KR100461331B1 - 반도체소자의도전배선형성방법 - Google Patents

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최양규
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 도전배선 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 소자분리 절연막, 불순물 접합층, 게이트 산화막, 게이트 전극, 게이트 스페이서를 공지의 기술로 형성하고 전체표면 상부를 평탄화시키는 절연막과 소정두께의 제1도전층을 순차적으로 형성한 다음, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 제1도전층을 식각하고 상기 제1도전층 상부에 선택적 성장 텅스텐막을 소정두께 형성한 다음, 상기 선택적 성장 텅스텐막을 마스크로하여 상기 불순물 접합층이 노출되는 콘택홀을 형성하고 상기 콘택홀을 매립하는 제2도전층을 소정두께 형성한 다음, 도전배선마스크를 이용한 식각공정으로 상기 제2도전층, 선택적 성장 텅스텐막 및 제1도전층을 순차적으로 식각하는 공정으로 오버랩과 공정마진을 갖는 도전배선을 형성하고 별도의 반사방지막을 형성하지 않아 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

반도체 소자의 도전배선 형성방법
본 발명은 반도체소자의 도전배선 형성방법에 관한 것으로, 특히 고집적화된 반도체소자의 콘택홀 및 도전배선 형성 시 공정마진을 확보하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고, 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술에 관한 것이다.
종래기술은 반도체 소자의 초고집적화가 이루어지면서 셀 면적의 감소는 그 내부에 들어갈 여러 도전층들 사이의 오버랩 ( overlap ) 및 공정 마진 ( process margin ) 의 감소를 초래한다.
제 1A 도에 도시된 바와 같이 콘택홀이 형성될 수 있는 최소 디자인 룰 ( design rule ) 로 콘택홀을 설계하고 설계에 따라 소정의 공정으로 콘택홀을 형성하는 경우, 콘택홀과 활성층 사이의 오버랩 ‘A' 가 현저히 줄어 접합 누설 전류가 증가하거나 접합층이 파괴될 수 있는 단점이 있다.
또한, 상기 콘택홀과 게이트 전극 사이의 공정마진 ‘B' 가 줄어들어 게이트 전극과의 전기적 단락이나 GIDL ( gate induced drain leakage ) 등에 의한 누설 전류 증가를 가져올 수 있는 단점이 있다.
상기한 단점들로 인하여, 반도체소자의 특성 및 신뢰성이 저하되고 반도체 소자의 고집적화가 어려운 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여, 실리콘성분 박막 위에 선택적으로 텅스텐막을 증착시켜 증착 두께만큼 콘택홀과 인접 도전층 사이의 오버랩이나 공정마진을 확보함으로써 안정된 콘택과 도전배선을 형성하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고, 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 반도체소자의 도전배선 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이상의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체소자의 도전배선 형성방법은,
반도체기판 상부에 층간절연막과 소정 두께의 제1도전층을 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용한 사진식각공정으로 상기 제1도전층을 식각하여 상기 층간절연막을 노출시키는 제1도전층패턴을 형성하는 공정과,
상기 제1도전층패턴의 상부 및 측벽에 선택적으로 금속층을 성장시키는 공정과,
상기 금속층을 식각마스크로 상기 층간절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는공정과,
상기 콘택홀을 매립하는 제2도전층을 전체표면상부에 형성하는 공정과,
도전배선으로 예정되는 부분을 보호하는 도전배선 마스크를 식각마스크로 상기 제2도전층, 금속층 및 제1도전층패턴을 식각하여 도전배선을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이상의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 원리는,
층간절연막이 형성된 반도체기판 상에 제1도전층을 형성하고, 콘택마스크를 이용한 사진식각공정으로 상기 제1도전층을 식각하여 상기 층간절연막을 노출시키는 제1도전층패턴을 형성한 다음, 상기 제1도전층패턴 상부 및 측벽에만 선택적으로 텅스텐막을 성장시켜 증착두께만큼 콘택홀과 인접 도전층 사이의 오버랩이나 공정마진을 확보하고, 후속공정으로 상기 콘택홀을 매립하는 제2도전층을 전체표면상부에 형성하고 후속공정으로 패터닝하여 도전배선을 형성함으로써
상기 선택적 성장 텅스텐막을 도전층 중간에 형성하여 별도의 반사방지막 ( ARC : Anti Reflecting Coating ) 막 없이 사진 공정의 마진을 증가시키고, 나칭(notching)도 예방하고, 도전배선 형성공정 후 실시되는 열공정으로 도전층과 상기 선택적 성장 텅스텐막의 계면이 실리사이드화되어 도전층의 저항을 낮추고 그에 따른 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키는 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
제1A도 내지 제1E도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 도전배선 형성방법을 도시한 단면도이다.
제1A도를 참조하면, 공지의 기술로 반도체기판(1) 위에 소자분리 산화막(2), 불순물 접합층(3), 게이트 산화막(4), 게이트전극(5), 게이트 스페이서(6)를 형성하여 트랜지스터를 형성한다.
다음, 전체표면 상부에 층간절연막(7)을 형성하여 평탄화시킨다.
그 다음, 상기 층간절연막(7) 상부에 제1다결정실리콘층(도시안됨)을 소정 두께 형성한다. 이때, 상기 제1다결정실리콘층은 불순물이 도핑된 다결정실리콘층이다.
다음, 콘택마스크(도시안됨)를 이용한 사진식각공정으로 상기 제1다결정실리콘층을 식각하여 제1다결정실리콘층패턴(8)을 형성한다.
제1B도를 참조하면, 상기 제1다결정실리콘층패턴(8) 상부에 선택적으로 텅스텐층(9)을 소정 두께 형성한다. 이때, 상기 텅스텐층(9)의 두께가 후속공정으로 형성될 콘택홀과 인접되는 도전층과의 오버랩이나 공정마진을 확보해 준다. 이때, 상기 텅스텐층(9) 대신 다결정실리콘층을 선택적으로 형성할 수도 있다.
제1C도를 참조하면, 상기 텅스텐층(9)을 식각마스크로 상기 층간절연막(7)을 식각하여 상기 불순물 접합층(3)을 노출시키는 콘택홀(12)을 형성한다. 여기서, “C”는 본 발명에서 콘택홀과 활성영역의 오버랩을 도시하고 “D”는 본 발명에서 콘택홀과 게이트전극의 공정마진을 도시한다.
제1D도를 참조하면, 전체표면 상부에 제2다결정실리콘층(10)을 소정 두께 증착하여 상기 콘택홀(12)을 매립한다.
제1E도를 참조하면, 도전배선 마스크(도시안됨)를 이용하여 상기 제2다결정실리콘층(10), 텅스텐층(9) 및 제1다결정실리콘층패턴(8)을 식각하여 도전배선(11)을 형성한다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체소자의 도전배선 형성방법은, 고집적화된 반도체소자에서 콘택홀과 인접 도전층 사이의 오버랩이나 공정마진을 확보하고 상기 선택적 성장 텅스텐막을 도전층 중간에 형성하여 별도의 반사방지막의 필요성이 없이 공정마진을 증가시키고 나칭(notching) 현상을 예방하고, 후속공정인 도전배선 형성공정 후에 실시되는 열공정으로 도전층과 상기 선택적 성장 텅스텐막의 계면에 실리사이드와 반응이 진행됨으로써 도전층의 저항을 낮추어 동작특성을 향상시키고, 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키며 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 이점이 있다.
제 1A 도 내지 제 1E 도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 도전배선 형성방법을 도시한 단면도.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
1 : 반도체기판 2 : 소자분리산화막
3 : 불순물 접합층 4 : 게이트산화막
5 : 게이트전극 6 : 절연막 스페이서
7 : 층간절연막 8 : 제1다결정실리콘층패턴
9 : 텅스텐층 10 : 제2다결정실리콘층
11 : 도전배선 12 : 콘택홀
A : 종래 콘택홀과 활성영역의 오버랩
B : 종래 콘택홀과 게이트전극의 공정마진
C : 본 발명에서 콘택홀과 활성영역의 오버랩
D : 본 발명에서 콘택홀과 게이트전극의 공정마진

Claims (5)

  1. 반도체기판 상부에 층간절연막과 소정 두께의 제1다결정실리콘층을 형성하는 공정과,
    콘택마스크를 이용한 사진식각공정으로 상기 제1다결정실리콘층을 식각하여 상기 층간절연막을 노출시키는 제1다결정실리콘층패턴을 형성하는 공정과,
    상기 제1다결정실리콘층패턴의 상부 및 측벽에 선택적으로 텅스텐층을 형성하는 공정과,
    상기 텅스텐층을 식각마스크로 상기 층간절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정과,
    상기 콘택홀을 매립하는 제2다결정실리콘층을 전체표면상부에 형성하는 공정과,
    도전배선으로 예정되는 부분을 보호하는 도전배선 마스크를 식각마스크로 상기 제2다결정실리콘층, 텅스텐층 및 제1다결정실리콘층패턴을 식각하여 도전배선을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 도전배선 형성방법.
  2. 반도체기판 상부에 층간절연막과 소정 두께의 제1다결정실리콘층을 형성하는 공정과,
    콘택마스크를 이용한 사진식각공정으로 상기 제1다결정실리콘층을 식각하여 상기 층간절연막을 노출시키는 제1다결정실리콘층패턴을 형성하는 공정과,
    상기 제1다결정실리콘층패턴의 상부 및 측벽에 선택적으로 제2다결정실리콘층을 형성하는 공정과,
    상기 제2다결정실리콘층을 식각마스크로 상기 층간절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정과,
    상기 콘택홀을 매립하는 제3다결정실리콘층을 전체표면상부에 형성하는 공정과,
    도전배선으로 예정되는 부분을 보호하는 도전배선 마스크를 식각마스크로 상기 제3다결정실리콘층, 제2다결정실리콘층 및 제1다결정실리콘층패턴을 식각하여 도전배선을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 도전배선 형성방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전배선 형성방법은 상기 텅스텐막의 두께에 의해 오버랩 및 공정마진이 조절되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 도전배선 형성방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1다결정실리콘층은 불순물이 도핑된 다결정실리콘층인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 도전배선 형성방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 텅스텐층은 250 내지 400 ℃ 온도에서 WF6, SiH2 및 H2(Ar) 혼합기체를 반응기체로 사용하는 LPCVD 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 도전배선 형성방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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