향의 아래쪽으로부터 약 1/3의 영역에서는, 거의 전체 드레인 버스들 상에 플라즈마 대미지(damage)에 의해 발생한 변색부들(discolored portions)이 관찰되고 있었으나, 본 발명의 구조의 채용에 의해, 변색부의 발생은 전혀 없게 되는 것이 확인되었다.
도 4, 도 5는 도 2에 도시한 구조에 대응하는 방전 촉진 구조(14A)의 변형예를 도시한다.
도 4를 참조하면, 각각의 도체 패턴들(111 내지 113) 또는 (121 내지 123)에는 가지들(12a, 12b)이 좌우로 연장하고, 더욱이 게이트 버스 패턴들(111 내지 113)과 데이터 버스 패턴들(121 내지 123)에 상호 평행하게 굴곡하여 연장한다. 이와 같은 경우에도, 인접하는 패턴(12a)과 인접하는 패턴(12b)은, 최소 패턴폭의 1/2 이하의 간격으로 형성되고, 그 결과, 이 사이에서 플라즈마 방전이 촉진된다.'
도 5의 구조에서는, 패턴 121 및 패턴 122, 또는 패턴 111 및 패턴 112의 양쪽으로 패턴(12a)이 연장하고, 그 선단에서 또한 분기된 분기 패턴(12c)이 형성된다. 이와 같은 구성에서는 예를 들면 도체 패턴(121)의 분기패턴(12c)과 도체 패턴(122)의 분기패턴(12c)의 간격이, 도체 패턴(121 또는 122)의 최소 배선폭의 1/2 이하의 거리까지 근접한다. 이와 같은 구성에 의해서도 방전 촉진 구조들(14A)에서의 방전이 촉진되고, 역으로 도체(121 또는 122) 자체의 방전에 의한 손상이 최소화된다.
따라서, 앞에서 상세히 설명한 것과 같이, 본 발명은 액정 표시 패널의 표시 영역을 피하여, 인접하는 배선 패턴들 사이의 간격이 배선 패턴의 최소 배선폭의 2배 이하의 길이로 설정되는, 액정 표시 패널을 구성하는 배선 패턴에 방전 촉진 패턴 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공한다. 이러한 구성에 의하면, 플라즈마 방전을 방전 촉진 패턴 구조 상에서 선택적으로 일으킬 수 있고, 상기 배선 패턴자체의 플라즈마 방전에 의한 배선 패턴의 손상을 억제하는 것이 가능하게 된다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예에 대하여 설명하였으나, 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 그 사상 및 요지 내에서 여러 가지 변형들 및 변경들이 가능하다는 것을 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 액정 표시장치(LCD)의 구성을 나타낸 도면.
도 2는 도 1의 장치의 주요부를 나타낸 도면.
도 3은 도 1의 장치의 다른 주요부를 나타낸 도면.
도 4는 도 1의 장치의 일변형예를 나타낸 도면.
도 5는 도 1의 장치의 다른 변형예를 나타낸 도면.
도 6은 종래의 액정 표시 장치의 구성을 나타낸 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1: 표시영역 10: 기판
111 내지 11n : 게이트 버스 패턴 121 내지 12n : 데이터 버스 패턴
12a, 12b, 12c : 가지 13 : 전극 패드
13A : 배선 패턴 14 : 쇼트 링
14A, 14B : 방전 촉진 구조
Claims (10)
- 액정 장치 제조 방법에 있어서,복수의 게이트 버스 패턴들을 형성하는 단계로서, 상기 게이트 버스 패턴들로부터 연장하는 방전 촉진 패턴들(discharge accelerating patterns)을 갖는, 상기 복수의 게이트 버스 패턴들 형성 단계를 포함하고,상기 방전 촉진 패턴들은 상기 액정 장치의 표시 영역 밖에 제공되고,상기 게이트 버스 패턴들의 인접 쌍 중 하나 상의 상기 방전 촉진 패턴들 중 적어도 하나와, 상기 게이트 버스 패턴들의 상기 인접 쌍 중 다른 하나 상의 상기 방전 촉진 패턴들 중 적어도 하나 사이의 간격은 상기 게이트 버스 패턴들의 최소폭(minimum width)의 1/2 이하인, 액정 장치 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 버스 패턴들은 건식 에칭에 의해 형성되는, 액정 장치 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 방전 촉진 패턴들 중 상기 하나는 종단을 갖는 가지(branch)를 포함하며, 상기 종단과 상기 게이트 버스 패턴들의 상기 인접 쌍 중 상기 다른 하나 사이의 간격은 상기 게이트 버스 패턴들의 최소 배선폭의 1/2 이하인, 액정 장치 제조 방법.
- 액정 패널에 있어서,기판과,게이트 버스 패턴들로서, 상기 게이트 버스 패턴들로부터 연장하는 방전 촉진 패턴들을 갖는 상기 게이트 버스 패턴들을 포함하고, 상기 게이트 버스 패턴들 및 상기 방전 촉진 패턴들이 상기 기판 상에 제공되고,상기 방전 촉진 패턴들은 상기 액정 패널의 표시 영역 밖에 제공되고,상기 게이트 버스 패턴들의 인접 쌍 중 하나 상의 상기 방전 촉진 패턴들 중 적어도 하나와, 상기 게이트 버스 패턴들의 상기 인접 쌍 중 다른 하나 상의 상기 방전 촉진 패턴들 중 적어도 하나 사이의 간격은 상기 게이트 버스 패턴들의 상기 쌍의 최소 폭의 1/2 이하인, 액정 패널.
- 제 4 항에 있어서,상기 방전 촉진 패턴들 중 상기 하나는 종단을 가지며 상기 게이트 버스 패턴들 중 하나로부터 연장하는 가지를 포함하고, 상기 종단과 상기 게이트 버스 패턴들 중 상기 다른 하나 사이의 간격은 상기 게이트 버스 패턴들의 최소 배선폭의 1/2 이하인, 액정 패널.
- 액티브 매트릭스 표시 장치 제조 방법에 있어서,기판 상에 매트릭스로 배열된 복수의 박막 트랜지스터들과 상기 기판 상에 상기 박막 트랜지스터들을 구동하기 위한 드라이버 회로를 형성하는 단계와,상기 기판 상에 적어도 제 1 및 제 2 게이트 버스선들을 형성하는 단계로서, 상기 게이트 버스선들 각각에는 상기 게이트 버스선들로부터 직접 돌출하는 방전 촉진 패턴이 제공되는, 상기 제 1 및 제 2 게이트 버스선들 형성 단계를 포함하고,상기 제 1 게이트 버스선으로부터 돌출된 상기 방전 촉진 패턴과 상기 제 2 게이트 버스선으로부터 돌출된 상기 방전 촉진 패턴 사이의 간격은 상기 게이트 버스선들의 폭의 1/2 이하인, 액티브 매트릭스 표시 장치 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 방전 패턴들은 상기 제 1 및 제 2 게이트 버스선들에 각각 수직으로 연장하는, 액티브 매트릭스 표시 장치 제조 방법.
- 액정 장치 제조 방법에 있어서,복수의 데이터 버스 패턴들을 형성하는 단계로서, 상기 데이터 버스 패턴들로부터 연장하는 방전 촉진 패턴들을 갖는 상기 복수의 데이터 버스 패턴들을 형성하는 단계를 포함하고,상기 방전 촉진 패턴들은 상기 액정 장치의 표시 영역 밖에 제공되고,상기 데이터 버스 패턴들의 인접 쌍 중 하나 상의 상기 방전 촉진 패턴들 중 적어도 하나와 상기 데이터 버스 패턴들의 상기 인접 쌍 중 다른 하나 상의 상기 방전 촉진 패턴들 중 적어도 하나 사이의 간격은 상기 데이터 버스 패턴들의 최소 폭의 1/2 이하인, 액정 장치 제조 방법.
- 액정 패널에 있어서,기판과,데이터 버스 패턴들로서, 상기 데이터 버스 패턴들로부터 연장하는 방전 촉진 패턴들을 갖는 상기 데이터 버스 패턴들을 포함하고, 상기 데이터 버스 패턴들 및 상기 방전 촉진 패턴들은 상기 기판 상에 제공되고,상기 방전 촉진 패턴들은 상기 액정 패턴의 표시 영역 밖에 제공되고,상기 데이터 버스 패턴들의 인접 쌍 중 하나 상의 상기 방전 촉진 패턴들 중 적어도 하나와 상기 데이터 버스 패턴들의 상기 인접 쌍 중 다른 하나 상의 상기 방전 촉진 패턴들 중 적어도 하나 사이의 간격은 상기 데이터 버스 패턴들의 상기 쌍의 최소 폭의 1/2 이하인, 액정 패널.
- 액티브 매트릭스 표시 장치 제조 방법에 있어서,기판 상에 매트릭스로 배열된 복수의 박막 트랜지스터들과 상기 기판 상에 상기 박막 트랜지스터들을 구동하기 위한 드라이버 회로를 형성하는 단계와,상기 기판 상에 적어도 제 1 및 제 2 버스선들을 형성하는 단계로서, 상기 데이터 버스선들 각각에는 상기 데이터 버스선들로부터 직접 돌출하는 방전 촉진 패턴이 제공되는, 상기 제 1 및 제 2 데이터 버스선들 형성 단계를 포함하고,상기 제 1 데이터 버스선으로부터 돌출된 상기 방전 촉진 패턴과 상기 제 2 데이터 버스선으로부터 돌출된 상기 방전 촉진 패턴 사이의 간격은 상기 데이터 버스선들의 폭의 1/2 이하인, 액티브 매트릭스 표지 장치 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP96-139460 | 1996-05-08 | ||
| JP13946096A JP3747336B2 (ja) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | 液晶表示装置の製造方法および液晶パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970076018A KR970076018A (ko) | 1997-12-10 |
| KR100489714B1 true KR100489714B1 (ko) | 2005-08-31 |
Family
ID=15245747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970017679A KR100489714B1 (ko) | 1996-05-08 | 1997-05-08 | 액정장치제조방법,액정패널,및액티브매트릭스표시장치제조방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6239850B1 (ko) |
| JP (1) | JP3747336B2 (ko) |
| KR (1) | KR100489714B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100823486B1 (ko) | 2006-11-20 | 2008-04-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10268794A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Sharp Corp | 表示パネル |
| JP4234023B2 (ja) * | 2004-01-22 | 2009-03-04 | 三菱電機株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| US7183147B2 (en) | 2004-03-25 | 2007-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method for manufacturing thereof and electronic appliance |
| JP4955983B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2012-06-20 | 株式会社ジャパンディスプレイセントラル | 表示装置 |
| TW200638143A (en) * | 2004-10-29 | 2006-11-01 | Toshiba Matsushita Display Tec | Display device |
| KR101845480B1 (ko) | 2010-06-25 | 2018-04-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| TWI692108B (zh) | 2013-04-10 | 2020-04-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05251530A (ja) * | 1992-03-06 | 1993-09-28 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の特性チェックトランジスタ |
| KR960025295A (ko) * | 1994-12-21 | 1996-07-20 | 사토 후미오 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR970017685A (ko) * | 1995-09-23 | 1997-04-30 | 김광호 | 더미셀 어레이를 가진 반도체 메모리 장치 |
| KR980003672A (ko) * | 1996-06-13 | 1998-03-30 | 김광호 | 정전기 방전 수단을 가지는 액정 패널, 액정 패널 검사용 프루브 장치 및 검사방법 |
| KR19990003871A (ko) * | 1997-06-26 | 1999-01-15 | 김영환 | 더미패턴을 갖는 반도체 장치 제조 방법 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB260141A (en) * | 1926-01-20 | 1926-10-28 | Sidney Moses Hale | Improvements in and relating to draught excluders, more especially for doors |
| JPS5965825A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH04233514A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板 |
| JP2901028B2 (ja) * | 1991-12-03 | 1999-06-02 | シャープ株式会社 | 誘電性表示素子およびその製造方法 |
| US5233448A (en) * | 1992-05-04 | 1993-08-03 | Industrial Technology Research Institute | Method of manufacturing a liquid crystal display panel including photoconductive electrostatic protection |
| US5313319A (en) * | 1992-06-17 | 1994-05-17 | General Electric Company | Active array static protection devices |
| JPH081502B2 (ja) * | 1993-06-21 | 1996-01-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 液晶表示装置 |
| JPH0756184A (ja) * | 1993-08-12 | 1995-03-03 | Sharp Corp | 表示装置 |
| US5546204A (en) * | 1994-05-26 | 1996-08-13 | Honeywell Inc. | TFT matrix liquid crystal device having data source lines and drain means of etched and doped single crystal silicon |
| KR0139373B1 (ko) * | 1994-10-06 | 1998-06-15 | 김광호 | 액정표시소자의 정전기 방지 회로 |
| JPH0990397A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびそれを用いた表示装置 |
| JP3072707B2 (ja) * | 1995-10-31 | 2000-08-07 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション | 液晶表示装置及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-05-08 JP JP13946096A patent/JP3747336B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-05-05 US US08/841,849 patent/US6239850B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-08 KR KR1019970017679A patent/KR100489714B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05251530A (ja) * | 1992-03-06 | 1993-09-28 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の特性チェックトランジスタ |
| KR960025295A (ko) * | 1994-12-21 | 1996-07-20 | 사토 후미오 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR970017685A (ko) * | 1995-09-23 | 1997-04-30 | 김광호 | 더미셀 어레이를 가진 반도체 메모리 장치 |
| KR980003672A (ko) * | 1996-06-13 | 1998-03-30 | 김광호 | 정전기 방전 수단을 가지는 액정 패널, 액정 패널 검사용 프루브 장치 및 검사방법 |
| KR19990003871A (ko) * | 1997-06-26 | 1999-01-15 | 김영환 | 더미패턴을 갖는 반도체 장치 제조 방법 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100823486B1 (ko) | 2006-11-20 | 2008-04-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6239850B1 (en) | 2001-05-29 |
| JP3747336B2 (ja) | 2006-02-22 |
| JPH09297314A (ja) | 1997-11-18 |
| KR970076018A (ko) | 1997-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6215541B1 (en) | Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof | |
| KR100489714B1 (ko) | 액정장치제조방법,액정패널,및액티브매트릭스표시장치제조방법 | |
| KR20120034009A (ko) | 어레이 기판 및 그 제조 방법, 및 액정 디스플레이 | |
| KR20090117983A (ko) | 박막 트랜지스터의 마더보드 테스트 라인 및 그 제조방법 | |
| KR0151296B1 (ko) | 정전기방지구조를 갖춘 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR100436801B1 (ko) | 액정 표시 패널 | |
| JP3629798B2 (ja) | 配線パターン | |
| JP2003172945A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR0151269B1 (ko) | 액정표시장치 | |
| KR100341126B1 (ko) | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 및 그 제조방법 | |
| JP4661076B2 (ja) | Ｔｆｔアレイ基板、液晶表示パネル及び液晶表示装置 | |
| CN112711174A (zh) | 光罩、阵列基板的制备方法与显示面板 | |
| KR100690312B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이기판 | |
| KR100717179B1 (ko) | 프린지 필드 구동 액정표시장치 제조방법 | |
| KR20010058156A (ko) | 더미 배선을 이용한 정전기 방지 구조를 갖는 액정디스플레이 및 제조방법 | |
| KR100683135B1 (ko) | 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치 | |
| KR100516053B1 (ko) | 평면 구동 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20000003167A (ko) | 액정표시소자 | |
| KR20050003515A (ko) | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR100349380B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 | |
| KR100527082B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 | |
| KR100507277B1 (ko) | 액정표시장치의 패널 제조방법 | |
| KR101087380B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| JPH07104316A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2001195005A (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment | ||
| FPAY | Annual fee payment | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |