KR100453777B1 - 반도체 제조 장치 및 그 동작 조건 파라미터의 관리 방법과, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 - Google Patents

반도체 제조 장치 및 그 동작 조건 파라미터의 관리 방법과, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 Download PDF

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Abstract

반도체 제조 장치는, 장치 동작 조건 파라미터가 오버라이트되더라도 표준, 장치 출하시의 또는 클라이언트 지향 설정값과 같은 각종 레벨의 설정값으로 복원될 수 있도록 개선된다. 반도체 제조 장치는, 멀티챔버 처리 시스템(4)과, 대상물의 반송 시스템(8)과, 장치 동작 조건 파라미터를 저장하는 기억 장치(214)를 갖고 기계 제어부(150. 72)에 장치 동작 조건 파라미터를 공급하는 설비 제어 시스템(210)으로 구성된다. 기계 제어부(150, 72)는 장치 동작 조건 파라미터에 근거하여 처리 시스템(4) 및 반송 시스템(8)을 제어한다. 설비 제어 시스템(210)은, 장치 특유의 표준 레벨로부터 사용자 특유의 특정 레벨까지의 우선 레벨이 제공된 각각의 레벨에 대해 장치 동작 조건 파라미터를 기억 장치(214)에 저장하고, 설비 제어 시스템(2l0)은 기억 장치에 저장된 장치 동작 조건 파라미터를 우선 레벨의 순서로 기계 제어부(150, 72)의 메모리(102)상에 전개한다.

Description

반도체 제조 장치 및 그 동작 조건 파라미터의 관리 방법과, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING THE OPERATING CONDITION PARAMETER}
통상적으로, 반도체 제조 장치는 반도체 디바이스를 제조하는 각 단계를 실시하는 각종 처리실이 조합되고, 처리실 사이, 및 다수의 웨이퍼를 수용하는 카세트와 처리실 사이에서 웨이퍼를 운반하는 반송 기구가 마련되어 있다.
복수의 처리실 및 반송 기구는, 반도체 제조 장치의 수주 사양이나 사용자의 사용 목적에 따라서 반도체 제조 장치의 동작 조건을 조정할 수 있도록 각각에 대응하는 장치 동작 조건 파라미터가 존재한다.
또한, 반도체 제조 장치는, 상기와 같이 멀티챔버 구조를 가지며, 반송 메카니즘이 마련되는 것에 따라서, 장치를 통괄적으로 제어하는 기기 제어 장치가 마련될 수도 있다. 또한, 기기 제어 장치는, 1대의 반도체 제조 장치뿐만 아니라, 복수의 반도체 제조 장치를 통괄적으로 제어하는 경우가 있다. 전술한 바와 같이, 반도체 제조 장치 및 이 반도체 제조 장치를 포함하는 시스템이 복잡화함과 동시에, 반도체 제조 장치의 장치 동작 조건 파라미터를 효율적으로 관리하는 것이 요구된다. 이러한 경우, 기기 제어 장치는, 예컨대 네트워크를 거쳐서, 처리실의 제어 장치 및 반송 기구의 제어 장치(이후, 통상 기계 제어 장치라고 지칭됨)에 접속되고, 기계 제어 장치와의 사이에서 장치 동작 조건 파라미터를 포함하는 각종 정보를 교환한다.
따라서, 종래, 이들 장치 동작 조건 파라미터는, 기계 제어 장치에 부착된 기억 장치, 혹은 기기 제어 장치에 의해 액세스 가능한 하드 디스크 장치와 같은 기억 장치에 저장된다.
각 기계 제어 장치는, 장치 제어 프로그램을 저장하는 ROM과 같은 제 1 메모리와, 동작시에 장치 제어 프로그램에 의해 참조되는 장치 동작 파라미터를 수용하는 장치 동작 조건 파라미터 실행 테이블을 자징하는 RAM과 같은 제 2 메모리를 갖는다. 또한, 각 기계 제어 장치는, 초기화 프로그램을 실행함으로써, 기계 제어 장치에 부착된 기억 장치에 저장되어 있던 장치 동작 조건 파라미터, 혹은 기기 제어 장치에 부착된 기억 장치에 저장된 장치 동작 조건 파라미터를 기기 제어 장치를 거쳐서, 상기 제 2 메모리상에 전개한다.
전술한 바와 같이, 종래 기술에 따르면, 장치 동작 조건 파라미터는 일괄적으로 관리되고, 즉, 통합적으로 기억 장치에 저장되어, 일체적으로 기계 제어 장치의 제 2 메모리상에 전개된다.
그러나, 장치 동작 조건 파라미터는 납입지에서 가동하고 있는 동안에, 혹은 버전 업그레이드(version upgrade)될 때에 변경된다. 즉, 장치 동작 조건 파라미터는, 예컨대 반도체 제조 장치의 제조시에 표준 설정값으로 조정되고, 다음에 출하시에 수주 사양이나 장치 사양에 맞도록 조정된다. 또한, 장치 동작 조건 파라미터의 일부는, 반도체 제조 장치의 납입지에서 클라이언트의 동작 조건에 맞도록 재설정될 수도 있다. 일례로서, 클라이언트가 반송 메카니즘의 암(arm)의 수를 변경하는 경우에, 표준 설정값, 혹은 출하시 설정값은 납입지에 있어서의 재설정에 의해 오버라이트(overwrite)된다.
그러나, 예를 들어, 장치 제어 프로그램의 버전을 업그레이드하는 경우, 업그레이드된 장치 제어 프로그램의 검사나 초기화를 수행하기 위해, 장치 동작 조건 파라미터를 출하시의 설정값, 혹은 표준 설정값으로 되돌려야 하는 경우가 있을 수 있다. 이러한 경우, 납입지에서 재설정된 클라이언트 지향 장치 동작 조건 파라미터가 소거되기 때문에, 버전 업그레이드가 완료된 후에 클라이언트 지향 설정값의 입력 동작을 수행하도록 납입지에서 재설정된 장치 동작 조건 파라미터가 기억되어야 한다. 이러한 재설정 동작은, 오퍼레이터에게 있어서 번잡한 작업이며, 또한 입력 에러로 인한 반도체 제조 장치의 동작 에러가 발생하는 문제가 있다.
발명의 개시
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 장치 동작 조건 파라미터가 오버라이트되더라도, 장치 동작 조건 파라미터를, 표준 설정값, 출하 설정값, 또는 클라이언트 지향 설정값과 같은 각종 레벨의 설정값으로 복원할 수 있는 반도체 제조 장치의 장치 동작 조건 파라미터의 관리 방법, 및 이 관리 방법을 실행하는 반도체 제조 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 반도체 제조 장치의 장치 동작 조건 파라미터의 관리 방법을 실행하도록 상기 반도체 제조 장치의 제어기 또는 컴퓨터에 의해 실행될 수 있는 프로그램을 기록한 기록 매체를 제공하는 것이다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 반도체 제조 장치의 장치 동작 조건 파라미터를 반도체 제조 장치의 상태에 대응하는 레벨로 분류하여, 분류된 레벨간의 장치 동작 조건 파라미터의 차이, 즉 파라미터 자체의 추가 또는 삭제에 관한 정보를 관리한다고 하는 개념에 근거하고 있다.
청구항 1에 기재된 본 발명의 반도체 제조 장치는, 반도체 제조 처리를 실행하는 적어도 하나의 처리실을 포함하는 처리 시스템과, 상기 처리 시스템의 상기 처리실에 처리 대상물을 반입 또는 반출하는 반송 시스템과, 상기 처리 시스템 및 상기 반송 시스템의 기계 제어부에 전기적으로 접속되고, 장치 제어 프로그램 및 장치 동작 조건 파라미터를 저장하는 기억 장치를 가지며, 상기 기계 제어부에 상기 장치 제어 프로그램 및 상기 장치 동작 조건 파라미터를 공급하는 설비 제어 시스템으로 구성되며, 상기 기계 제어부는 상기 기계 제어 시스템에 의해 공급된 상기 장치 제어 프로그램 및 메모리상에 전개된 상기 장치 동작 조건 파라미터에 근거하여 상기 처리 시스템 및 상기 반송 시스템을 제어한다. 본 발명의 반도체 제조 장치는, 상기 설비 제어 시스템이 상기 반도체 제조 장치 특유의 표준 레벨로부터 상기 반도체 제조 장치의 사용자 특유의 특정 레벨까지의 우선 레벨이 제공된 각각의 레벨에 대해 상기 장치 동작 조건 파라미터를 상기 기억 장치에 저장하고, 상기 설비 제어 시스템이 그 설비 제어 시스템의 상기 기억 장치에 저장되는 상기 장치 동작 조건 파라미터를 상기 파라미터 세트의 우선 레벨에 따라 상기 설비 제어 시스템의 상기 메모리상에 전개하는 것을 특징으로 한다.
청구항 2에 기재된 본 발명의 반도체 제조 장치의 장치 동작 조건 파라미터를 관리하는 방법은, 반도체 제조 처리를 실행하는 적어도 하나의 처리실을 포함하는 처리 시스템과, 상기 처리 시스템의 상기 처리실에 처리 대상물을 반입 또는 반출하는 반송 시스템과, 상기 처리 시스템 및 상기 반송 시스템의 기계 제어부에 전기적으로 접속되고, 장치 제어 프로그램 및 장치 동작 조건 파라미터를 저장하는 기억 장치를 가지며, 상기 기계 제어부에 상기 장치 제어 프로그램 및 상기 장치 동작 조건 파라미터를 공급하는 설비 제어 시스템으로 구성되며, 상기 기계 제어부는 그 기계 제어부 시스템 의해 공급된 상기 장치 제어 프로그램 및 메모리상에 전개된 상기 장치 동작 조건 파라미터에 근거하여 상기 처리 시스템 및 상기 반송 시스템을 제어하는 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 반도체 제조 장치 특유의 표준 레벨로부터 상기 반도체 제조 장치의 사용자 특유의 특정 레벨까지의 우선 레벨이 제공된 각각의 레벨에 대해 상기 장치 동작 조건 파라미터를 상기 기억 장치에 저장하는 단계와, 상기 기계 제어 시스템의 상기 기억 장치에 저장되는 상기 장치 동작 조건 파라미터를 상기 파라미터 세트의 우선 레벨에 따라 상기 기계 제어부의 상기 메모리상에 전개하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
청구항 3에 기재된 본 발명에 따른 장치 동작 조건 파라미터의 관리 방법은, 상기 장치 동작 조건 파라미터를 상기 파라미터 세트의 우선 순서로 상기 메모리상에 전개하는 단계는, 최고 우선 레벨을 갖는 파라미터 세트를 상기 메모리상에 전개하는 단계와, 다음으로 레벨이 높은 우선 레벨을 갖는 파라미터 세트가 상기 기억 장치로부터 획득되지 않을 때까지, 상기 메모리에 이미 전개된 파라미터와 동일한 항목의 파라미터가 오버라이트되도록, 다음으로 레벨이 높은 우선 레벨을 갖는 파라미터 세트를 상기 메모리상에 전개하는 단계를 갖는 것을 특징으로 한다.
청구항 4에 기재된 본 발명의 장치 동작 조건 파라미터의 관리 방법에 의하면, 상기 장치 동작 조건 파라미터를 상기 파라미터 세트의 우선 순서로 상기 메모리상에 전개하는 단계는, 최저 우선 레벨을 갖는 파라미터 세트를 상기 메모리상에 전개하는 단계와, 다음으로 레벨이 낮은 우선 레벨을 갖는 파라미터 세트가 상기 기억 장치로부터 획득되지 않을 때까지, 다음으로 레벨이 낮은 우선 레벨을 갖는 파라미터 세트중에서 상기 메모리상에 이미 전개된 파라미터와 동일한 항목의 파라미터 이외의 파라미터를 상기 메모리상에 전개하는 단계를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 5에 따른 발명은, 반도체 제조 장치에 있어서 장치 동작 조건 파라미터를 관리하는 프로그램을 기록한 기록 매체로서, 상기 프로그램은,
상기 장치 동작 조건 파라미터를, 상기 반도체 제조 장치 특유의 표준 레벨로부터 상기 반도체 제조 장치의 사용자 특유의 특정 레벨까지의 우선 레벨이 제공된 각각의 레벨로 분류시키는 코드와,
상기 레벨로 분류되는 상기 장치 동작 조건 파라미터를 상기 파라미터 세트의 우선 레벨의 순서로 상기 기계 제어부(1501,,,,150n, 72)의 상기 메모리(102)에 전개시키는 코드
를 구비한다.
전술의 청구항 1 내지 5에 따른 본 발명에 의하면, 장치 동작 조건 파라미터를 기억하는 하드 디스크와 같은 기억 장치의 저장 영역은, "표준 설정값의 저장 영역", "출하시의 설정값의 저장 영역", "클라이언트 지향 설정값의 저장 영역"과 같은 우선 레벨이 제공된 레벨로 분류된다. 따라서, 프로그램의 버전 업그레이드로 인해 장치 동작 조건 파라미터가 출하시의 설정값으로 재설정되고, 버전 업그레이드가 종료된 후에, 클라이언트 지향 설정값이 입력되는 경우에, 장치 동작 조건 파라미터의 실질적인 값이, 표준 설정값, 출하시의 설정값, 또는 클라이언트 지향 설정값으로 복원할 수 있음과 동시에, 오버라이팅에 의해 설정된 데이터가 리라이트된다고 하는 것이 없다고 하는 이점이 얻어진다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 이점은, 첨부 도면과 함께 이하의 상세한 설명을 참조하여 보다 명료해질 것이다.
본 발명은, 반도체 제조 처리에 있어서 반도체 제조 장치를 제어하는 제어 장치 및 제어 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 반도체 제조 장치의 동작 조건을 조정하기 위한 장치 동작 조건 파라미터를 관리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 일 실시예의 기구부를 도시하는 도면이고,
도 2는 기계 제어부의 일례를 나타내는 블럭 구성도이며,
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 일 실시예의 제어 시스템을 도시하는 도면이고,
도 4는 장치 동작 조건 파라미터를 저장하는 동작을 설명하는 흐름도이며,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 장치 동작 조건 파라미터의 메모리상으로의 전개 처리를 설명하는 흐름도이고,
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 장치 동작 조건 파라미터의 메모리상으로의 전개 처리를 설명하는 흐름도이다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하에, 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 일 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상술한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 일 실시예의 기구부를 도시하는 도면이다. 도 1을 참조하면, 멀티챔버화된 반도체 제조 장치, 특히 클러스터 툴 장치(2)에 대해 설명한다. 클러스터 툴 장치(2)는 피반송체로서의 반도체 웨이퍼 W에 대해 성막 처리, 확산 처리, 에칭 처리와 같은 각종 처리를 실행하는 처리 시스템(4)과, 처리 시스템(4)에 대해 웨이퍼를 반입, 또는 반출시키는 반송시스템(6)으로 구성된다.
처리 시스템(4)은 진공 형성될 수 있는 탑재 이송실(8)과, 게이트 밸브(10A∼10D)를 거쳐서 접속되는 4개의 처리실(12A∼12D)로 이루어지고, 각 처리실(12A∼12D)에 있어서 동종 혹은 이종의 열 처리가 웨이퍼 W에 대해 실시되도록 되어 있다. 각 처리실(12A∼12D)내에는, 웨이퍼 W를 탑재하기 위한 서셉터(14A∼14D)가 각각 마련된다. 또한, 탑재 이송실(8)내에는 굴신 및 피봇 가능하게 이루어진 탑재 이송암부(16)가 마련되고, 각 처리실(12A∼12D) 사이나 후술하는 로드록실 사이의 웨이퍼를 반송하도록 되어 있다.
한편, 반송 시스템(6)은 카세트 컨테이너를 탑재하는 카세트 스테이지(18)와 웨이퍼 W를 반송하여 교환하기 위한 반송암(20)을 이동시키는 반송 스테이지(22)로 이루어진다. 카세트 스테이지(18)에는, 컨테이너 탑재대(24)가 마련되고, 여기에, 복수의 카세트 컨테이너, 예를 들어 도시된 도면에서는 4대의 카세트 컨테이너(26A∼26D)를 탑재할 수 있도록 되어 있다. 각 카세트 컨테이너(26A∼26D)에는, 예컨대, 최대 25장의 웨이퍼 W를 동등한 피치로 탑재하여 수용할 수 있도록 되어 있다.
반송 스테이지(22)에는, 그 중심부를 길이 방향을 따라 연장하는 가이드 레일(28)이 마련되고, 이 가이드 레일(28)상에 상기 반송암(20)이 슬라이드 이동 가능하게 지지되어 있다. 이 가이드 레일(28)에는, 이동 메카니즘으로서, 예컨대, 볼 나사(30)가 평행하게 마련되어 있고, 이 볼 나사(30)에 상기 반송암(20)의 베이스부(34)가 계합되어 있다. 따라서, 이 볼 나사의 단부에 마련된 구동 모터(32)를 회전시키는 것에 의해, 반송암(20)은 가이드 레일(28)을 따라 이동하게 된다.
또한, 반송 스테이지(22)의 다른쪽 단부에는, 웨이퍼의 위치 결정을 하는 방향 위치 결정 장치로서 오리엔터(36)가 마련되고, 또한 반송 스테이지(22)의 중간에는, 상기 탑재 이송실(8)에 접속하도록 진공 형성될 수 있는 2개의 로드록실(38A, 38B)이 마련된다. 각 로드록실(38A, 38B)내에는 웨이퍼 W를 탑재하는 탑재대(40A, 40B)가 마련됨과 동시에, 각 로드록실(38A, 38B)의 전후에는 탑재 이송실(8) 또는 반송 스테이지(22)에 접속하기 위한 게이트 밸브(42A, 42B 및 44A, 44B)가 각각 마련된다.
상기 반송암(20)은 굴신 가능하게 이루어진 다관절 형상의 반송암 본체(46)와, 암 본체(46)의 선단에 탑재된 포크(48)를 갖고, 이 포크(48)상에서 웨이퍼 W가 직접적으로 지지된다.
오리엔터(36)는 구동 모터에 의해 회전되는 회전 기준대(60)를 갖고 있으며, 이 위에 웨이퍼 W를 탑재한 상태에서 회전한다. 회전 기준대(60)의 외주에는, 웨이퍼 W의 주연부를 검출하기 위한 광학적 센서(62)가 마련된다. 또한, 오리엔터(36)의 입구측에는, 수평 방향 레벨 검출 레이저 빔(66)을 출력하는 레이저 소자(68)와 이 레이저 빔을 수신하는 광학 소자(70)로 이루어지는 레벨 검출기가 마련된다.
또한, 클러스터 툴 장치(2)는 장치 전체의 동작을 제어하기 위한 반송 시스템용 기계 제어부(72)를 갖고, 각 축에 대한 위치 정보나 각 검출부에서 얻어진 정보가 통합되어, 웨이퍼 W의 반송을 제어한다.
도 2는 반송 시스템용 기계 제어부(72)의 일례를 나타내는 블럭 구성도이다. 반송 시스템용 기계 제어부(72)는, 예컨대, 플래쉬 메모리, EPROM 및 EEROM 등에 의해 구성되는 메모리(102)를 갖고, 메모리(102)는 장치 제어 프로그램을 저장하며, 또한 장치 동작 조건 파라미터가 메모리(102)상에 전개된다. CPU(101)는 메모리(102)상에 전개된 장치 동작 조건 파라미터의 실질적인 값을 참조하면서, 메모리(102)에 저장된 장치 제어 프로그램을 실행하여 장치를 제어한다. 기계 제어부(72)는, 예컨대, 메모리 카드와 카드 판독기를 포함하는 보조 기억 장치(103)를 더 구비하며, 이후에 사용된 정보가 저장될 수 있다. 또한, 기계 제어부(72)는, 예컨대, 입력부 및 표시부를 갖는 사용자 인터페이스부(105)를 갖고, 사용자는 이 사용자 인터페이스부(105)를 거쳐서, 기계 제어부(72)에 대해 인스트럭션을 송출하거나, 또는 기계 제어부(72)로부터 사용자가 메세지를 볼 수 있다. 또한, 기계 제어부(72)는, 예컨대, 통신 네트워크(또는 버스)(200)에 접속된 통신 인터페이스부(106)를 갖고, 설비 제어 시스템(210)이나 다른 기계 제어부(150) 사이에서 정보의 교환을 행할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기계 제어부(72)의 메모리(l02)상에 전개되는 장치 동작 조건 파라미터는, 설비 제어부(210)로부터 다운로드된다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 일 실시예의 제어 시스템을 도시하는 도면이다. 반도체 제조 장치의 제어 시스템은, 설비 제어부(210)와, 반송 시스템용 기계 제어부(72)와, 다른 기계 제어부(1501,,,,150n)와, 상기 설비 제어부(210), 상기 반송 시스템용 기계 제어부(72), 다른 기계 제어부(1501,,,,150n)를 상호 접속하는 네트워크 또는 버스(200)를 포함한다.
설비 제어부(210)는 반도체 제조 장치 전체의 정보를 통합적으로 관리하기 위해 마련되고, 예컨대, 반도체 제조 장치가 설치되는 공장의 호스트 컴퓨터(도시하지 않음)에 접속될 수 있다.
설비 제어부(210)는 하드 디스크 장치, 플로피 디스크 장치, 또는, IC 기억 장치와 같은 기억 장치(214)를 갖고, 반도체 제조 장치의 동작에 필요한 각종 정보를 저장한다. 상기 기억 장치(214)에는, 예컨대, 설비 제어부(210)의 동작을 위한 프로그램, 반송 시스템의 동작을 위한 기계 제어부(72)에 의해 실행된 장치 동작 프로그램 및 대응하는 장치 동작 조건 파라미터, 혹은 각종 처리실(2511,,,,251n)의 처리를 제어하기 위한 기계 제어부(1501,,,,150n)에 의해 실행되는 장치 동작 프로그램 및 대응하는 장치 동작 조건 파라미터의 화일, 사용자 특유의 레시피(recipe), 및 장치의 로그 데이터를 저장한다. 설비 제어부(218)는 상기 프로그램을 실행하는 CPU(210)를 갖고, 네트워크(200)를 거쳐서, 기계 제어부(72, 1501,,,,150n)에 다운로드함으로써, 각종 정보를 취득하며, 메모리(218) 혹은 기억 장치(214)에 저장한다. 설비 제어부(210)는, 예컨대, 디스플레이 및 키보드로 구성된 입출력 장치(216)를 더 가짐에 따라, 사용자는 이 입출력 장치(216)를 거쳐서상기 기억 장치(214)에 저장된 각종 프로그램 및 파라미터를 설정하거나, 편집할 수 있다.
본 발명의 반도체 제조 장치의 일 실시예에 따르면, 상기 반도체 제조 장치 특유의 표준 레벨로부터 상기 반도체 제조 장치의 사용자 특유의 특정 레벨까지의 우선 레벨이 제공된 상기 장치 동작 조건 파라미터의 레벨로서, (l) 상기 반도체 제조 장치 특유의 파라미터인 표준 설정값 세트와, (2) 상기 반도체 제조 장치의 출하시의 파라미터인 장치 출하시의 설정값 세트와, (3) 상기 반도체 제조 장치의 클라이언트에 의해 조정된 파라미터인 클라이언트 지향 설정값 세트를 마련한다. 통상적으로, (1) 표준 설정값 세트, (2) 장치 출하시의 설정값 세트, (3) 클라이언트 지향 설정값의 순서로 파라미터의 값이 보다 구체화되고, 상세화되기 때문에, (1), (2), (3)의 순서대로 우선 레벨이 높은 것으로 간주한다.
이하의 설명에서는, 장치 동작 조건 파라미터의 일례로서, 반송 시스템의 기구부의 기계적 구조에 관한 파라미터를 고려한다. 파라미터의 항목으로서, 예컨대,
파라미터 1 : 암의 수
파라미터 2 : 제 1 암의 최대 속도(mm/sec)
파라미터 3 : 제 2 암의 최대 속도(mm/sec)
파라미터 4 : 가이드 레일 길이(mm)
파라미터 5 : 카세트 스테이지의 수
가 고려된다.
다음에, 본 발명의 반도체 제조 장치의 일 실시예에 있어서 실시되는 장치 동작 조건 파라미터의 관리 방법을 설명한다. 도 4는 장치 동작 조건 파라미터를 저장하는 동작의 일례를 설명하는 흐름도이다.
단계(10)에서, 예컨대, 반도체 제조 장치의 설계 사양에 따라 결정되는 이하의 표준 설정값 세트가 설비 제어부(210)의 입출력 장치(216)를 거쳐서 기억 장치(214)에 저장된다.
(1) 표준 설정값 세트
파라미터 1 = 2
파라미터 2 = 500
파라미터 3 = 400
파라미터 4 = 1000
파라미터 5 = 4
다음에, 수주 사양에 있어서 가이드 레일의 주행 길이가 1000㎜로부터 800㎜로 변경된 경우, 단계(12)에서, 예컨대, 장치의 수주 사양에 따라 결정되는 다음 장치 출하시의 설정값 세트가 기억 장치(214)에 저장된다.
(2) 장치 출하시의 설정값 세트
파라미터 1 = 2
파라미터 2 = 500
파라미터 3 = 400
파라미터 4 = 800
파라미터 5 = 4
다음에, 클라이언트에 출하된 반도체 제조 장치가 시동된다(단계(14)). 이 때, 클라이언트는 (1) 표준의 설정값을 반송 시스템용 기계 제어부(72)의 메모리상에 전개한다(단계(16)). 다음에, (2) 장치 출하시의 설정값을 반송 시스템용 기계 제어부(72)의 메모리상에 전개한다. 이 때, 메모리상에 이미 전개된 (l) 표준 설정값을 오버라이트하도록 설정값 세트가 전개된다(단계(l8)). 이에 의해, 반송 시스템용 기계 제어부(72)의 메모리상에 전개되는 데이터는, (2) 장치 출하시의 설정값과 일치한다.
다음에, 클라이언트 사이트에서, 반도체 제조 장치를 동작시키면서, 장치 동작 조건 파라미터가 조정된다(단계(20)). 예컨대, 카세트 스테이지의 단수가 4로부터 3으로 변경된다. 혹은, 클라이언트 사이트에서, 암의 수를 2개로부터 1개로 감소시키거나, 혹은 1개의 암을 그대로 고정하도록 반송 시스템에 대한 큰 변경이 부가되는 경우가 있을 수 있다. 이 경우, 대응하는 장치 동작 조건 파라미터가 변경되고, 변경된 데이터는 기억 장치(214)에 (3) 클라이언트 지향 설정값으로서 저장된다. 이 때, (3) 사용자의 사용 목적에 따라 결정되는 클라이언트 지향 설정값 세트는, 이하와 같이 된다.
파라미터 1 = 1
파라미터 2 = 500
파라미터 4 = 800
파라미터 5 = 3
여기서, 암의 수를 1개로 감소시킨 것으로 인해, 제 2 암은 불필요하게 되기 때문에, 제 2 암의 이동 속도에 관한 파라미터 3은 설정되지 않은 것에 주의할 필요가 있다. 또한, 변경된 파라미터만을 저장하도록 하더라도 좋고, 혹은 설정값 세트의 전체를 저장하더라도 좋음에 주의할 필요가 있다.
상기의 설명에서는, 클라이언트 지향 설정값 세트는, 단계(14) 내지 단계(20)의 단계를 거쳐서 실제로 반도체 제조 장치를 실질적으로 동작시킴으로써 파라미터가 조정된 후에 기억 장치(214)에 저장되지만, 실질적인 반도체 제조 장치의 동작과는 별도로, 클라이언트 지향 설정값 세트가 설비 제어부(210)의 입출력 장치(216)를 거쳐서 기억 장치(214)에 설정될 수도 있다.
다음에, 설비 제어부(210)의 기억 장치(214)에 상기 (1)∼(3)의 설정값 세트가 저장되는 경우에, 반도체 제조 장치가 기동되어, 장치 동작 조건 파라미터가 반송 시스템용 기계 제어부(72)의 메모리(102)상에 전개된 후에, 반송 시스템용 제어부(72)가 메모리(102)상에 전개된 장치 동작 조건 파라미터를 참조하여 장치 제어 프로그램을 실행하는 동작에 대해 설명한다.
여기서, 상기 (1) 내지 (3)의 3 레벨의 장치 동작 조건 파라미터를 반송 시스템용 기계 제어부(72)의 메모리(102)상에 전개하는 방법으로서, (a) 설비 제어부(210)의 기억 장치(214)에 저장된 내용을 우선 레벨이 높은 순서대로 메모리(218)상에 전개하고, 최종 장치 동작 조건 파라미터를 기계 제어부(72)에 송신한 후에, 기계 제어부(72)의 메모리(102)에 최종 장치 동작 조건 파라미터를 기입하는 방식과, (b) 설비 제어부(210)의 기억 장치(214)로부터 우선 레벨이 높은순서대로 판독하고, 데이터를 기계 제어부(72)에 송신함으로써, 기계 제어부(72)의 메모리(102)상의 데이터를 우선 레벨이 높은 순서대로 전개하는 방식을 생각할 수 있다. 이하의 설명에서는, 보다 통신 효율이 높은 (a) 방식에 대해 상세하게 설명한다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 장치 동작 조건 파라미터의 메모리상으로의 전개 처리를 설명하는 흐름도이다.
단계(30) : 설비 제어부(210)에서 CPU(212)가 메모리(218)에 로드되어 있는 초기화 프로그램을 기동시킨다. 초기화 프로그램은, 예컨대, 반도체 제조 장치가 기동될 때, 프로그램의 버전 업데이트의 실행으로 인해 장치 동작 조건 파라미터가 장치 출하시의 설정값 세트로 반환되었을 때에, 클라이언트 지향 설정값 세트로 재설정되어야 하는 경우에 기동된다.
단계(32) : CPU(212)는 기억 장치(214)로부터 표준 설정값 세트를 판독하여, 메모리(218)상에 전개, 즉, 메모리(218)에 기입한다. 이 때, 메모리(218)상에 전개된 내용은 다음과 같다.
파라미터 1 = 2
파라미터 2 = 500
파라미터 3 = 400
파라미터 4 = l000
파라미터 5 = 4
단계(34) : 다음에, CPU(212)는 기억 장치(214)에 장치 출하시의 설정값 세트가 저장되어 있는지 여부를 검사하여, 저장되어 있는 경우, 단계(36)로 진행하고, 저장되어 있지 않은 경우, 단계(38)로 진행한다.
단계(36) : CPU(212)는 기억 장치(214)로부터 장치 출하시의 설정값 세트를 판독하고, CPU는 동일한 지정값을 갖는 파라미터가 이미 메모리(218)상에 전개되어 있는 경우에는 파라미터가 오버라이트되고, 동일한 지정값을 갖지 않는 파라미터가 전개되어 있는 경우에는 파라미터가 추가되는 형식으로, 설정값 세트를 메모리(218)상에 전개한다. 이 때, 메모리(218)의 내용은 다음과 같다.
파라미터 1 = 2
파라미터 2 = 500
파라미터 3 = 400
파라미터 4 = 800
파라미터 5 = 4
단계(38) : 다음에, CPU(212)는 기억 장치(214)에 클라이언트 지향 설정값 세트가 저장되어 있는지 여부를 검사하여, 저장되어 있는 경우, 단계(40)로 진행하고, 저장되어 있지 않은 경우, 단계(42)로 진행한다.
단계(40) : CPU(212)는 기억 장치(214)로부터 클라이언트 지향 설정값 세트를 판독하고, CPU(212)는 동일한 지정값을 갖는 파라미터가 메모리(218)상에 이미 전개되어 있는 경우에는 파라미터가 오버라이트되고, 아직 전개되어 있지 않은 경우에는, 파라미터가 추가되는 형식으로, 설정값 세트를 메모리(218)상에 전개한다. 이 때, 메모리(218)의 내용은 다음과 같다.
파라미터 1 = 1
파라미터 2 = 500
파라미터 3 = 400
파라미터 4 = 800
파라미터 5 = 3
단계(42) : 다음에, 설비 제어부(210)의 CPU(212)는 메모리(218)상에 전개된 장치 동작 조건 파라미터를 사전결정된 프로토콜에 따라서 반송 시스템용 기계 제어부(72)에 송신한다.
단계(44) : 기계 제어부(72)의 CPU(101)는 사전결정된 프로토콜에 따라 설비 제어부(210)로부터 송신된 장치 동작 조건 파라미터를 메모리(102)상에 전개한다.
단계(46) : 기계 제어부(72)의 CPU(101)는 메모리(102)상에 전개된 장치 동작 조건 파라미터를 참조하여 장치 제어 프로그렘을 실행하며, 장치 동작 조건 파라미터는 다음과 같다.
파라미터 1 = 1
파라미터 2 = 500
파라미터 3 = 400
파라미터 4 = 800
파라미터 5 = 3
을 참조하여 장치 제어 프로그램을 실행한다.
또한, 상기 설명에서는, 설비 제어부(210)가 네트워크를 통해 반송 시스템용 기계 제어부(72)에 접속되는 예에 대해 설명했지만, 설비 제어부(210)와 반송 시스템용 기계 제어부(72)가 동일한 컴퓨터상에 실현되어, 반송 시스템용 기계 제어부(72)가 기억 장치(214)로부터 직접적으로 장치 동작 조건 파라미터를 판독하여, 메모리상에 전개하도록 구성하는 것이 가능함에 주의할 필요가 있다.
또한, 상기 본 발명의 일 실시예에서는, 장치 동작 조건 파라미터를 메모리상에 전개하는 순서는, 가장 우선 레벨이 높은 레벨의 파라미터 세트를 최초로 메모리상에 전개하고, 계속해서, 다음으로 우선 레벨이 높은 레벨의 파라미터 세트가 기억 장치로부터 취득되지 않게 될 때까지, 메모리상에 이미 전개된 파라미터와 동일한 항목의 파라미터가 오버라이트되도록, 다음으로 우선 레벨이 높은 레벨의 파라미터 세트가 메모리상에 전개된다. 그러나, 장치 동작 조건 파라미터를 메모리상에 전개하는 순서를 역순으로 하는 것도 가능하다. 즉, 가장 우선 레벨이 낮은 레벨의 파라미터 세트를 메모리상에 전개하고, 계속해서, 다음으로 우선 레벨이 낮은 레벨의 파라미터 세트가 기억 장치로부터 취득되지 않게 될 때까지, 다음으로 우선 레벨이 낮은 레벨의 파라미터 세트 중에서 이미 메모리상에 전개된 파라미터와 동일한 항목의 파라미터 이외의 파라미터를 메모리상에 전개함으로써, 장치 동작 조건 파라미터가 파라미터 세트의 우선 레벨의 순서로 메모리상에 전개될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 장치 동작 조건 파라미터의 관리를 실행하는 제어 시스템은, 각각의 구성 요건을 소프트웨어(프로그램)에 의해 구축하고, 디스크 장치 등에 소프트웨어를 저장하여, 필요에 따라 컴퓨터에 소프트웨어를 인스톨함으로써 장치 동작 조건 파라미터가 관리될 수 있다. 또한, 구축된프로그램이 플로피 디스크나 CD-ROM과 같은 가변 기록 매체에 저장될 수 있어, 이러한 장치 동작 조건 파라미터가 관리되는 경우에 프로그램이 범용적으로 사용하는 것도 가능하다.
본 발명은 구체적으로 개시된 전술의 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 범위내에서 각종 변형예 및 개량예가 이루어질 있을 것이다.

Claims (5)

  1. 반도체 제조 프로세스를 실행하는 적어도 하나의 처리실을 포함하는 처리 시스템과,
    상기 처리 시스템에 처리 대상물을 반입 또는 반출하는 반송 시스템과,
    상기 처리 시스템 및 상기 반송 시스템의 기계 제어부에 전기적으로 접속되고, 장치 제어 프로그램 및 장치 동작 조건 파라미터를 저장하는 기억 장치를 가지며, 상기 기계 제어부에 상기 장치 제어 프로그램 및 상기 장치 동작 조건 파라미터를 공급하는 설비 제어 시스템을 포함하되,
    상기 기계 제어부는 상기 설비 제어 시스템에 의해 공급된 상기 장치 제어 프로그램 및 메모리상에 전개된 상기 장치 동작 조건 파라미터에 근거하여 상기 처리 시스템 및 상기 반송 시스템을 제어하는 반도체 제조 장치에 있어서,
    상기 설비 제어 시스템은, 상기 반도체 제조 장치 특유의 표준 레벨로부터 상기 반도체 제조 장치의 사용자 특유의 특정 레벨까지 우선 순위 레벨이 제공된 각각의 레벨에 대해, 상기 장치 동작 조건 파라미터를 상기 기억 장치에 저장하고,
    상기 설비 제어 시스템은, 상기 파라미터 세트의 우선 순위 레벨에 따라 상기 기계 제어부의 상기 메모리상에 상기 설비 제어 시스템의 상기 기억 장치에 저장된 상기 장치 동작 조건 파라미터를 전개하는 것
    을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  2. 반도체 제조 프로세스를 실행하는 적어도 하나의 처리실을 포함하는 처리 시스템과,
    상기 처리 시스템에 처리 대상물을 반입 또는 반출하는 반송 시스템과,
    상기 처리 시스템 및 상기 반송 시스템의 기계 제어부에 전기적으로 접속되고, 장치 제어 프로그램 및 장치 동작 조건 파라미터를 저장하는 기억 장치를 가지며, 상기 기계 제어부에 상기 장치 제어 프로그램 및 상기 장치 동작 조건 파라미터를 공급하는 설비 제어 시스템을 포함하되,
    상기 기계 제어부는 상기 설비 제어 시스템에 의해 공급된 상기 장치 제어 프로그램과 메모리상에 전개된 상기 장치 동작 조건 파라미터에 근거하여 상기 처리 시스템 및 상기 반송 시스템을 제어하는 반도체 제조 장치에서 장치 동작 조건 파라미터를 관리하는 방법에 있어서,
    상기 반도체 제조 장치 특유의 표준 레벨로부터 상기 반도체 제조 장치의 사용자 특유의 특정 레벨까지 우선 순위 레벨이 제공된 각각의 레벨에 대해 상기 장치 동작 조건 파라미터를 상기 기억 장치에 저장하는 단계와,
    상기 파라미터 세트의 우선 순위 레벨에 따라 상기 기계 제어부의 상기 메모리상에 상기 설비 제어 시스템의 상기 기억 장치에 저장된 상기 장치 동작 조건 파라미터를 전개하는 단계
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치에서의 장치 동작 조건 파라미터의 관리 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 파라미터 세트의 우선 순위 순서로 상기 메모리상에 상기 장치 동작 조건 파라미터를 전개하는 단계는,
    최고 우선 순위 레벨을 갖는 파라미터 세트를 상기 메모리상에 전개하는 단계와,
    다음으로 높은 우선 순위를 갖는 파라미터 세트가 상기 기억 장치로부터 취득되지 않을 때까지, 상기 메모리상에 이미 전개된 파라미터와 동일한 항목의 파라미터가 오버라이트되도록, 다음으로 높은 우선 순위 레벨을 갖는 파라미터 세트를 상기 메모리상에 전개하는 단계
    를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치에서의 장치 동작 조건 파라미터의 관리 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 파라미터 세트의 우선 순위 순서로 상기 메모리상에 상기 장치 동작 조건 파라미터를 전개하는 단계는,
    최저 우선 순위 레벨을 갖는 파라미터 세트를 상기 메모리상에 전개하는 단계와,
    다음으로 낮은 우선 순위를 갖는 파라미터 세트가 상기 기억 장치로부터 취득되지 않을 때까지, 다음으로 낮은 우선 순위 레벨을 갖는 파라미터 세트 중에서, 상기 메모리에 이미 전개된 파라미터와 동일한 항목의 파라미터 이외의 파라미터를 상기 메모리상에 전개하는 단계
    를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치에서의 장치 동작 조건 파라미터의 관리 방법.
  5. 반도체 제조 프로세스를 실행하는 적어도 하나의 처리실을 포함하는 처리 시스템과,
    상기 처리 시스템에 처리 대상물을 반입 또는 반출하는 반송 시스템과,
    상기 처리 시스템 및 상기 반송 시스템의 기계 제어부에 전기적으로 접속되고, 장치 제어 프로그램 및 장치 동작 조건 파라미터를 저장하는 기억 장치를 가지며, 상기 기계 제어부에 상기 장치 제어 프로그램 및 상기 장치 동작 조건 파라미터를 공급하는 설비 제어 시스템을 포함하되,
    상기 기계 제어부는 상기 설비 제어 시스템에 의해 공급된 상기 장치 제어 프로그램 및 메모리상에 전개된 상기 장치 동작 조건 파라미터에 근거하여 상기 처리 시스템 및 상기 반송 시스템을 제어하는 반도체 제조 장치에서 장치 동작 조건 파라미터를 관리하는 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 있어서,
    상기 프로그램은
    상기 반도체 제조 장치 특유의 표준 레벨로부터 상기 반도체 제조 장치의 사용자 특유의 특정 레벨까지 우선 순위 레벨이 제공된 각각의 레벨로 상기 장치 동작 조건 파라미터를 분류시키는 코드와,
    상기 레벨로 분류되는 상기 장치 동작 조건 파라미터를, 상기 파라미터 세트의 우선 순위 레벨의 순서로 상기 기계 제어부의 상기 메모리상에 전개시키는 코드
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
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