KR100462926B1 - 스핀터널 자기저항효과막과 소자 및 이를 사용한 자기저항센서 및 자기 장치와 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (29)
- 각각이 연속적으로 적층되어 있는, 적어도 하부 전극층/반강자성 박막/제 1 자성 박막/터널 배리어층/제 2 자성 박막/상부 전극층의 구조를 구비하며,상기 반강자성 박막에 따른 상기 제 1 자성 박막의 교환 결합 자계는 Hr 이고, 상기 제 2 자성 박막의 보자력은 Hc2 이며, 상기 Hr 과 Hc2 는 관계식 Hc2<Hr 을 만족하고,상기 하부 전극층과 상기 반강자성 박막 사이에 배치되고 Ta, Zr, Hf, 또는 그 합금으로 이루어진 하지층을 더 구비하며,상기 하지층 상의 상기 반강자성 박막의 표면의 평균 요철이 0.1 내지 5 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 자성 박막의 표면의 평균 요철은 0.1 내지 5 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 각각이 연속적으로 적층되어 있는, 적어도 하부 전극층/반강자성 박막/제 3 자성 박막/비자성 박막/제 4 자성 박막/제 1 자성 박막/터널 배리어층/제 2 자성 박막/상부 전극층의 구조를 구비하며,상기 제 3 자성 박막과 상기 제 4 자성 박막은 상기 비자성 박막을 통하여 반강자성적으로 결합되어 있고,상기 반강자성 박막에 따른 상기 제 1 자성 박막의 교환 결합 자계는 Hr 이고, 상기 제 2 자성 박막의 보자력은 Hc2 이며, 상기 Hr 과 Hc2 는 관계식 Hc2<Hr 을 만족하고,상기 하부 전극층 및 상기 반강자성 박막 사이에 배치되고 Ta, Zr, Hf, 또는 그 합금으로 이루어진 하지층을 더 구비하며,상기 하지층 상의 상기 반강자성 박막의 표면의 평균 요철이 0.1 내지 5 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 자성 박막의 표면의 평균요철은 0.1 내지 5 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 각각이 연속적으로 적층되어 있는, 적어도 하부 전극층/제 2 자성 박막/터널 배리어층/제 1 자성 박막/반강자성 박막/상부 전극층의 구조를 구비하며,상기 반강자성 박막에 따른 상기 제 1 자성 박막의 교환 결합 자계는 Hr 이고, 상기 제 2 자성 박막의 보자력은 Hc2 이며, 상기 Hr 과 상기 Hc2 는 관계식 Hc2<Hr 을 만족하고,상기 하부 전극층과 상기 제 2 자성 박막 사이에 배치되고 Ta, Zr, Hf, 또는 그 합금으로 이루어진 하지층을 더 구비하며,상기 하지층 상의 상기 제 2 자성 박막의 표면의 평균요철이 0.1 내지 5 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 각각이 연속적으로 적층되어 있는, 적어도 하부 전극층/제 2 자성 박막/터널 배리어층/제 1 자성 박막/제 4 자성 박막/비자성 박막/제 3 자성 박막/반강자성 박막/상부 전극층의 구조를 구비하며,상기 제 3 자성 박막과 상기 제 4 자성 박막은 상기 비자성 박막을 통하여 반강자성적으로 결합되어 있고,상기 반강자성 박막에 따른 상기 제 1 자성 박막의 교환 결합 자계는 Hr 이고, 상기 제 2 자성 박막의 보자력은 Hc2 이며, 상기 Hr 및 Hc2 는 관계식 Hc2<Hr 을 만족하고,상기 하부 전극층과 상기 제 2 자성 박막 사이에 배치되고 Ta, Zr, Hf, 또는 그 합금으로 이루어진 하지층을 더 구비하며,상기 하지층 상의 상기 제 2 자성 박막의 표면의 평균요철이 0.1 내지 5 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 1 항에 있어서,상기 반강자성 박막은 PtMn, PtMn-X (여기서, X 는 Ru, It, Cr, Fe, Co, Ni, Pd, 또는 Rh), PdMn, 및 NiMn 으로 구성된 그룹으로부터 선택된 부재, 또는 그 2 개의 부재의 합금으로 제조되는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 1 항에 있어서,상기 하지층의 막 두께는 10 내지 100 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 1 항에 있어서,상기 터널 배리어층은 Al 산화막, Al 질화막, Ta 산화막, 및 Mg 산화막으로 구성된 그룹으로부터 선택된 층, 또는 상기 선택된 막의 2 개 이상의 층을 구비하는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 1 항에 있어서,상기 터널 배리어층의 두께는 3 내지 12 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 자성 박막 또는 상기 제 2 자성 박막은 주 성분으로 Ni, Fe, Co, FeCo, NiFe, 또는 NiFeCo 를 가지는 자성막이고,상기 자성 박막의 막 두께는 3 내지 100 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 1 항에 있어서,차폐 효과를 갖는 비결정성 자성 재료 및 비자성 재료의 적층막이 상기 하부 전극층으로서 사용되는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 12 항에 있어서,상기 비결정성 자성 재료는 주 성분으로 CoZr 을 가지는 합금인 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 3 항에 있어서,상기 반강자성적으로 결합된 상기 제 3 자성 박막과 상기 제 4 자성 박막 사이에 개재되는 상기 비자성 박막은 Ru, Cr, Rh, 및 Ir 로 구성된 그룹으로부터 선택되거나, 또는 상기 그룹으로부터 선택된 2 개 이상의 부재를 구비하고,상기 제 3 자성 박막 또는 상기 제 4 자성 박막은 Co, FeCo, NiFe, 및 NiFeCo 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 14 항에 있어서,상기 비자성 박막의 막 두께는 4 내지 10 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 터널 배리어층과 상기 제 1 자성 박막 또는 상기 제 2 자성 박막 사이의 계면에 삽입된 1 내지 20 Å 의 범위 내의 두께를 갖는 Co, Fe, FeCo, 또는 NiFeCo 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 1 항에 기재된 스핀터널 자기저항효과막을 제조하는 방법에 있어서,표면의 평균요철을 제어하는 수단이 산소, 질소, 수소 또는 그 혼합 가스를 10-6Torr 내지 10-9Torr 범위의 압력에서 막 성장 챔버 내로 도입하는 것에 의하여 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 기재된 스핀터널 자기저항효과막을 제조하는 방법에 있어서,표면의 평균요철을 제어하는 수단이 산소, 질소, 수소 또는 그 혼합 가스를 가지는 가스를 10-7Torr 내지 10-8Torr 의 범위의 압력에서 막 성장 챔버 내로 도입하는 것에 의하여 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 기재된 스핀터널 자기저항효과막을 제조하는 방법에 있어서,표면의 평균요철을 제어하는 수단이 Ta, Zr, Hf, 또는 그 합금으로 제조된 하지층의 표면의 산화를 초래하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 기재된 스핀터널 자기저항효과막의 제조 방법에 있어서,표면의 평균요철을 제어하는 수단이 막 성장 동안에 기판을 0 ℃ 이하의 온도로 냉각하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 9 항에 기재된 스핀터널 자기저항효과막을 제조하는 방법에 있어서,상기 터널배리어층은 산소, 질소, 또는 산소기 또는 질소기를 포함하는 가스를 10-7Torr 내지 10-10Torr 의 진공 내로 도입하고, 산화 또는 질화를 수행함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 21 항에 있어서,상기 터널 배리어층 산화 또는 질화는 실온 내지 250 ℃ 의 범위의 기판 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 스핀터널 자기저항효과 소자에 있어서,제 1 항에 기재된 자기저항효과막이 0.1 내지 1.0 ㎛ 의 범위 내의 소자 높이, 0.1 내지 1.0 ㎛ 의 범위 내의 소자 너비, 40 내지 100 Ω 내의 소자 저항을 갖는 소자로 제조되는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과 소자.
- 제 23 항에 있어서,상기 제 2 자성 박막에서 단일 자구를 초래하기에 충분한 바이어스 자계를 생성하는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과 소자.
- 제 24 항에 있어서,상기 바이어스를 생성하는 수단은 상기 제 2 자성 박막과 인접하여 결합하여 배치된 반강자성 박막 또는 영구 자석 막인 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과 소자.
- 제 23 항에 기재된 스핀터널 자기저항효과 소자의 상하에서 상기 스핀터널 자기저항효과 소자를 샌드위치하는 차폐 효과를 가지는 연자성 재료를 구비하는 것을 특징으로 하는 차폐형 스핀터널 자기저항 센서.
- 신호 필드가 차폐 효과를 갖는 연자성 재료에 의하여 제 23 항에 기재된 스핀터널 자기저항효과 소자로 안내되는 것을 특징으로 하는 요크형 스핀터널 자기저항 센서.
- 제 23 항에 기재된 스핀터널 자기저항효과 소자, 및 탐지된 자계의 함수로 상기 스핀터널 자기저항효과 소자의 저항 변화율을 탐지하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기저항 탐지 시스템.
- 정보가 기록되는 자기 기록 매체, 상기 자기 기록 매체 상에 기록된 정보를 재생하는 제 26 항에 기재된 자기저항 센서, 및 상기 자기 기록 매체 상의 선택된 위치로 상기 자기저항 센서의 이동을 제어하기 위한 액츄에이터를 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 장치.
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