JPH0696860A - 有機ｅｌ素子 - Google Patents
有機ｅｌ素子Info
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- JPH0696860A JPH0696860A JP4243790A JP24379092A JPH0696860A JP H0696860 A JPH0696860 A JP H0696860A JP 4243790 A JP4243790 A JP 4243790A JP 24379092 A JP24379092 A JP 24379092A JP H0696860 A JPH0696860 A JP H0696860A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 長期間安定な有機ＥＬ素子を提供する。
【構成】 有機薄膜の多層構造を有する有機ＥＬ素子に
おいて、熱量を吸収して素子を構成する有機化合物に変
化する成分を含有する有機薄膜を備え、上部電極作製時
および発光動作時に発生する熱量による劣化を防止して
素子寿命を向上する。
おいて、熱量を吸収して素子を構成する有機化合物に変
化する成分を含有する有機薄膜を備え、上部電極作製時
および発光動作時に発生する熱量による劣化を防止して
素子寿命を向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表示素子などに用いられ
る有機ＥＬ素子に関する。
る有機ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、有機物の多層蒸着膜を用いたエレ
クトロルミネセンス（ＥＬ）素子が注目されている（例
えば、特開昭６３−２６４６９２号、特開昭６３−２９
５６９５号、特開平１−２４３３９３号、特開平１−２
４５０８７号）。これらの素子では、印加電圧を低くす
るために膜厚が数十ｎｍの有機薄膜が要求される。しか
も、上部電極の蒸着プロセスに耐え、素子の動作安定性
を向上させるためにはアモルファス薄膜が用いられる。
クトロルミネセンス（ＥＬ）素子が注目されている（例
えば、特開昭６３−２６４６９２号、特開昭６３−２９
５６９５号、特開平１−２４３３９３号、特開平１−２
４５０８７号）。これらの素子では、印加電圧を低くす
るために膜厚が数十ｎｍの有機薄膜が要求される。しか
も、上部電極の蒸着プロセスに耐え、素子の動作安定性
を向上させるためにはアモルファス薄膜が用いられる。
【０００３】しかし、有機ＥＬ素子には従来低分子材料
が用いられており、低分子材料からなるアモルファス薄
膜は、アモルファスポリマーと比較すると不安定であ
る。このため、例えば素子形成直後には均一なアモルフ
ァス状態であったとしても、素子動作時に発生する熱に
よってしだいに結晶化して不均一になり、安定な発光が
得られなくなるという問題があった。
が用いられており、低分子材料からなるアモルファス薄
膜は、アモルファスポリマーと比較すると不安定であ
る。このため、例えば素子形成直後には均一なアモルフ
ァス状態であったとしても、素子動作時に発生する熱に
よってしだいに結晶化して不均一になり、安定な発光が
得られなくなるという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、長期
間安定な有機薄膜を構成要素とする有機ＥＬ素子を提供
することにある。
間安定な有機薄膜を構成要素とする有機ＥＬ素子を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段と作用】本発明の有機ＥＬ
素子は、熱量を吸収して素子を構成する有機化合物に変
化する成分を含有する有機薄膜を備えたことを特徴とす
るものである。
素子は、熱量を吸収して素子を構成する有機化合物に変
化する成分を含有する有機薄膜を備えたことを特徴とす
るものである。
【０００６】本発明の有機ＥＬ素子は、熱量を吸収して
素子を構成する有機化合物に変化する成分を含有してい
る。ここで、素子を構成する有機化合物とは、発光分
子、正孔輸送分子、電子輸送分子などのように素子機能
を発現する有機化合物であるか、またはドーパントのよ
うに素子特性に悪影響を及ぼさないか、もしくは素子特
性を向上させるような有機化合物である。したがって、
本発明の有機ＥＬ素子は、上部電極作製時および発光動
作時に熱が加えられても劣化することがなく、素子寿命
を長くすることができる。
素子を構成する有機化合物に変化する成分を含有してい
る。ここで、素子を構成する有機化合物とは、発光分
子、正孔輸送分子、電子輸送分子などのように素子機能
を発現する有機化合物であるか、またはドーパントのよ
うに素子特性に悪影響を及ぼさないか、もしくは素子特
性を向上させるような有機化合物である。したがって、
本発明の有機ＥＬ素子は、上部電極作製時および発光動
作時に熱が加えられても劣化することがなく、素子寿命
を長くすることができる。
【０００７】本発明において、熱量を吸収して素子を構
成する有機化合物に変化する成分としては、（１）熱に
より脱離反応や縮合反応を起こし、他の有機化合物に変
化する成分、（２）熱により新たな結合を生じ、他の有
機化合物に変化する成分、の２つに大別できる。前者の
成分および反応の例を下記［化１］および［化２］に示
す。
成する有機化合物に変化する成分としては、（１）熱に
より脱離反応や縮合反応を起こし、他の有機化合物に変
化する成分、（２）熱により新たな結合を生じ、他の有
機化合物に変化する成分、の２つに大別できる。前者の
成分および反応の例を下記［化１］および［化２］に示
す。
【０００８】
【化１】
【０００９】
【化２】 後者の成分および反応の例を下記［化３］に示す。
【００１０】
【化３】 次に、本発明の有機ＥＬ素子の構造および動作原理を簡
単に説明する。
単に説明する。
【００１１】本発明の有機ＥＬ素子は通常、発光分子を
含有する発光層と正孔輸送分子を含有する正孔輸送層も
しくは電子輸送分子を含有する電子輸送層の２層構造ま
たは正孔輸送層と電子輸送層との間に発光層を有する３
層構造あるいはそれ以上の多層構造からなる有機薄膜の
積層構造を、少なくとも片方は透明電極である２つの電
極で挟んだ構造を有する。いずれの場合も電子および正
孔が発光層に注入され、再結合し発光する。正孔輸送層
および電子輸送層は注入確率を増大させる働きを有す
る。
含有する発光層と正孔輸送分子を含有する正孔輸送層も
しくは電子輸送分子を含有する電子輸送層の２層構造ま
たは正孔輸送層と電子輸送層との間に発光層を有する３
層構造あるいはそれ以上の多層構造からなる有機薄膜の
積層構造を、少なくとも片方は透明電極である２つの電
極で挟んだ構造を有する。いずれの場合も電子および正
孔が発光層に注入され、再結合し発光する。正孔輸送層
および電子輸送層は注入確率を増大させる働きを有す
る。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 実施例１
【００１３】ＩＴＯ膜／ガラス基板上に、構造式（１）
で示されるトリフェニルアミン誘導体（正孔輸送分子）
を１０-6トールの真空下、抵抗加熱により蒸着し、厚さ
５０ｎｍの有機薄膜を形成した。膜厚は水晶振動子を用
いて制御した。得られた膜は均一で透明であった。その
上に、構造式（２）で示されるオキサジアゾール誘導体
（発光分子兼電子輸送分子）と構造式（３）で示される
ヒドラジド誘導体とを、重量比３：１となるように共蒸
着し、厚さ５０ｎｍの有機薄膜を形成した。構造式
（３）のヒドラジド誘導体は、熱を吸収することによ
り、構造式（２）のオキサジアゾール誘導体に変化す
る。さらにその上に、マグネシウムおよび銀を順次蒸着
して上部電極を形成した。
で示されるトリフェニルアミン誘導体（正孔輸送分子）
を１０-6トールの真空下、抵抗加熱により蒸着し、厚さ
５０ｎｍの有機薄膜を形成した。膜厚は水晶振動子を用
いて制御した。得られた膜は均一で透明であった。その
上に、構造式（２）で示されるオキサジアゾール誘導体
（発光分子兼電子輸送分子）と構造式（３）で示される
ヒドラジド誘導体とを、重量比３：１となるように共蒸
着し、厚さ５０ｎｍの有機薄膜を形成した。構造式
（３）のヒドラジド誘導体は、熱を吸収することによ
り、構造式（２）のオキサジアゾール誘導体に変化す
る。さらにその上に、マグネシウムおよび銀を順次蒸着
して上部電極を形成した。
【００１４】
【化４】
【００１５】
【化５】
【００１６】
【化６】
【００１７】この有機ＥＬ素子を、真空下において駆動
させたところ、２００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度が得られ
た。同じ条件で連続的に駆動させたところ、輝度が半減
するのに１０００時間以上かかった。 実施例２
させたところ、２００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度が得られ
た。同じ条件で連続的に駆動させたところ、輝度が半減
するのに１０００時間以上かかった。 実施例２
【００１８】構造式（２）で示されるオキサジアゾール
誘導体（発光分子兼電子輸送分子）と構造式（３）で示
されるヒドラジド誘導体の代わりに、構造式（４）で示
されるオキサジアゾール誘導体（発光分子兼電子輸送分
子）と構造式（５）で示されるヒドラジド誘導体とを用
いたことを除いては、実施例１と同様にして有機ＥＬ素
子を作製した。構造式（５）のヒドラジド誘導体は、熱
を吸収することにより、構造式（４）のオキサジアゾー
ル誘導体に変化する。
誘導体（発光分子兼電子輸送分子）と構造式（３）で示
されるヒドラジド誘導体の代わりに、構造式（４）で示
されるオキサジアゾール誘導体（発光分子兼電子輸送分
子）と構造式（５）で示されるヒドラジド誘導体とを用
いたことを除いては、実施例１と同様にして有機ＥＬ素
子を作製した。構造式（５）のヒドラジド誘導体は、熱
を吸収することにより、構造式（４）のオキサジアゾー
ル誘導体に変化する。
【００１９】
【化７】
【００２０】
【化８】
【００２１】この有機ＥＬ素子を、真空下において、２
００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度が得られる条件で連続的に駆
動させたところ、輝度が半減するのに１０００時間以上
かかった。 実施例３
００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度が得られる条件で連続的に駆
動させたところ、輝度が半減するのに１０００時間以上
かかった。 実施例３
【００２２】構造式（２）で示されるオキサジアゾール
誘導体（発光分子兼電子輸送分子）と構造式（３）で示
されるヒドラジド誘導体の代わりに、構造式（６）で示
されるベンズオキサゾール誘導体（発光分子兼電子輸送
分子）と構造式（７）で示されるフェノール誘導体とを
用いたことを除いては、実施例１と同様にして有機ＥＬ
素子を作製した。構造式（７）のフェノール誘導体は、
熱を吸収することにより、構造式（６）のベンズオキサ
ゾール誘導体に変化する。
誘導体（発光分子兼電子輸送分子）と構造式（３）で示
されるヒドラジド誘導体の代わりに、構造式（６）で示
されるベンズオキサゾール誘導体（発光分子兼電子輸送
分子）と構造式（７）で示されるフェノール誘導体とを
用いたことを除いては、実施例１と同様にして有機ＥＬ
素子を作製した。構造式（７）のフェノール誘導体は、
熱を吸収することにより、構造式（６）のベンズオキサ
ゾール誘導体に変化する。
【００２３】
【化９】
【００２４】
【化１０】
【００２５】この有機ＥＬ素子を、真空下において、２
００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度が得られる条件で連続的に駆
動させたところ、輝度が半減するのに１０００時間以上
かかった。 比較例
００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度が得られる条件で連続的に駆
動させたところ、輝度が半減するのに１０００時間以上
かかった。 比較例
【００２６】構造式（６）で示されるベンズオキサゾー
ル誘導体（発光分子兼電子輸送分子）と構造式（７）で
示されるフェノール誘導体の代わりに、構造式（６）で
示されるベンズオキサゾール誘導体のみを用いたことを
除いては、実施例３と同様にして有機ＥＬ素子を作製し
た。この有機ＥＬ素子を、真空下において、２００ｃｄ
／ｍ2 の初期輝度が得られる条件で連続的に駆動させた
ところ、５００時間で輝度が半減した。 実施例４
ル誘導体（発光分子兼電子輸送分子）と構造式（７）で
示されるフェノール誘導体の代わりに、構造式（６）で
示されるベンズオキサゾール誘導体のみを用いたことを
除いては、実施例３と同様にして有機ＥＬ素子を作製し
た。この有機ＥＬ素子を、真空下において、２００ｃｄ
／ｍ2 の初期輝度が得られる条件で連続的に駆動させた
ところ、５００時間で輝度が半減した。 実施例４
【００２７】ＩＴＯ膜／ガラス基板上に、構造式（１）
で示されるトリフェニルアミン誘導体（正孔輸送分子）
を１０-6トールの真空下、抵抗加熱により蒸着し、厚さ
５０ｎｍの有機薄膜を形成した。その上に、構造式
（２）で示されるオキサジアゾール誘導体（発光分子兼
電子輸送分子）と構造式（３）で示されるヒドラジド誘
導体とを、重量比３：１となるように共蒸着し、厚さ３
０ｎｍの有機薄膜を形成した。構造式（３）のヒドラジ
ド誘導体は、熱を吸収することにより、構造式（２）の
オキサジアゾール誘導体に変化する。さらにその上に、
構造式（８）で示されるナフチルイミド誘導体（電子輸
送分子）と構造式（９）で示されるアミド酸誘導体と
を、重量比３：１になるように共蒸着し、厚さ３０ｎｍ
の有機薄膜を形成した。構造式（９）のアミド酸誘導体
は、熱を吸収することにより、構造式（８）のナフチル
イミド誘導体に変化する。最後に、マグネシウムおよび
銀を順次蒸着して上部電極を形成した。
で示されるトリフェニルアミン誘導体（正孔輸送分子）
を１０-6トールの真空下、抵抗加熱により蒸着し、厚さ
５０ｎｍの有機薄膜を形成した。その上に、構造式
（２）で示されるオキサジアゾール誘導体（発光分子兼
電子輸送分子）と構造式（３）で示されるヒドラジド誘
導体とを、重量比３：１となるように共蒸着し、厚さ３
０ｎｍの有機薄膜を形成した。構造式（３）のヒドラジ
ド誘導体は、熱を吸収することにより、構造式（２）の
オキサジアゾール誘導体に変化する。さらにその上に、
構造式（８）で示されるナフチルイミド誘導体（電子輸
送分子）と構造式（９）で示されるアミド酸誘導体と
を、重量比３：１になるように共蒸着し、厚さ３０ｎｍ
の有機薄膜を形成した。構造式（９）のアミド酸誘導体
は、熱を吸収することにより、構造式（８）のナフチル
イミド誘導体に変化する。最後に、マグネシウムおよび
銀を順次蒸着して上部電極を形成した。
【００２８】
【化１１】
【００２９】
【化１２】
【００３０】この有機ＥＬ素子を、真空下において、２
００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度が得られる条件で連続的に駆
動させたところ、輝度が半減するのに１２００時間以上
かかった。 実施例５
００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度が得られる条件で連続的に駆
動させたところ、輝度が半減するのに１２００時間以上
かかった。 実施例５
【００３１】ＩＴＯ膜／ガラス基板上に、構造式（１）
で示されるトリフェニルアミン誘導体（正孔輸送分子）
を１０-6トールの真空下、抵抗加熱により蒸着し、厚さ
５０ｎｍの有機薄膜を形成した。その上に、構造式（１
０）で示される末端にエポキシド基を有するオキサジア
ゾール誘導体（電子輸送分子）と構造式（１１）で示さ
れる末端にフェノール性水酸基を有するオキサジアゾー
ル誘導体とを、重量比１：１となるように別々の蒸着源
から蒸着し、厚さ５０ｎｍの有機薄膜を形成した。構造
式（１０）のオキサジアゾール誘導体の末端のエポキシ
ド基と構造式（１１）のオキサジアゾール誘導体の末端
のフェノール性水酸基とは、熱を吸収することにより結
合を形成する。さらに、マグネシウムおよび銀を順次蒸
着して上部電極を形成した。
で示されるトリフェニルアミン誘導体（正孔輸送分子）
を１０-6トールの真空下、抵抗加熱により蒸着し、厚さ
５０ｎｍの有機薄膜を形成した。その上に、構造式（１
０）で示される末端にエポキシド基を有するオキサジア
ゾール誘導体（電子輸送分子）と構造式（１１）で示さ
れる末端にフェノール性水酸基を有するオキサジアゾー
ル誘導体とを、重量比１：１となるように別々の蒸着源
から蒸着し、厚さ５０ｎｍの有機薄膜を形成した。構造
式（１０）のオキサジアゾール誘導体の末端のエポキシ
ド基と構造式（１１）のオキサジアゾール誘導体の末端
のフェノール性水酸基とは、熱を吸収することにより結
合を形成する。さらに、マグネシウムおよび銀を順次蒸
着して上部電極を形成した。
【００３２】
【化１３】
【００３３】
【化１４】
【００３４】この有機ＥＬ素子を、真空下において、２
００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度が得られる条件で連続的に駆
動させたところ、輝度が半減するのに１３００時間以上
かかった。 実施例６
００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度が得られる条件で連続的に駆
動させたところ、輝度が半減するのに１３００時間以上
かかった。 実施例６
【００３５】ＩＴＯ膜／ガラス基板上に、構造式（１）
で示されるトリフェニルアミン誘導体（正孔輸送分子）
を１０-6トールの真空下、抵抗加熱により蒸着し、厚さ
５０ｎｍの薄膜を形成した。その上に、構造式（１２）
で示されるジアセチレン結合を有するオキサジアゾール
誘導体（発光分子兼電子輸送分子）を蒸着し、厚さ５０
ｎｍの薄膜を形成した。構造式（１２）のオキサジアゾ
ール誘導体は、熱を吸収することにより、分子間のジア
セチレン結合で重合が起こり、新たな結合が形成され
る。さらに、マグネシウムおよび銀を順次蒸着して上部
電極を形成した。
で示されるトリフェニルアミン誘導体（正孔輸送分子）
を１０-6トールの真空下、抵抗加熱により蒸着し、厚さ
５０ｎｍの薄膜を形成した。その上に、構造式（１２）
で示されるジアセチレン結合を有するオキサジアゾール
誘導体（発光分子兼電子輸送分子）を蒸着し、厚さ５０
ｎｍの薄膜を形成した。構造式（１２）のオキサジアゾ
ール誘導体は、熱を吸収することにより、分子間のジア
セチレン結合で重合が起こり、新たな結合が形成され
る。さらに、マグネシウムおよび銀を順次蒸着して上部
電極を形成した。
【００３６】
【化１５】
【００３７】この有機ＥＬ素子を、真空下において、２
００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度が得られる条件で連続的に駆
動させたところ、輝度が半減するのに１２００時間以上
かかった。 実施例７
００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度が得られる条件で連続的に駆
動させたところ、輝度が半減するのに１２００時間以上
かかった。 実施例７
【００３８】ＩＴＯ膜／ガラス基板上に、構造式（１）
で示されるトリフェニルアミン誘導体（正孔輸送分子）
を１０-6トールの真空下、抵抗加熱により蒸着し、厚さ
５０ｎｍの有機薄膜を形成した。その上に、構造式（１
３）で示される末端にビニル基を有するオキサジアゾー
ル誘導体（発光分子兼電子輸送分子）を蒸着し、厚さ５
０ｎｍの有機薄膜を形成した。構造式（１３）のオキサ
ジアゾール誘導体は熱を吸収することにより、分子間の
ビニル基で重合が起こり、新たな結合が形成される。さ
らに、マグネシウムおよび銀を順次蒸着して上部電極を
形成した。
で示されるトリフェニルアミン誘導体（正孔輸送分子）
を１０-6トールの真空下、抵抗加熱により蒸着し、厚さ
５０ｎｍの有機薄膜を形成した。その上に、構造式（１
３）で示される末端にビニル基を有するオキサジアゾー
ル誘導体（発光分子兼電子輸送分子）を蒸着し、厚さ５
０ｎｍの有機薄膜を形成した。構造式（１３）のオキサ
ジアゾール誘導体は熱を吸収することにより、分子間の
ビニル基で重合が起こり、新たな結合が形成される。さ
らに、マグネシウムおよび銀を順次蒸着して上部電極を
形成した。
【００３９】
【化１６】
【００４０】この有機ＥＬ素子を、真空下において、２
００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度が得られる条件で連続的に駆
動させたところ、輝度が半減するのに１２００時間以上
かかった。 実施例８
００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度が得られる条件で連続的に駆
動させたところ、輝度が半減するのに１２００時間以上
かかった。 実施例８
【００４１】ＩＴＯ膜／ガラス基板上に、構造式（１）
で示されるトリフェニルアミン誘導体（正孔輸送分子）
を１０-6トールの真空下、抵抗加熱により蒸着し、厚さ
５０ｎｍの有機薄膜を形成した。その上に、構造式（１
４）で示される末端がヒドロキシエステルとなっている
オキサジアゾール誘導体（発光分子兼電子輸送分子）を
蒸着し、厚さ５０ｎｍの有機薄膜を形成した。構造式
（１４）のオキサジアゾール誘導体は、熱を吸収するこ
とにより、分子間の反応によりジオールが脱離して、新
たな結合が形成される。さらに、マグネシウムおよび銀
を順次蒸着して上部電極を形成した。
で示されるトリフェニルアミン誘導体（正孔輸送分子）
を１０-6トールの真空下、抵抗加熱により蒸着し、厚さ
５０ｎｍの有機薄膜を形成した。その上に、構造式（１
４）で示される末端がヒドロキシエステルとなっている
オキサジアゾール誘導体（発光分子兼電子輸送分子）を
蒸着し、厚さ５０ｎｍの有機薄膜を形成した。構造式
（１４）のオキサジアゾール誘導体は、熱を吸収するこ
とにより、分子間の反応によりジオールが脱離して、新
たな結合が形成される。さらに、マグネシウムおよび銀
を順次蒸着して上部電極を形成した。
【００４２】
【化１７】
【００４３】この有機ＥＬ素子を、真空下において、２
００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度が得られる条件で連続的に駆
動させたところ、輝度が半減するのに１１００時間以上
かかった。 実施例９
００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度が得られる条件で連続的に駆
動させたところ、輝度が半減するのに１１００時間以上
かかった。 実施例９
【００４４】ＩＴＯ膜／ガラス基板上に、構造式（１）
で示されるトリフェニルアミン誘導体（正孔輸送分子）
を１０-6トールの真空下、抵抗加熱により蒸着し、厚さ
５０ｎｍの有機薄膜を形成した。その上に、構造式
（３）で示されるヒドラジド誘導体を蒸着し、厚さ５０
ｎｍの有機薄膜を形成した。さらにその上に、アルミニ
ウムを蒸着して上部電極を形成した、このとき構造式
（３）のヒドラジド誘導体は、蒸着プロセスでの熱を吸
収することにより、一部が構造式（２）のオキサジアゾ
ール誘導体（発光分子兼電子輸送分子）に変化する。こ
の有機ＥＬ素子を、真空下において、２００ｃｄ／ｍ2
の初期輝度が得られる条件で連続的に駆動させたとこ
ろ、輝度が半減するのに１０００時間以上かかった。 実施例１０
で示されるトリフェニルアミン誘導体（正孔輸送分子）
を１０-6トールの真空下、抵抗加熱により蒸着し、厚さ
５０ｎｍの有機薄膜を形成した。その上に、構造式
（３）で示されるヒドラジド誘導体を蒸着し、厚さ５０
ｎｍの有機薄膜を形成した。さらにその上に、アルミニ
ウムを蒸着して上部電極を形成した、このとき構造式
（３）のヒドラジド誘導体は、蒸着プロセスでの熱を吸
収することにより、一部が構造式（２）のオキサジアゾ
ール誘導体（発光分子兼電子輸送分子）に変化する。こ
の有機ＥＬ素子を、真空下において、２００ｃｄ／ｍ2
の初期輝度が得られる条件で連続的に駆動させたとこ
ろ、輝度が半減するのに１０００時間以上かかった。 実施例１０
【００４５】構造式（３）で示されるヒドラジド誘導体
の代わりに、構造式（５）で示されるヒドラジド誘導体
を用いたことを除いては、実施例９と同様にして有機Ｅ
Ｌ素子を作製した。構造式（５）のヒドラジド誘導体
は、上部電極作製時に蒸着プロセスでの熱を吸収するこ
とにより、一部が構造式（４）のオキサジアゾール誘導
体（発光分子兼電子輸送分子）に変化する。この有機Ｅ
Ｌ素子を、真空下において、２００ｃｄ／ｍ2 の初期輝
度が得られる条件で連続的に駆動させたところ、輝度が
半減するのに１０００時間以上かかった。 実施例１１
の代わりに、構造式（５）で示されるヒドラジド誘導体
を用いたことを除いては、実施例９と同様にして有機Ｅ
Ｌ素子を作製した。構造式（５）のヒドラジド誘導体
は、上部電極作製時に蒸着プロセスでの熱を吸収するこ
とにより、一部が構造式（４）のオキサジアゾール誘導
体（発光分子兼電子輸送分子）に変化する。この有機Ｅ
Ｌ素子を、真空下において、２００ｃｄ／ｍ2 の初期輝
度が得られる条件で連続的に駆動させたところ、輝度が
半減するのに１０００時間以上かかった。 実施例１１
【００４６】構造式（３）で示されるヒドラジド誘導体
の代わりに、構造式（７）で示されるフェノール誘導体
を用いたことを除いては、実施例９と同様にして有機Ｅ
Ｌ素子を作製した。構造式（７）のフェノール誘導体
は、上部電極作製時に蒸着プロセスでの熱を吸収するこ
とにより、一部が構造式（６）のベンズオキサゾール誘
導体（発光分子兼電子輸送分子）に変化する。この有機
ＥＬ素子を、真空下において、２００ｃｄ／ｍ2 の初期
輝度が得られる条件で連続的に駆動させたところ、輝度
が半減するのに１０００時間以上かかった。
の代わりに、構造式（７）で示されるフェノール誘導体
を用いたことを除いては、実施例９と同様にして有機Ｅ
Ｌ素子を作製した。構造式（７）のフェノール誘導体
は、上部電極作製時に蒸着プロセスでの熱を吸収するこ
とにより、一部が構造式（６）のベンズオキサゾール誘
導体（発光分子兼電子輸送分子）に変化する。この有機
ＥＬ素子を、真空下において、２００ｃｄ／ｍ2 の初期
輝度が得られる条件で連続的に駆動させたところ、輝度
が半減するのに１０００時間以上かかった。
【００４７】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、長
期間安定な有機ＥＬ素子を提供できる。
期間安定な有機ＥＬ素子を提供できる。
Claims (1)
- 【請求項１】 熱量を吸収して素子を構成する有機化合
物に変化する成分を含有する有機薄膜を備えたことを特
徴とする有機ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4243790A JPH0696860A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 有機ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4243790A JPH0696860A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 有機ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0696860A true JPH0696860A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17108999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4243790A Pending JPH0696860A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 有機ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0696860A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7192657B2 (en) | 2003-04-15 | 2007-03-20 | 3M Innovative Properties Company | Ethynyl containing electron transport dyes and compositions |
| US7282275B2 (en) | 2002-04-19 | 2007-10-16 | 3M Innovative Properties Company | Materials for organic electronic devices |
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-
1992
- 1992-09-11 JP JP4243790A patent/JPH0696860A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN109390485A (zh) * | 2017-08-09 | 2019-02-26 | 三星显示有限公司 | 有机发光装置以及包括其的电子设备 |
| US11641754B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-05-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device and electronic apparatus including the same |
| CN109390485B (zh) * | 2017-08-09 | 2023-06-09 | 三星显示有限公司 | 有机发光装置以及包括其的电子设备 |
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