KR100707157B1 - 유기발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

유기발광소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성되어 전극으로 사용되는 제1 및 제2 금속층, 상기 제1 금속층 상에 구비된 전자 전송층, 상기 제1 및 제2 금속층을 절연시키고, 상기 제1 금속층을 따라 상기 전자 전송층까지 확장된 제1 격벽, 상기 전자 전송층 둘레의 상기 제1 금속층 상에 구비된 제2 격벽, 상기 제1 격벽과 이격되어 상기 제2 금속층 상에 형성된 제3 격벽, 상기 전자 전송층 상에 형성된 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 구비되어 상기 제2 금속층과 접촉된 홀 전송층, 상기 홀 전송층을 덮고 상기 제2 및 제3 격벽 바깥의 상기 제1 및 제2 금속층 상으로 확장된 보호층 및 상기 보호층과 상기 제1 및 제2 금속층사이를 채운 밀봉재를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자와 그 제조 방법을 제공한다.

Description

유기발광소자 및 그 제조방법{Organic light emitting device and method of manufacturing the same}
도 1은 종래 기술에 의한 유기발광소자의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 의한 유기발광소자의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 의한 유기발광소자의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 의한 유기발광소자의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 의한 유기발광소자의 단면도이다.
도 6 및 도 7은 각각 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 의한 유기발광소자의 제조 방법을 단계별로 나타낸 블록도들이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
18:베이스 기판 18a:관통홀을 통해 노출된 베이스 기판
20, 80, 110:기판
20a, 48a, 110a:기판 표면(상부면) 22, 82, 112:홈
22a, 82a, 112a:홈의 바닥 22b, 50b, 82b, 112b:홈의 평평한 면
24a, 24b, 52a, 52b, 92a, 92b, 92c, 114a, 114b:제1 내지 제9 금속층
26, 28, 30, 58, 60, 62, 94, 96, 98, 126, 128, 130:제1 내지 제12 격벽
31, 53, 86, 120:전자 전송층 32, 54, 88, 122:제1 전자 전송층
34, 56, 90, 124:제2 전자 전송층 36, 64, 100, 132:유기 발광층
38, 66, 102, 134:홀 전송층 40, 68, 104, 136:보호층
40a:돌기 삽입 홈(제2 결합부재) 42:돌기(제1 결합부재)
44, 70, 106:밀봉재 48:유리기판
50:관통홀 g, g1, g2:갭
S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8:제1 내지 제6 단차부
S1a, S2a, S3a, S4a, S5a, S6a, S7a, S8a:제1 내지 제4 단차부 내면
1. 발명의 분야
본 발명은 광 방출소자 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 보다 자세하게는 유기발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
2. 관련기술의 설명
광 방출 방향에 따라, 현재까지 소개된 유기발광소자는 하부 방출(bottom emission) 구조와 상부 방출(top emission) 구조로 구분할 수 있다.
발광 효율면에서 상부 방출 구조를 갖는 유기발광소자가 하부 방출 구조를 갖는 유기발광소자보다 우수하고, 이러한 이유로 상부 방출 구조를 갖는 유기발광소자가 실제 디스플레이에 널리 사용되고 있다.
종래 기술에 의한 상부 방출 구조의 유기발광소자는 도 1에 도시한 바와 같 이 기판(미도시) 상에 순차적으로 적층된 음극층(10), 광(L)을 방출하는 발광층(12), 홀 전송층(14) 및 양극층(16)을 포함한다. 양극층(16)으로는 전도성과 광 투과성을 갖는 인듐 틴 옥사이드(ITO)층이 사용된다.
ITO층은 고온에서 증착될 뿐만 아니라 전도성을 높이기 위해 열처리가 요구된다. ITO층의 증착과 열처리는 400℃ 이상에서 실시된다. 그런데 유기발광소자의 유기 발광체는 이러한 고온 증착공정과 열처리 공정을 견디지 못한다. 이런 문제를 해결하기 위해 저온에서 ITO층을 증착하려는 시도가 이루어지고 있으나, 저온에서 증착될 경우, ITO막이 떨어져 유기발광소자의 성능이 저하되는 등, 아직은 만족할 만한 결과를 얻지 못하고 있다.
이와 함께 종래 기술에 의한 유기발광소자는 내부 전반사에 의해 발광층에서 발생된 광을 밖으로 방출시키는 효율인 아웃 커플링(out-coupling) 효율이 낮은 문제점을 갖고 있다. 곧, 유기발광소자의 굴절율이 다른 요소들의 경계에서 유기발광소자의 내부로 반사된 광에는 기판에 평행하게 진행하는 광과 기판에 수직한 방향으로 진행하는 광이 포함되어 있다. 상기 기판에 평행하게 진행하는 광은 대부분 상기 기판 모서리에서 방출되는 반면, 상기 기판에 수직한 방향으로 진행하는 광은 음극층과 별도로 구비된 반사층을 사용하여 유기발광소자의 상부로 방출되게 할 수 있고, 이러한 방법으로 유기발광소자의 발광 효율을 높이려는 시도가 진행되고 있다.
그러나 유기발광소자의 굴절율이 다른 구성요소들의 경계에서 유기발광소자 내부로 반사된 광 중에서 기판에 평행하게 반사되어 빠져나가는 광의 비율이 이 유 기발광소자 전체에서 빠져나가는 광의 50%에 가깝다. 때문에, 종래 기술에 의한 유기발광소자의 발광효율은 제한될 수밖에 없다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, ITO층을 사용함에 따른 문제점을 해소하면서 발광효율을 높일 수 있는 유기발광소자를 제공함에 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 이러한 유기발광소자의 제조 방법을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성되어 전극으로 사용되는 제1 및 제2 금속층, 상기 제1 금속층 상에 구비된 전자 전송층, 상기 제1 및 제2 금속층을 절연시키고, 상기 제1 금속층을 따라 상기 전자 전송층까지 확장된 제1 격벽, 상기 전자 전송층 둘레의 상기 제1 금속층 상에 구비된 제2 격벽, 상기 제1 격벽과 이격되어 상기 제2 금속층 상에 형성된 제3 격벽, 상기 전자 전송층 상에 형성된 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 구비되어 상기 제2 금속층과 접촉된 홀 전송층, 상기 홀 전송층을 덮고 상기 제2 및 제3 격벽 바깥의 상기 제1 및 제2 금속층 상으로 확장된 보호층 및 상기 보호층과 상기 제1 및 제2 금속층사이를 채운 밀봉재를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다.
상기 기판에 홈이 형성되어 있고, 상기 홈의 내면은 상기 기판에 평행하게 입사되는 광을 상기 기판에 수직한 방향으로 반사시킬 수 있도록 완만하게 경사져 있고, 상기 제1 및 제2 금속층은 상기 홈으로 확장되어 있을 수 있다.
상기 홈에 상기 홈의 바닥에 접하는 제2 단차부가, 상기 제2 단차부로부터 이격된 위치에 제1 단차부가 각각 존재할 수 있다. 그리고 상기 제1 금속층은 상기 홈의 단차가 존재하지 않는 내면 및 상기 홈의 바닥을 거쳐 상기 제2 단차부로 확장되어 있을 수 있다.
또한, 상기 제1 금속층에 제1 결합부재가 구비될 수 있고, 상기 보호층에 상기 제1 결합부재와 결합되는 제2 결합부재가 구비될 수 있다. 또한, 상기 전자 전송층은 상기 유기발광층의 일함수와 상기 제1 금속층의 일함수를 매칭시키는 일함수를 갖는 단층 또는 복층일 수 있다.
상기 기판은 상기 홈의 바닥으로 사용된 베이스 기판과 상기 홈의 내면을 구성하는데 사용된 유리기판을 포함할 수 있다.
본 발명은 또한 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 기판, 상기 기판에 구비되어 음극층으로 사용되는 도핑영역, 상기 도핑영역 상에 형성된 전자 전송층, 상기 전자 전송층 둘레의 기판 상에 구비된 제1 금속층, 상기 기판 상에 구비되어 양극층으로 사용되고 상기 제1 금속층과 갭을 갖는 제2 금속층, 상기 갭을 채우고, 상기 갭에 인접한 상기 제2 금속층의 일부를 노출시키도록 상기 제1 및 제2 금속층 상에 구비된 격벽, 상기 전자 전송층 상에 구비된 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 구비되어 상기 제2 금속층과 접촉된 홀 전송층, 상기 홀 전송층을 덮고 상기 격벽과 접촉된 보호층 및 상기 보호층과 상기 기판 및 상기 제2 금속층사이를 밀봉 하는 밀봉재를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다.
상기 기판에 홈의 형성되어 있되, 상기 홈의 바닥과 상기 기판의 상부면사이의 상기 홈의 내면은 상기 기판에 평행하게 입사되는 광을 상기 기판에 수직한 방향으로 반사시킬 수 있도록 완만하게 경사져 있고, 상기 제1 및 제2 금속층과 상기 전자 전송층과 상기 격벽은 상기 홈안에 구비되어 있고, 상기 도핑영역은 상기 홈의 바닥에 형성되어 있을 수 있다.
상기 홈의 내면에 홈의 바닥에 접하는 제2 단차부가 존재하고, 상기 제2 단차부로부터 이격된 위치에 제1 단차부가 존재할 수 있다.
상기 제1 금속층은 상기 홈의 단차가 존재하지 않는 내면과 상기 제2 단차부에 구비되어 있고, 상기 제2 금속층은 위로 상기 홈 바깥의 상기 기판 상으로 확장되어 있고, 아래로 상기 격벽에 닿을 수 있다.
상기 보호층은 상기 홀 전송층, 상기 격벽과 밀착될 수 있다.
상기 보호층의 상기 홈 바깥으로 확장된 부분과 상기 기판의 대응부분에 결합부재가 구비될 수 있다.
상기 기판은 음의 전압이 인가되는 p형 실리콘 기판일 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 기판에 홈을 형성하는 제1 단계, 상기 기판 상에 상기 홈으로 확장되는 제1 및 제2 금속층을 형성하되, 상기 두 금속층사이에 갭을 형성하는 제2 단계, 상기 홈의 바닥 상에 형성된 상기 제1 금속층의 소정 영역을 한정하고, 상기 갭에 인접한 상기 제2 금속층을 한정하며, 상기 갭을 채우는 격벽을 상기 제1 및 제2 금속층 상에 형성하는 제3 단계, 상 기 홈의 바닥 상에 형성된 상기 제1 금속층의 소정 영역 상에 전자 전송층을 형성하는 제4 단계, 상기 전자 전송층 상에 유기 발광층을 형성하는 제5 단계, 상기 유기 발광층 상에 상기 격벽사이로 노출된 상기 제2 금속층과 접촉되는 홀 전송층을 형성하는 제6 단계 및 상기 홈 안에 형성된 상기 모든 요소들을 덮는 보호층을 형성하고 밀봉하는 제7 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법을 제공한다.
상기 제1 단계에서 상기 홈의 내면은 완만한 경사를 갖도록 형성할 수 있다. 또한, 상기 홈의 내면에 상기 홈의 바닥과 접하는 제2 단차부를 형성하고, 상기 제2 단차부와 이격된 곳에 제1 단차부를 형성하며, 상기 제1 및 제2 단차부사이를 평평하게 할 수 있다.
상기 제2 단계에서 상기 홈 바깥의 상기 제1 금속층에 제1 결합부재를 형성할 수 있고, 상기 제7 단계에서 상기 보호층에 상기 제1 결합부재와 마주하도록 제2 결합부재를 형성할 수 있다.
상기 제1 단계는 베이스 기판을 형성하는 단계, 상기 베이스 기판 상에 유리 기판을 형성하는 단계 및 상기 유리 기판에 상기 베이스 기판이 노출되고, 상기 홈의 내면을 갖는 관통홀을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 보호층은 상기 홀 전송층, 상기 홀 전송층 위로 드러난 격벽 및 상기 홈 바깥의 제1 및 제2 금속층과 밀착되게 형성할 수 있다.
본 발명은 또한 상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 기판에 음극층으로 사용되는 도핑영역을 형성하는 제1 단계, 상기 도핑영역 둘레에 제1 금속층을 형성하고, 상기 제1 금속층과 갭을 두고 양극층으로 사용되는 제2 금속층을 형성하는 제2 단계, 상기 갭을 채우고 상기 갭에 접한 상기 제2 금속층의 소정 영역을 노출시키는 격벽을 상기 제1 및 제2 금속층 상에 형성하는 제3 단계, 상기 도핑영역 상에 전자 전송층을 형성하는 제4 단계, 상기 전자 전송층 상에 상기 제1 금속층 상에 형성된 격벽과 접촉되는 유기 발광층을 형성하는 제5 단계, 상기 유기 발광층 상에 상기 격벽 및 상기 제2 금속층과 접촉되는 홀 전송층을 형성하는 제6 단계 및 적어도 상기 홀 전송층 및 그 아래에 형성된 요소들을 보호하기 위한 보호층을 형성하고 밀봉하는 제7 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법을 제공한다.
상기 제1 및 제2 단계에서 상기 기판에 완만하게 경사진 내면을 갖는 홈을 형성하고, 상기 홈의 바닥에 상기 도핑영역을 형성하고, 상기 홈의 내면에 상기 제1 및 제2 금속층을 형성할 수 있다.
그리고 상기 홈의 일부 내면에 상기 홈의 바닥과 접하는 제2 단차부를 형성하고, 상기 제2 단차부와 이격된 곳에 제1 단차부를 형성하며, 상기 제1 및 제2 단차부사이를 평평하게 형성할 수 있다.
상기 제1 금속층의 일부는 상기 제2 단차부에 형성하고, 상기 제2 금속층은 상기 제1 단차부에 형성하되, 위로 상기 홈 바깥으로 확장되고, 아래로 상기 제1 및 제2 단차부사이의 평평한 부분으로 확장되게 형성할 수 있다.
상기 기판은 p형 실리콘 기판일 수 있고, 상기 도핑영역은 n형 불순물이 도핑된 영역일 수 있다. 그리고 상기 제2 단계에서 상기 홈 바깥의 상기 제2 금속층 에 제1 결합부재를 형성하고, 상기 제7 단계에서 상기 보호층에 상기 제1 결합부재와 마주하도록 제2 결합부재를 형성할 수 있다. 또한, 상기 홀 전송층은 상기 격벽의 상단보다 낮게 형성할 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여 제공된 두 제조 방법에서 상기 제2 단계는 상기 도핑영역과 상기 갭이 형성될 위치에 마스크를 형성하는 단계, 상기 마스크가 형성된 기판 상에 금속층을 형성하는 단계 및 상기 마스크를 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 그리고 상기 제3 단계는 상기 격벽이 형성될 위치를 한정하고 나머지 부분은 마스킹하는 마스크를 형성하는 단계, 상기 마스크를 이용하여 상기 제1 및 제2 금속층이 형성된 기판 상에 상기 갭을 채우는 절연층을 형성하는 단계 및 상기 마스크를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
이러한 본 발명을 이용하면, ITO층을 사용하지 않기 때문에, 제조 공정을 단축시켜 생산 원가를 감소시킬 수 있다. 그리고 플렉시블 디스플레이에 용이하게 적용할 수 있다. 또한, 기판에 평행하게 내부 반사된 광을 상부로 방출시킬 수 있기 때문에, 발광효율은 높일 수 있다. 또한, 테스트 구조를 크기만 줄여 디스플레이에 적용할 수 있기 때문에, 해당 디스플레이에 맞는 공정을 별도로 준비할 필요가 없으며, 개발 속도를 향상시킬 수 있다. 또한, 음극층 및 양극층이 모두 동일 평면 상에 구비되어 있기 때문에, 홀 전송층의 표면상태 및 두께가 유기발광소자의 성능에 미치는 영향을 줄일 수 있는데, 이것은 곧 유기발광소자의 성능에 영향을 미치는 인자를 줄인 것과 같다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 유기발광소자 및 그 제조방법을 첨부된 도면 들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성과 설명의 편의를 위해 다소 과장되게 도시된 것이다.
본 발명에 의한 유기발광소자는 종래의 다층으로 이루어진 유기발광소자에서 음극층을 두 부분으로 분리하여 한 부분은 음극층으로, 나머지 한 부분은 양극층으로 이용한다. 양극층과 음극층사이에 분리격벽이 구비되어 있다. 그리고 음극층 상에 유기 발광층이 구비되어 있다. 또한, 상기 유기 발광층과 양극층은 ITO층 대신, 투명성과 전도성을 갖는 홀 전송층으로 연결되어 있다. 또한, 격벽의 형태를 경사면을 따라 비스듬하게 확장함으로써, 음극층을 이용해 유기발광소자의 아웃 커플링 효율, 곧 발광효율을 증가시킬 수 있다.
이러한 본 발명에 의한 유기발광소자의 세부적 구성은 하기된 실시예에서 알 수 있듯이, 실시예에 따라 조금씩 다를 수 있다.
<제 1 실시예>
도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 의한 유기발광소자(이하, 제1 유기발광소자)의 기판(20)에 소정 깊이의 홈(22)이 형성되어 있다. 기판(20)은 유리기판일 수 있다. 홈(22)의 내면은 완만한 경사를 갖는다. 기판(20)의 표면(20a)과 홈(22)의 바닥(22a)사이의 내면 중 일부에 제1 및 제2 단차부(S1, S2)가 존재한다. 제1 및 제2 단차부(S1, S2)는 수평으로 이격되어 있고, 수직으로 서로 다른 높이에 존재한다. 그리고 제1 및 제2 단차부(S1, S2)사이에 평평한 면(22b)이 존재한다. 이 면(22b)의 수직 위치는 기판(20)의 표면(20a)과 홈(22)의 바닥(22a)사이의 중간쯤으로 기판(20)의 표면(20a)보다 낮다. 제1 및 제2 단차부(S1, S2)는 홈(22)의 단 차가 존재하지 않는 부분의 경사와 동일하게 아웃 커플링 효율을 증가시키기 위해 완만하게 경사져 있다. 기판(20) 상에 제1 금속층(24a)과 제2 금속층(24b)이 존재한다. 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)은 각각 음극층 및 양극층으로 사용되며, 동일 금속층, 예를 들면 알루미늄층(Al)인 것이 바람하다. 하지만, 필요할 경우, 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)은 알루미늄외의 다른 금속으로 구성할 수 있고, 각각 서로 다른 금속으로 구성할 수도 있다. 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)은 홈(22)의 표면을 따라 확장되어 있다. 구체적으로, 제1 금속층(24a)은 홈(22) 부근의 기판(20) 상에서 홈(22)의 단차가 존재하지 않는 내면과 홈(22)의 바닥(22a) 및 제2 단차부(S2)를 거쳐 제1 및 제2 단차부(S1, S2)사이의 평평한 면(22b)까지 확장되어 있다. 그리고 제2 금속층(24b)은 제1 금속층(24a)의 맞은 편 기판(20) 상에서 제1 단차부(S1)를 거쳐 제1 및 제2 단차부(24a, 24b)사이의 평평한 면(22b)까지 확장되어 있다.
이와 같이 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)이 모두 제1 및 제2 단차부(S1, S2)사이의 평평한 면(22b)까지 확장되어 있지만, 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)은 서로 다른 전극으로 구비된 것이므로, 서로 접촉되지 않는 것이 바람직하다. 이를 위해, 제1 및 제2 단차부(S1, S2)사이의 평평한 면(22b) 상에 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)을 분리시키고 절연시키기 위한 제1 격벽(26)이 존재한다. 제1 격벽(26)은 절연물질, 예를 들면 실리콘 산화막으로 된 것이 바람직하다. 제1 격벽(26)은 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)사이의 갭(g)을 꽉 채우도록 구비되어 있다. 제1 격벽(26)은 제1 및 제2 금속층(24a, 24b) 상으로 확장되어 있다. 제1 격벽(26)은 제1 격벽(26)과 접촉하는 제2 금속층(24b)의 일부 영역 상으로만 확장되어 있으나, 제1 금속층(24a) 상으로는 제2 단차부(S2)를 거쳐 홈(22)의 바닥(22a) 가장자리까지 확장되어 있다. 홈(22)의 바닥(22a)에 대응되는 제1 금속층(24a) 상에 전자 전송층(31)이 존재한다. 전자 전송층(31)은 제1 격벽(26)의 제1 금속층(24a) 상으로 확장된 부분의 두께와 동일한 두께를 갖는 것이 바람직하다. 전자 전송층(31)은 제1 금속층(24a)에서 전자 전송층(31) 상에 구비된 발광층(36)으로 전자가 쉽게 이동될 수 있는 적절한 일함수를 갖는 단층 혹은 복층인 것이 바람직하다. 전자 전송층(31)이 단층인 경우, 전자 전송층(31)은, 예를 들면 바륨층(Ba)일 수 있다. 전자 전송층(31)이 복층인 경우, 전자 전송층(31)은 순차적으로 적층된 제1 및 제2 전자 전송층(32, 34)일 수 있다. 제1 전자 전송층(32)은, 예를 들면 칼슘층(Ca)일 수 있고, 제2 전자 전송층(34)은, 예를 들면 불화바륨층(BaF2)일 수 있다. 제1 금속층(24a) 상에 제2 격벽(28)이 구비되어 있다. 제2 격벽(28)은 제1 금속층(24a)의 경사진 내면을 거쳐 전자 전송층(31)에 닿아있다. 제2 격벽(28)은 제1 격벽(26)과 동일한 물질이고, 제조 과정에서 동시에 형성되므로, 제2 격벽(28)의 두께는 제1 격벽(26)의 제1 금속층(24a) 상으로 확장된 부분의 두께와 동일하다. 제2 금속층(24b)의 제1 단차부(S1)에 대응되는 부분은 제3 격벽(30)으로 덮여있다. 제3 격벽(30)은 제1 격벽(26)과 동일한 물질로 구성된다. 제2 금속층(24b) 상에서 제3 격벽(30)과 제1 격벽(26)은 이격되어 있다. 제3 격벽(30)은 제1 및 제2 격벽(26, 28)과 동시에 형성된 것이므로, 그 두께는 제2 격벽(28)과 동일하다. 전자 전송층(31) 상에 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)으로부터 공급된 캐리어의 결합으로 광이 발생되는 발광층(36)이 존재한다. 발광층(36)은 제2 격벽(28) 및 제1 격벽(26)의 확장된 부분에 닿아있다. 발광층(36)은 저분자 형광층, 고분자 형광층 또는 인광층일 수 있다. 발광층(36)의 표면은 제1 격벽(26)의 표면보다 낮다. 이러한 발광층(36) 상에 홀 전송층(38)이 존재한다. 홀 전송층(38)은 왼쪽으로 제2 격벽(28)에 닿아 있고, 오른쪽으로는 제1 격벽(26)을 덮고, 제3 격벽(30)과 접촉되어 있으며, 제1 및 제2 격벽(26, 30)사이의 제2 금속층(24b)과 접촉되어 있다. 홀 전송층(38)의 표면은 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)의 표면보다 낮다. 홀 전송층(38)은 양극층인 제2 금속층(24b)으로부터 공급되는 홀을 발광층(36)으로 전송하는 역할을 한다. 홀 전송층(36)이 갖는 일함수가 제2 금속층(24b)과 유사한 값을 갖기 때문에, 홀 주입은 쉽게 이루어지지만, 발광면적까지 홀의 전송이 이루어져야 하기 때문에, 홀 전송층(38)은 전도성이 좋은 물질층인 것이 바람직하다. 홀 전송층(38)과 소정의 간격을 두고 보호층(40)이 구비되어 있다. 보호층(40)은 유리층 또는 얇은 박막, 예를 들면 금막(Au)일 수 있다. 보호층(40)은 홈(22) 바깥의 기판(20) 상에 형성된 제1 및 제2 금속층(24a, 24b) 위로 확장되어 있고, 홈(22)의 경계에서 제2 및 제3 격벽(28, 30)과 접촉되어 있다. 보호층(40)의 제2 및 제3 격벽(28, 30) 바깥부분과 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)사이는 밀봉재(44), 예를 들면 자외선 수지(UV resin)로 밀봉되어 있다. 보다 확실한 밀봉을 위해서 보호층(40)과 마주하는 제1 및/또는 제2 금속층(24a, 24b)의 소정 영역에, 예를 들면 음극층으로 구비된 제1 금속층(24a)의 홈(22)을 벗어난 영역에 빗살 형태의 돌기(42)가 존재할 수 있다. 그리고 보호층(40)에 돌기(42)가 삽입될 수 있는 홈(40a)이 존재할 수 있다. 이 경우에도 밀봉재(44)는 돌기(42)와 홈(40a)사이에 존재할 수 있다. 이러한 밀봉은 제1 금속층(24a)의 돌기(42)가 형성된 영역에 밀봉재(44)를 떨어뜨린 후, 돌기(42)가 홈(40a)에 삽입되도록 보호층(40)을 정렬하고, 보호층(40)을 그대로 내려 누름으로써 완성될 수 있다.
도 2에서 참조부호 L1은 유기 발광층(36)에서 직접 방출된 광 중에서 위쪽으로 방출된 광 또는 상기 직접 방출된 광 중에서 유기 발광층(36)의 경계에서 내부로 수직에 가깝게 반사되어 유기 발광층(36) 아래의 제1 금속층(24a)에 의해 다시 위로 수직하게 반사된 광을 나타낸다. 그리고 참조부호 L2는 유기 발광층(36)에서 직접 방출된 광 중에서 유기 발광층(36)에 평행하게 방출된 광 또는 상기 직접 방출된 광 중에서 유기 발광층(36)의 경계에서 내부로 유기 발광층(36)에 평행하거나 그에 가깝게 반사된 광이 제1 금속층(24a)의 경사면에서 위쪽으로 수직하게 반사된 광을 나타낸다.
<제2 실시예>
상기 제1 유기발광소자는 기판(20)의 일부가 제거된 홈(22)에 구비된, 곧 기판(20)에 음각된 것이지만, 본 발명의 제2 실시예에 의한 유기발광소자(이하, 제2 유기발광소자)는 양각된 형태로 구비된 것에 특징이 있다.
도 3을 참조하면, 제2 유기발광소자는 베이스 기판(18) 상에 유리기판(48)을 구비한다. 유리기판(48)에 유리기판(48)을 관통하여 베이스 기판(18)이 노출되는 관통홀(50)이 형성되어 있다. 관통홀(50)의 내면은 제1 유기발광소자(도 2)의 기판(20)에 형성된 홈(22)의 내면과 동일하다. 이러한 상태에서 베이스 기판(18)은 관통홀(50)의 하단을 막은 형국이므로, 관통홀(50)이 제1 유기발광소자(도 2)의 기판(20)에 형성된 홈(22)과 동일한 형태가 된다. 베이스 기판(18)의 관통홀(50)을 통해서 노출된 면(18a)은 홈(22)의 바닥(22a)과 동등하다. 베이스 기판(18)의 노출된 면(18a)과 유리기판(48)의 표면(48a)사이의 관통홀(50) 내면 일부에 제3 및 제4 단차부(S3, S4)가 존재하고, 제3 및 제4 단차부(S3, S4)사이에 양부를 연결하는 유리기판(48)의 평평한 면(50b)이 존재한다. 관통홀(50)의 내면은 완만하게 경사져 있고, 제3 및 제4 단차부(S3, S4)의 내면의 경사 또한 그렇다. 제3 및 제4 단차부(S3, S4)는 제1 유기발광소자의 홈(22)에 형성된 제1 및 제2 단차부(S1, S2)와 동일하므로, 그에 대한 설명은 생략한다. 유리기판(48) 상에 제3 및 제4 금속층(52a, 52b)이 존재한다. 제3 및 제4 금속층(52a, 52b)은 모든 면에서 제1 유기발광소자(도 2 참조)의 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)과 동일하다. 제3 금속층(52a)은 제3 및 제4 단차부(S3, S4)가 존재하지 않는 유리기판(48) 상에서부터 관통홀(50)의 제3 및 제4 단차부(S3, S4)가 존재하지 않는 내면, 관통홀(50)을 통해서 노출된 베이스 기판(18)의 노출된 면(18a) 및 제4 단차부(S4)의 경사면(S0b)을 거쳐서 제3 및 제4 단차부(S3, S4)사이의 평평한 면(50b)에까지 확장되어 있다. 제4 금속층(52b)은 제3 및 제4 단차부(S3, S4)가 형성된 유리기판(18) 상에 존재한다. 제4 금속층(52b)은 제3 단차부(S3)를 거쳐서 제3 및 제4 단차부(S3, S4)사이의 평평한 면(50b)까지 확장되어 있다. 평평한 면(50b) 상에서 제3 및 제4 금속층(52a, 52b)은 비접촉 상태로 구비되어 있다. 평평한 면(50b) 상에 제3 및 제4 금속층(52a, 52b)사이의 갭(g1)을 꽉 채운 제4 격벽(58) 이 존재한다. 제4 격벽(58)은 제1 유기발광소자의 제1 격벽(26)과 동일하게 구비되어 있다. 제3 금속층(52a)의 베이스 기판(18) 상으로 확장된 부분 상에 전자 전송층(53)이 존재한다. 전자 전송층(53)은 순차적으로 적층된 제3 및 제4 전자 전송층(54, 56)을 포함한다. 제3 및 제4 전자 전송층(54, 56)은 각각 제1 유기발광소자의 제1 및 제2 전자 전송층(32, 34)과 동일할 수 있다. 전자 전송층(53)은 단일층으로 형성될 수 있다. 관통홀(50)의 단차가 없는 내면에 제5 격벽(60)이 구비되어 있다. 제5 격벽(60)의 한쪽은 베이스 기판(18)을 향해 확장되어 전자 전송층(53)에 닿아있고, 맞은 편은 관통홀(50) 둘레의 제3 금속층(52a) 상으로 확장되어 있다. 제4 금속층(52b)의 제3 단차부(S3)는 제6 격벽(62)으로 덮여 있다. 제6 격벽(62)은 관통홀(50) 둘레의 제4 금속층(52b) 상으로 확장되어 있다. 제4 격벽(58)과 제6 격벽(62)은 소정 간격으로 이격되어 있고, 이 이격된 간격을 통해서 제4 금속층(52b)의 일부가 노출되어 있다. 전자 전송층(53)은 유기 발광층(64)으로 덮여 있다. 유기 발광층(64)은 제4 격벽(58)의 제4 단차부(S4)로 확장된 부분 및 제5 격벽(60)에 닿아 있다. 유기 발광층(64)의 표면은 제4 격벽(58)의 표면보다 낮다. 이러한 유기 발광층(64) 상에 홀 전송층(66)이 존재한다. 홀 전송층(66)의 표면은 제 3 및 제4 금속층(52a, 52b)의 표면보다 낮다. 홀 전송층(66)은 상기 제1 유기발광소자의 홀 전송층(38)과 동등한 것이다. 홀 전송층(66)은 제5 및 제6 격벽(60, 62)에 닿아있고, 제4 격벽(58)을 덮고 있으며, 제4 및 제6 격벽(58, 62)사이로 노출된 제4 금속층(52b)의 노출된 면과 접촉되어 있다.
이러한 접촉을 통해서 제4 금속층(52b)으로부터 홀 전송층(66)을 통해서 유 기 발광층(64)으로 홀(hole)이 전송된다. 전자는 제3 금속층(52a)으로부터 제3 금속층(52a)의 일함수와 유기 발광층(64)의 일함수사이에 해당하는 소정의 일함수를 갖는 전자 전송층(53)을 통해서 유기 발광층(64)으로 전송된다. 이렇게 전송된 전자와 홀은 유기 발광층(64)에서 결합되고, 이 과정에서 광이 방출된다.
유기 발광층(64)에서 직접 방출된 광 중에서 유기 발광층(64)에 평행한 방향으로 방출된 광은 제3 및 제4 금속층(52a, 52b)의 완만한 경사면에서 반사되어 위쪽으로 반사되어 정상적인 발광에 기여한다.
또한, 유기 발광층(64)에서 직접 방출된 광 중에서 유기 발광층(66)의 경계 또는 전자 전송층(66)의 경계에 비스듬하게 방출된 광은 바로 방출되지 못하고 내부로 반사된다. 내부로 반사된 광 중에서 아래로 수직에 가깝게 향하는 광은 베이스 기판(18)에서 반사되어 다시 위쪽으로 방출되고, 유기 발광층(66)에 평행하거나 그에 가깝게 반사된 광은 제3 및 제4 금속층(52a, 52b)의 완만한 경사면에서 위쪽으로 반사되어 정상적인 발광에 기여하게 된다.
이와 같이, 유기 발광층(64)에 평행하게 발생된 광 및 유기 발광층(64)의 경계에서 유기 발광층(64)에 평행하게 내부로 반사된 광은 모두 정상적인 발광에 기여할 수 있으므로, 제2 유기발광소자의 아웃 커플링 효율, 곧 발광효율은 종래의 유기발광소자에 비해 훨씬 높다. 이러한 사실은 제1 유기발광소자에도 적용되고, 하기될 다른 실시예에 의한 유기발광소자에도 적용된다.
다시 도 3을 참조하면, 홀 전송층(66) 위쪽에 홀 전송층(66)과 소정 간격을 두고 보호층(68)이 존재한다. 보호층(68)은 외부의 유해한 물질, 예를 들면 먼지나 습기 등이 제2 유기발광소자 내부로 침투하는 것을 방지한다. 보호층(68)은 홀 전송층(66)의 전면을 덮고 있으며, 홀 전송층(66) 둘레의 제5 및 제6 격벽(60, 62)과 접촉되어 있고, 제5 및 제6 격벽(60, 62) 바깥의 제3 및 제4 금속층(52a, 52b)의 일부를 덮고 있다. 그러나 제5 및 제6 격벽(60, 62)으로 인해 보호층(68)과 제3 및 제4 금속층(52a, 52b)사이에 틈이 존재한다. 이 틈은 보호층(68)과 제3 및 제4 금속층(52a, 52b)사이를 밀봉하는 밀봉재(70)로 완전히 채워져 있다. 보호층(68)과 제3 및 제4 금속층(52a, 52b)의 보다 완전한 밀봉을 위하여, 보호층(68)과 제3 금속층(52a)의 소정 영역(BP)에 제1 유기발광소자에 구비된 것과 동등한 돌기와 이 돌기가 삽입될 수 있는 홈이 존재할 수 있다.
<제3 실시예>
상기 제1 유기발광소자와 같이 기판에 음각된 형태로 구비된 것이되, 기판의 소정 영역을 도핑하여 이를 음극층을 사용하는, 음극층을 위한 별도의 금속층을 구비하지 않는 유기발광소자에 관한 것이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 의한 유기발광소자(이하, 제3 유기발광소자)는 기판(80)을 구비하고, 기판(80)에 소정 깊이로 형성된 홈(82)을 구비한다. 기판(80)은 소정의 도전성 불순물이 도핑된 실리콘 기판, 예를 들면 p형 실리콘 기판인 것이 바람직하다. 홈(82) 내면은 기판(80)에 평행하게 반사된 광에 대한 아웃 커플링 효율을 높일 수 있도록 완만한 경사를 갖고 있다. 홈(82)의 일부 내면은 계단식으로 가공되어 홈(82)의 바닥(82a)에 접한 내면의 한쪽에 제6 단차부(S6)가 존재하고, 제6 단차부(S6)로부터 수평으로 소정 간격 떨어진 곳에 제5 단차부(S5)가 존재한다. 제5 단차부(S5)는 수직으로 제6 단차부(S6)보다 높은 위치에 존재한다. 제5 및 제6 단차부(S5, S6)사이에 기판(80)의 상부면(80a)보다 낮고, 홈(82)의 바닥(82a)보다 높은 평평한 면(82b)이 존재한다. 제5 단차부(S5)는 평평한 면(82b)에서 시작되고, 제6 단차부(S6)는 평평한 면(82b)에서 끝난다. 제5 단차부(S5)의 내면(S5a)과 제6 단차부(S6)의 내면(S6a)은 홈(82)의 단차가 존재하지 않는 부분의 내면과 동일한 경사를 갖고 있다. 홈(82)의 바닥(82a)에 소정 깊이로 도전성 불순물이 도핑된 영역(84)(이하, 도핑영역)이 존재한다. 도핑영역(84)은 n형 불순물이 주입된 영역으로써, 상기 제1 유기발광소자의 제1 금속층(24a) 및 상기 제2 유기발광소자의 제3 금속층(52a)과 같이 음극층으로 사용된다. 도핑영역(84)에는 기판(80)을 통해서 음의 전압이 인가된다. 이러한 도핑영역(84)의 전면은 전자 전송층(86)으로 덮여 있다. 전자 전송층(86)은 도핑영역(84) 둘레의 바닥(82a)에까지 확장되어 있다. 전자 전송층(86)은 순차적으로 적층된 제5 및 제6 전자 전송층(88, 90)을 포함한다. 제5 및 제6 전자 전송층(88, 90)은 각각 상기 제1 유기발광소자의 제1 및 제2 전자 전송층(32, 34)과 동일할 수 있다. 전자 전송층(86)은 또한 단일층으로 구비될 수 있다. 홈(82)의 단차가 형성되지 않은 내면은 제5 금속층(92a)으로 덮여있다. 제5 금속층(92a)은, 예를 들면 알루미늄층일 수 있다. 제5 금속층(92a)은 위로는 경사진 내면을 따라 기판(80)의 상부면까지 확장되어 있고, 아래로는 전자 전송층(86)에 닿아있다. 홈(82)의 단차가 없는 내면의 맞은 편에 위치한 제6 단차부(S6)는 제6 금속층(92b)으로 덮여 있다. 제6 금속층(92b)은 제5 금속층(92a)과 동일할 수 있고, 따라서 알루미늄층일 수 있다. 제6 금속층(92b)은 위로 평평한 면(82b)까지 확장되어 있고, 아래로는 전자 전송층(86)에 닿아있다. 제5 단차부(S5)는 제7 금속층(92c)으로 덮여있다. 제7 금속층(92c)은 양극층으로 구비된 것이다. 제7 금속층(92c)은 기판(80)의 상부면(80a)으로 확장되어 있고, 제5 및 제6 단차부(S5, S6)사이의 평평한 면(82b)의 일부를 덮고 있다. 제7 금속층(92c)은 제5 및 제6 금속층(92a, 92b)과 동일한 금속층일 수 있다. 평평한 면(82b) 상에서 제6 금속층(92b)과 제7 금속층(92c)은 일정한 갭(g2)을 유지한다. 이 갭(g2)은 제7 격벽(94)으로 완전히 채워져 있다. 제7 격벽(94)은 제7 금속층(92c)의 일부 영역 상으로 확장되어 있을 뿐만 아니라 제6 금속층(92b) 상으로 확장되어 있다. 제7 격벽(94)은 제6 금속층(92b)의 위로 노출된 모든 면을 덮고 있다. 제5 금속층(92a) 상에 제8 격벽(96)이 존재한다. 제8 격벽(96)은 제5 금속층(92a)의 위로 노출된 모든 면을 덮고 있다. 제7 금속층(92c)의 제5 단차부(S5)의 경사면(S5a)에 대응하는 경사면은 제9 격벽(98)으로 덮여 있다. 제9 격벽(98)은 제7 금속층(92c)의 표면을 따라 위 아래로 형성되어 있다. 그러나 제7 금속층(92c) 상에서 제7 격벽(94)과 제9 격벽(98)은 소정 간격으로 이격되어 있다. 이 간격을 통해서 제7 금속층(92c)의 일부 영역이 노출된다. 전자 전송층(86)은 소정 두께를 갖는 유기 발광층(100)으로 덮여있다. 유기 발광층(100)은 전자 전송층(86) 둘레의 제5 금속층(92a) 및 제8 격벽(96)과 닿아있고, 제6 금속층(92b) 및 제7 격벽(94)과 닿아있다. 그러나 유기 발광층(100)의 표면은 제7 금속층(92c)의 표면보다 낮다. 이러한 유기 발광층(100) 상에 홀 전송층(102)이 구비되어 있다. 홀 전송층(102)은 제1 유기발광소자의 홀 전송층(38)과 동일한 역할 을 하며, 동일한 물질층일 수 있다. 홀 전송층(102)은 제8 격벽(96)에 닿아있고, 제7 격벽(94)의 위로 노출된 부분을 덮고 있으며, 제9 격벽(98)에 닿아있다. 또한, 제7 및 제9 격벽(94, 98)사이로 노출된 제7 금속층(92c)과 접촉되어 있다. 이러한 홀 전송층(102)의 표면은 제7 금속층(92c)의 제5 단차부(S5) 바깥으로 확장된 부분의 상부면보다 낮다. 홀 전송층(102) 위쪽에 홀 전송층(102)과 주어진 간격만큼 이격된 보호층(104)이 구비되어 있다. 보호층(104)은 홀 전송층(102)의 전면을 덮고, 제8 및 제9 격벽(96, 98)과 접촉되어 있으며, 제8 및 제9 격벽(96, 98) 바깥으로 확장되어 있다. 보호층(104)의 제8 격벽(96) 바깥으로 확장된 부분과 기판(80)사이는 밀봉재(106)로 밀봉되어 있다. 보호층(104)의 제9 격벽(98) 바깥으로 확장된 부분과 제7 금속층(92c)사이 또한 밀봉재(106)로 밀봉되어 있다. 곧, 보호층(104)둘레는 밀봉재(106)로 완전히 밀봉되어 있다. 보호층(104)은 상기 제1 유기발광소자의 보호층(40)과 동등한 역할을 한다.
<제4 실시예>
도 5를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 의한 유기발광소자(이하, 제4 유기발광소자)는 기판(110)에 소정 깊이의 홈(112)을 구비한다. 기판(110)은 플라스틱 기판과 같이 플렉시블 기판인 것이 바람직하다. 홈(112)의 내면은 측방향으로 내부 반사된 광을 수직에 가깝게 상방향으로 반사시킬 수 있는 경사면인 것이 바람직하다. 홈(22)은 바닥(112a)을 중심으로 비대칭적이다. 곧, 바닥(112a)을 중심으로 홈(112)의 좌측 내면은 바닥(112a)과 기판(110)의 상부면(110a)을 잇은 완만한 경사면인 반면, 우측 내면은 제7 및 제8 단차부(S7, S8)를 포함한다. 제8 단차부(S8)는 홈(112)의 바닥(112a)에서 시작된다. 제7 단차부(S7)는 제8 단차부(S8)로부터 수평으로 주어진 거리만큼 이격되어 있다. 또한 제7 단차부(S7)는 수직으로 제8 단차부(S8)보다 위에 존재한다. 제7 및 제8 단차부(S7, S8)사이에 홈(112)의 바닥(112a)보다 높고, 기판(110)의 상부면(110a)보다 낮은 평평한 면(112b)이 존재한다. 제7 단차부(S7)는 이 면(112b)에서 시작되고, 제8 단차부(S8)는 이 면(112b)에서 끝난다. 기판(110) 상에 음극층으로 사용된 제8 금속층(114a)이 존재하고, 제8 금속층(114a)과 소정의 갭(g3)을 두고 제9 금속층(114b)이 존재한다. 제8 금속층(114a)은 홈(112)의 단차가 없는 내면과 바닥(112a)과 제8 단차부(S8)를 거쳐 평평한 면(112b)까지 확장되어 있다. 제9 금속층(114b)은 제7 단차부(S7)를 덮고, 위로는 기판(110)의 상부면(114b) 상으로 확장되어 있고, 아래로는 평평한 면(112b)까지 확장되어 있다. 제8 및 제9 금속층(114a, 114b)사이의 갭(g3)은 제10 격벽(126)으로 채워져 있다. 제10 격벽(126)은 상기 제1 유기발광소자의 제1 격벽(26)과 동등한 역할을 하는 것으로 제8 금속층(114a) 표면을 따라 홈(112)의 바닥(112a)까지 확장되어 있다. 제8 금속층(114a)의 홈(112)의 바닥(112a) 상에 형성된 부분 상에 전자 전송층(120)이 존재한다. 전자 전송층(120)은 제7 및 제8 전자 전송층(122, 124)을 포함한다. 전자 전송층(120)은 상기 제1 유기발광소자의 전자 전송층(31)과 동등한 것일 수 있다. 제8 금속층(114a)의 경사면에 제11 격벽(128)이 존재한다. 제11 격벽(128)은 위로는 제8 금속층(114a)의 상부면까지 확장되어 있고, 아래로는 전자 전송층(120)에 닿아있다. 제9 금속층(114b)의 경사면에 제12 격벽(130)이 존재한다. 제12 격벽(130)은 위로 제9 금속층(114b)의 상부면까지 확장되어 있고, 아래로는 제10 격벽(126)과 주어진 간격만큼 이격된 곳까지 확장되어 있다. 제10 및 제12 격벽(126, 130)의 이격된 간격을 통해서 제9 금속층(114b)이 노출된다. 제조 공정에서 제10 내지 제12 격벽(126, 128, 130)은 모두 동시에 형성되므로, 제11 및 제12 격벽(128, 130)과 제10 격벽(126)의 제8 금속층(114a) 상으로 확장된 부분의 두께는 모두 동일한 것이 바람직하다. 전자 전송층(120)은 소정 두께의 유기 발광층(132)으로 덮여 있다. 유기 발광층(132)은 상기 제1 유기발광소자의 유기 발광층(36)과 동일한 것일 수 있다. 유기 발광층(132)은 좌측으로 제11 격벽(128)에 닿아있고, 우측으로 제10 격벽(126)의 확장된 부분에 닿아있다. 유기 발광층(132)의 표면은 제10 및 제12 격벽(126, 130)사이로 노출된 제9 금속층(114b)의 표면보다 낮다. 이러한 유기 발광층(132) 상에 소정 두께을 갖는 홀 전송층(134)이 존재한다. 홀 전송층(134)은 상기 제1 유기발광소자의 홀 전송층(66)과 동일한 역할을 하는 것으로써, 좌측으로는 제11 격벽(128)에 닿아있고, 우측으로는 제12 격벽(130)에 닿아있다. 또한, 홀 전송층(134)은 제10 및 제12 격벽(126, 130)사이로 노출된 제9 금속층(11b)과 접촉되어 있고, 제10 격벽(126)을 덮고 있다. 이에 따라 양극층으로 사용된 제9 금속층(114b)에 전압이 인가될 때, 홀 전송층(134)을 통해서 유기 발광층(132)으로 캐리어, 곧 홀(hole)이 전송된다. 이때, 홀은 제10 격벽(126)의 표면 바로 위로 흐르기 때문에, 홀 전송층(134)의 표면 상태는 상기 홀의 전송에 큰 영향을 주지 않는다. 그러므로 홀 전송층(134)을 형성함에 있어 표면 상태는 크게 고려하지 않아도 무방하다. 홀 전송층(134)의 표 면은 제8 및 제9 금속층(114a, 114b)의 제11 및 제12 격벽(128, 130) 바깥쪽으로 확장된 부분의 표면보다 낮다. 이에 따라 밀봉 공정이 쉬워진다. 이러한 홀 전송층(134) 상에 보호층(136)이 존재한다. 보호층(136)은 홀 전송층(134)의 전면과 제11 및 제12 격벽(128, 130)을 덮고, 제11 및 제12 격벽(128, 130)을 넘어 제8 및 제9 금속층(114a, 114b)으로 확장되어 있다. 보호층(136)은 외부의 불순물이나 습기가 침투하지 못하도록 제8 및 제9 금속층(114a, 114b)과 밀착되어 있다.
상술한 제1 내지 제4 유기발광소자들은 모두 유기 발광층(36, 64, 100, 132) 둘레에 측방으로 입사되는 광을 위쪽으로 반사시키는 반사수단, 곧 완만하게 경사진 금속층을 구비한다. 이에 따라 유기 발광층(36, 64, 100, 132)에서 방출된 측방향 광은 물론, 유기 발광층(36, 64, 100, 132)의 경계에서 측방향으로 내부 반사된 광도 위쪽으로 반사되므로, 상기 제1 내지 제4 유기발광소자의 아웃 커플링 효율은 종래보다 높아지게 된다.
또한, 음극층 및 양극층은 수직으로 구비되지 않고, 수평 상으로 구비되어 있다. 따라서 유기발광소자의 두께를 얇게 할 수 있다.
다음에는 본 발명의 실시예에 의한 유기발광소자의 제조 방법을 설명한다.
상기 제1 내지 제4 유기발광소자의 구성을 볼 때, 양각 및 음각에 차이가 있으나, 제3 유기발광소자를 제외하고는 제조 방법이 크게 다르지 않을 것이다. 따라서 본 발명의 실시예에 의한 유기발광소자의 제조 방법에서는 상기 제1 및 제3 유기발광소자에 대한 제조 방법만 설명하고, 상기 제2 및 제4 유기발광소자의 제조 방법은 제1 유기발광소자의 제조 방법으로 갈음한다.
<제1 실시예>
상기 제1 유기발광소자에 대한 제조 방법이다.
도 2를 참조하면, 기판(20)에 소정 깊이를 갖는 홈(22)을 형성한다. 기판(20)은 유리기판으로 형성할 수 있으나, 플라스틱과 같은 플렉시블 기판으로 형성할 수도 있다. 홈(22)을 형성하는 과정에서 홈(22)과 동일한 패턴이 새겨진 마스크를 이용한다. 홈(22)은 상기 제1 유기발광소자의 중요 부분이 구비되기에 충분한 넓이로 형성한다. 이때, 홈(22)은 위로 갈수록 그 폭이 넓어지도록 형성하고, 내면은 완만한 경사를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다. 홈(22)은 바닥(22a)을 기준으로 비대칭으로 형성한다. 곧, 음극층과 양극층을 수평으로 형성하기 위해, 홈(22)의 내면 중에서 음극층이 형성될 부분(도면상 바닥(22a)의 좌측 내면)은 전체를 완만한 경사를 갖는 사면이 되게 형성하고, 양극층이 형성될 부분(도면상 바닥(22a)의 우측 내면)에는 제1 및 제2 단차부(S1, S2)를 형성한다. 제1 및 제2 단차부(S1, S2)는 수평으로 주어진 간격으로 이격되게 형성하고, 수직으로 제1 단차부(S1)를 제2 단차부(S2)보다 높은 위치에 형성한다. 제2 단차부(S2)는 바닥(22a)가장자리에서 시작되도록 형성한다. 이에 따라 제1 및 제2 단차부(S1, S2)사이에 평평한 면(22b)이 형성된다. 이 면(22b)은 제1 및 제2 단차부(S1, S2)사이에 형성되므로, 그 수직 위치는 기판(20)의 표면(20a)보다 낮고, 홈(22)의 바닥(22a)보다 높게 된다. 이러한 제1 및 제2 단차부(S1, S2)를 형성할 때, 제1 단차부(S1)의 표면(S1a)과 제2 단차부(S2)의 표면(S2a)은 음극층이 형성된 부분의 홈(22) 내면과 동일한 경사를 갖도록 형성한다.
이와 같이 홈(22)을 형성한 다음, 홈(22)의 평평한 면(22b)의 일부 영역을 마스크(미도시)로 마스킹한다. 이어서 기판(20) 상에 금속층(미도시)을 소정 두께로 형성한다. 이때, 상기 금속층은, 예를 들면 알루미늄층으로 형성할 수 있다. 상기 금속층을 형성한 후, 상기 마스크를 제거하면, 기판(20) 상에 음극층으로 사용되는 제1 금속층(24a)과 양극층으로 사용되는 제2 금속층(24b)이 형성된다. 제1 금속층((24a)은 홈(22)의 단차가 없는 내면과 홈(22)의 바닥(22a)과 제2 단차부(S2)를 거쳐서 홈(22)의 평평한 면(22b)까지 형성된다. 그리고 제2 금속층(24b)은 제1 단차부(S1)를 거쳐 홈(22)의 평평한 면(22b)까지 형성된다. 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)이 모두 홈(22)의 평평한 면(22b)까지 형성되지만, 이들을 형성할 때 사용된 상기 마스크에 의해 홈(22)의 평평한 면(22b)에서 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)사이에는 갭(g)이 형성된다. 갭(g)은 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)으로 공급된 캐리어가 터널링할 수 없는 최소 거리인 것이 바람직하다.
다음, 홈(22)의 바닥(22a)에 전자 전송층(31)이 형성될 영역을 마스킹하고, 홈(22)의 평평한 면(22b) 상에 형성된 제2 금속층(24b)의 일부 영역을 마스킹하며, 홈(22) 바깥으로 형성된 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)을 마스킹하는 마스크(미도시)를 형성한다. 상기 마스크가 형성된 기판(20) 상에 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)사이의 갭(g)을 채우는 절연층(미도시), 예를 들면 실리콘 산화막을 형성한다. 이후, 상기 마스크를 제거하면, 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)사이의 갭(g)을 완전히 채우고 제2 단차부(S2)를 거쳐 홈(22)의 바닥(22a)을 향해 확장되는 제1 격벽(26)이 형성된다. 또한, 홈(22)의 단차가 형성되지 않은 내면을 덮는 제2 격벽(28)이 형성되고, 제2 단차부(S2)를 덮는 제3 격벽(30)이 형성된다. 제1 격벽(26)의 홀(22) 바닥(22b)으로 확장된 부분과 제2 및 제3 격벽(28, 30)은 동일한 두께로 형성된다.
다음, 제1 및 제2 격벽(26, 28) 안쪽의 홈(22)의 바닥(22a)에 전자 전송층(31)을 형성한다. 전자 전송층(31)은 제1 금속층(24a)과 후속 공정에서 형성될 유기 발광층(36)사이에서 양쪽의 일함수를 맞추어 줄 수 있는 물질층으로 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 전자 전송층(31)은 단층 또는 복층으로 형성할 수 있는데, 단층으로 형성하는 경우, 전자 전송층(31)은 바륨층(Ba)으로 형성할 수 있고, 복층으로 형성하는 경우, 전자 전송층(31)은 제1 및 제2 전자 전송막(32, 34)으로 형성할 수 있다. 이때, 제1 전자 전송막(32)은, 예를 들면 칼슘막(Ca)으로 형성할 수 있고, 제2 전자 전송막(34)은, 예를 들면 불화 바륨막(BaF2)으로 형성할 수 있다.
다음, 전자 전송층(31)과 그 둘레의 제1 및 제2 격벽(26, 28)의 일부를 노출시키고, 나머지 영역을 마스킹하는 마스크(미도시)를 형성한다. 전자 전송층(31)과 제1 및 제2 격벽(26, 28)의 일부에 유기 발광층(36)을 형성하고, 상기 마스크를 제거한다. 유기 발광층(36)은 저분자 또는 고분자 형광층으로 형성할 수 있고, 인광층으로 형성할 수도 있다.
이와 같이 유기 발광층(36)을 형성한 다음, 유기 발광층(36)과 제1 격벽(26)과 제1 및 제3 격벽(26, 30)사이로 노출된 제2 금속층(24b)과 유기 발광층(36)에 인접한 제2 격벽(28)의 일부와 제3 격벽(30)의 일부를 한정하고, 나머지 영역을 마 스킹하는 마스크(미도시)를 형성한다. 이 마스크를 이용하여 상기 한정된 영역 전체에 소정 두께로 홀 전송층(38)을 형성한다. 이때, 후속 밀봉 공정의 편이성을 고려할 때, 홀 전송층(38)은 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)의 상부면보다 낮게 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 양극층인 제2 금속층(24b)에서 공급되는 홀은 홀 전송층(38)의 하부층, 곧 홀 전송층(38) 아래에 형성된 물질층의 표면에 가까운 부분을 통해서 유기 발광층(36)으로 이동된다. 따라서 홀 전송층(38)을 형성함에 있어 홀 전송층(38)의 표면은 평평하게 형성하는 것이 바람직하지만, 그렇지 않아도 무방하다.
계속해서, 외부의 불수물과 습기로부터 홀 전송층(38)과 그 아래에 형성된 부재들을 보호하기 위한 보호층(40)을 형성한다. 보호층(40)은 유리층 또는 금막으로 형성할 수 있다. 보호층(40)은 제2 및 제3 격벽(28, 30) 바깥쪽으로 확장되게 형성한다. 보호층(40)은 제1 및 제2 금속층(24a, 24b) 상부면 상으로 형성된 제2 및 제3 격벽(28, 30)과 접촉되어 지지되므로, 보호층(40)과 홀 전송층(38)사이에 갭이 존재한다. 이와 같이 보호층(40)을 형성한 다음, 밀봉재(44)를 사용하여 보호층(40)과 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)사이를 밀봉한다. 밀봉재(44)는 외부의 불순물, 특히 수분이나 공기의 침투를 방지할 수 있는 물질, 예를 들면 자외선 수지(UV resin)로 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 밀봉은 밀봉될 위치에 밀봉재(44)를 먼저 준비한 후, 보호층(40)을 밀봉재(44)에 접촉 가압하여 완성할 수도 있다.
한편, 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)과 보호층(40)사이의 밀봉 효과를 높이기 위해, 제1 금속층(24a)에 제1 결합부재로써, 돌기(42)를 형성하고, 보호층(40)에 상기 제1 결합부재에 매칭되는 제2 결합부재로써, 돌기(42)가 삽입될 수 있는 홈(40a)을 형성할 수 있다. 상기 제1 결합부재는 제2 금속층(24b)에도 형성할 수 있다.
제1 및 제2 금속층(24a, 24b)과 보호층(40)에 상기 제1 및 제2 결합 부재가 형성된 경우, 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)과 보호층(40)의 밀봉 과정은 다음과 같이 진행될 수 있다.
상기 제1 결합부재가 형성된 부분에 밀봉재(44)를 충분히 바른다. 상기 제1 결합부재와 상기 제2 결합부재가 정확히 결합될 수 있도록 보호층(40)을 정렬한다. 정렬된 상태 그대로 보호층(40)을 내려서 압착한다.
이러한 밀봉 과정에서 보호층(40)과 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)사이에 밀봉재(44)를 완전히 채워, 보호층(40)의 제2 및 제3 격벽(28, 30) 바깥 부분과 제1 및 제2 금속층(24a, 24b)사이에 빈 공간이 존재하지 않게 하는 것이 바람직하다.
상기 제2 유기발광소자에 대한 제조 방법의 특징은 도 3에 도시한 바와 같이 베이스 기판(18) 상에 유리기판(38)을 형성하고, 유리기판(38)에 베이스 기판(18)이 노출되는 관통홀(50)을 형성하는데 있다. 관통홀(50)의 내면은 상기 제1 실시예에 의한 제조 방법에서 형성되는 홈(22)의 내면과 동일하다. 관통홀(50)의 밑은 베이스 기판(18)으로 막혀 있기 때문에, 관통홀(50)은 상기 제1 실시예에 의한 제조 방법에서 형성되는 홈(22)과 동일하게 된다.
관통홀(50) 형성 이후의 공정은 상기 제1 실시예에 의한 제조 방법과 동일하다.
상술한 제1 실시예에 의한 제조 방법은 도 6에 도시한 바와 같이, 기판에 홈을 형성하는 단계(SS1), 상기 기판 상에 상기 홈으로 확장되는 제1 및 제2 금속층을 형성하되, 상기 두 금속층사이에 갭을 형성하는 단계(SS2), 상기 홈의 바닥 상에 형성된 상기 제1 금속층의 소정 영역을 한정하고, 상기 갭에 인접한 상기 제2 금속층을 한정하며, 상기 갭을 채우는 격벽을 상기 제1 및 제2 금속층 상에 형성하는 단계(SS3), 상기 홈의 바닥 상에 형성된 상기 제1 금속층의 소정 영역 상에 전자 전송층을 형성하는 단계(SS4), 상기 전자 전송층 상에 유기 발광층을 형성하는 단계(SS5), 상기 유기 발광층 상에 상기 격벽사이로 노출된 상기 제2 금속층과 접촉되는 홀 전송층을 형성하는 단계(SS6) 및 상기 홈 안에 형성된 상기 모든 요소들을 덮는 보호층을 형성하고 밀봉하는 단계(SS7)로 요약할 수 있다.
<제2 실시예>
도 4에 도시한 상기 제3 유기발광소자에 대한 제조 방법이다.
도 4를 참조하면, 기판(80) 홈(82)을 형성한다. 기판(80)은 p형 실리콘 기판으로 형성할 수 있다. 홈(82)은 상기 제1 실시예에 의한 제조 방법에서 형성되는 홈(22)과 동일한 방법, 동일한 형태로 형성할 수 있다. 홈(82)의 바닥(82a)에 도전성 불순물, 예컨대 n형 불순물을 주입하여 도핑영역(84)을 형성한다. 도핑영역(84)은 제1 실시예의 제1 금속층(24a)처럼 음극층으로 사용된다.
다음, 홈(82)의 바닥(82a)과 홈(82)의 평평한 면(82b)을 한정하고, 나머지 영역은 마스킹하는 마스크(미도시)를 이용하여 홈(82)의 단차가 형성되지 않는 내면과 제5 단차부(S5)와 제6 단차부(S6)에 각각 제5, 제6 및 제7 금속층(92a, 92b, 92c)을 형성한다. 이후, 상기 마스크를 제거한다. 제5 및 제6 금속층(92a, 92b)은 단순히 측방향으로 입사되는 광을 위쪽으로 반사시키는 반사수단으로 사용된다. 그러나 제7 금속층(92c)은 양극층으로 사용된다. 제6 및 제7 금속층(92b, 92c)은 홈(82)의 평평한 면(82b)까지 확장되도록 형성할 수 있으나, 평평한 면(82b) 상에서 소정의 갭(g2)을 유지하도록 형성하는 것이 바람직하다.
다음, 홈(82)의 평평한 면(82b) 상으로 확장된 제7 금속층(92c)의 소정 부분과, 홈(82)의 바닥(82a)과, 홈(82) 둘레의 영역을 마스킹하는 마스크(미도시)를 사용하여 기판(80) 상에 절연층(미도시)을 형성한다. 상기 절연층은 실리콘 산화막으로 형성할 수 있다. 이후, 상기 마스크를 제거한다. 이 결과, 제6 및 제7 금속층(92b, 92c)사이를 완전히 채우는 제7 격벽(94)이 형성된다. 그리고 홈(82)의 단차가 형성되지 않은 내면을 덮는 제8 격벽(96)이 형성된다. 또한, 제5단차부(S5)를 덮는 제9 격벽(98)이 형성된다. 제7 격벽(94)은 아래로 제6 단차부(S6)를 거쳐 홈(82)의 바닥(82a)에까지 닿아있다. 제7 격벽(94)은 제7 금속층(92c) 상으로 일부 확장되어 있다. 상기 마스크로 인해 제7 금속층(92c) 상에서 제7 격벽(94)과 제9 격벽(98)은 주어진 간격만큼 이격된다.
이후, 제7 내지 제9 격벽(94, 96, 98)이 형성된 결과물에 유기 발광층(100) 및 홀 전송층(102)을 순차적으로 형성하는 과정은 제1 실시예에 의한 제조 방법을 따른다. 홀 전송층(102)을 형성한 후에는 제8 및 제9 격벽(96, 98) 안쪽에 형성된 주요 부재들을 보호하기 위한 보호층(104)을 형성한다. 보호층(104)은 제1 실시예의 보호층(도 2의 40)과 동등하게 형성할 수 있다.
다음, 밀봉재(106)를 사용하여 보호층(104)과 제7 금속층(92c)사이를 밀봉하고, 보호층(104)과 기판(80)사이를 밀봉한다.
상술한 제2 실시예에 의한 제조 방법은 도 7에 도시한 바와 같이, 기판에 음극층으로 사용되는 도핑영역을 형성하는 단계(ST1), 상기 도핑영역 둘레에 제1 금속층을 형성하고, 상기 제1 금속층과 갭을 두고 양극층으로 사용되는 제2 금속층을 형성하는 단계(ST2), 상기 갭을 채우고 상기 갭에 접한 상기 제2 금속층의 소정 영역을 노출시키는 격벽을 상기 제1 및 제2 금속층 상에 형성하는 단계(ST3), 상기 도핑영역 상에 전자 전송층을 형성하는 단계(ST4), 상기 전자 전송층 상에 상기 제1 금속층 상에 형성된 격벽과 접촉되는 유기 발광층을 형성하는 단계(ST5), 상기 유기 발광층 상에 상기 격벽 및 상기 제2 금속층과 접촉되는 홀 전송층을 형성하는 단계(ST6) 및 적어도 상기 홀 전송층 및 그 아래에 형성된 요소들을 보호하기 위한 보호층을 형성하고 밀봉하는 단계(ST7)로 요약할 수 있다. 이러한 요약에서 상기 제1 금속층은 도 4에 도시한 제5 및 제6 금속층(92a, 92b)을 가리키고, 상기 제2 금속층은 제7 금속층(92c)을 가리킨다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 도 4에 도시한 유기발광소자에서 보호층(104)의 홈 바깥으로 확장된 부분과 이 부분과 마주하는 기판(80)의 소정 부분에 각각 도 2에 도시한 유기발광소자에 구비된 것과 동등한 결합부재들(42, 40a)을 구비할 수 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명 된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 유기발광소자는 ITO로 된 전극층을 구비하지 않는다. 그러므로 본 발명에 의한 유기발광소자를 이용할 경우, 제조 공정을 단축시켜 제조 원가를 감소시킬 수 있다. 그리고 플렉시블 디스플레이에 적용될 수 있다.
또한, 본 발명의 유기발광소자는 측방향으로 방출 혹은 반사된 광을 위쪽으로 반사시키는 반사수단을 구비하고 있으므로, 발광 효율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 유기발광소자의 경우, 테스트 구조를 그대로 크기만 줄여 바로 디스플레이에 적용할 수 있으므로, 별도의 공정이 필요치 않다. 따라서 개발 속도를 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명과 같은 구조의 유기발광소자에서 홀 전송층의 표면상태와 두께가 소자의 성능에 미치는 영향은 무시할 수 있을 정도이다. 곧, 본 발명의 유기발광소자의 경우, 성능에 영향을 주는 인자의 수를 줄일 수 있다.

Claims (42)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성되어 전극으로 사용되는 제1 및 제2 금속층;
    상기 제1 금속층 상에 구비된 전자 전송층;
    상기 제1 및 제2 금속층을 절연시키고, 상기 제1 금속층을 따라 상기 전자 전송층까지 확장된 제1 격벽;
    상기 전자 전송층 둘레의 상기 제1 금속층 상에 구비된 제2 격벽;
    상기 제1 격벽과 이격되어 상기 제2 금속층 상에 형성된 제3 격벽;
    상기 전자 전송층 상에 형성된 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 상에 형성되고, 상기 제1 격벽을 넘어 제1 및 제3 격벽사이의 상기 제2 금속층과 접촉된 홀 전송층;
    상기 홀 전송층을 덮고 상기 제2 및 제3 격벽 바깥의 상기 제1 및 제2 금속층 상으로 확장된 보호층; 및
    상기 보호층과 상기 제1 및 제2 금속층사이를 채운 밀봉재를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판에 홈이 형성되어 있고, 상기 홈의 바닥과 상기 기판 상부면사이의 상기 기판에 평행하게 입사되는 광을 상기 기판에 수직한 방향으로 반사시킬 수 있도록 완만하게 경사져 있고, 상기 제1 및 제2 금속층은 상기 홈으로 확장된 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 홈은 비대칭인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 홈에는 상기 홈의 바닥에 접하는 제2 단차부가 존재 하고, 상기 제2 단차부로부터 이격된 위치에 제1 단차부가 존재하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제1 금속층은 상기 홈의 단차가 존재하지 않는 내면 및 상기 홈의 바닥을 거쳐 상기 제2 단차부로 확장된 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 제2 금속층은 상기 제1 단차부에 구비되어 있되, 위로는 상기 홈 둘레의 기판 상으로 확장되어 있고, 아래로는 상기 제1 및 제2 단차부사이의 평평한 면 상으로 확장된 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 금속층에 제1 결합부재가 구비되어 있고, 상기 보호층에 상기 제1 결합부재와 결합되는 제2 결합부재가 구비된 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 결합부재는 각각 돌기와 상기 돌기가 삽입될 홈인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 유리기판 또는 플렉시블 기판인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 보호층은 상기 홀 전송층, 상기 제2 및 제3 격벽과 밀착된 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 전자 전송층은 상기 유기발광층의 일함수와 상기 제1 금속층의 일함수를 매칭시키는 일함수를 갖는 단층 또는 복층인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  12. 제 2 항에 있어서, 상기 기판은,
    상기 홈의 바닥으로 사용된 베이스 기판; 및
    상기 홈의 내면을 구성하는데 사용된 유리기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  13. 기판;
    상기 기판에 구비되어 음극층으로 사용되는 도핑영역;
    상기 도핑영역 상에 형성된 전자 전송층;
    상기 전자 전송층 둘레의 기판 상에 구비된 제1 금속층;
    상기 기판 상에 구비되어 양극층으로 사용되고 상기 제1 금속층과 갭을 갖는 제2 금속층;
    상기 갭을 채우고, 상기 갭에 인접한 상기 제2 금속층의 일부를 노출시키도 록 상기 제1 및 제2 금속층 상에 구비된 격벽;
    상기 전자 전송층 상에 구비된 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 상에 구비되어 상기 제2 금속층과 접촉된 홀 전송층;
    상기 홀 전송층을 덮고 상기 격벽과 접촉된 보호층; 및
    상기 보호층과 상기 기판 및 상기 제2 금속층사이를 밀봉하는 밀봉재를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 기판에 홈의 형성되어 있되, 상기 홈의 바닥과 상기 기판의 상부면사이의 상기 홈의 내면은 상기 기판에 평행하게 입사되는 광을 상기 기판에 수직한 방향으로 반사시킬 수 있도록 완만하게 경사져 있고,
    상기 제1 및 제2 금속층과 상기 전자 전송층과 상기 격벽은 상기 홈안에 구비되어 있고, 상기 도핑영역은 상기 홈의 바닥에 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 홈은 바닥을 중심으로 비대칭인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 홈에는 상기 홈의 바닥에 접하는 제2 단차부가 존재하고, 상기 제2 단차부로부터 이격된 위치에 제1 단차부가 존재하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 제1 금속층은 상기 홈의 단차가 존재하지 않는 내면과 상기 제2 단차부에 구비되어 있고, 상기 제2 금속층은 위로 상기 홈 바깥의 상기 기판 상으로 확장되어 있고, 아래로 상기 격벽에 닿아있는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  18. 제 14 항에 있어서, 상기 보호층의 상기 홈 바깥으로 확장된 부분과 상기 기판의 대응부분에 결합부재가 구비된 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  19. 제 13 항에 있어서, 상기 기판은 음의 전압이 인가되는 p형 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  20. 제 13 항에 있어서, 상기 보호층은 상기 홀 전송층, 상기 격벽과 밀착된 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  21. 기판에 홈을 형성하는 제1 단계;
    상기 기판 상에 상기 홈으로 확장되는 제1 및 제2 금속층을 형성하되, 상기 두 금속층사이에 갭을 형성하는 제2 단계;
    상기 홈의 바닥 상에 형성된 상기 제1 금속층의 소정 영역을 한정하고, 상기 갭에 인접한 상기 제2 금속층을 한정하며, 상기 갭을 채우는 격벽을 상기 제1 및 제2 금속층 상에 형성하는 제3 단계;
    상기 홈의 바닥 상에 형성된 상기 제1 금속층의 소정 영역 상에 전자 전송층을 형성하는 제4 단계;
    상기 전자 전송층 상에 유기 발광층을 형성하는 제5 단계;
    상기 유기 발광층 상에 상기 격벽사이로 노출된 상기 제2 금속층과 접촉되는 홀 전송층을 형성하는 제6 단계; 및
    상기 홈 안에 형성된 상기 모든 요소들을 덮는 보호층을 형성하고 밀봉하는 제7 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 제1 단계에서 상기 홈은 비대칭으로 형성하되, 상기 홈의 내면은 완만한 경사를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  23. 제 22 항에 있어서, 상기 제1 단계에서 상기 홈의 내면에 상기 홈의 바닥과 접하는 제2 단차부를 형성하고, 상기 제2 단차부와 이격된 곳에 제1 단차부를 형성하며, 상기 제1 및 제2 단차부사이를 평평하게 하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  24. 제 21 항에 있어서, 상기 제2 단계는,
    상기 기판의 상기 갭 위치에 마스크를 형성하는 단계;
    상기 마스크가 형성된 기판 상에 금속층을 형성하는 단계; 및
    상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  25. 제 21 항에 있어서, 상기 제3 단계는,
    상기 격벽이 형성될 위치를 한정하고 나머지 부분은 마스킹하는 마스크를 형성하는 단계;
    상기 마스크를 이용하여 상기 제1 및 제2 금속층이 형성된 기판 상에 상기 갭을 채우는 절연층을 형성하는 단계; 및
    상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  26. 제 21 항에 있어서, 상기 제2 단계에서 상기 홈 바깥의 상기 제1 금속층에 제1 결합부재를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  27. 제 26 항에 있어서, 상기 제7 단계에서 상기 보호층에 상기 제1 결합부재와 마주하도록 제2 결합부재를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  28. 제 27 항에 있어서, 상기 제1 결합부재는 돌기이고, 상기 제2 결합부재는 상 기 돌기가 삽입되는 홈인 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  29. 제 21 항에 있어서, 상기 제1 단계는,
    베이스 기판을 형성하는 단계;
    상기 베이스 기판 상에 유리 기판을 형성하는 단계; 및
    상기 유리 기판에 상기 베이스 기판이 노출되고, 상기 홈의 내면을 갖는 관통홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  30. 제 21 항에 있어서, 상기 전자 전송층은 단층 또는 복층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  31. 제 21 항에 있어서, 상기 보호층을 상기 홀 전송층, 상기 홀 전송층 위로 드러난 격벽 및 상기 홈 바깥의 제1 및 제2 금속층과 밀착되게 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  32. 기판에 음극층으로 사용되는 도핑영역을 형성하는 제1 단계;
    상기 도핑영역 둘레에 제1 금속층을 형성하고, 상기 제1 금속층과 갭을 두고 양극층으로 사용되는 제2 금속층을 형성하는 제2 단계;
    상기 갭을 채우고 상기 갭에 접한 상기 제2 금속층의 소정 영역을 노출시키는 격벽을 상기 제1 및 제2 금속층 상에 형성하는 제3 단계;
    상기 도핑영역 상에 전자 전송층을 형성하는 제4 단계;
    상기 전자 전송층 상에 상기 제1 금속층 상에 형성된 격벽과 접촉되는 유기 발광층을 형성하는 제5 단계;
    상기 유기 발광층 상에 상기 격벽 및 상기 제2 금속층과 접촉되는 홀 전송층을 형성하는 제6 단계; 및
    적어도 상기 홀 전송층 및 그 아래에 형성된 요소들을 보호하기 위한 보호층을 형성하고 밀봉하는 제7 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  33. 제 32 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 단계에서, 상기 기판에 완만하게 경사진 내면을 갖는 홈을 형성하고, 상기 홈의 바닥에 상기 도핑영역을 형성하고, 상기 홈의 내면에 상기 제1 및 제2 금속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  34. 제 33 항에 있어서, 상기 홈의 일부 내면에 상기 홈의 바닥과 접하는 제2 단차부를 형성하고, 상기 제2 단차부와 이격된 곳에 제1 단차부를 형성하며, 상기 제1 및 제2 단차부사이를 평평하게 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  35. 제 34 항에 있어서, 상기 제1 금속층의 일부는 상기 제2 단차부에 형성하고, 상기 제2 금속층은 상기 제1 단차부에 형성하되, 위로 상기 홈 바깥으로 확장되고, 아래로 상기 제1 및 제2 단차부사이의 평평한 부분으로 확장되게 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  36. 제 32 항에 있어서, 상기 제2 단계는,
    상기 도핑영역과 상기 갭이 형성될 위치에 마스크를 형성하는 단계;
    상기 마스크가 형성된 기판 상에 금속층을 형성하는 단계; 및
    상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  37. 제 32 항에 있어서, 상기 제3 단계는,
    상기 격벽이 형성될 위치를 한정하고 나머지 부분은 마스킹하는 마스크를 형성하는 단계;
    상기 마스크를 이용하여 상기 제1 및 제2 금속층이 형성된 기판 상에 상기 갭을 채우는 절연층을 형성하는 단계; 및
    상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  38. 제 32 항에 있어서, 상기 기판은 p형 실리콘 기판이고, 상기 도핑영역은 n형 불순물이 도핑된 영역인 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  39. 제 32 항에 있어서, 상기 제2 단계에서 상기 홈 바깥의 상기 제2 금속층에 제1 결합부재를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  40. 제 39 항에 있어서, 상기 제7 단계에서 상기 보호층에 상기 제1 결합부재와 마주하도록 제2 결합부재를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  41. 제 32 항에 있어서, 상기 전자 전송층은 단층 또는 복층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
  42. 제 32 항에 있어서, 상기 홀 전송층은 상기 격벽의 상단보다 낮게 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP1701395B1 (de) * 2005-03-11 2012-09-12 Novaled AG Transparentes lichtemittierendes Bauelement
TWI314366B (en) * 2006-04-28 2009-09-01 Delta Electronics Inc Light emitting apparatus
KR100913183B1 (ko) * 2007-12-26 2009-08-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5297072B2 (ja) * 2008-04-14 2013-09-25 ローム株式会社 有機発光装置及び有機発光装置の製造方法
DE102009046755A1 (de) * 2009-11-17 2011-05-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Organisches photoelektrisches Bauelement
US9299664B2 (en) * 2010-01-18 2016-03-29 Semiconductor Components Industries, Llc Method of forming an EM protected semiconductor die
FR2995657A1 (fr) * 2012-09-18 2014-03-21 Valeo Vision Source lumineuse avec diode oled pour dispositifs d'eclairage et/ou de signalisation, diode oled et procede corespondants
CN103500799B (zh) 2013-09-24 2015-10-14 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件的封装结构和封装方法
CN103490016B (zh) * 2013-09-24 2016-10-05 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件的封装结构
WO2017043057A1 (ja) * 2015-09-08 2017-03-16 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置
CN108539028B (zh) * 2017-03-01 2020-07-21 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管器件及其制备方法
CN107665949A (zh) * 2017-03-15 2018-02-06 广东聚华印刷显示技术有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN107808932B (zh) * 2017-10-31 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件及其制备方法、显示装置
KR102394408B1 (ko) * 2017-11-30 2022-05-03 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
CN108183178A (zh) * 2017-12-28 2018-06-19 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN111293148B (zh) * 2020-02-20 2022-08-19 绵阳京东方光电科技有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0521158A (ja) * 1991-07-05 1993-01-29 Fuji Xerox Co Ltd 発光素子装置
KR20020056686A (ko) * 2000-12-29 2002-07-10 현대엘씨디주식회사 아이피이 구조를 갖는 유기 이엘소자
JP2003133057A (ja) 2001-10-24 2003-05-09 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03190087A (ja) * 1989-12-20 1991-08-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ素子
JPH1079297A (ja) * 1996-07-09 1998-03-24 Sony Corp 電界発光素子
US6091195A (en) * 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US7338820B2 (en) * 2002-12-19 2008-03-04 3M Innovative Properties Company Laser patterning of encapsulated organic light emitting diodes

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0521158A (ja) * 1991-07-05 1993-01-29 Fuji Xerox Co Ltd 発光素子装置
KR20020056686A (ko) * 2000-12-29 2002-07-10 현대엘씨디주식회사 아이피이 구조를 갖는 유기 이엘소자
JP2003133057A (ja) 2001-10-24 2003-05-09 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器

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