CN110095141A - 基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器及其制法和应用 - Google Patents

基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器及其制法和应用 Download PDF

Info

Publication number
CN110095141A
CN110095141A CN201810095538.3A CN201810095538A CN110095141A CN 110095141 A CN110095141 A CN 110095141A CN 201810095538 A CN201810095538 A CN 201810095538A CN 110095141 A CN110095141 A CN 110095141A
Authority
CN
China
Prior art keywords
point contact
signal
contact electrode
magnetic tunnel
tunnel junction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810095538.3A
Other languages
English (en)
Inventor
张昌新
方彬
蔡佳林
曾中明
张宝顺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS
University of Chinese Academy of Sciences
Original Assignee
Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS
University of Chinese Academy of Sciences
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS, University of Chinese Academy of Sciences filed Critical Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS
Priority to CN201810095538.3A priority Critical patent/CN110095141A/zh
Publication of CN110095141A publication Critical patent/CN110095141A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/48—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using wave or particle radiation means

Abstract

本发明公开了一种基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器及其制法和应用。所述微波探测器包括信号发生模块、信号接收模块、信号检测模块和信号显示模块，所述信号发生模块、信号接收模块分别包括至少一第一点接触电极、至少一第二点接触电极，所述第一、第二点接触电极设置在一磁性隧道结上，所述磁性隧道结包括固定磁性层、非磁性隔离层和磁性自由层，所述非磁性隔离层设置于固定磁性层之与磁性自由层之间，所述第一点接触电极及第二点接触电极彼此电性隔离但均与磁性自由层或者固定磁性层电性接触。本发明提供的基于点接触磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器，具有良好的高频特性、宽频可调、低噪音、可以对微弱信号进行高灵敏度检测。

Description

基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器及其制法和应用
技术领域
本发明特别涉及一种基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器及其制法和应用，属于微波功率发射与探测技术领域。
背景技术
雷达式微波探测器是一种将微波发射设置、接收设置合置在一起的探测器。使用点接触结构的磁性隧道结作微波固态振荡源，通过与波导的组合，形成一个小型的发射微波信号的发射源。再利用接收模块的自旋整流效应将接收到的微波信号转化为直流信号，从而实现对信号发生模块的信号检测。在测速、航空航天以及科学研究等方面具有广泛应用。目前主要采用肖特基二极管或PN结二极管作为微波收、发的元件。然而，在航天航空探测、实验精密测量等领域，需要对十分微弱的微波信号进行检测。因而对微波探测器的灵敏度提出了更高的要求。且近年来，随着移动通信和卫星通信的迅速发展，对微波器件小型化、集成化的要求越来越迫切。同时，移动通讯也向高频化和宽频化发展。因此寻找具有良好的高频特性、宽频可调、低噪音以及易小型化和集成化的新型材料和器件是目前微波器件研究开发的重要目标。探测灵敏度较低、对低功率信号检测表现不好，尺寸较大，频段较小。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器及其制法和应用，以克服现有技术的不足。
为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：
本发明实施例提供了一种基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器，包括信号发生模块、信号接收模块、信号检测模块和信号显示模块，所述信号发生模块、信号接收模块分别包括至少一第一点接触电极、至少一第二点接触电极，所述第一点接触电极、第二点接触电极设置在一磁性隧道结上，所述磁性隧道结包括固定磁性层、非磁性隔离层和磁性自由层，所述非磁性隔离层设置于固定磁性层之与磁性自由层之间，所述第一点接触电极及第二点接触电极彼此电性隔离但均与磁性自由层或者固定磁性层电性接触。
本发明还提供了所述基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器的制作方法，包括：
提供磁性隧道结，其包括固定磁性层、非磁性隔离层和磁性自由层，所述非磁性隔离层设置于固定磁性层之与磁性自由层之间；
在所述磁性隧道结上设置至少一第一点接触电极和至少一第二点接触电极，且使所述第一点接触电极及第二点接触电极彼此电性隔离但均与磁性自由层或者固定磁性层电性接触，从而分别形成信号发生模块、信号接收模块；
将所述信号发生模块、信号接收模块与信号检测模块、信号显示模块电连接，形成所述雷达式自旋微波探测器。
本发明实施例还提供了一种微波探测方法，包括：
提供所述的基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器，
至少向所述第一点接触电极施加直流偏置电流，使信号发生模块产生微波信号；
以信号接收模块直接接收所述微波信号或者由所述微波信号经外界反射后形成的信号，并形成整流信号；
以信号检测模块处理所述整流信号，并向信号显示模块输出处理结果，实现微波探测。
与现有技术相比，本发明的优点包括：本发明提供的基于点接触磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器，结构简单，使用方便，并且具有良好的高频特性、宽频可调、低噪音、可以对微弱信号进行高灵敏度检测以及易小型化和集成化。
附图说明
图1是本发明一典型实施案例中一种基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器的结构示意图；
图2是本发明一典型实施案例中于磁性隧道结薄膜的平面图案上形成两个点接触圆孔的器件结构示意图；
图3是本发明一典型实施案例中图2从AA处的剖面图；
图4是本发明一典型实施案例中于两个点接触电极图案上形成GSG金属顶电极图案的器件结构示意图；
图5是本发明一典型实施案例中将GSG金属顶电极的图案转移到器件多层薄膜上的器件结构示意图；
图6是本发明一典型实施案例中雷达式自旋微波探测器在应用于微波探测时的性能测试数据；
图7是本发明一典型实施案例中另一基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器的结构示意图；
图8是本发明一典型实施案例中于磁性隧道结薄膜的平面图案上形成四个点接触圆孔的器件结构示意图；
图9是本发明一典型实施案例中于四个点接触电极图案上形成GSG金属顶电极图案的器件结构示意图；
图10是本发明一典型实施案例中将GSG金属顶电极的图案转移到器件多层薄膜上的器件结构示意图。
具体实施方式
鉴于现有技术中的不足，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本发明的技术方案。如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。
本发明实施例提供了一种基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器，包括信号发生模块、信号接收模块、信号检测模块和信号显示模块，所述信号发生模块、信号接收模块分别包括至少一第一点接触电极、至少一第二点接触电极，所述第一点接触电极、第二点接触电极设置在一磁性隧道结上，所述磁性隧道结包括固定磁性层、非磁性隔离层和磁性自由层，所述非磁性隔离层设置于固定磁性层之与磁性自由层之间，所述第一点接触电极及第二点接触电极彼此电性隔离但均与磁性自由层或者固定磁性层电性接触。
进一步的，当所述第一点接触电极上被施加设定的直流偏置电流时，所述信号发生模块产生微波信号。
更进一步的，所述的基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器还包括偏置模块，所述偏置模块至少用于向所述第一点接触电极施加直流偏置电流。
更进一步的，所述偏置模块还与所述信号检测模块、信号显示模块、第二点接触电极电连接。
进一步的，所述磁性自由层上还设置有绝缘材料层，所述第一点接触电极和第二点接触电极被所述绝缘材料层彼此电性隔离。
优选的，相邻第一点接触电极、第二点接触电极之间的最小距离为50nm-1.5μm。
优选的，所述第一点接触电极、第二点接触电极的直径为40-500nm。
进一步的，所述固定磁性层接地。
本发明还提供了所述基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器的制作方法，包括：
提供磁性隧道结，其包括固定磁性层、非磁性隔离层和磁性自由层，所述非磁性隔离层设置于固定磁性层之与磁性自由层之间；
在所述磁性隧道结上设置至少一第一点接触电极和至少一第二点接触电极，且使所述第一点接触电极及第二点接触电极彼此电性隔离但均与磁性自由层或者固定磁性层电性接触，从而分别形成信号发生模块、信号接收模块；
将所述信号发生模块、信号接收模块与信号检测模块、信号显示模块电连接，形成所述雷达式自旋微波探测器。
在一些较为具体的实施方案中，所述的制作方法包括：
采用半导体加工工艺在磁性多层膜(磁性多层膜包括依次设置的固定磁性层、非磁性隔离
层和磁性自由层)上制作形成尺寸为3～10μm的磁性隧道结；
采用半导体加工工艺在所述磁性隧道结上沉积形成绝缘材料层；
采用半导体加工工艺在所述磁性隧道结上制作出分别对应于至少一第一点接触电极、至少一第二点接触电极的至少两个点接触图形，所述点接触图形的直径为40nm～500nm；
在所述的至少两个点接触图形中分别制作出至少一第一点接触电极、至少一第二点接触电极。
本发明实施例还提供了一种微波探测方法，包括：
提供所述的基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器，
至少向所述第一点接触电极施加直流偏置电流，使信号发生模块产生微波信号；
以信号接收模块直接接收所述微波信号或者由所述微波信号经外界反射后形成的信号，并形成整流信号；
以信号检测模块处理所述整流信号，并向信号显示模块输出处理结果，实现微波探测。
以下结合若干实施例对本发明的技术方案作更为详细的解释说明。
请参阅图1所示，在本发明的一个实施例中，一种雷达式自旋微波探测器包括信号发生模块，信号接收模块，信号检测模块和信号显示模块，其中信号发生模块与信号接收模块主要是基于一磁性隧道结形成的。所述磁性隧道结是磁性薄膜堆积材料，其包括：固定磁性层FM2(其磁化方向相对固定，故又可简称“固定层”)，形成于所述固定磁性层之上的非磁性隔离层NM(简称“非磁性层”或“隔离层”)，以及，形成于所述非磁性隔离层之上的磁性自由层FM1(其磁化方向可以在小的外磁场下发生变化，简称“自由层”)。
进一步的，所述磁性隧道结上形成两个点接触电极(亦可认为是点接触结构)，该两个点接触电极均与磁性自由层电性接触。其中，一个点接触电极(可命名为第一点接触电极)对应于信号发生模块，另一个点接触电极(可命名为第二点接触电极)对应于信号接收模块。
该两个点接触电极是彼此电性隔离的，且间距(边到边的距离)很小，介于50nm～1.5μm之间。其中各接触电极的直径介于40nm～500nm之间。
在本实施例中，一种制备前述雷达式自旋微波探测器的方法可以包括如下步骤：
(1)采用已知方式制备形成包含前述固定磁性层FM2、非磁性隔离层NM和磁性自由层FM1的磁性隧道结薄膜，再至少通过光刻等半导体加工工艺，在上述磁性隧道结薄膜上制备出3～10μm大小的mesa(平面)图案；
(2)通过离子束刻蚀等半导体加工工艺，将上述mesa的图案转移到磁性隧道结薄膜上(即形成所述磁性隧道结)；
(3)通过感应耦合等离子体化学气相淀积等半导体加工工艺，至少在上述mesa图案上以及周围侧面沉积厚度为80nm左右的氧化硅(SiOx)；
(4)通过电子束光刻等半导体加工工艺，在上述mesa上制作出两个直径为40nm～500nm的圆形图案，此时所形成的器件结构如图2所示；
(5)通过反应离子束刻蚀等半导体加工工艺，将上述制作出的直径为40nm～500nm的圆形图案转移到上述氧化硅薄膜上；
(6)通过电子束光刻等半导体加工工艺，对上述两个点接触圆孔制备出分离的金属顶电极(即，前述的两个点接触电极)的图案，此时所形成的器件结构如图3所示)，其中d即点接触电极的直径，r是两者的间距；
(7)通过电子束蒸发等半导体加工工艺，在上述点接触分离的金属顶电极的图案上沉积80～120nm左右的Ti/Au金属薄膜；
(8)通过湿法剥离等半导体加工工艺，将上述两个点接触分离的金属顶电极的图案转移到器件多层薄膜上；
(9)可以通过紫外光刻等半导体加工工艺，在上述两个点接触分离的金属顶电极的图案上制备出GSG电极图案(如图4所示)。
(10)通过电子束蒸发等半导体加工工艺制备，在上述GSG金属顶电极的图案上沉积80～120nm左右的Ti/Au金属薄膜。
(11)通过湿法剥离等半导体加工工艺制备，将上述GSG金属顶电极的图案转移到器件多层薄膜上(如图5所示)。
(12)将所形成的信号发生模块，信号接收模块与信号检测模块、信号显示模块等组装形成前述雷达式自旋微波探测器。
本发明实施例的雷达式自旋微波探测器的工作原理如下：
以偏置器等对信号发生模块即微波产生元件的点接触电极通入一定大小的直流电流，因STT效应，在微波信号发射的磁性自由层(自由层)会激发单一频率的高频微波信号。
以及，利用信号接收模块即微波探测器件的自旋整流效应(Spin RectificationEffect)对信号产生模块产生的微波信号进行检测，得到整流信号。其中，信号接收模块可以直接接收到信号发生模块产生的微波信号，也可以接收到经过外界反射回来的微波信号。
继而，利用信号检测模块处理所述整流信号，并向信号显示模块输出处理结果，即可实现微波探测。
需要说明的是，前述信号发生模块与信号接收模块的角色可以互换，即给信号接收模块施加直流偏置则信号接收模块就变成信号发生模块，此时，原信号发生模块就变成信号接收模块。
本实施例的雷达式自旋微波探测器在应用于微波探测时的性能测试数据可以参阅图6。可以看到，该雷达式自旋微波探测器具有良好的高频特性、宽频可调、低噪音，可以对微弱信号进行高灵敏度检测。并且，显而易见的是，该雷达式自旋微波探测器是易小型化和集成化的。
作为本发明的另一典型实施方案，在制备信号发生模块与信号接收模块时，也可将两个点接触结构改做成多个点接触结构的磁性隧道结薄膜，然后再利用多个点接触磁性隧道结结构自由层之间的磁偶极子相互耦合作用、自旋波作用以及锁相放大作用，有望提高信号发生模块产生的微波信号强度以及提高信号采集模块的整流作用。具体实施方案如下。
请参阅图7，一种雷达式自旋微波探测器包括信号发生模块，信号接收模块，信号检测模块和信号显示模块，其中信号发生模块与信号接收模块主要是基于一磁性隧道结形成的。所述磁性隧道结是磁性薄膜堆积材料，其包括：固定磁性层FM2(其磁化方向相对固定，故又可简称“固定层”)，形成于所述固定磁性层之上的非磁性隔离层NM(简称“非磁性层”或“隔离层”)，以及，形成于所述非磁性隔离层之上的磁性自由层FM1(其磁化方向可以在小的外磁场下发生变化，简称“自由层”)。
进一步的，所述磁性隧道结上形成四个点接触电极(亦可认为是点接触结构)，该四个点接触电极均与磁性自由层电性接触。其中，一组点接触电极(包括两个点接触电极，可命名为第一点接触电极)对应于信号发生模块，另一组点接触电极(包括两个点接触电极(，可命名为第二点接触电极)对应于信号接收模块。
该两组点接触电极是彼此电性隔离的，且间距(边到边的距离)很小，介于50nm～1.5μm之间。其中各接触电极的直径介于40nm～500nm之间。
在本实施例中，一种制备前述雷达式自旋微波探测器的方法可以包括如下步骤：
(1)采用已知方式制备形成包含前述固定磁性层FM2、非磁性隔离层NM和磁性自由层FM1的磁性隧道结薄膜，再至少通过光刻等半导体加工工艺，在上述磁性隧道结薄膜上制备出3～10μm大小的mesa(平面)图案；
(2)通过离子束刻蚀等半导体加工工艺，将上述mesa的图案转移到磁性隧道结薄膜上，即形成所述磁性隧道结；
(3)通过感应耦合等离子体化学气相淀积等半导体加工工艺，在上述mesa图案上及周围侧面沉积厚度为80nm左右的氧化硅(SiOx)；
(4)通过电子束光刻等半导体加工工艺，在上述mesa上制作出四个(本实施例中以四个为例，也可以为多个)直径为40nm～500nm的圆形图案，此时所形成的器件结构如图8所示；
(5)通过反应离子束刻蚀等半导体加工工艺，将上述制作出的直径为40nm～500nm的圆形图案转移到上述氧化硅薄膜上；
(6)通过电子束光刻等半导体加工工艺，对上述两个点接触圆孔制备出分离的金属顶电极(即，前述的两个点接触电极)的图案，此时所形成的器件结构如图3所示)，其中d即点接触电极的直径，r是两者的间距；
(7)通过电子束蒸发等半导体加工工艺，在上述点接触分离的金属顶电极的图案上沉积80～120nm左右的Ti/Au金属薄膜；
(8)通过湿法剥离等半导体加工工艺，将上述四个点接触分离的金属顶电极的图案转移到器件多层薄膜上；
(9)可以通过紫外光刻等半导体加工工艺，在上述四个点接触分离的金属顶电极的图案上制备出GSG电极图案(如图9所示)。
(10)通过电子束蒸发等半导体加工工艺制备，在上述GSG金属顶电极的图案上沉积80～120nm左右的Ti/Au金属薄膜。
(11)通过湿法剥离等半导体加工工艺制备，将上述GSG金属顶电极的图案转移到器件多层薄膜上(如图10所示)。
(12)将所形成的信号发生模块，信号接收模块与信号检测模块、信号显示模块等组装形成前述雷达式自旋微波探测器。
本实施例的雷达式自旋微波探测器的工作原理如下：
以偏置器等对信号发生模块即微波产生元件的点接触电极通入一定大小的直流电流，因STT效应，在微波信号发射的磁性自由层(自由层)会激发单一频率的高频微波信号。
以及，利用信号接收模块即微波探测器件的自旋整流效应(Spin RectificationEffect)对信号产生模块产生的微波信号进行检测，得到整流信号。其中，信号接收模块可以直接接收到信号发生模块产生的微波信号，也可以接收到经过外界反射回来的微波信号。
继而，利用信号检测模块处理所述整流信号，并向信号显示模块输出处理结果，即可实现微波探测。
需要说明的是，前述信号发生模块与信号接收模块的角色可以互换，即给信号接收模块施加直流偏置则信号接收模块就变成信号发生模块，此时，原信号发生模块就变成信号接收模块。
本实施例的雷达式自旋微波探测器在应用于微波探测时的性能测试数据可以参阅图6。可以看到，该雷达式自旋微波探测器具有良好的高频特性、宽频可调、低噪音，可以对微弱信号进行高灵敏度检测。并且，显而易见的是，该雷达式自旋微波探测器是易小型化和集成化的。
本发明提供的基于点接触磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器，结构简单，使用方便，并且具有良好的高频特性、宽频可调、低噪音、可以对微弱信号进行高灵敏度检测以及易小型化和集成化。
应当理解，上述实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器，包括信号发生模块、信号接收模块、信号检测模块和信号显示模块，其特征在于：所述信号发生模块、信号接收模块分别包括至少一第一点接触电极、至少一第二点接触电极，所述第一点接触电极、第二点接触电极设置在一磁性隧道结上，所述磁性隧道结包括固定磁性层、非磁性隔离层和磁性自由层，所述非磁性隔离层设置于固定磁性层之与磁性自由层之间，所述第一点接触电极及第二点接触电极彼此电性隔离但均与磁性自由层或者固定磁性层电性接触。
2.根据权利要求1所述的基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器，其特征在于：当所述第一点接触电极上被施加设定的直流偏置电流时，所述信号发生模块产生微波信号。
3.根据权利要求2所述的基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器，其特征在于还包括偏置模块，所述偏置模块至少用于向所述第一点接触电极施加直流偏置电流。
4.根据权利要求1所述的基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器，其特征在于：所述磁性自由层上还设置有绝缘材料层，所述第一点接触电极和第二点接触电极被所述绝缘材料层彼此电性隔离。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器，其特征在于：相邻第一点接触电极、第二点接触电极之间的最小距离为50nm-1.5μm。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器，其特征在于：所述第一点接触电极、第二点接触电极的直径为40-500nm。
7.如权利要求1-6中任一项所述基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器的制作方法，其特征在于包括：
提供磁性隧道结，其包括固定磁性层、非磁性隔离层和磁性自由层，所述非磁性隔离层设置于固定磁性层之与磁性自由层之间；
在所述磁性隧道结上设置至少一第一点接触电极和至少一第二点接触电极，且使所述第一点接触电极及第二点接触电极彼此电性隔离但均与磁性自由层或者固定磁性层电性接触，从而分别形成信号发生模块、信号接收模块；
将所述信号发生模块、信号接收模块与信号检测模块、信号显示模块电连接，形成所述雷达式自旋微波探测器。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于包括：
提供尺寸为3～10μm的磁性隧道结；
采用半导体加工工艺在所述磁性隧道结上沉积形成绝缘材料层；
采用半导体加工工艺在磁性隧道结上制作出分别对应于至少一第一点接触电极、至少一第二点接触电极的至少两个点接触图形；
在所述的至少两个点接触图形中分别制作出至少一第一点接触电极、至少一第二点接触电极。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于：所述磁性隧道结的尺寸为3～10μm；和/或，所述点接触图形的直径为40nm～500nm。
10.一种微波探测方法，其特征在于包括：
提供如权利要求1-6中任一项所述的基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器，
至少向所述第一点接触电极施加直流偏置电流，使信号发生模块产生微波信号；
以信号接收模块直接接收所述微波信号或者由所述微波信号经外界反射后形成的信号，并形成整流信号；
以信号检测模块处理所述整流信号，并向信号显示模块输出处理结果，实现微波探测。
CN201810095538.3A 2018-01-31 2018-01-31 基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器及其制法和应用 Pending CN110095141A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810095538.3A CN110095141A (zh) 2018-01-31 2018-01-31 基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器及其制法和应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810095538.3A CN110095141A (zh) 2018-01-31 2018-01-31 基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器及其制法和应用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110095141A true CN110095141A (zh) 2019-08-06

Family

ID=67442366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810095538.3A Pending CN110095141A (zh) 2018-01-31 2018-01-31 基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器及其制法和应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110095141A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113281574A (zh) * 2020-02-19 2021-08-20 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 微波探测装置
CN113496273A (zh) * 2020-04-03 2021-10-12 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 磁性隧道结以及神经元非线性响应器件
CN113496273B (zh) * 2020-04-03 2024-05-14 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 磁性隧道结以及神经元非线性响应器件

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1551112A (zh) * 2003-02-24 2004-12-01 ƽ 具有偏置层受控磁致伸缩的反向平行搭接自旋阀
US20050019610A1 (en) * 2000-12-28 2005-01-27 Junichi Fujikata Spin tunnel magnetoresistive effect film and element, magnetoresistive sensor using same, magnetic apparatus, and method for manufacturing same
CN101673867A (zh) * 2008-09-08 2010-03-17 中国科学院物理研究所 一种磁性单层膜微波振荡器及制作方法和控制方法与用途
CN102637939A (zh) * 2012-04-28 2012-08-15 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种基于垂直磁化自由层的自旋微波振荡器及其制造方法
CN103268916A (zh) * 2013-04-25 2013-08-28 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种磁性隧道结的制备方法
CN103605088A (zh) * 2013-08-26 2014-02-26 电子科技大学 一种90度自偏置自旋阀传感单元
CN105223414A (zh) * 2014-06-18 2016-01-06 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种高灵敏度的新型微波探测器
CN107085201A (zh) * 2017-05-16 2017-08-22 上海大学 收发一体多普勒雷达前端模块

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050019610A1 (en) * 2000-12-28 2005-01-27 Junichi Fujikata Spin tunnel magnetoresistive effect film and element, magnetoresistive sensor using same, magnetic apparatus, and method for manufacturing same
CN1551112A (zh) * 2003-02-24 2004-12-01 ƽ 具有偏置层受控磁致伸缩的反向平行搭接自旋阀
CN101673867A (zh) * 2008-09-08 2010-03-17 中国科学院物理研究所 一种磁性单层膜微波振荡器及制作方法和控制方法与用途
CN102637939A (zh) * 2012-04-28 2012-08-15 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种基于垂直磁化自由层的自旋微波振荡器及其制造方法
CN103268916A (zh) * 2013-04-25 2013-08-28 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种磁性隧道结的制备方法
CN103605088A (zh) * 2013-08-26 2014-02-26 电子科技大学 一种90度自偏置自旋阀传感单元
CN105223414A (zh) * 2014-06-18 2016-01-06 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种高灵敏度的新型微波探测器
CN107085201A (zh) * 2017-05-16 2017-08-22 上海大学 收发一体多普勒雷达前端模块

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
方彬 等: "自旋纳米振荡器", 《科学通报》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113281574A (zh) * 2020-02-19 2021-08-20 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 微波探测装置
CN113496273A (zh) * 2020-04-03 2021-10-12 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 磁性隧道结以及神经元非线性响应器件
CN113496273B (zh) * 2020-04-03 2024-05-14 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 磁性隧道结以及神经元非线性响应器件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Li et al. 340-GHz low-cost and high-gain on-chip higher order mode dielectric resonator antenna for THz applications
US7535627B2 (en) Optical antenna array for harmonic generation, mixing and signal amplification
US8232516B2 (en) Avalanche impact ionization amplification devices
US10121926B2 (en) Graphene-based detector for W-band and terahertz radiations
Deng et al. 340-GHz SIW cavity-backed magnetic rectangular slot loop antennas and arrays in silicon technology
Shi et al. Circularly polarized rectangularly bent slot antennas backed by a rectangular cavity
CN107394001B (zh) 一种基于石墨烯的微型超宽带光探测器及其制作方法
US10355368B2 (en) Energy harvesting device composed of electrically small particles
US20100097730A1 (en) Spin high-frequency mixer and method of manufacture thereof
CN105549227A (zh) 一种基于GaN半导体材料异质结场效应晶体管结构的太赫兹波空间外部调制器
WO2010006440A1 (en) Terahertz photoconductive antennas having transparent conductor electrodes and methods of making same
CN110095141A (zh) 基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器及其制法和应用
WO2018120458A1 (zh) 一种基于电子自旋属性的新型射频微波能量采集装置
CN113419200B (zh) 探测Bi2Te3表面态六角翘曲的电流诱导自旋极化的方法
CN106602213A (zh) 频率可重构耦合馈电环形天线
CN109087968A (zh) 基于二维硒纳米片的固体光探测器及其制备方法
US9356170B2 (en) THz distributed detectors and arrays
CN110504297A (zh) 基于二维电子气调控背栅的二维材料晶体管、制法和应用
CN112216762A (zh) 基于超表面光学天线的太赫兹信号探测器及其制备方法
CN112255726A (zh) 一种对特定方向激光光束敏感的微纳结构
Zeng et al. High‐Speed Modulations of Guided Terahertz Waves via 2DEG Tiny Metasurfaces
CN112216763A (zh) 基于超表面光学天线的太赫兹射频信号探测器及制备方法
CN113363344A (zh) 一种室温双通道可调控的太赫兹探测器以及制备方法
CN109855728A (zh) 全周期检波器
CN213659006U (zh) 一种对特定方向激光光束敏感的微纳结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190806

RJ01 Rejection of invention patent application after publication