KR100466399B1 - 아이피이 구조를 갖는 유기 이엘소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 IPE구조를 갖는 유기 EL소자에 관한 것으로, 글라스 기판상면에 음극전극 및 양극전극을 서로 번갈아 형성시킴으로써 전극형성을 용이하게 하고 부수적인 소자의 사용없이 발광이 가능하도록 한 IPE구조를 갖는 유기 EL소자를 제공함에 그 목적이 있다.

본 발명은 글라스 기판상에 양극전극의 화소양극 미세라인과 음극전극의 화소음극 미세라인이 번갈아 형성되고, 그 상면으로부터 화소양극 미세라인과 화소음극 미세라인의 사이로 유기발광층이 도포되는 것을 특징으로 한다.

본 발명을 적용하면, IPE 구조는 화소에 화소양극 미세라인과 화소음극 미세라인 등의 화소전극 미세라인이 수평으로 형성되어 그 사이에서 발광되므로 발광한 빛이 반드시 ITO와 글라스기판을 통과해야 하는 것이 아니므로 다양한 재료로의 구현이 가능해지며 동시에 저항 및 일함수도 월등히 우수한 조건으로 구현할 수 있게 된다. 또한, 본 발명은 ITO 이외에 양극전극으로 전기적 특성이 보다 우수한 금속재료를 선택할 수 있으므로 보조전극 공정이 생략될 수 있으며 음극전극이 유기층 도포전에 우선적으로 형성되므로 새도우 마스크를 사용할 필요가 없으며, 고정세 화소의 구현이 가능하게 된다.

Description

아이피이 구조를 갖는 유기 이엘소자{ORGANIC ELECTRO LUMINESCENCE ELEMENT HAVING IN PLANE ELECTRODE STRUCTURE}

본 발명은 IPE구조를 갖는 유기 EL소자에 관한 것으로, 보다 상세하게 각종 디스플레이장치에 사용되며 양극 및 음극 전극구조를 개선함으로써 전극형성이 용이해지며 공정의 단순화를 이룰 수 있는 IPE구조를 갖는 유기 EL소자에 관한 것이다.

주지된 바와 같이, 차세대 영상표시소자로서 휴대용 단말기. 차량 자동항법시스템(Car Navigation System), 게임기의 표시판, 컴퓨터의 모니터, 노트북, 벽걸이 TV 등에 유기 EL 패널이 제공되면서 최근 그 활용도에 의해 주목받고 있다.

도 1은 종래의 유기 EL소자의 기본 구성을 도시한 도면이다.

이를 참조하면, 유기 EL소자(2)는 수평방향의 양극층(4) 그리고 수평방향의 음극층(6)과 그 사이에 유기발광층(8)을 형성한 후 양극과 음극에 전압을 인가하면 전류가 흐르면서 발광하게 된다.

상기 유기 EL소자(2)는 유기층으로서 고분자를 이용한 유기EL과 저분자를 이용한 유기 EL로 대별되는 바, 고분자를 이용한 유기 EL은 유기층(8) 형성시 스핀 코팅법(Spin Coating) 또는 잉크젯 프린팅법 등을 사용하며 저분자를 사용하는 유기 EL은 유기층(8)의 형성시 진공증착법을 주로 사용한다.

종래의 고분자 유기 EL 패널은 ITO(Indum tin Oxide) 양극전극(4)을 스트립(Stripe)형태로 형성한 후 상기 유기발광층(8)으로 단일층을 도포하거나 2∼3개의 유기다층을 형성하며 이후 음극전극(6)을 스트립형태로 구성하여 완성된다. 이상에서 미설명 참조부호 10은 하부 글라스 기판을 나타낸다.

이하, 대표적인 고분자 유기층 형성법인 스핀 코팅법(Spin Coating)을 사용한 고분자 유기 EL의 제조공정에 대해 기술한다.

도 2는 종래 발명에 따라 새도우 마스크를 사용하여 음극을 형성하는 유기 EL의 제작법을 나타내는 도면이다.

이를 참조하면, ITO(Indum Tin Oxide) 양극 라인(4')과 유기층(8')을 형성하고 새도우 마스크(Shadow Mask: 14)를 사용하여 패턴하고자 하는 부위에 금속음극(16)을 진공증착한다.

종래의 고분자 유기 EL의 제작시에는 유기층(8') 도포이후 상기 새도우 마스크(14)를 원하는 해상도로 제작하여 그 유기층(8')이 도포된 소자기판에 밀착시킨 후 메탈 소스(Metal Source)를 진공증착하여 스트립형태의 음극라인(16)을 형성한다.

현재, 저분자 유기 EL의 제작시에도 음극 형성시 새도우 마스크(14)를 사용하기는 하나 고정세의 화소를 구현하기 위하여 주로 역 테이퍼(Taper)의 음극형성용 격벽을 형성한 후 새도우 마스크(14)를 사용하지 않고 바로 음극 진공증착을 하여 스트립(Stripe)을 형성하는 방법이 일반적이다.

이러한 새도우 마스크(14)를 사용하지 않는 이유는 새도우 마스크(14) 자체의 미세 패턴이 종래의 기술로는 한계가 있으며 사용중 새도우 마스크(14)의 금속선(Metal Line) 단선, 마스크 자체의 늘어짐 및 기판과의 정렬(Align) 등의 문제가 심각하기 때문이다.

고분자 유기 EL의 경우에는 저분자 유기 EL과는 달리 유기용제를 사용한 유기층(8')의 형성 때문에 기판상에 음극 형성용 격벽(PR 등 사용)을 구성할 수가 없으므로 대부분의 경우 상기 설명과 같은 금속 새도우 마스크(14)를 사용하여 음극을 형성하는 것이다.

따라서, 현재의 기술로는 고분자 EL의 고정세 패널 구현에 한계가 있게 된다. 고분자 유기 EL은 저잔압구동, 고효율 발광, 단일 유기층 사용가능 등 우수한 특성을 가지고 있으며 유기층 형성 또한 일반적으로 진공증착법을 사용하지 않으므로 장비와 공정상의 많은 잇점이 있으나 상기한 바와 같이 새도우 마스크(14)를 사용할 경우 음극(16)의 미세패턴에 대한 기술상의 한계로 인해 현재 고해상도 화상을 구현하는 데 문제가 있어 노광공정 등을 사용하는 안정적인 음극형성 공정도입이 이루어지지 않으면 안된다. 종래의 수동 매트릭스(Passive Matrix) 유기 EL 패널의 양극(4') 전극형성에 있어서 PDA, Car-Display 등의 중소형 패널은양극라인(4')의 저항을 낮추기 위해 보조전극을 써야하는 단점이 있다. 이 경우 보조전극을 형성하는 공정추가와 원가상승의 요인이 발생되므로 보조전극을 사용하지 않는 재료 및 패널구조의 개발이 요구된다.

본 발명은 상기한 종래 기술의 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 글라스 기판상면에 음극전극 및 양극전극을 서로 번갈아 형성시킴으로써 전극형성을 용이하게 하고 부수적인 소자의 사용없이 발광이 가능하도록 한 IPE구조를 갖는 유기 EL소자를 제공함에 그 목적이 있다.

도 1은 종래의 유기 EL소자의 기본 구성을 도시한 도면,

도 2는 종래 발명에 따라 새도우 마스크를 사용하여 음극을 형성하는 유기 EL의 제작법을 나타내는 도면,

도 3은 일반적인 유기 EL소자의 발광 메커니즘을 나타낸 도면,

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 IPE 구조의 단위화소의 동작원리를 나타내기 위한 도면,

도 5a, 5b, 5c, 5d는 본 발명에 따른 IPE 구조의 전극패턴을 갖는 유기 EL 패널의 형성과정을 도시한 도면,

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소전극패턴 및 풀컬러 유기 EL 패널을 도시한 도면,

도 7은 본 발명에 따른 IPE 구조의 유기 EL 패널을 나타내는 전극배치도이다.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

2:유기EL소자, 4,4':양극층,

6,6':음극층, 8,8':유기발광층,

10:글라스기판, 12:픽셀,

14:새도우마스크, 16:금속음극,

18:양극전극, 18a:화소양극미세라인,

20:음극전극, 20a:화소음극미세라인,

22:유기발광층, 24:단위픽셀,

26:절연층, 28:발광부.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 글라스 기판상에 양극전극의 화소양극 미세라인과 음극전극의 화소음극 미세라인이 번갈아 형성되고, 그 상면으로부터 화소양극 미세라인과 화소음극 미세라인의 사이로 유기발광층이 도포되는 것을 특징으로 하는 IPE구조를 갖는 유기 EL소자가 제공된다.

바람직하게, 상기 양극전극은 투명전극인 ITO를 사용하지 않고 금속재료인 양극전극을 사용함으로써 발광화소를 구현할 수 있도록 한 것을 특징으로 하며, 상기 양극전극 및 음극전극의 사이에 단락방지를 위한 절연층을 형성하고 그 상면에 유기발광층을 도포한 것을 특징으로 한다.

보다 바람직하게, 상기 유기 EL소자는 새도우 마스크를 사용하지 않고 음극라인을 형성함으로써 고분자 및 단일층의 발광가능재를 사용할 수 있게 된 것을 특징으로 하며, 상기 유기발광층을 통한 발광은 상기 화소양극 및 화소음극 미세라인의 사이를 통해 이루어지므로 패널기판으로 비전도성 재료의 사용이 가능한 것을특징으로 하고, 상기 양극전극 및 음극전극의 두께는 수백Å내지 수천Å인 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 절연층의 두께는 수백 Å내지 수㎛이며, 상기 화소양극 및 음극 미세라인의 단면은 건식 식각을 통해 전극의 단면이 수직이 되도록 하여 화소음극 미세라인과의 단면간격을 상하 균일하게 하고 그 폭을 좁혀 구동전압이 상승하는 것을 방지할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.

바람직하게, 상기 유기발광층의 재료는 솔벤트, PPV, MEH-PPV, Polythiophene, Polypyrrole, OC₁C₁₀중 어느 하나의 고분자재료를 사용하는 것을 특징으로 한다.

보다 바람직하게, 각 화소미세라인사이의 간격은 수천 Å인 것을 특징으로 하는 IPE구조를 갖는 유기 EL소자가 제공된다.

이하, 본 발명에 대해 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

도 3은 일반적인 유기 EL소자의 발광 메커니즘을 나타낸 것이다.

이를 참조하면, 양극층(18)과 음극층(20) 사이에 유기 발광층(22)이 형성되며 전극으로부터 주입된 정공(+)과 전자(-)가 상기 유기 발광층(22)내에서 재결합하여 발광된다. 유기 EL소자(19)의 각 전극(18, 20)으로부터 전하를 주입받을 수 있도록 유기 발광층(22)과 전극(18, 20)사이의 계면이 형성되고 이 계면을 통하여 전하가 주입되어 발광이 이루어지는 일반적인 전류구동의 유기 EL 발광현상을 설명한다.

본 발명은 유기 EL 종래의 전형적인 상하 전극구조와 유기 솔벤트(Solvent)에 고분자를 녹여 도포하는 방식으로 인해 발생되는 음극용 새도우 마스크 사용의 필연성문제, 새도우 마스크 제작 및 패널 적용등에 대한 문제를 해결하면서 동시에 고해상도 유기 EL 패널에 접근할 수 있는 화소구조를 가지는 장점이 있다.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 IPE 구조의 단위화소의 동작원리를 나타내기 위한 도면이다.

이를 참조하면, IPE 구조의 단위 픽셀(24)을 확대하여 본 발명의 전극구조를 설명하는 바, 본 발명에서는 평행전극 배열구조(이하, IPE: In Plane Electrode)로서 유리 기판(10)상에 양극(18)과 음극(20)을 서로 수평 교차하도록 배열하는 형태를 가진다. 종래의 상하 전극구조와는 달리 전극(18, 20)이 평면상에 형성되며 전극과 전극사이에서 발광이 이루어진다.

또한, 본 발명의 특징은 각 전극(18, 20) 형성공정후 마지막 단계로 유기층(22)을 형성한다. 따라서, 각 전극(18, 20)은 현재 반도체 공정에서 사용되고 있는 일괄 노광공정을 사용하여 형성될 수 있으므로 금속 새도우 마스크를 사용할 때 발생되는 상기 새도우 마스크 자체의 미세 패턴기술의 한계, 사용중 금속 새도우 마스크 자체의 미세 라인단선, 마스크상의 라인의 늘어짐 및 기판과의 정렬 등의 문제를 막을 수 있게 된다.

도 4의 확대된 단면그림에서 볼 수 있듯이 IPE 구조의 본 발명의 발광은 각 전극(4, 6)의 상하사이에 존재하는 유기발광체(8)에서 발광하는 종래의 방식이 아니라 각 전극(18, 20)의 수평공간에 도포되어 있는 유기 발광층(22)에서 발광이 이뤄진다.

또한, 본 발명은 투명한 양극전극(18)을 반드시 사용해야될 필요가 없으므로 ITO(Indum Tin Oxide)를 사용하면서 발생하는 보조전극의 공정이 생략될 수 있다. 따라서 공정 단순화와 원가절감의 효과가 있게 된다.

도 5a, 5b, 5c, 5d는 본 발명에 따른 IPE 구조의 전극패턴을 갖는 유기 EL 패널의 형성과정을 도시한 도면이며, 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소전극패턴 및 풀컬러 유기 EL 패널을 도시한 도면이고, 도 7은 본 발명에 따른 IPE 구조의 유기 EL 패널을 나타내는 전극배치도이다.

도 5a에서는 양극전극(18)의 형성을 나타내고 있으나, 본 발명에서는 양극과 음극이 동일한 평면상에 구성되므로 종래의 전극구성의 순서와 같이 ITO 투명전극이 우선 형성될 필요가 없으므로 음극과 양극의 어느 전극이 우선 형성되어도 상관없다.

도 5a의 양극(18)구성은 그 중 양극(18)이 우선 형성되어지는 예를 표시한 것이다. 또한 화소로부터 발광되어지는 빛이 글라스 기판을 통해 음극전극 반대편에서 관측되어지기 때문에 투명한 글라스 기판과 ITO투명전극이 사용되어야만 하는 종래의 유기 EL구조와는 달리 본 발명의 IPE구조는 평면상의 각 전극의 사이에서 발광하므로 양면 관측목적이 아니라면 반드시 투명 기판을 사용할 필요가 없으며 또한 양극전극(18)을 형성할 때 저항이 높은 ITO 재질을 사용하지 않고 일함수가 높은 다양한 금속전극을 사용할 수 있다는 것이 큰 장점중의 하나이다.

보다 상세하게 본 발명에 따른 IPE구조를 설명한다.

스트립(Stripe)형태로 구성되는 도 5a의 양극전극(18)은 각 화소의 위치에 해당하는 부분에 IPE 구조를 이룰 화소 양극 미세라인(18a)을 형성한다. 이때 상기 양극전극(18)의 두께는 수백 Å에서 수천 Å정도이며 물성 및 공정특성에 따라 변화할 수 있다.

또한, 상기 화소양극 미세라인(18a)은 차후 형성될 화소음극 미세라인(20a)과 대응하여 발광에 기여하는 중요한 전극계면 및 단면 프로필(Profile)을 가져야 한다. 상기 화소양극 미세라인(18a)의 패턴은 노광공정을 통한 일반 습식 식각(Wet Etch) 기술을 사용할 수도 있으나 이방성 식각기술인 건식 식각(Dry Etch)을 통해 전극의 단면이 수직이 되도록 하여 상기 화소음극 미세라인(20a)과의 단면간격을 상하 균일하게 하며 그 폭을 좁혀 구동전압이 상승되는 것을 최대한 방지한다.

도 5b는 상기 양극전극(18) 패턴후 절연층(26)을 화소개구가 규정되도록 패턴한다. 본 발명의 상기 절연층(26)은 이후 형성될 음극라인과 양극라인(18)이 단락됨을 방지하며 상기한 바와 같이 화소의 개구를 규정한다. 상기 절연층(26)의 두께는 약 수백 Å으로부터 수 ㎛까지 변화시킬 수 있으며 소자의 특성향상과 공정특성에 따라 변화될 수 있다.

도 5c는 본 발명의 IPE 구조의 유기 EL 패널의 음극패턴을 나타낸다. 음극 전체라인(20)은 패드부로부터 양극전체라인(18)과 직교하도록 구성되며 각 화소당 화소음극 미세라인(20a)은 해당 화소의 화소양극 미세라인(18a)과 평행하도록 기판(10)상에 구성된다. 상기 음극층(20)은 양극층(18)과 같이 그 두께를 수백 Å으로부터 수천 Å까지로 형성할 수 있으며 진공증착법을 사용하지 않는 반도체 노광공정을 사용하므로 미세패턴 및 화소음극 미세라인과의 정렬(Align)이 용이하며 종래의 금속 마스크를 사용하여 증착하였을 경우 발생할 수 있는 상기 문제점들을 해결할 수 있다.

또한, 상기 화소음극 미세라인(20a)의 단면은 상기 화소양극 미세라인(18a)과 마찬가지로 이방성 식각기술인 건식식각(Dry etch)을 통해 전극의 단면이 수직이 되도록 하여 상기 화소양극 미세라인(18a)과의 단면 간격을 상하 균일하게 하며 그 폭을 좁혀 구동전압이 상승되는 것을 최대한 방지한다.

이와 같이 구성되는 IPE 전극형성에 있어서 양극(18)과 음극(20)은 종래의 ITO 및 음극금속의 일함수를 가지는 다양한 금속을 선정할 수 있어 유기 EL소자의 특성향상에 매우 유리한 조건을 제시한다. 도 5d는 음극전극까지 형성한 IPE 유기 EL 어레이(array)에 고분자 발광층을 도포한 것을 나타낸다.

도 5d에 도시된 바와 같이 도포되어지는 고분자 재료로는 정공 및 전자수송층에 발광 첨가물을 혼합한 솔벤트(Solvent) 및 단층 발광재료인 PPV, MEH-PPV, Polythiophone, Polypyrrole, OC₁C₁₀등 다양한 고분자 재료를 사용할 수 있다.

상기 유기층 도포법으로는 스핀 코팅(Spin coating) 잉크젯 프린팅(Inkjet Printing) 등 종래의 방법을 사용할 수 있다. 일반적인 유기 EL 패널의 양극(18)과 음극(20)사이의 유기발광층(22)은 약 2000Å 가량의 총 두께를 가진다. 본 발명의 IPE 구조의 각 화소미세라인(18a, 20a)사이의 간격은 수천 Å으로써 반도체 노광공정을 사용한 화소음극 미세라인(20a)과 화소양극 미세라인(18a)의 최소 간격제어와ITO가 아닌 높은 전도성과 높은 일함수를 가지는 우수한 특성의 양극 금속재료사용, 그리고 고효율의 고분자 유기재료의 개발 등이 가능하므로 고정세 패널제작에 매우 유리하며 새도우 마스크를 사용하지 않고 고분자 도포공정을 마지막으로 패널이 완성되므로 공정단순화의 효과 또한 얻을 수 있다.

도 5d는 고분자 도포까지 마친 유기 EL 패널의 평면 및 단위 화소 단면도이다.

이를 참조하면, IPE 구조의 유기 EL화소의 발광위치는 종래의 화소발광부인 상하 각 전극의 사이가 아니라 화소양극 미세라인(18a)과 화소음극 미세라인(20a)의 사이이며 음극 패턴(20)이 유기층(22) 도포이전에 형성되므로 기존의 음극형성의 제한을 받지 않는다.

상기 IPE 구조의 화소전극 미세라인(18a, 20a)의 형태는 도 6a와 같이 전극방향을 변화시켜 구성할 수 있으며 풀칼러패널(Full color panel)의 화소일 경우 각각의 부화소를 도 6b와 같이 구현할 수 있다. 이 경우 화소의 설계는 단색발광 패널의 화소전극 미세라인(18a, 20a)의 단축방향길이만 조절하여 전극을 형성하면 되므로 설계와 공정상의 큰 변화없이 적용될 수 있다.

한편, 저항 문제에 있어서, 투명전극을 사용해야하는 필연성으로 인해 발생되는 중소형 패널의 ITO 양극저항 문제를 보조전극을 사용하여 보완하는 종래의 방식과는 달리 본 발명의 IPE 구조는 투명전극을 사용할 필요가 없어 저항이 매우 낮은 금속전극을 사용가능하므로 보조전극공정이 생략될 수 있다. 따라서 공정단순화와 원가절감에 있어서 매우 유리한 화소구조이다.

바람직하게, 고분자 유기 EL 뿐 아니라 고효율 저전압의 단일층 발광 가능한 저분자 유기재료를 사용한다면 진공증착을 사용한 패널 제작 또한 가능하다. 본 발명은 전극 어레이(Array)공정이 유기층 공정보다 선행되어 완료되므로 유기재료 및 유기층 공정에 의해 어레이(Array)공정이 크게 좌우되는 종래의 제작법과 달라 유기 EL 패널개발에 매우 유리한 전극구조이다.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 IPE구조를 갖는 유기 EL소자는 단지 상기한 실시예에 한정되는 것이 아니라 그 기술적 요지를 이탈하지 않는 범위내에서 다양한 변경이 가능하다.

상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 IPE구조를 갖는 유기 EL소자는 IPE 구조는 화소에 화소양극 미세라인과 화소음극 미세라인 등의 화소전극 미세라인이 수평으로 형성되어 그 사이에서 발광되므로 발광한 빛이 반드시 ITO와 글라스기판을 통과해야 하는 것이 아니므로 다양한 재료로의 구현이 가능해지며 동시에 저항 및 일함수도 월등히 우수한 조건으로 구현할 수 있게 된다.

또한, 본 발명은 ITO 이외에 양극전극으로 전기적 특성이 보다 우수한 금속재료를 선택할 수 있으므로 보조전극 공정이 생략될 수 있으며 음극전극이 유기층 도포전에 우선적으로 형성되므로 새도우 마스크를 사용할 필요가 없으며, 고정세 화소의 구현이 가능하게 된다.

Claims (10)

1. 글라스 기판 상에 양극전극의 화소양극 미세라인과 음극전극의 화소음극 미세라인이 번갈아 형성되되, 상기 화소음극 미세라인은 상기 화소양극 미세라인과 평행하도록 구성되며,

   상기 결과물을 덮되, 상기 화소양극 미세라인과 상기 화소음극 미세라인의 사이로 유기발광층이 도포되고,

   상기 화소양극 및 음극 미세라인의 단면은 건식 식각을 통해 전극의 단면이 수직이 되도록 하되, 상기 화소영역 미세라인은 상기 화소음극 미세라인과의 단면간격이 상하 균일하게 되도록 한 것을 특징으로 하는 IPE구조를 갖는 유기 EL소자.
2. 제 1항에 있어서, 상기 양극전극의 재질은 투명전극인 ITO를 사용하지 않고 금속재료가 사용된 것을 특징으로 하는 IPE구조를 갖는 유기 EL소자.
3. 제 1항에 있어서, 상기 양극전극 및 음극전극의 사이에 단락방지를 위한 절연층을 형성하고 그 상면에 유기발광층을 도포한 것을 특징으로 하는 IPE구조를 갖는 유기 EL소자.
4. 제 1항에 있어서, 상기 유기 EL소자는 새도우 마스크를 사용하지 않고 음극라인을 형성함으로써 고분자 및 단일층의 발광가능재를 사용할 수 있게 된 것을 특징으로 하는 IPE구조를 갖는 유기 EL소자.
5. 제 1항에 있어서, 상기 유기발광층을 통한 발광은 상기 화소양극 및 화소음극 미세라인의 사이를 통해 이루어지므로 패널기판으로 비전도성 재료의 사용이 가능한 것을 특징으로 하는 IPE구조를 갖는 유기 EL소자.
6. 제 1항에 있어서, 상기 양극전극 및 음극전극의 두께는 수백Å내지 수천Å인 것을 특징으로 하는 IPE구조를 갖는 유기 EL소자.
7. 제 3항에 있어서, 상기 절연층의 두께는 수백 Å내지 수㎛인 것을 특징으로 하는 IPE구조를 갖는 유기 EL소자.
8. 삭제
9. 제 1항에 있어서, 상기 유기발광층의 재료는 솔벤트, PPV, MEH-PPV, Polythiophene, Polypyrrole, OC₁C₁₀중 어느 하나의 고분자재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 IPE구조를 갖는 유기 EL소자.
10. 제 1항에 있어서, 각 화소미세라인사이의 간격은 수천 Å인 것을 특징으로하는 IPE구조를 갖는 유기 EL소자.