JPH03190087A - 有機ｅｌ素子 - Google Patents
有機ｅｌ素子Info
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- JPH03190087A JPH03190087A JP1330295A JP33029589A JPH03190087A JP H03190087 A JPH03190087 A JP H03190087A JP 1330295 A JP1330295 A JP 1330295A JP 33029589 A JP33029589 A JP 33029589A JP H03190087 A JPH03190087 A JP H03190087A
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- organic
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- injection transport
- hole injection
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は有機ＥＬ（エレクトロ・ルミネッセンス）素子
に関する。
に関する。
（ロ）従来の技術
ＥＬ素子として無機ＥＬｇｆと有機ＥＬ素子とが知られ
ている。無機ＥＬ素子は衝突型ＥＬ、即ち加速電子と発
光中心との衝突による励起発光型であるのに対し、有機
ＥＬ素子は注入型、即ち電子とホールとの再結合による
発光型である。斯る両者の発光原理の相違により、無機
ＥＬＸ子の駆動電圧が１００〜２００Ｖであるのに対し
、有機ＥＬＸ子は、１０〜２０Ｖ程変の低駆動電圧を有
する点で優れている。又、有機ＥＬ素子にあっては、螢
光物質を選択することにより、三原色の発光素子を作製
することができ、フルカラー表示装置の実現が期待でき
る。
ている。無機ＥＬ素子は衝突型ＥＬ、即ち加速電子と発
光中心との衝突による励起発光型であるのに対し、有機
ＥＬ素子は注入型、即ち電子とホールとの再結合による
発光型である。斯る両者の発光原理の相違により、無機
ＥＬＸ子の駆動電圧が１００〜２００Ｖであるのに対し
、有機ＥＬＸ子は、１０〜２０Ｖ程変の低駆動電圧を有
する点で優れている。又、有機ＥＬ素子にあっては、螢
光物質を選択することにより、三原色の発光素子を作製
することができ、フルカラー表示装置の実現が期待でき
る。
しかし、有機ＥＬ素子は、この様な利点を有するが、い
まだ解決すべき種々の技術的課題を抱えているう 有機ＥＬ素子の典型的な構造としては、有機質ホール注
入輸送層と有機質電子注入輸送層との接合からなる２層
型や、斯る２層型における電子注入輸送層を更に、有機
螢光体層と電子輸送層とに分けた３層型のものが知られ
ている。そして、この様な有機ＥＬ素子において、ホー
ル注入輸送層は通常５００〜２０００λ程度であるが、
薄いほど、ＥＬ素子の駆動電圧が低くなることが報告さ
れている（信学技報Ｖｏ１．８８．Ｎｏ、２６７、Ｐ３
１（１９８８）参照）。
まだ解決すべき種々の技術的課題を抱えているう 有機ＥＬ素子の典型的な構造としては、有機質ホール注
入輸送層と有機質電子注入輸送層との接合からなる２層
型や、斯る２層型における電子注入輸送層を更に、有機
螢光体層と電子輸送層とに分けた３層型のものが知られ
ている。そして、この様な有機ＥＬ素子において、ホー
ル注入輸送層は通常５００〜２０００λ程度であるが、
薄いほど、ＥＬ素子の駆動電圧が低くなることが報告さ
れている（信学技報Ｖｏ１．８８．Ｎｏ、２６７、Ｐ３
１（１９８８）参照）。
有機質ホール注入輸送層は、低分子有機薄膜あるいは高
分子有機薄膜で形成され得る。しかし、低分子有機薄膜
は、その成膜時、多結晶状態など不均一な状態になり易
く、従って、低分子有機薄膜をホール注入輸送層に使用
し、その際駆動電圧低下の目的で膜厚を薄くしようとす
るとピンホール等の欠陥が発生し易く、ホール注入輸送
性能が低下する。一方、高分子有機薄膜の場合、従来、
その膜形成には、高分子溶液をスピンコードしたり、デ
イツプコートしたりするなど、いわゆるキャスト法が用
いられるが、斯る方法では１０００Å以下の厚さで均一
な膜を得るのは困難である。
分子有機薄膜で形成され得る。しかし、低分子有機薄膜
は、その成膜時、多結晶状態など不均一な状態になり易
く、従って、低分子有機薄膜をホール注入輸送層に使用
し、その際駆動電圧低下の目的で膜厚を薄くしようとす
るとピンホール等の欠陥が発生し易く、ホール注入輸送
性能が低下する。一方、高分子有機薄膜の場合、従来、
その膜形成には、高分子溶液をスピンコードしたり、デ
イツプコートしたりするなど、いわゆるキャスト法が用
いられるが、斯る方法では１０００Å以下の厚さで均一
な膜を得るのは困難である。
（ハ）発明が解決しようとする課題
本発明は、ホール注入輸送層に欠陥をもたらすことなく
、その層の均質な薄膜化を図れる構造の有機ＥＬ素子を
提供するものである。
、その層の均質な薄膜化を図れる構造の有機ＥＬ素子を
提供するものである。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明は、有機質ホール注入輸送層を高分子蒸着膜で形
成したことを特徴とする。
成したことを特徴とする。
（ホ）作 用
高分子蒸着膜からなるホール注入輸送層は、他の膜から
なるホール注入輸送層に比して、ピンホール等の欠陥の
発生を伴うことなく、かつより均一な膜厚にて、より薄
く形成され得る。
なるホール注入輸送層に比して、ピンホール等の欠陥の
発生を伴うことなく、かつより均一な膜厚にて、より薄
く形成され得る。
（へ）実施例
本発明実施例を示す第１図において、（１）はガラス基
板、（２）はインジウム・錫酸化物からなる陽極、（３
）は有機質ホール注入輸送層、（４）は有機質電子注入
輸送層、（５）はアルミニウムからなる陰極である。
板、（２）はインジウム・錫酸化物からなる陽極、（３
）は有機質ホール注入輸送層、（４）は有機質電子注入
輸送層、（５）はアルミニウムからなる陰極である。
有機質ホール注入輸送層（３）は、ポリ（Ｎ−ビニルカ
ルバゾール）からなる高分子蒸着膜からなり、その厚み
は、１００人である。斯る膜の形成は抵抗加熱による通
常の真空蒸着法で行われ、具体的には、ポリ（Ｎ−ビニ
ルカルバゾール）の結晶をタングステンボートに入れて
、圧力１０−’Ｔ。
ルバゾール）からなる高分子蒸着膜からなり、その厚み
は、１００人である。斯る膜の形成は抵抗加熱による通
常の真空蒸着法で行われ、具体的には、ポリ（Ｎ−ビニ
ルカルバゾール）の結晶をタングステンボートに入れて
、圧力１０−’Ｔ。
ｒｒの真空雰囲気下で加熱するものである。尚、このと
き、基板は加熱されない。
き、基板は加熱されない。
有機質電子注入輸送層（４）は、トリス（８−キノリツ
ール）アルミニウムからなる蒸着膜からなり、その厚み
は１０００人である。斯る膜の形成は、ホール注入輸送
層（３）の場合と同様に行われる。
ール）アルミニウムからなる蒸着膜からなり、その厚み
は１０００人である。斯る膜の形成は、ホール注入輸送
層（３）の場合と同様に行われる。
第２図に、ＥＬ素子の陽極と陰極との間に正ノ（イアス
を印加した場合の電圧−輝度特性を示し、図中実線は本
実施例のＥＬ素子の場合、破線は比較例のＥＬ素子の場
合を夫々示す。この比較例ＥＬ素子の構造は、ホール注
入輸送層として、低分子であるところの５−ビス（４゛
−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジア
ゾールの蒸着膜（膜厚１０００人）を用い、その他は本
実施例と同一のものである。同図から、本実施例ＥＬ素
子では、低駆動電圧化が実現されている。
を印加した場合の電圧−輝度特性を示し、図中実線は本
実施例のＥＬ素子の場合、破線は比較例のＥＬ素子の場
合を夫々示す。この比較例ＥＬ素子の構造は、ホール注
入輸送層として、低分子であるところの５−ビス（４゛
−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジア
ゾールの蒸着膜（膜厚１０００人）を用い、その他は本
実施例と同一のものである。同図から、本実施例ＥＬ素
子では、低駆動電圧化が実現されている。
又、顕微鏡下の観察において、本実施例ＥＬ素子におけ
る有機質ホール注入輸送層（３）では、その成膜後、膜
中に多結晶の発生が認められず、従って、１００人とい
う薄膜にも拘らず、ピンホール等の欠陥も認められず、
又膜質も均一である。
る有機質ホール注入輸送層（３）では、その成膜後、膜
中に多結晶の発生が認められず、従って、１００人とい
う薄膜にも拘らず、ピンホール等の欠陥も認められず、
又膜質も均一である。
本実施例では、ホール注入輸送層（３）の膜厚は１００
人であったが、５００Å以下で適宜設定されて良い、 又、本実施例のＥＬ素子は２層型であったが、３層型で
も本発明は同様に適用される。
人であったが、５００Å以下で適宜設定されて良い、 又、本実施例のＥＬ素子は２層型であったが、３層型で
も本発明は同様に適用される。
（ト）発明の効果
本発明によれば、ホール注入輸送層に欠陥をもたらすこ
となく、その層の均質な薄膜化を図れ、寿命及び性能に
おいて改善された有機ＥＬ素子を実現できる。
となく、その層の均質な薄膜化を図れ、寿命及び性能に
おいて改善された有機ＥＬ素子を実現できる。
第１図は本発明実施例の側面図、第２図は電圧−輝度特
性図である。 （３）・・・有機質ホール注入輸送層、（４）・・・有
機質電子注入輸送層。
性図である。 （３）・・・有機質ホール注入輸送層、（４）・・・有
機質電子注入輸送層。
Claims (1)
- （１） 有機質ホール注入輸送層を有する有機ＥＬ素子
において、前記輸送層は高分子蒸着膜からなることを特
徴とする有機ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1330295A JPH03190087A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 有機ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1330295A JPH03190087A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 有機ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03190087A true JPH03190087A (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=18231055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1330295A Pending JPH03190087A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 有機ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03190087A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005197254A (ja) * | 2003-12-27 | 2005-07-21 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250166A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Agency Of Ind Science & Technol | ポリ−ｐ−フエニレンビニレン薄膜の製造方法 |
| JPS63295695A (ja) * | 1987-02-11 | 1988-12-02 | イーストマン・コダック・カンパニー | 有機発光媒体をもつ電場発光デバイス |
| JPH01116063A (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 高分子膜の製法 |
| JPH01195270A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-07 | Fujikura Ltd | 高分子薄膜の製造方法 |
-
1989
- 1989-12-20 JP JP1330295A patent/JPH03190087A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250166A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Agency Of Ind Science & Technol | ポリ−ｐ−フエニレンビニレン薄膜の製造方法 |
| JPS63295695A (ja) * | 1987-02-11 | 1988-12-02 | イーストマン・コダック・カンパニー | 有機発光媒体をもつ電場発光デバイス |
| JPH01116063A (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 高分子膜の製法 |
| JPH01195270A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-07 | Fujikura Ltd | 高分子薄膜の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005197254A (ja) * | 2003-12-27 | 2005-07-21 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
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