KR100451386B1 - Substrate Processing Apparatus and Substrate Processing Method - Google Patents
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Abstract
기판 처리 장치에서, 피처리 기판에 처리액을 고속으로 액체 적층할 수 있게 한 것이다.In a substrate processing apparatus, the processing liquid can be laminated at high speed to a processing target substrate.
기판에 처리액을 액체 적층하기 위한 기판 처리 장치에서, 기판의 이동 방향에 직교하는 방향으로 연장하는 슬릿 형상의 토출구(24)를 가지고 있고, 토출구(24)에 연속하여 연락면(30) 및 액체 적층면(31)을 가지는 액체 적층 노즐(7)을 구비한다. 토출구(24)로부터 토출되는 처리액은 표면 장력에 의해 연락면(30)을 따라 액체 적층면(31)에 머물게 된다. 이 액체 적층면(31)에 머문 처리액이 기판에 면 형상으로 접촉되어 기판에 액체 적층된다.In a substrate processing apparatus for liquid laminating a processing liquid on a substrate, the substrate processing apparatus has a slit-shaped discharge port 24 extending in a direction orthogonal to the moving direction of the substrate, and the contact surface 30 and the liquid are continuously connected to the discharge port 24. A liquid lamination nozzle 7 having a lamination surface 31 is provided. The processing liquid discharged from the discharge port 24 stays on the liquid stacking surface 31 along the contact surface 30 by the surface tension. The processing liquid which stayed on this liquid laminated surface 31 is brought into surface contact with the board | substrate, and liquid is laminated | stacked on the board | substrate.
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법, 특히 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판 및 반도체 웨이퍼 등에 대해 현상·에칭·레지스트 박리 처리 등을 행하기 위한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing development, etching, and resist stripping processing on a substrate processing apparatus and a substrate processing method, in particular, a substrate for a liquid crystal display device, a substrate for plasma display, a semiconductor wafer and the like.
기판 처리 장치, 예컨대 기판 현상 장치에서는 레지스트 막을 형성한 후에 패턴을 노광한 피처리 기판의 표면에 현상액을 액체 적층하여, 현상 처리를 행한 후, 현상액을 씻어 내어, 피처리 기판에 패턴을 작성한다. 기판 현상 처리 장치는 롤러 컨베이어와 액체 적층 노즐을 구비하고 있다. 레지스트 막에 대해 패턴을 노광한 피처리 기판은 롤러 컨베이어에 의해 액체 적층 노즐의 아래쪽을 이동시켜, 액체 적층 노즐로부터 현상액이 토출되어 기판의 일단으로부터 타단에 순서대로 액체 적층된다.In a substrate processing apparatus, for example, a substrate developing apparatus, after forming a resist film, a developer is liquid laminated on the surface of the substrate to which the pattern is exposed, and after developing, the developer is washed, and a pattern is created on the substrate. The substrate developing apparatus includes a roller conveyor and a liquid lamination nozzle. The to-be-processed substrate which exposed the pattern to the resist film is moved below the liquid lamination nozzle by a roller conveyor, and the developer is discharged from the liquid lamination nozzle, and the liquid is sequentially laminated from one end of the substrate to the other end.
기판 현상 장치에서는, 피처리 기판의 이동 속도를 크게 하여 효율을 높일 수 있는 것이 요구되지만, 고속으로 액체 적층하면, 기판의 선두부 및 후단부에서 액체 적층할 수 없는 경우가 있다. 따라서, 선두부 및 후단부에서도 액체가 적층할 수 있도록 액체 적층 노즐로부터의 현상액의 유량을 크게 하는 것을 고려할 수 있는데, 이 방법에서는 액체 적층된 현상액이 기판 표면을 흘러 내리게 된다. 이 경우, 기판 표면에서 부분적으로 현상 시간이 달라져, 현상 얼룩이 발생하게 된다.In the substrate developing apparatus, it is required to increase the moving speed of the substrate to be processed to increase the efficiency. However, in the case of liquid lamination at high speed, liquid lamination may not be possible at the leading and rear ends of the substrate. Therefore, it is possible to consider increasing the flow rate of the developing solution from the liquid lamination nozzle so that the liquid can be laminated at the front end and the rear end. In this method, the liquid laminated developer flows down the substrate surface. In this case, the development time is partially changed on the surface of the substrate, and development unevenness occurs.
본 발명의 과제는, 기판 처리 장치에서 피처리 기판에 처리액을 고속으로 액체 적층할 수 있도록 하는 것이다.An object of the present invention is to enable a liquid deposition of a processing liquid at a high speed on a substrate to be processed in a substrate processing apparatus.
청구항 1에 관한 기판 처리 장치는, 기판에 처리액을 액체 적층하기 위한 기판 처리 장치에서, 기판 유지 수단과 액체 적층 노즐을 구비하고 있다. 기판 유지 수단은 피처리 기판을 유지하는 기구이다. 액체 적층 노즐은 제1 방향으로 연장하는 슬릿 형상의 토출구를 가지고, 기판 유지 수단에 유지된 기판 표면에 처리액을 액체 적층한다. 이동 수단은 기판을 액체 적층 노즐에 대해 상대적으로 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이동시킨다. 액체 적층 노즐은, 기판 유지 수단에 유지된 기판 표면에 대향하고 있고, 토출구로부터 토출된 처리액을 머물게 하여 기판에 면 형상으로 액체 적층하기 위한 액체 적층면을 가지고 있다.The substrate processing apparatus according to claim 1 includes a substrate holding means and a liquid laminating nozzle in a substrate processing apparatus for laminating liquid on a substrate. The substrate holding means is a mechanism for holding a substrate to be processed. The liquid lamination nozzle has a slit-shaped discharge port extending in the first direction, and liquid-processes the liquid on the substrate surface held by the substrate holding means. The moving means moves the substrate in a second direction intersecting the first direction relative to the liquid deposition nozzle. The liquid lamination nozzle faces the substrate surface held by the substrate holding means, and has a liquid lamination surface for laminating liquid on the substrate in a manner such that the processing liquid discharged from the discharge port is retained.
청구항 1에 관한 기판 처리 장치에서는, 기판 유지 수단에 유지된 기판이 이동 수단에 의해 액체 적층 노즐과 교차하도록 이동된다. 이 때, 액체 적층 노즐에서는 처리액이 토출되고, 액체 적층면에 머문 처리액이 피처리 기판에 면 형상으로 접촉하여, 피처리 기판에 처리액이 액체 적층된다. 청구항 1에 관한 기판 처리 장치에 의하면, 액체 적층면에 머문 처리액이 피처리 기판에 면 형상으로 접촉하여 액체 적층되기 때문에, 기판을 고속으로 이동시킨 경우에도, 기판의 선두부 및 후단부에 확실하게 액체 적층할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to claim 1, the substrate held by the substrate holding means is moved to intersect with the liquid lamination nozzle by the moving means. At this time, the processing liquid is discharged from the liquid lamination nozzle, the processing liquid staying on the liquid lamination surface is in contact with the substrate to be processed in a planar shape, and the processing liquid is laminated on the processing substrate. According to the substrate processing apparatus according to claim 1, since the processing liquid staying on the liquid lamination surface is in liquid contact with the substrate to be processed in a planar shape, even when the substrate is moved at high speed, it is sure to be secured at the front and rear ends of the substrate. The liquid can be laminated.
청구항 2에 관한 기판 처리 장치는, 청구항 1에 관한 기판 처리 장치에 있어서, 액체 적층 노즐의 토출구가 액체 적층면의 기판 이동 방향 하류측의 단부에 형성되어 있다.In the substrate processing apparatus according to claim 2, in the substrate processing apparatus according to claim 1, the discharge port of the liquid lamination nozzle is formed at an end portion on the downstream side of the substrate moving direction of the liquid lamination surface.
청구항 3에 관한 기판 처리 장치는, 청구항 1 또는 2에 관한 기판 처리 장치에 있어서, 액체 적층 노즐은 외부로부터 공급된 처리액을 토출구로 인도하는 경사 통로를 가지고 있다.The substrate processing apparatus according to claim 3 is the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the liquid lamination nozzle has an inclined passage that guides the processing liquid supplied from the outside to the discharge port.
청구항 4에 관한 기판 처리 장치는, 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 관한 기판 처리 장치에 있어서, 액체 적층 노즐이 토출구와 액체 적층면의 사이에 토출구로부터 토출된 처리액을 액체 적층면으로 인도하기 위한 연락면을 가지고 있다.The substrate processing apparatus according to claim 4 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the liquid stacking nozzle guides the processing liquid discharged from the discharge port between the discharge port and the liquid stacking surface to the liquid stacking surface. Has a contact surface for
청구항 5에 관한 기판 처리 장치는, 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 관한 기판 처리 장치에 있어서, 액체 적층 노즐의 액체 적층면이 기판 유지 수단에 유지된 기판 표면과 평행하게 형성되어 있다.In the substrate processing apparatus according to claim 5, the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the liquid laminated surface of the liquid lamination nozzle is formed in parallel with the substrate surface held by the substrate holding means.
청구항 6에 관한 기판 처리 장치는, 청구항 1 내지 5에 관한 기판 처리 장치에 있어서, 액체 적층 노즐의 액체 적층면의 제2 방향의 폭은 10mm 이상 40mm 이하이다. 액체 적층면의 제2 방향의 길이가 이 범위에 있을 때, 토출구로부터 토출되는 처리액은 표면 장력에 의해 액체 적층면에 머물기 쉽다.The substrate processing apparatus according to claim 6 is the substrate processing apparatus according to claims 1 to 5, wherein the width in the second direction of the liquid lamination surface of the liquid lamination nozzle is 10 mm or more and 40 mm or less. When the length in the second direction of the liquid laminated surface is in this range, the processing liquid discharged from the discharge port tends to stay on the liquid laminated surface by the surface tension.
청구항 7에 관한 기판 처리 장치는, 청구항 3에 관한 기판 처리 장치에서, 액체 적층 노즐의 경사 통로가 액체 적층면에 대해 10°이상 50°이하의 각도이다. 경사 유로의 액체 적층면에 대한 각도가 이 범위에 있을 때, 토출구로부터 토출되는 처리액은 표면 장력에 의해 액체 적층면에 머물기 쉽다.In the substrate processing apparatus according to claim 7, in the substrate processing apparatus according to claim 3, the inclined passage of the liquid stacking nozzle is an angle of 10 ° or more and 50 ° or less with respect to the liquid stacking surface. When the angle with respect to the liquid laminated surface of the inclined flow path is in this range, the processing liquid discharged from the discharge port tends to stay on the liquid laminated surface by the surface tension.
청구항 8에 관한 기판 처리 장치는, 청구항 4에 관한 기판 처리 장치에서, 액체 적층 노즐의 연락면의 연락 길이는 0.1mm 이상 3mm 이하이다. 연락면의 연락 길이가 이 범위에 있을 때, 토출구로부터 토출되는 처리액은 표면 장력에 의해 액체 적층면에 머물기 쉽다.In the substrate processing apparatus of Claim 8, in the substrate processing apparatus of Claim 4, the contact length of the contact surface of a liquid lamination nozzle is 0.1 mm or more and 3 mm or less. When the contact length of the contact surface is in this range, the processing liquid discharged from the discharge port tends to stay on the liquid laminated surface by the surface tension.
청구항 9에 관한 기판 처리 장치는, 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 관한 기판 처리 장치에 있어서, 액체 적층 노즐의 토출구의 제1 방향의 길이가 처리 대상인 기판의 동일 방향 길이보다도 길다. 이 경우, 기판의 제1 방향이 모두 토출구에 덮이기 때문에, 피처리 기판에 확실하게 처리액을 액체 적층할 수 있다.The substrate processing apparatus according to claim 9 is the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the length in the first direction of the discharge port of the liquid lamination nozzle is longer than the same direction length of the substrate to be processed. In this case, since all the 1st directions of a board | substrate are covered by the discharge port, a process liquid can be reliably laminated | stacked on the to-be-processed substrate.
청구항 10에 관한 기판 처리 장치는, 청구항 1 내지 9에 관한 기판 처리 장치에 있어서, 이동 수단을 제어하는 제어 수단을 더 구비하고 있다. 그리고, 제어 수단은 기판의 선두 부근에서는 기판의 이동을 가속하고, 기판의 중앙부에서는 기판의 이동을 일정 속도로 하고, 기판의 후단 부근에서는 기판의 이동을 감속한다. 이와 같이 기판의 이동을 제어하면, 액체 적층하기가 곤란한 기판의 선두부 및 후단부에서도 확실하게 액체 적층할 수 있다.The substrate processing apparatus according to claim 10 further includes control means for controlling the moving means in the substrate processing apparatus according to claims 1 to 9. The control means accelerates the movement of the substrate in the vicinity of the head of the substrate, moves the substrate at a constant speed in the center of the substrate, and slows down the movement of the substrate in the vicinity of the rear end of the substrate. By controlling the movement of the substrate in this manner, the liquid lamination can be reliably performed even at the leading end and the rear end of the substrate which are difficult to liquid lamination.
청구항 11에 관한 기판 처리 장치는, 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 관한 기판 처리 장치에 있어서, 기판으로 공급한 액체를 재생하는 재생 수단을 더 구비하고 있다. 그리고, 재생 수단에 의해 재생된 처리액은 다시 액체 적층 노즐로부터 토출된다. 이 경우, 1회 사용된 처리액을 사용하고 버리지 않고 다시 사용하기 때문에, 배액(排液)의 양을 저감할 수 있다. 또, 사용한 처리액을 다시 이용하므로, 대량의 처리액을 사용하여 프리디스펜스를 충분히 행할 수 있다.The substrate processing apparatus according to claim 11 further includes regeneration means for regenerating the liquid supplied to the substrate in the substrate processing apparatus according to claim 1. Then, the processing liquid regenerated by the regenerating means is discharged again from the liquid lamination nozzle. In this case, since the treatment liquid used once is used again without being discarded, the amount of drainage can be reduced. Moreover, since the used process liquid is used again, pre-dispensing can be performed sufficiently using a large amount of process liquid.
청구항 12에 관한 기판 처리 장치는, 기판에 처리액을 액체 적층하기 위한 기판 처리 장치에 있어서, 기판 유지 수단과 제1 액체 적층 노즐과 제2 액체 적층 노즐과 이동 수단을 구비하고 있다. 기판 유지 수단은 기판을 유지하기 위한 기구이다. 제1 액체 적층 노즐은 제1 방향으로 연장하는 슬릿 형상의 토출구를 가지고있고, 기판 유지 수단에 유지된 기판 표면에 처리액을 액체 적층한다. 제2 액체 적층 노즐은 제1 방향으로 연장하는 슬릿 형상의 토출구를 가지고 있다. 또, 제2 액체 적층 노즐은 제1 방향과 교차하는 제2 방향에 제1 액체 적층 노즐과 나란히 배치되어 있고, 제1 액체 적층 노즐에 의해 처리액이 액체 적층된 기판 표면에 다시 처리액을 액체 적층한다. 이동 수단은 기판을 제1 및 제2 액체 적층 노즐에 대해 상대적으로 제2 방향으로 이동시킨다.A substrate processing apparatus according to claim 12 includes a substrate holding apparatus, a first liquid laminating nozzle, a second liquid laminating nozzle, and a moving means in a substrate processing apparatus for laminating liquid on a substrate. The substrate holding means is a mechanism for holding the substrate. The first liquid lamination nozzle has a slit-shaped discharge port extending in the first direction, and liquid-processes the liquid on the substrate surface held by the substrate holding means. The second liquid lamination nozzle has a slit-shaped discharge port extending in the first direction. In addition, the second liquid deposition nozzle is disposed in parallel with the first liquid deposition nozzle in a second direction crossing the first direction, and the processing liquid is again applied to the surface of the substrate on which the processing liquid is laminated by the first liquid deposition nozzle. Laminated. The moving means moves the substrate in a second direction relative to the first and second liquid deposition nozzles.
청구항 12에 관한 기판 처리 장치에서는, 제1 액체 적층 노즐에 의해 기판의 선두부로부터 후단부로 순서대로 처리액이 액체 적층되는 동시에, 제2 액체 적층 노즐에 의해, 제1 노즐에 의해 액체가 모인 기판 표면에 다시 액체 적층된다. 청구항 12에 관한 기판 처리 장치에 의하면, 제1 및 제2 액체 적층 노즐의 두 개의 노즐에 의해 반복하여 액체 적층되므로, 기판을 고속으로 이동시킨 경우에도 기판의 선두부 및 후단부에서의 액체 적층을 보다 확실하게 행할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to claim 12, the processing liquid is laminated in the order from the front end to the rear end of the substrate by the first liquid lamination nozzle, and the liquid is collected by the first nozzle by the second liquid lamination nozzle. Liquid is laminated to the surface again. According to the substrate processing apparatus according to claim 12, the liquid lamination is repeatedly performed by two nozzles of the first and second liquid lamination nozzles, so that liquid lamination at the leading and rear ends of the substrate is prevented even when the substrate is moved at high speed. This can be done more reliably.
청구항 13에 관한 기판 처리 장치는, 청구항 12에 관한 기판 처리 장치에 있어서, 제2 액체 적층 노즐의 토출구와 기판 유지 수단에 유지된 기판 표면의 사이의 간격이, 제1 액체 적층 노즐의 토출구와 기판 표면의 사이의 간격보다도 넓어지도록 제1 액체 적층 노즐 및 제2 액체 적층 노즐이 배치되어 있다. 청구항 13에 관한 기판 처리 장치에 의하면, 제2 액체 적층 노즐이 제1 액체 적층 노즐보다도 높게 배치되어 있으므로, 제1 액체 적층 노즐에 의해 액체 적층된 처리액을 제2 노즐에 의해 압출하는 것을 방지할 수 있다.The substrate processing apparatus according to claim 13 is the substrate processing apparatus according to claim 12, wherein an interval between the discharge port of the second liquid lamination nozzle and the substrate surface held by the substrate holding means is equal to the discharge port of the first liquid lamination nozzle and the substrate. The first liquid deposition nozzle and the second liquid deposition nozzle are arranged so as to be wider than the distance between the surfaces. According to the substrate processing apparatus according to claim 13, since the second liquid lamination nozzle is disposed higher than the first liquid laminating nozzle, it is possible to prevent the processing liquid laminated by the first liquid laminating nozzle from being extruded by the second nozzle. Can be.
청구항 14에 관한 기판 처리 장치는, 청구항 12 또는 13에 관한 기판 처리장치에 있어서, 제1 액체 적층 노즐이 청구항 1 내지 11 중 어느 한 항에 기재된 액체 적층 노즐이다. 청구항 14에 관한 기판 처리 장치에 의하면, 제1 액체 적층 노즐이 기판에 처리액을 면 형상으로 접촉시켜 액체 적층하기 때문에, 기판을 고속으로 이동시킨 경우에도, 기판의 선두부 및 후단부에서도 확실하게 액체 적층할 수 있다.The substrate processing apparatus according to claim 14 is the substrate processing apparatus according to claim 12, wherein the first liquid lamination nozzle is the liquid lamination nozzle according to claim 1. According to the substrate processing apparatus according to claim 14, since the first liquid lamination nozzle contacts the substrate with the liquid in the form of a liquid to form a liquid, the substrate liquid treatment nozzle reliably secures the substrate at the leading end and the rear end even when the substrate is moved at high speed. The liquid can be laminated.
청구항 15에 관한 기판 처리 장치는, 청구항 12 내지 14에 관한 기판 처리 장치에 있어서, 제2 액체 적층 노즐이 외부로부터의 처리액을 토출구로 인도하기 위한 처리액 공급로를 가지고 있고, 처리액 공급로가 기판 유지 수단에 유지된 기판 표면에 직교하고 있다. 이 경우, 제2 액체 적층 노즐의 토출구로부터 처리액이 기판에 수직으로 토출되기 때문에, 제1 액체 적층 노즐에 의해 액체 적층된 처리액이 그 제1 액체 적층 노즐 내의 처리액의 흐름 방향으로 액체의 흐름을 만드는 것을 억제할 수 있다.The substrate processing apparatus according to claim 15 is the substrate processing apparatus according to claim 12, wherein the second liquid lamination nozzle has a processing liquid supply path for guiding the processing liquid from the outside to the discharge port, and the processing liquid supply path Is orthogonal to the substrate surface held by the substrate holding means. In this case, since the processing liquid is discharged perpendicularly to the substrate from the discharge port of the second liquid laminating nozzle, the processing liquid laminated by the first liquid laminating nozzle is discharged from the liquid in the flow direction of the processing liquid in the first liquid laminating nozzle. You can suppress the flow.
청구항 16에 관한 기판 처리 방법은, 기판 표면에 처리액을 액체 적층하는 방법으로, 제1 방향으로 긴 슬릿 형상의 토출구와 토출구에 연속하는 액체 적층면을 가지는 액체 적층 노즐을 기판 표면의 윗쪽에 배치하고, 액체 적층 노즐의 토출구로부터 처리액을 토출하여 상기 액체 적층면에 처리액을 면 형상으로 머물게 하고, 액체 적층 노즐과 기판을 상대 이동시키면서 액체 적층면에 면 형상으로 머문 처리액을 기판 표면에 접촉시켜 기판 표면에 처리액을 액체 적층한다. 청구항 16에 관한 기판 처리 방법에 의하면, 청구항 1에 관한 기판 처리 장치의 경우와 동일한 작용 효과를 가진다.The substrate processing method according to claim 16 is a method of liquid laminating a processing liquid on a substrate surface, wherein a liquid lamination nozzle having an ejection opening having a long slit shape in the first direction and a liquid lamination surface continuous to the ejection opening is disposed above the substrate surface. And discharging the processing liquid from the discharge port of the liquid lamination nozzle so that the processing liquid remains in the plane on the liquid lamination surface, and while the liquid lamination nozzle and the substrate are moved relative to each other, the treatment liquid staying in the plane on the liquid lamination surface on the surface of the substrate. The liquid was deposited on the surface of the substrate by the contact. According to the substrate processing method of Claim 16, it has the same effect as the case of the substrate processing apparatus of Claim 1.
제17항에 관한 기판 처리 방법은, 청구항 16에 관한 기판 처리 방법에 있어서, 기판 표면에의 처리액의 액체 적층은, 기판의 선두 부근에서는 기판의 액체 적층 노즐에 대한 이동을 가속하고, 기판의 중앙부에서는 기판의 액체 적층 노즐에 대한 이동을 일정 속도로 하고, 기판의 후단 부근에서는 기판의 액체 적층 노즐에 대한 이동을 감속한다. 청구항 17에 관한 기판 처리 방법에 의하면, 청구항 10에 관한 기판 처리 장치의 경우와 동일한 작용 효과를 가진다.The substrate processing method according to claim 17 is the substrate processing method according to claim 16, wherein the liquid lamination of the processing liquid on the substrate surface accelerates the movement of the substrate to the liquid lamination nozzle in the vicinity of the head of the substrate. In the center part, the movement with respect to the liquid lamination nozzle of a board | substrate is made constant speed, and the movement with respect to the liquid lamination nozzle of a board | substrate is slowed down in the vicinity of the rear end of a board | substrate. According to the substrate processing method of Claim 17, it has the same effect as the case of the substrate processing apparatus of Claim 10.
청구항 18에 관한 기판 처리 방법은, 기판 표면에 처리액을 액체 적층하는 방법으로, 제1 방향으로 긴 슬릿 형상의 토출구를 가지는 제1 액체 적층 노즐을 기판 표면의 윗쪽에 배치하고, 제1 방향으로 긴 슬릿 형상의 토출구를 가지는 제2 액체 적층 노즐을 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 상기 제1 액체 적층 노즐과 나란히 기판 표면의 윗쪽에, 또 토출구와 기판 표면과의 간격이 상기 제1 액체 적층 노즐과의 토출구와 기판 표면과의 간격보다 넓어지도록 배치하고, 제1 액체 적층 노즐과 기판을 상대 이동시키면서 제1 액체 적층 노즐의 토출구로부터 처리액을 토출하여 기판 표면에 액체 적층하고, 제2 액체 적층 노즐과 기판을 상대 이동시키면서 제1 액체 적층 노즐에 의해 처리액이 액체 적층된 기판에 처리액을 액체 적층한다. 청구항 18에 관한 기판 처리 방법에 의하면, 청구항 13에 관한 기판 처리 장치의 경우와 동일한 작용 효과를 가진다.The substrate processing method according to claim 18 is a method of liquid laminating a processing liquid on a substrate surface, wherein the first liquid lamination nozzle having a discharge port having a slit shape long in the first direction is disposed above the substrate surface, and in the first direction. A second liquid lamination nozzle having an elongated slit-shaped ejection opening is arranged above the substrate surface in parallel with the first liquid lamination nozzle in a second direction crossing the first direction, and the distance between the ejection opening and the substrate surface is equal to the first liquid. Disposed so as to be wider than an interval between the discharge port of the stacking nozzle and the surface of the substrate, discharging the processing liquid from the discharge port of the first liquid stacking nozzle while moving the first liquid stacking nozzle and the substrate relative to each other, and laminating the liquid on the surface of the substrate; The processing liquid is liquid laminated on the substrate on which the processing liquid is liquid laminated by the first liquid deposition nozzle while relatively moving the liquid deposition nozzle and the substrate. According to the substrate processing method of Claim 18, it has the same effect as the case of the substrate processing apparatus of Claim 13.
청구항 19에 관한 기판 처리 방법은, 기판 표면에 처리액을 액체 적층하는 방법으로, 제1 방향으로 긴 슬릿 형상의 토출구와, 토출구에 연속하는 액체 적층면을 가지는 제1 액체 적층 노즐을 기판 표면의 윗쪽에 배치하고, 제1 방향으로 긴슬릿 형상의 토출구를 가지는 제2 액체 적층 노즐을 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 제1 액체 적층 노즐과 나란히 기판 표면의 윗쪽에, 또 토출구와 기판 표면과의 간격이 제1 액체 적층 노즐과의 토출구와 기판 표면과의 간격보다도 넓어지도록 배치하고, 제1 액체 적층 노즐의 토출구로부터 처리액을 토출하여 액체 적층면에 처리액을 면 형상으로 머물게 하고, 제1 액체 적층 노즐과 기판을 상대 이동시키면서, 액체 적층면에 면 형상으로 머문 처리액을 기판 표면에 접촉시켜 기판 표면에 처리액을 액체 적층하고, 제2 액체 적층 노즐과 기판을 상대 이동시키면서 제1 액체 적층 노즐에 의해 처리액이 액체 적층된 기판에 처리액을 액체 적층한다. 청구항 19에 관한 기판 처리 방법에 의하면, 청구항 14에 관한 기판 처리 장치의 경우와 동일한 작용의 효과를 가진다.A substrate processing method according to claim 19 is a method of liquid laminating a processing liquid on a substrate surface, the method comprising: forming a first liquid lamination nozzle having a slit discharge port elongated in a first direction and a liquid lamination surface continuous to the discharge port; A second liquid lamination nozzle disposed above and having a long slit-shaped ejection opening in a first direction, on the upper side of the substrate surface in parallel with the first liquid laminating nozzle in a second direction crossing the first direction, the ejection opening and the substrate surface And the gap between the discharge port of the first liquid lamination nozzle and the substrate surface is wider than the gap between the discharge port of the first liquid lamination nozzle and the discharge of the processing liquid from the discharge port of the first liquid lamination nozzle, so that the processing liquid remains in the planar shape on the liquid lamination surface, While relatively moving the first liquid lamination nozzle and the substrate, the processing liquid staying in a planar shape on the liquid lamination surface is brought into contact with the surface of the substrate, and the liquid is deposited on the substrate surface. Laminating the second liquid nozzle and the substrate while moving relative to the liquid depositing a treatment liquid in the treatment liquid is a liquid substrate stack by the first multilayer liquid nozzle. According to the substrate processing method of claim 19, the same effects as in the case of the substrate processing apparatus of claim 14 are obtained.
청구항 20에 관한 기판 처리 장치는, 기판에 처리액을 액체 적층위한 기판 처리 장치로, 기판 유지 수단과 액체 적층 노즐과 이동 수단을 구비하고 있다. 기판 유지 수단은 기판을 유지하기 위한 기구이다. 액체 적층 노즐은 제1 방향으로 연장하는 슬릿 형상의 토출구를 가지고, 기판 유지 수단에 유지된 기판 표면에 처리액을 액체 적층한다. 이동 수단은 기판을 액체 적층 노즐에 대해 상대적으로 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이동시킨다. 또, 액체 적층 노즐은 기판 유지 수단에 유지된 기판과 대략 평행하게, 아래 방향의 액체 적층면을 가지고 있고, 액체 적층면과 연속하고, 또 액체 적층면보다도 윗쪽에 위치하는 면에 상기 토출구를 가지고 있다. 청구항 20에 관한 기판 처리 장치에서는, 토출구로부터 토출되는 처리액이 액체 적층면에 머물게 하고, 머문 처리액이 기판에 대략 평행하게 접촉하여기판에 처리액을 액체 적층한다. 청구항 20에 관한 기판 처리 장치에 의하면, 청구항 1에 관한 기판 처리 장치와 동일한 작용 효과를 얻는다.The substrate processing apparatus according to claim 20 is a substrate processing apparatus for laminating liquid on a substrate, and includes a substrate holding means, a liquid laminating nozzle, and a moving means. The substrate holding means is a mechanism for holding the substrate. The liquid lamination nozzle has a slit-shaped discharge port extending in the first direction, and liquid-processes the liquid on the substrate surface held by the substrate holding means. The moving means moves the substrate in a second direction intersecting the first direction relative to the liquid deposition nozzle. Further, the liquid lamination nozzle has a liquid lamination plane in the downward direction substantially parallel to the substrate held by the substrate holding means, and has the discharge port on a surface continuous with the liquid lamination plane and located above the liquid lamination plane. have. In the substrate processing apparatus according to claim 20, the processing liquid discharged from the discharge port stays on the liquid stacking surface, and the remaining processing liquid contacts the substrate substantially in parallel with the liquid, and the processing liquid is laminated on the substrate. According to the substrate processing apparatus according to claim 20, the same effects as those of the substrate processing apparatus according to claim 1 are obtained.
청구항 21에 관한 기판 처리 장치는, 청구항 20의 기판 처리 장치에 있어서, 슬릿 형상의 토출구로부터 토출된 처리액이 표면 장력에 의해 액체 적층면에 주입도록 액체 적층 노즐이 구성되어 있다.In the substrate processing apparatus according to claim 21, in the substrate processing apparatus according to claim 20, the liquid lamination nozzle is configured such that the processing liquid discharged from the slit-shaped discharge port is injected into the liquid lamination surface by the surface tension.
청구항 22에 관한 기판 처리 장치는, 청구항 20 또는 21에 관한 기판 처리 장치에 있어서, 기판 유지 수단은 기판을 대략 수평 자세로 유지하고, 액체 적층면은 아래 방향의 대략 수평면이다.The substrate processing apparatus according to claim 22 is the substrate processing apparatus according to claim 20 or 21, wherein the substrate holding means holds the substrate in a substantially horizontal posture, and the liquid lamination surface is a substantially horizontal plane in the downward direction.
도 1은 실시 형태에 관한 기판 현상 장치,1 is a substrate developing apparatus according to an embodiment;
도 2는 그 액체 적층 노즐의 확대도,2 is an enlarged view of the liquid lamination nozzle,
도 3은 액체 적층 노즐의 분해도,3 is an exploded view of a liquid lamination nozzle,
도 4는 액체 적층 노즐에 의한 액체 적층을 설명하는 도면,4 is a view for explaining liquid lamination by a liquid lamination nozzle;
도 5는 기판의 이동 속도,5 is a moving speed of the substrate,
도 6은 제2 실시 형태에 관한 액체 적층 노즐,6 is a liquid lamination nozzle according to a second embodiment;
도 7은 제3 실시 형태에 관한 액체 적층 노즐,7 is a liquid lamination nozzle according to a third embodiment,
도 8은 제4 실시 형태에 관한 액체 적층 노즐이다.8 is a liquid lamination nozzle according to a fourth embodiment.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
2 : 기판 처리부 3 : 제어 수단2 substrate processing unit 3 control means
4 : 재생 시스템(재생 수단) 8, 41, 42 : 액체 적층 노즐4: Regeneration system (regeneration means) 8, 41, 42: liquid lamination nozzle
16 : 롤러 컨베이어(기판 유지 수단, 이동 수단)16: roller conveyor (substrate holding means, moving means)
24 : 토출구 28 : 경사 유로24 discharge port 28 inclined flow path
30 : 연락면 31 : 액체 적층면30: contact surface 31: liquid laminated surface
[제1 실시 형태][First Embodiment]
[전체 구성][Overall configuration]
도 1에는 본 발명에 관한 기판 처리 장치의 일 실시 형태로서의 기판 현상 장치를 도시한다. 본 실시형태의 기판 현상 장치는 현상액 저류조(貯留槽)(1)와 기판 처리부(2)와 제어 수단(3)과 재생 시스템(4)을 주로 구비하고 있다. 현상액 저류조(1)는 현상액을 저류하는 장치로, 예컨대 TMAH(테트라메틸암모늄하이드로옥사이드)등의 알칼리 현상액을 저장한다. 기판 처리부(2)는 레지스트 막에 대해 패턴이 노광된 피처리 기판에 현상액을 액체 적층하여 피처리 기판을 현상하기 위한 장치이다. 피처리 기판은, 예컨대 액정표시 장치용 기판, PDP 기판, 반도체 웨이퍼 등이다. 제어 수단(3)은 현상액 저류조(1), 기판 처리부(2) 및 재생 시스템(4)을 제어하는 장치로, 마이크로컴퓨터·메모리 등을 구비하고 있다. 재생시스템(4)은 기판 처리부(2)에서 사용된 현상액의 알칼리 농도·피로도(疲勞度)(포토레지스트 농도)를 조절하여, 다시 현상액 저류조(1)로 되돌리기 위한 장치이다.1 shows a substrate developing apparatus as an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. The substrate developing apparatus of the present embodiment mainly includes a developer storage tank 1, a substrate processing unit 2, a control unit 3, and a regeneration system 4. The developer storage tank 1 is a device for storing a developer, for example, storing an alkaline developer such as TMAH (tetramethylammonium hydrooxide). The substrate processing unit 2 is a device for developing a substrate by liquid laminating a developing solution on a substrate to which the pattern is exposed to the resist film. The substrate to be processed is, for example, a liquid crystal display substrate, a PDP substrate, a semiconductor wafer, or the like. The control means 3 is an apparatus which controls the developer storage tank 1, the board | substrate processing part 2, and the reproduction system 4, and is equipped with a microcomputer memory. The regeneration system 4 is an apparatus for adjusting the alkali concentration and the fatigue degree (photoresist concentration) of the developer used in the substrate processing unit 2 and returning it to the developer storage tank 1 again.
현상액 저류조(1)는 배관(6)을 통해 기판 처리부(2)에 접속되어 있고, 배관(6)의 도중에는 펌프(5) 및 필터(10)가 설치되어 있다. 펌프(5)가 구동되면, 현상액 저류조(1)의 현상액을 배관(6) 및 필터(10)를 통해 기판 처리부(2)에 공급한다. 또, 현상액 저류조(1)는 배관(9)을 통해서도 기판 처리부(2)에 접속되어 있다. 기판 처리부(2)에서 현상에 사용된 후의 현상액은 배관(9)을 통해 현상액 저류조(1)로 되돌린다. 또, 현상액 저류조(1)는 배출 배관(12)을 통해 재생 시스템(4)에 접속되어 있고, 배출 배관(12)의 도중에 배액 밸브(11)가 설치되어 있다. 배액 밸브(11)는 배출 배관(12)을 통해 배출되는 현상액의 유량을 조절하기 위한 밸브이다. 또, 현상액 저류조(1)의 상부에는 액면 조정용 배관(15)이 접속되어 있고, 이 액면 조정용 배관(15)은 배액 밸브(11)보다 하류측의 배출 배관(12)에 접속되어 있다.The developing solution storage tank 1 is connected to the substrate processing unit 2 via a pipe 6, and a pump 5 and a filter 10 are provided in the middle of the pipe 6. When the pump 5 is driven, the developer of the developer storage tank 1 is supplied to the substrate processing unit 2 through the pipe 6 and the filter 10. Moreover, the developing solution storage tank 1 is connected to the board | substrate process part 2 also through the piping 9. As shown in FIG. The developing solution after being used for development in the substrate processing unit 2 is returned to the developing solution storage tank 1 through the pipe 9. Moreover, the developing solution storage tank 1 is connected to the regeneration system 4 via the discharge piping 12, and the drain valve 11 is provided in the middle of the discharge piping 12. As shown in FIG. The drain valve 11 is a valve for adjusting the flow rate of the developer discharged through the discharge pipe 12. Moreover, the liquid level adjustment piping 15 is connected to the upper part of the developing solution storage tank 1, and this liquid level adjustment piping 15 is connected to the discharge piping 12 of the downstream side rather than the drain valve 11. As shown in FIG.
기판 처리부(2)는 기판 유지 수단 및 이동 수단으로서의 롤러 컨베이어(16)와, 액체 적층 노즐(8)과, 액체 공급 배관(7)을 구비하고 있다. 롤러 컨베이어(16)는 피처리 기판을 유지하면서 지면 좌로부터 우(이하, 제2 방향이라 함)로 이동시킨다. 액체 적층 노즐(8)은 현상액을 피처리 기판에 액체 적층하기 위한 기구로, 후술하는 바와 같이 지면 수직 방향(이하, 제1 방향이라고 함)에 길게 형성되어 있다. 액체 공급 배관(7)은 액체 적층 노즐(8)에 현상액을 공급하기 위한 기구이다. 피처리 기판은 롤러 컨베이어(16)에 의해 정지한 액체 적층노즐(8)에 직교하도록 상대적으로 이동되어, 액체 적층 노즐(8)로부터 공급되는 현상액이 기판의 선두에서부터 후단에 순서대로 액체 적층된다.The substrate processing unit 2 includes a roller conveyor 16 as a substrate holding means and a moving means, a liquid lamination nozzle 8, and a liquid supply pipe 7. The roller conveyor 16 moves from the left side of the paper to the right (hereinafter referred to as the second direction) while holding the substrate to be processed. The liquid lamination nozzle 8 is a mechanism for laminating liquid on a substrate to be processed, and is formed long in the paper vertical direction (hereinafter referred to as a first direction) as described later. The liquid supply pipe 7 is a mechanism for supplying a developing solution to the liquid stacking nozzle 8. The substrate to be processed is moved relatively so as to be orthogonal to the liquid lamination nozzle 8 stopped by the roller conveyor 16, and the developer supplied from the liquid lamination nozzle 8 is liquid laminated in order from the top to the rear of the substrate.
제어 수단(3)은 펌프(5)와 배액 밸브(11)와 펌프(13)(후술)에 접속되어 있고, 이들을 제어하기 위한 마이크로 컴퓨터와 제어 순서를 나타내는 프로그램·제어의 조건 등을 격납하기 위한 메모리를 구비하고 있다.The control means 3 is connected to the pump 5, the drain valve 11, and the pump 13 (described later), and for storing a microcomputer for controlling them, a program / control condition indicating a control procedure, and the like. It has a memory.
재생 시스템(4)은 배출 배관(12)을 통해 현상액 저류조(1)로부터 사용 종료된 현상액을 도입하고, 알칼리 농도·피로도(포토레지스트 농도)를 조절하여, 배관(14) 및 펌프(13)를 통해 조절 후의 현상액을 현상액 저류조(1)로 되돌린다. 제어 수단(3)에 의해 펌프(13)가 제어되어, 재생 시스템(4)으로부터 현상액 저류조(1)로의 현상액의 유입이 조절된다.The regeneration system 4 introduces the used solution from the developer storage tank 1 through the discharge pipe 12, adjusts the alkali concentration and the fatigue degree (photoresist concentration), and controls the pipe 14 and the pump 13. Through the adjustment, the developer after adjustment is returned to the developer storage tank 1. The pump 13 is controlled by the control means 3, and the inflow of the developing solution from the regeneration system 4 to the developing solution storage tank 1 is adjusted.
[액체 적층 노즐의 구성][Configuration of Liquid Lamination Nozzle]
도 2는 본 실시 형태에 관한 액체 적층 노즐(8)의 제2 방향에서 본 확대도이고, 도 3은 액체 적층 노즐(8)의 분해도이고, 도 4는 액체 적층 노즐(8)에 의한 현상액에의 액체 적층을 설명하는 도면이다.FIG. 2 is an enlarged view seen from the second direction of the liquid lamination nozzle 8 according to the present embodiment, FIG. 3 is an exploded view of the liquid lamination nozzle 8, and FIG. 4 is a development solution by the liquid lamination nozzle 8. It is a figure explaining the liquid lamination.
도 2에 도시한 바와 같이, 액체 적층 노즐(8)은 이른바 슬릿 노즐로, 노즐 본체(21·22)와 스페이서(23)를 가지고 있고, 제1 방향으로 연장하는 토출구(24)가 형성되어 있다. 노즐 본체(21·22)는, 도 3에 도시한 바와 같이 제1 방향으로 길게 형성되어 있고, 노즐 본체(22)의 접합면(25)에는 제1 방향으로 긴 오목부(27)가 형성되어 있다. 노즐 본체(21)는 노즐 본체(22)의 접합면(25)과 대응한 형상의 접합면(26)을 가지는 두께가 있는 판체이며, 오목부(27)에 대응한 위치에 액체 공급배관(7)과 연결되는 개구(29)가 형성되어 있다. 노즐 본체(21)는 그 접합면(26)이 노즐 본체(22)의 접합면(25)과 스페이서(23)를 끼워 결합된다. 스페이서(23)는 소정의 두께를 가지고, 노즐 본체(22)의 오목부(27)의 주위의 세 변을 폐색하는 동시에 오목부(27)의 길이 방향(제1 방향)의 한 변을 열도록 コ자 형상으로 형성되어 있다. 이들 노즐 본체(21, 22)와 스페이서(23)는 도시하지 않은 볼트 등의 고정구에 의해 체결 고정되어 액체 적층 노즐(8)을 구성한다. 이에 따라 액체 적층 노즐(8)에는 노즐 본체(21)의 접합면(26)과 노즐 본체(22)의 접합면(25)과의 사이의 스페이서(23)가 존재하지 않는 극간에 의해, 처리액의 경사 유로(28)가 스페이서(23)의 두께의 슬릿 형상으로 형성되고, 그 선단에 토출구(24)가 형성된다. 오목부(27)는 개구(29)로부터 공급되는 처리액의 흐름을 액체 적층 노즐(8)의 슬릿 형상의 경사 유로(28)의 폭 방향(제1 방향)으로 균일화하는 작용을 한다. 또, 노즐 본체(22)의 토출구(24)측의 단면에는 토출구(24)와 연결되어 제1 방향으로 긴 평탄한 연락면(30)이 형성되어 있고, 또 그 연락면(30)과 소정의 각도를 이루어 연결된 평탄한 액체 적층면(31)이 형성되어 있다. 여기에서는, 경사 유로(28)와 연락면(30)은 직교하고 있다.As shown in FIG. 2, the liquid lamination nozzle 8 is a so-called slit nozzle, has a nozzle body 21 · 22 and a spacer 23, and a discharge port 24 extending in the first direction is formed. . As shown in FIG. 3, the nozzle body 21 · 22 is elongated in the first direction, and the concave portion 27 elongated in the first direction is formed on the joining surface 25 of the nozzle body 22. have. The nozzle body 21 is a thick plate body having a joining surface 26 of a shape corresponding to the joining surface 25 of the nozzle body 22, and the liquid supply pipe 7 is located at a position corresponding to the recess 27. An opening 29 is formed to be connected to the. The joining surface 26 of the nozzle body 21 is joined by fitting the joining surface 25 of the nozzle main body 22 and the spacer 23. The spacer 23 has a predetermined thickness so as to close three sides around the recess 27 of the nozzle body 22 and to open one side in the longitudinal direction (first direction) of the recess 27. It is formed in a U-shape. These nozzle bodies 21 and 22 and the spacer 23 are fastened and fixed by fasteners, such as a bolt which is not shown in figure, and comprise the liquid laminated nozzle 8. As shown in FIG. As a result, the processing liquid is disposed in the liquid lamination nozzle 8 by a gap in which the spacer 23 between the joint surface 26 of the nozzle body 21 and the joint surface 25 of the nozzle body 22 does not exist. The inclined flow path 28 is formed in the slit shape of the thickness of the spacer 23, and the discharge port 24 is formed in the front-end | tip. The recessed part 27 acts to equalize the flow of the processing liquid supplied from the opening 29 to the width direction (first direction) of the slit-shaped inclined flow path 28 of the liquid lamination nozzle 8. Moreover, the flat communication surface 30 which is connected to the discharge port 24 and is long in a 1st direction is formed in the cross section by the discharge port 24 side of the nozzle main body 22, and it is predetermined angle with the communication surface 30. A flat liquid stacking surface 31 connected in a manner is formed. Here, the inclined flow path 28 and the contact surface 30 are orthogonal.
이 액체 적층 노즐(8)은 사용 상태에서는 도 4에 도시한 바와 같이 배치된다. 즉, 경사 유로(28)가 경사 아래 방향으로, 또 토출구(24)가 기판의 진행 방향측을 향하고, 연락면(30)은 토출구(24)보다도 하측에 아래 방향에 위치하고, 액체 적층면(31)은 아래 방향에서 기판면과 거의 평행한 수평 자세로 되어 있다.This liquid lamination nozzle 8 is arranged as shown in FIG. 4 in the use state. That is, the inclined flow path 28 is inclined downward direction, the discharge port 24 is directed toward the advancing direction side of the board | substrate, and the contact surface 30 is located below the discharge port 24 below, and the liquid laminated surface 31 is located. ) Is in a horizontal position substantially parallel to the substrate surface in the downward direction.
[동작][action]
기판에 액체 적층하는 경우, 먼저, 이하와 같이 프리디스펜스를 행한다. 제어 수단(3)으로부터의 지령에 의해 펌프(5), 펌프(13)가 구동되어 배액 밸브(11)를 개방한다. 이에 따라, 현상액 저류조(1)로부터 배관(6) 및 필터(10)를 통해 현상액이 기판 처리부(2)에 공급되고, 또 현상액은 액체 공급 배관(7)으로부터 액체 적층 노즐(8)에 공급되어 토출구(24)로부터 기판 처리부(2) 내부로 토출된다. 토출된 현상액은 배관(9)을 통해 현상액 저류조(1)로 되돌아간다. 또, 현상액 저류조(1)의 현상액은 배액 밸브(11) 및 배출 배관(12)을 통해 재생 시스템(4)에 공급되어, 재생 시스템(4)에 의해 알칼리 농도·피로도(포토레지스트 농도)가 조정된 후, 펌프(13) 및 배관(14)을 통해 현상액 저류부(1)로 되돌아간다. 이와 같이 하여, 배관(6, 9, 14) 및 액체 공급 배관(7) 및 액체 적층 노즐(8) 내부에 침입한 공기를 제거한다.In the case of liquid lamination on the substrate, first, predispensing is performed as follows. By the instruction from the control means 3, the pump 5 and the pump 13 are driven to open the drain valve 11. Thereby, the developing solution is supplied from the developing solution storage tank 1 to the board | substrate processing part 2 through the piping 6 and the filter 10, and the developing solution is supplied to the liquid laminated nozzle 8 from the liquid supply piping 7 It discharges from the discharge port 24 into the substrate processing part 2. The discharged developer is returned to the developer storage tank 1 through the pipe 9. Moreover, the developing solution of the developing solution storage tank 1 is supplied to the regeneration system 4 via the drain valve 11 and the discharge piping 12, and the alkali concentration and the fatigue degree (photoresist concentration) are adjusted by the regeneration system 4 After that, it returns to the developer storage part 1 through the pump 13 and the piping 14. In this way, the air which penetrated into the piping 6, 9, 14, the liquid supply piping 7, and the liquid lamination nozzle 8 is removed.
프리디스펜스가 종료하면, 액체 적층 노즐(8)로부터 토출하는 유량을 작게 하여, 이동 수단(16)에 의해 기판을 제2 방향으로 이동시킨다. 토출구(24)로부터 토출되는 현상액은 표면 장력에 의해 다시 연락면(30)을 따라, 또 연락면(30)으로부터 액체 적층면(31)으로 전달되어, 여기서 머물게 된다. 기판이 반송되어 액체 적층 노즐(8)의 아래쪽에 도달하면, 이 액체 적층면(31)에 모인 현상액이 기판에 면 형상으로 접촉하여, 기판의 선두부로부터 후단부에 순서대로 액체 적층한다.When the pre-dispensing ends, the flow rate discharged from the liquid lamination nozzle 8 is made small, and the moving means 16 moves the substrate in the second direction. The developer discharged from the discharge port 24 is transferred again along the contact surface 30 and from the contact surface 30 to the liquid laminated surface 31 by the surface tension, and stays here. When the substrate is conveyed and reaches the lower side of the liquid lamination nozzle 8, the developer collected on the liquid lamination surface 31 contacts the substrate in a planar shape, and the liquid is laminated in order from the head to the rear end of the substrate.
여기에서, 액체 적층면(31)과 접합면(25·26)이 이루는 각도(θ)는 도 2에 도시한 바와 같이, 10°이상 50°이하가 바람직하다. 각도(θ)가 이 범위보다 크면, 토출구(24)로부터 토출되는 현상액이 연락면(30)에 전달되지 않고 기판에 낙하해 버리고, 각도(θ)가 이 범위보다 작으면, 현상액이 액체 적층면(31)에 전달되지 않고 기판에 낙하해 버린다. 또, 연락면(30)의 연락 길이(b)는 0.1mm 이상 3mm 이하가 바람직하고, 액체 적층면(31)의 제2 방향의 길이(a)는 10mm 이상 40mm 이하가 바람직하다. 연락면(30)의 연락 길이(b)가 이 범위보다도 크면, 현상액에 가해지는 표면 장력보다도 중력이 커지게 되어, 현상액이 연락면(30)에 전달되지 않고 기판에 낙하해 버리고, 연락 길이(b)가 이 범위보다도 작으면, 현상액은 연락면(30)에 전달되지만 액체 적층면(31)에 머물지 않고 기판에 낙하해 버린다. 또, 액체 적층면(31)의 길이(a)가 이 범위보다 작으면, 현상액은 액체 적층면(31)에 머물지 않고 기판으로 낙하해 버리고, 액체 적층면(31)의 길이(a)가 이 범위보다도 크면, 현상액이 액체 적층면(31) 전체에 균일하게 퍼지지 않는다.Here, as shown in FIG. 2, the angle θ formed between the liquid laminated surface 31 and the bonding surface 25 · 26 is preferably 10 ° or more and 50 ° or less. If the angle θ is larger than this range, the developer discharged from the discharge port 24 falls to the substrate without being transferred to the contact surface 30, and if the angle θ is smaller than this range, the developer is the liquid laminated surface. It falls to the board | substrate without being transmitted to 31. In addition, the contact length b of the contact surface 30 is preferably 0.1 mm or more and 3 mm or less, and the length a in the second direction of the liquid laminated surface 31 is preferably 10 mm or more and 40 mm or less. If the contact length b of the contact surface 30 is larger than this range, the gravity becomes larger than the surface tension applied to the developer, and the developer falls to the substrate without being transferred to the contact surface 30, and the contact length ( If b) is smaller than this range, the developer is transferred to the contact surface 30 but falls to the substrate without remaining on the liquid laminated surface 31. In addition, if the length a of the liquid laminated surface 31 is smaller than this range, the developing solution falls to the substrate without remaining in the liquid laminated surface 31, and the length a of the liquid laminated surface 31 is equal to this. If it is larger than the range, the developer does not uniformly spread over the entire liquid laminated surface 31.
또, 기판의 이동 속도는 도 5에 도시한 바와 같이, 기판에 액체 적층을 개시하는 기판의 선두부에서는 느리게 하여 서서히 가속시킨다. 그리고, 기판의 중앙부에서는 기판의 일정한 속도로 이동시키고, 기판의 후단부에서는 기판의 이동을 감속한다. 이와 같이 기판의 이동을 제어하면, 액체 적층이 어려운 기판의 선두부와 후단부 부근에서 기판의 이동 속도를 느리게 억제하여, 기판의 선두부와 후단부에서도 정확하게 액체 적층할 수 있다.Moreover, as shown in FIG. 5, the moving speed of a board | substrate is accelerated slowly and gradually at the head part of a board | substrate which starts liquid lamination | stacking on a board | substrate. The substrate is moved at a constant speed of the substrate at the center of the substrate, and the movement of the substrate is slowed at the rear end of the substrate. By controlling the movement of the substrate in this manner, the moving speed of the substrate is slowed down near the head and the rear end of the substrate where liquid lamination is difficult, and liquid lamination can be accurately performed even at the head and the rear end of the substrate.
본 실시 형태의 기판 현상 장치에 의하면, 현상액을 면 형상으로 접촉시켜 기판에 액체 적층하기 때문에, 기판을 고속으로 이동시킨 경우에도 기판의 선두부 및 후단부에서도 액체 적층을 확실하게 할 수 있다. 그 결과, 기판에의 액체 적층 처리를 고속으로 할 수 있게 된다.According to the substrate developing apparatus of the present embodiment, the liquid is laminated on the substrate by contacting the developer in a planar shape, so that even when the substrate is moved at high speed, the liquid lamination can be ensured even at the leading and rear ends of the substrate. As a result, the liquid lamination process on a board | substrate can be made high speed.
또, 재생 시스템(4)에 의해 사용 종료된 현상액을 조절하여 다시 사용하기 때문에, 프리디스펜스를 대유량으로 행할 수 있다. 이에 따라, 배관에 침입한 기포를 충분히 배제할 수 있어, 기판의 현상 얼룩을 방지할 수 있다.In addition, since the developing solution used by the regeneration system 4 is adjusted and used again, the pre-dispensing can be performed at a large flow rate. Thereby, the bubble which penetrated into piping can fully be excluded, and the uneven development of a board | substrate can be prevented.
[제2 실시 형태]Second Embodiment
도 6은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 기판 현상 장치의 액체 적층 노즐(8)의 배치를 도시한다. 제2 실시 형태에 관한 기판 현상 장치는, 도 1 내지 도 3에 도시한 제1 실시 형태의 기판 현상 장치의 구성과 거의 동일하며, 동일한 구성의 설명은 생략한다. 제1 실시 형태에서는 기판 처리부(2)는 액체 적층 노즐(8)을 하나 구비했지만, 제2 실시 형태에서는 기판 처리부(2)는 액체 적층 노즐(8·41·42)의 세 개의 액체 적층 노즐을 구비하고 있다. 기판의 진행 방향의 가장 상류측의 액체 적층 노즐(8)과 기판과의 거리(x)가 가장 작고, 하류측의 액체 적층 노즐(41·42)과 기판과의 거리(y·z)는 순서대로 커지게 된다. 또, 액체 적층 노즐(8·41)은 액체 적층면(31)이 기판과 대략 평행하게 되도록 배치되고, 가장 하류측의 액체 적층 노즐(42)은 토출구(24)가 기판에 수직이 되도록 배치된다.Fig. 6 shows the arrangement of the liquid lamination nozzles 8 of the substrate developing apparatus according to the second embodiment of the present invention. The board | substrate developing apparatus which concerns on 2nd Embodiment is substantially the same as the structure of the board | substrate developing apparatus of 1st Embodiment shown in FIGS. 1-3, and description of the same structure is abbreviate | omitted. In the first embodiment, the substrate processing unit 2 includes one liquid stacking nozzle 8, but in the second embodiment, the substrate processing unit 2 uses three liquid stacking nozzles of the liquid stacking nozzles 8 · 41 · 42. Equipped. The distance (x) between the liquid lamination nozzle 8 on the most upstream side and the substrate in the advancing direction of the substrate is the smallest, and the distance (y · z) between the liquid lamination nozzles 41 · 42 on the downstream side and the substrate is in order. Will grow. In addition, the liquid stacking nozzles 8 · 41 are arranged so that the liquid stacking surface 31 is substantially parallel to the substrate, and the liquid stacking nozzle 42 on the downstream side is disposed so that the discharge port 24 is perpendicular to the substrate. .
제2 실시 형태의 기판 현상 장치에서는, 이송되는 기판은 먼저 액체 적층 노즐(8)에 의해 현상액이 면 형상에 액체 적층되고, 액체 적층된 부분에 다시 액체 적층 노즐(4)에 의해 현상액이 면 형상에 액체 적층되고, 다시 액체 적층 노즐(42)에 의해 액체 적층된다.In the substrate developing apparatus of the second embodiment, the developing solution is first liquid-laminated in the plane shape by the liquid lamination nozzle 8, and the developing solution is in the plane shape by the liquid lamination nozzle 4 again in the liquid-laminated part. The liquid is laminated by the liquid, and the liquid is laminated by the liquid lamination nozzle 42 again.
제2 실시 형태의 기판 현상 장치에 의하면, 세 개의 액체 적층 노즐(8·41·42)에 의해 기판에 반복하여 액체 적층하기 때문에, 기판의 이동 속도를 빠르게 한 경우에도 기판의 선두부 및 후단부에 확실하게 액체 적층할 수 있다. 이에 따라, 기판의 액체 적층 처리를 고속으로 행할 수 있다. 또, 마지막의 액체 적층 노즐(42)에 의해 기판에 수직으로 액체 적층함으로써, 액체 적층 노즐(8·41)에 의해 액체 적층된 현상액이 기판의 선두 방향으로, 다시 말하면, 액체 적층 노즐(8·41)의 현상액의 유로의 방향, 즉 액체 적층 노즐(8·41)로부터 현상액 유출 방향으로 흐름을 만들어 버리는 것을 억제할 수 있다.According to the substrate developing apparatus of the second embodiment, since the liquid is repeatedly laminated on the substrate by the three liquid stacking nozzles 8 · 41 · 42, even when the moving speed of the substrate is increased, the head and rear ends of the substrate are increased. It can reliably liquid laminate. Thereby, the liquid lamination process of a board | substrate can be performed at high speed. In addition, the liquid is laminated vertically to the substrate by the last liquid lamination nozzle 42, so that the developer deposited liquid by the liquid lamination nozzles 8 · 41 is in the head direction of the substrate, that is, the liquid lamination nozzles 8 ·. The formation of a flow in the direction of the flow path of the developing solution of 41, that is, in the developing solution outflow direction from the liquid lamination nozzles 8 · 41 can be suppressed.
제2 실시 형태에서는 액체 적층 노즐이 세 개인 경우를 나타냈지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니고, 액체 적층 노즐이 네 개 이상인 경우에도 상기와 같은 효과를 얻는다. 액체 적층 노즐을 네 개 이상 설치한 경우에는, 보다 많은 액체 적층 노즐에 의해 기판에 반복하여 액체 적층되므로, 기판을 보다 고속으로 이동시켜 액체 적층 처리를 할 수 있다.Although the case where three liquid lamination nozzles were shown in 2nd Embodiment was shown, this invention is not limited to this, The same effect as above is acquired even if there are four or more liquid lamination nozzles. In the case where four or more liquid lamination nozzles are provided, since the liquid lamination is repeatedly performed on the substrate by more liquid lamination nozzles, the liquid lamination process can be performed by moving the substrate at a higher speed.
[제3 실시 형태][Third Embodiment]
상기 제2 실시 형태에서는 액체 적층 노즐이 세 개 이상인 경우를 나타냈지만, 도 7에 도시한 바와 같이 두 개의 액체 적층 노즐(8·41)을 이용한 경우도 있다. 이 경우도 기판의 진행 방향의 상류측의 액체 적층 노즐(8)과 기판과의 거리(x)가 작고, 하류측의 액체 적층 노즐(41)과 기판과의 거리(y)가 커지게 되어 있다. 또, 액체 적층 노즐(8·41)은 액체 적층면(31)이 기판과 대략 평행하도록 배치되어 있다.Although the case where there exist three or more liquid lamination | stacking nozzles was shown in the said 2nd Embodiment, as shown in FIG. 7, two liquid lamination nozzles 8 * 41 may be used. Also in this case, the distance x between the liquid stacking nozzle 8 and the substrate on the upstream side in the advancing direction of the substrate is small, and the distance y between the liquid stacking nozzle 41 and the substrate on the downstream side is increased. . In addition, the liquid lamination nozzles 8 · 41 are arranged so that the liquid lamination surface 31 is substantially parallel to the substrate.
본 실시 형태의 기판 현상 장치에서는, 이송되는 기판은 먼저 액체 적층 노즐(8)에 의해 현상액이 면 형상으로 액체 적층되고, 액체 적층된 부분에 다시 액체적층 노즐(41)에 의해 현상액이 면 형상으로 액체 적층된다. 본 실시 형태의 기판 현상 장치에서는 제2 실시 형태와 같이 수직으로 액체 적층하는 액체 적층 노즐(42)을 구비하고 있지 않지만, 본 실시 형태에 의해서도, 두 개의 액체 적층 노즐(8·41)에 의해 기판에 반복하여 액체 적층하기 때문에, 기판의 이동 속도를 빠르게 해도 기판의 선두부 및 후단부에 확실하게 액체 적층할 수 있어, 기판의 액체 적층 처리를 고속으로 행할 수 있다.In the substrate developing apparatus of this embodiment, the developer to be transferred is first liquid-laminated in a plane shape by the liquid lamination nozzle 8, and the developer is further in a plane shape by the liquid lamination nozzle 41 in the liquid-laminated portion. Liquid is laminated. Although the substrate developing apparatus of this embodiment does not include the liquid lamination nozzle 42 for liquid lamination vertically as in the second embodiment, the substrate is also formed by two liquid lamination nozzles 8 · 41 according to this embodiment. Since the liquid lamination is repeatedly carried out, the liquid lamination can be reliably performed at the front and rear ends of the substrate even if the moving speed of the substrate is increased, and the liquid lamination processing of the substrate can be performed at high speed.
[제4 실시 형태][4th Embodiment]
상기 제3 실시 형태의 두 개의 액체 적층 노즐 중, 하류측의 액체 적층 노즐(41)의 자세를 도 8에 도시한 바와 같이 변경한 것이 제4 실시 형태이다. 여기에서는, 액체 적층 노즐(41)의 액체의 토출구(24)가 연직 아래 방향이고, 유로(28)가 수평 자세의 기판에 대해 수직으로, 토출구(24)와 연결된 하면(32)이 기판면과 평행해지도록, 액체 적층 노즐(41)이 배치된다. 기판의 진행 방향의 상류측의 액체 적층 노즐(8)과 기판과의 거리(x)가 작고, 하류측의 액체 적층 노즐(41)과 기판과의 거리(y)가 x와 비교하여 커진다. 액체 적층 노즐(8)의 액체 적층면(31)은 기판과 대략 병행하게 되어 있다.Among the two liquid deposition nozzles of the third embodiment, the attitude of the downstream liquid deposition nozzle 41 is changed as shown in FIG. 8, according to the fourth embodiment. Here, the discharge port 24 of the liquid of the liquid lamination nozzle 41 is vertically downward, and the lower surface 32 connected to the discharge port 24 is perpendicular to the substrate in the horizontal position, and the lower surface 32 is connected to the substrate surface. In order to be parallel, the liquid lamination nozzle 41 is disposed. The distance x between the liquid lamination nozzle 8 and the substrate on the upstream side in the advancing direction of the substrate is small, and the distance y between the liquid laminating nozzle 41 and the substrate on the downstream side becomes larger than x. The liquid lamination surface 31 of the liquid lamination nozzle 8 is substantially parallel with the substrate.
이 제4 실시 형태에 의하면, 제3 실시 형태와 마찬가지로 기판의 액체 적층 처리를 고속으로 행할 수 있다. 또한, 이 실시 형태에서는 하류측의 액체 적층 노즐(41)의 유로(28)를 연직 아래 방향으로 하여, 기판에 대해 수직으로 액체를 공급함으로써, 유로(28)를 기판 진행 방향 경사 방향을 향한 경우와 비교하여, 다음의 이점이 얻어진다.According to this fourth embodiment, the liquid lamination processing of the substrate can be performed at high speed as in the third embodiment. Moreover, in this embodiment, when the flow path 28 of the liquid lamination nozzle 41 on the downstream side is vertically downward, and the liquid is supplied perpendicularly to the substrate, the flow path 28 faces the substrate traveling direction inclined direction. In comparison with, the following advantages are obtained.
첫번째로, 기판상에 액체 적층된 현상액에 흐름이 발생하는 것을 억제하여, 현상액의 흐름에 의한 처리 얼룩의 발생을 억제할 수 있다. 또, 하류측의 액체 적층 노즐(41)에서는 면(31x)에 액체를 돌아들어가게 할 필요가 없으므로, 연락면(30x)의 길이(c)는 제1 실시 형태에서 서술한 범위로 한정할 필요는 없지만, 액체를 아래 방향으로 균일하게 토출하기 위해서는 상류측의 액체 적층 노즐(8)의 b와 비교하여 c의 길이가 짧고 끝이 뾰족한 형상, 예컨대 c가 1mm 정도 이하가 바람직하고, 0.1mm 미만이어도 좋다.First, it is possible to suppress the occurrence of flow in the developer stacked on the liquid substrate, and to suppress the occurrence of processing spots due to the flow of the developer. In addition, since the liquid lamination nozzle 41 on the downstream side does not need to return the liquid to the surface 31x, the length c of the contact surface 30x needs to be limited to the range described in the first embodiment. However, in order to discharge the liquid uniformly in the downward direction, it is preferable that the length of c is short and the tip is sharp, for example, c is about 1 mm or less, and less than 0.1 mm, as compared with b of the liquid stacking nozzle 8 on the upstream side. good.
두번째로 토출구(24)를 끼워 연락면(30x)과 연결된 하면(32)은, 기판에 모인 공급 후의 현상액과 접촉하여, 그 액체 면이 물결치는 것을 저감하여, 처리 얼룩 발생을 보다 저감하는 효과가 있다.Secondly, the lower surface 32 which is connected to the contact surface 30x by inserting the discharge port 24 is in contact with the developer after supply gathered on the substrate, thereby reducing the wave of the liquid surface and further reducing treatment spots. have.
세번째로 하류측의 액체 적층 노즐(41)에서 유로(28)를 기판 진행 방향의 경사 방향을 향하게 하면, 기판의 후단부에 대해 공급된 액체에 기판 진행 방향으로 흐르는 힘이 발생하여 그 방향으로 액체가 흘러, 기판 후단부에 액체가 존재하지 않는 상태가 발생하고, 기판 후단부가 현상 처리되지 않아, 처리 얼룩이 발생할 우려가 있지만, 유로(28)를 연직 아래 방향으로 함으로써, 이와 같은 액체의 흐름을 발생시키지 않고, 처리 얼룩 발생을 억제할 수 있다.Thirdly, when the flow path 28 is directed in the inclined direction of the substrate traveling direction in the liquid stacking nozzle 41 on the downstream side, a force flowing in the substrate traveling direction is generated in the liquid supplied to the rear end of the substrate and the liquid flows in that direction. Flows, a state in which no liquid is present at the rear end of the substrate is generated, and the rear end of the substrate is not developed, and there is a fear that processing stains may occur, but such a flow of liquid is generated by moving the flow path 28 vertically downward. It is possible to suppress the occurrence of treated spots without making them.
[액체 적층 노즐의 소재][Material of liquid lamination nozzle]
상기 각 실시 형태에서의 액체 적층 노즐(8) 및 제2, 제3 실시 형태의 액체 적층 노즐(41)에서, 연락면(30) 및 액체 적층면(31)은 현상액이 이들의 연락면(30) 및 액체 적층면(31)과 융합되어 아래쪽을 향하는 액체 적층면(31)에 돌아들어가는것이 바람직하다. 이 때문에, 상기 각 실시 형태에서는, 노즐 본체(21·22)는 연락면(30) 및 액체 적층면(31)에 충분히 높은 친수성이 얻어지는 소재, 예컨대 금속 소재, 구체적으로는 스테인리스 소재에 의해 형성하고, 이들 연락면(30) 및 액체 적층면(31)에 금속 표면이 노출하고 있는 것이 바람직하다. 이에 따라, 현상액이 연락면(30) 및 액체 적층면(31)으로 들어가는 것이 보다 안정적으로 확보되어, 기판에 액체 적층 처리를 안정되게 고속으로 행할 수 있다.In the liquid stacking nozzles 8 of the above embodiments and the liquid stacking nozzles 41 of the second and third embodiments, the contact surface 30 and the liquid stacking surface 31 have a developer having a contact surface 30 thereof. ) And return to the liquid laminated surface 31 which is fused with the liquid laminated surface 31 to face downward. For this reason, in each said embodiment, the nozzle main body 21 * 22 is formed of the material by which hydrophilicity enough high is obtained in the contact surface 30 and the liquid laminated surface 31, for example, a metal material, specifically, a stainless steel material. It is preferable that the metal surface is exposed to these contact surfaces 30 and the liquid laminated surface 31. As a result, the developing solution enters into the contact surface 30 and the liquid stacking surface 31 more stably, and the liquid stacking process can be stably performed at a high speed on the substrate.
또, 상기 구성에 한하지 않고, 적어도 연락면(30) 및 액체 적층면(31)이 형성되는 노즐 본체(22)를 스테인리스 등의 금속 소재로 형성하는 구성이어도 좋다. 또, 노즐 본체(21·22)를 수지로 형성하고, 그 중의 연락면(30) 및 액체 적층면(31)에만 표면 가공을 실시하여 충분히 높은 친수성을 부여하는 구성이어도 좋다. 표면 가공의 예로서는 금속 도금, 또는 금속 박판의 접합 등을 고려할 수 있다.Moreover, the structure which forms not only the said structure but the nozzle main body 22 in which the communication surface 30 and the liquid laminated surface 31 are formed at least may be formed from metal materials, such as stainless steel. Moreover, the structure which forms the nozzle main body 21 * 22 with resin, surface-treats only on the contact surface 30 and the liquid laminated surface 31 in it, and imparts sufficiently high hydrophilicity may be sufficient. As an example of surface processing, metal plating, joining of metal thin plates, etc. can be considered.
또, 상기 제2 실시 형태에서의 액체 적층 노즐(42) 및 제4 실시 형태에서의 액체 적층 노즐(41)에 대해서는, 기판에 액체 적층된 액체가 이들 노즐의 하면에 접촉하고 있는 상태에서는 이들의 소재나 표면 상태가 특성에 영향하는 것은 작지만, 노즐의 아래에 기판이 존재하지 않는 상태에서는, 예컨대 상기 제4 실시 형태의 액체 적층 노즐(41)을 소수성의 수지로 형성하고, 연락면(30x) 및 하면(32)을 소수성으로 해 두면, 토출구(24)로부터 토출되는 액체의 아래 방향의 흐름이 흐트러지기 어렵게 된다.In addition, about the liquid laminated nozzle 42 in the said 2nd Embodiment, and the liquid laminated nozzle 41 in 4th Embodiment, when the liquid laminated | stacked on the board | substrate contacts the lower surface of these nozzles, these Although the material and the surface state have little effect on the properties, in the state where the substrate does not exist under the nozzle, for example, the liquid lamination nozzle 41 of the fourth embodiment is formed of hydrophobic resin, and the contact surface 30x is formed. When the lower surface 32 is made hydrophobic, the downward flow of the liquid discharged from the discharge port 24 becomes difficult to be disturbed.
[다른 실시 형태][Other Embodiments]
상기 실시 형태에서는 기판 현상 장치의 경우를 예로 들어 설명했지만, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이 패널용 기판, 반도체 웨이퍼 등에 대한 습식 에칭 장치, 레지스트 박리 장치에서도 본 발명을 적용할 수 있다. 즉, 습식 에칭 장치, 레지스트 박리 장치에서도 피처리 기판으로 에칭액, 박리액의 액체 적층을 확실하게 행한다.In the above embodiment, the case of the substrate developing apparatus has been described as an example, but the present invention can also be applied to a wet etching apparatus and a resist stripping apparatus for a liquid crystal display substrate, a plasma display panel substrate, a semiconductor wafer, and the like. That is, even in a wet etching apparatus and a resist peeling apparatus, liquid lamination | stacking of etching liquid and a peeling liquid is reliably performed by a to-be-processed substrate.
또, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이 패널용 기판, 반도체 웨이퍼 등에 대한 수세 장치 또는 세정 장치에서도 동일하게 본 발명을 적용할 수 있다.In addition, the present invention can be similarly applied to a washing device or a cleaning device for a liquid crystal display substrate, a plasma display panel substrate, a semiconductor wafer, or the like.
본 발명에 의하면, 액체 적층 노즐의 액체 적층면에 머문 처리액이 피처리 기판에 면 형상으로 접촉하여 액체 적층되기 때문에, 기판을 고속으로 이동시킨 경우에도 기판의 선두부 및 후단부에 확실하게 액체 적층할 수 있다.According to the present invention, since the treatment liquid staying on the liquid lamination surface of the liquid lamination nozzle is in liquid contact with the substrate to be processed in a planar shape, the liquid is reliably at the head and the rear end of the substrate even when the substrate is moved at high speed. It can be laminated.
또, 본 발명에 의하면, 기판의 선두부 및 후단부에서 기판의 이동 속도를 느리게 억제할 수 있으므로, 액체 적층이 곤란한 기판의 선두부 및 후단부에서도 확실하게 액체 적층할 수 있다. 또, 재생 수단에 의해 재생된 처리액은 다시 액체 적층 노즐로부터 토출되어, 1회 사용된 처리액을 한 번 쓰고 버리지 않고 다시 사용하기 때문에, 배액의 양을 저감할 수 있다. 또, 사용 종료된 처리액을 다시 이용하므로, 대량의 처리액을 사용하여 프리디스펜스를 충분히 행할 수 있다.In addition, according to the present invention, since the moving speed of the substrate can be slowed down at the front and rear ends of the substrate, the liquid can be reliably laminated even at the leading and rear ends of the substrate where liquid lamination is difficult. In addition, since the processing liquid regenerated by the regeneration means is discharged from the liquid lamination nozzle again, the processing liquid used once is used again without being used once, and thus the amount of drainage can be reduced. Moreover, since the used process liquid is used again, pre-dispensing can be performed sufficiently using a large amount of process liquid.
또 다른 본 발명에 의하면, 복수의 액체 적층 노즐에 의해 반복하여 액체 적층되므로, 기판의 선두부 및 후단부에서의 액체 적층을 보다 확실하게 행할 수 있어, 보다 고속으로 기판을 이동시켜 액체 적층할 수 있다. 또, 기판의 가장 선두측의 액체 적층 노즐의 토출구로부터 처리액이 기판에 수직으로 토출되기 때문에, 기판 후단측의 액체 적층 노즐에 의해 액체 적층된 처리액이 액체 적층 노즐 내의 처리액의 흐름 방향으로 액체의 흐름을 만드는 것을 방지할 수 있다.According to still another aspect of the present invention, the liquid lamination is repeatedly performed by a plurality of liquid lamination nozzles, so that liquid lamination at the leading end and the rear end of the substrate can be performed more reliably, and the liquid lamination can be performed by moving the substrate at higher speed. have. In addition, since the processing liquid is discharged perpendicularly to the substrate from the discharge port of the liquid lamination nozzle at the foremost side of the substrate, the processing liquid laminated by the liquid laminating nozzle at the rear end side of the substrate moves in the flow direction of the processing liquid in the liquid laminating nozzle. It can prevent the flow of liquid.
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