JP4514140B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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Description
本発明は、液晶表示デバイス(LCD)、プラズマ表示デバイス(PDP)、半導体デバイス等の製造プロセスにおいて、LCDまたはPDP用ガラス基板、半導体基板などの被処理基板に対して各種の処理、例えばエッチング処理後の置換処理を行う基板処理装置に関する。 The present invention relates to various processes, for example, an etching process, on a substrate to be processed such as a glass substrate for LCD or PDP, a semiconductor substrate in a manufacturing process of a liquid crystal display device (LCD), a plasma display device (PDP), a semiconductor device and the like. The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a subsequent replacement process.
従来、基板処理装置において、エッチング処理後の基板に対するリンス処理は、次のようにして行われている。例えば、特許文献1(図1等)に示されるように、基板Wが水洗処理部10の処理チャンバ12内へ搬入されてきたとき、処理チャンバ12の入口側開口14付近において入口ノズル20から基板搬送方向下流側に向けてリンス液を供給し、基板Wが更に搬送方向下流側に進むと、処理チャンバ12内から搬出されるまで上部スプレイノズル22からリンス液を基板Wの表面に供給する。これは、(1)入口ノズル20から基板に供給したリンス液が前工程の処理槽に逆流することを防止しつつ、(2)処理チャンバ12の入り口付近でスリット状の入口ノズル20から、直下の基板表面部分に多量のリンス液を均一に供給して短時間でリンス液への置換を行うことによって、前処理で用いられた処理液の残存による、基板表面に形成された配線パターンの形状や線幅の均一性悪化を防止するようにし、その後に上部スプレイノズル22からリンス液供給を行うようにしたものである。
しかしながら、上記の基板処理装置によれば、入口ノズル20からリンス液を供給しても、前工程で用いられた処理液が粘度の高いものである等、基板表面から除去し難いものであった場合は、基板表面に付着した前工程の処理液を的確にリンス液に置換することが困難になるため、残存する前工程の処理液によって、基板に形成された配線パターン等に悪影響が及ぶ場合がある。
However, according to the above substrate processing apparatus, even if the rinsing liquid is supplied from the
本発明は、上記の問題を解決するためになされたもので、前工程において基板から除去し難い処理液が付与されていた場合等であっても、基板に対して新たに供給するリンス液が前工程の処理槽に逆流することを防止しつつ、基板上に残存する前工程での処理液による悪影響を低減する処理を行うことを目的とするものである。 The present invention has been made to solve the above-described problem, and even when a treatment liquid that is difficult to remove from the substrate is applied in the previous step, a rinse liquid to be newly supplied to the substrate is provided. An object of the present invention is to perform a process for reducing the adverse effect of the processing liquid in the previous process remaining on the substrate while preventing the flow back to the processing tank in the previous process.
本発明の請求項1に記載の発明は、処理槽内で予め定められた基板搬送路に沿って搬送される基板の表面に付着した処理液をリンス液に置換する置換処理を行う基板処理装置において、前記処理槽内の入口側に配置され、当該搬送中の基板の表面に対して、基板搬送方向下流側に向けてカーテン状にリンス液を供給するリンス液供給手段と、前記処理槽内において前記リンス液供給手段よりも基板搬送方向下流側に設けられ、当該基板搬送方向に交差する基板幅の全域に亘って壁を形成する態様で、前記基板の表面に対して、気体と液体とからなる2流体を供給する2流体供給手段と、基板搬送路の上方および下方に、それぞれ基板搬送路に沿って列設され、基板の表面および裏面へリンス液を供給する上部スプレイノズルおよび下部スプレイノズルとを備え、これらのリンス液供給手段、2流体供給手段および上下部スプレイノズルが前記処理層内において基板搬送方向に沿って順次連続して設けられていることを特徴とする基板処理装置である。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a replacement process in which a processing liquid adhering to a surface of a substrate transported along a predetermined substrate transport path in a processing tank is replaced with a rinsing liquid. in the disposed on the inlet side of the processing tank, to the surface of the substrate during the conveyance, the rinse liquid supply means for supplying a rinsing liquid curtain shape toward the substrate conveyance direction downstream side, the processing bath to the provided substrate conveyance direction downstream side of the rinsing liquid supply means in a manner to form a wall I Wataru over the entire substrate width crossing to the substrate transport direction, the surface of the substrate in a gas and liquid A two-fluid supply means for supplying two fluids, and an upper spray nozzle and a lower portion which are arranged along the substrate transfer path above and below the substrate transfer path, respectively, and supply a rinsing liquid to the front and back surfaces of the substrate Spray And a nozzle, these rinsing liquid supply means, the second fluid supplying means and the vertical portion spray nozzles are sequentially arranged continuously along the board conveying direction in the processing layer in the substrate processing apparatus according to claim is there.
また、請求項2に記載の発明は、予め定められた基板搬送路に沿って搬送される基板の表面に付着した処理液をリンス液に置換する置換処理を行う処理槽内で、この処理槽内の入口側において、当該搬送中の基板の表面に対して、基板搬送方向下流側に向けてカーテン状にリンス液を供給する第1工程と、前記処理槽内における前記第1工程によるリンス液供給位置よりも基板搬送方向下流側で、前記基板の表面に対して、当該基板搬送方向に交差する基板幅の全域に亘って壁を形成する態様で、気体と液体とからなる2流体を供給する第2工程と、前記処理層内における前記第2工程による2流体供給位置よりも基板搬送方向下流側の複数位置で、基板の表面および裏面へリンス液を供給する第3工程とを備え、上記第1工程から第3工程までを前記処理槽内において順次連続して行うことを特徴とする基板処理方法である。 The invention according to claim 2, the treatment solution attached on the surface of the substrate in a processing tank to perform a replacement process of replacing the rinsing liquid being conveyed along the substrate transport path with a predetermined, this treatment tank A first step of supplying a rinsing liquid in the form of a curtain toward the downstream side in the substrate transfer direction on the surface of the substrate being transferred on the inlet side, and a rinsing liquid by the first step in the processing tank in the substrate transport direction downstream side of the supply position, relative to the surface of the substrate, in a manner to form a wall I Wataru over the entire substrate width crossing to the substrate transport direction, a two-fluid comprising a gas and liquid A second step of supplying, and a third step of supplying a rinsing liquid to the front and back surfaces of the substrate at a plurality of positions downstream of the two fluid supply positions in the processing layer in the substrate transport direction in the processing layer. , From the first step to the third step In a substrate processing method, which comprises carrying out successively continuously in the processing bath.
これらの構成では、処理槽内の入口近傍において、搬送中の基板の表面に対して、基板搬送方向下流側に向けてリンス液を供給することによって、当該処理槽よりも前工程の処理槽にリンス液が逆流することを防止しつつ、前工程で供給された処理液からリンス液への置換を行う。そして、このリンス液が供給された後の基板表面に対して、基板搬送方向に交差する基板幅の全域に亘って供給される、気体と液体とからなる2流体によっても、基板表面になお残存する前工程の処理液を除去するので、前工程で粘度の高い処理液等の除去し難い処理液が付与されていた場合であっても、当該残存処理液を更に基板表面から除去することができる。 In these configurations, by supplying a rinsing liquid toward the downstream side in the substrate transport direction with respect to the surface of the substrate being transported in the vicinity of the inlet in the treatment tank, The treatment liquid supplied in the previous step is replaced with the rinse liquid while preventing the rinse liquid from flowing backward. Further, even with the two fluids consisting of gas and liquid supplied over the entire width of the substrate intersecting the substrate transport direction with respect to the substrate surface after the rinsing liquid is supplied, the substrate surface still remains on the substrate surface. Since the treatment liquid in the previous process is removed, even if a treatment liquid that is difficult to remove such as a treatment liquid having a high viscosity is applied in the previous process, the remaining treatment liquid can be further removed from the substrate surface. it can.
上記気体及び液体からなる2流体は、断熱膨張の効果で温度が低くなっているため、基板表面に残存する前工程の処理液は当該2流体により冷却される。また、この2流体の液体部分は細かな粒子であるために周囲の熱で容易に蒸発して気化熱を奪い取るが、これによる冷却効果によっても、基板表面に残存する処理液が冷却される。そのため、例えば、前工程で付与された処理液がエッチング液である場合等には、このエッチング液を冷却して、エッチングレートを低下させることができるので、基板表面に残存するエッチング液によって、基板表面に形成された配線パターンの形状や線幅の均一性が悪化されることを防止できる。 Since the temperature of the two fluids composed of the gas and the liquid is low due to the effect of adiabatic expansion, the treatment liquid in the previous process remaining on the substrate surface is cooled by the two fluids. In addition, since the liquid portion of the two fluids is fine particles, it easily evaporates with ambient heat to take away the heat of vaporization, but the treatment liquid remaining on the substrate surface is also cooled by this cooling effect. Therefore, for example, when the processing liquid applied in the previous step is an etching liquid, the etching liquid can be cooled to lower the etching rate, so that the etching liquid remaining on the substrate surface can reduce the etching rate. The uniformity of the shape and line width of the wiring pattern formed on the surface can be prevented from deteriorating.
請求項1及び請求項2に記載の発明によれば、処理槽よりも前工程の処理槽にリンス液が逆流することを防止しつつ、前工程で供給された処理液からリンス液への置換を短時間で行うことができると共に、気体と液体とからなる2流体の基板への供給により、前工程で粘度の高い処理液等の除去し難い処理液が基板表面に付与されていた場合であっても、当該残存処理液を的確に除去して、残存処理液が基板に対して及ぼす悪影響を低減することができる。 According to invention of Claim 1 and Claim 2 , it replaces with the rinse liquid from the process liquid supplied at the previous process, preventing that the rinse liquid flows backward into the process tank of the previous process rather than the process tank. In a case where a processing liquid that is difficult to remove, such as a processing liquid having a high viscosity in the previous process, is applied to the substrate surface by supplying two fluids consisting of a gas and a liquid to the substrate. Even if it exists, the said residual processing liquid can be removed exactly and the bad influence which a residual processing liquid has with respect to a board | substrate can be reduced.
以下、本発明の一実施形態に係る基板処理装置及び基板処理方法について図面を参照して説明する。図1は本発明の第1実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す側断面図であり、特に、本発明の特徴的構成であるリンス液供給機構(入口ノズル20及び2流体ノズル21)が適用された水洗処理部を図示している。第1実施形態に係る基板処理装置1においては、水洗処理部10の前工程として、水洗処理部10に隣接してエッチング処理槽が設けられている(図略)。エッチング処理槽では、現像処理によってパターン形成されたレジスト膜よりも下層の露出部分を除去するために、エッチング用の薬液(以降、エッチング液という)が基板表面に供給されるため、水洗処理部10では、エッチング用薬液等を洗い流して、水洗処理部10で供給する新たなリンス液(例えば、純水等からなる。前工程で基板Wに供給された処理液とは異なる液であればよい。)に置換する。
Hereinafter, a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a side sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and in particular, a rinsing liquid supply mechanism (
水洗処理部10は、入口側開口14及び出口側開口16を有する処理チャンバ12を備える。処理チャンバ12の内部には、基板Wを水平姿勢、又は基板搬送方向(図1の矢印方向)に直交する方向に傾斜させた姿勢で搬送するローラコンベア18が配設されている。この水洗処理部10には、上述したように、エッチング処理部で表面にエッチング液が付着された状態の基板Wが搬送されてくる。処理チャンバ12の入口側開口14付近には、基板Wの表面にリンス液を吐出する入口ノズル(リンス液供給手段)20が配設されている。この入口ノズル20は、基板Wに対してリンス液を多量に供給して、前工程で基板Wの表面に付与されているエッチング液を短時間でリンス液に置換する。さらに、この入口ノズル20よりも基板搬送方向下流側には、気体及び液体からなる2流体を基板に対して吐出する2流体ノズル(2流体供給手段)21が基板搬送路の上方に設けられており、2流体ノズル21よりも更に下流側には、基板搬送路の上方及び下方に、基板搬送路に沿ってそれぞれ上部スプレイノズル22、下部スプレイノズル24が設けられている。
The water
入口ノズル20、上部スプレイノズル22、及び下部スプレイノズル24には、リンス液供給配管26、28、30がそれぞれ接続されており、各リンス液供給配管26、28、30には、開閉制御弁V1、V2、V3がそれぞれ設けられている。各リンス液供給配管26、28、30は、それぞれ配管32aに接続され、配管32aはポンプ34の吐出口側に流路接続されている。ポンプ34の吸込口側は、配管32bを介して、純水2が貯留された貯水槽36の底部に接続されている。
Rinse
2流体 ノズル21には、リンス液配管31が接続されており、例えば純水が、図略の純水供給源、又は貯水槽36から適宜供給されるようになっている。リンス液配管31には、開度調整が可能なバルブV6が設けられており、2流体ノズル21に供給する純水流路の開閉、及び純水の流量調節が可能とされている。
A rinsing
さらに、2流体 ノズル21には、窒素ガス供給源から高圧の窒素ガスを2流体ノズル21に供給する窒素ガス配管33が接続されている。この窒素ガス配管33には、開度調整が可能なバルブV7が設けられており、2流体 ノズル21に供給される窒素ガスの流路の開閉、及び窒素ガスの流量調節が可能とされている。なお、バルブV7の開度を変えることによって、2流体 ノズル21に導入される窒素ガスの圧力(流量)を変え、2流体 ノズル21で生成される純水の液滴の粒径を変化させることも可能である。窒素ガス配管33において、バルブV7と2流体 ノズル21との間には、2流体 ノズル21に導入される窒素ガスの圧力を測定する圧力計35が配設されている。この圧力計35による検出結果は、コントローラ50に送られ、コントローラ50は当該検出結果に応じてバルブV7の開閉を制御して窒素ガスの圧力を調整することが可能とされている。
Further, a
上記バルブV6,V7を同時に開き、2流体ノズル21に純水および窒素ガスが同時に導入されると、2流体 ノズル21により純水の液滴(ミスト)が生成されて噴射されるようになっている。バルブV6,V7の開閉動作はコントローラ50により制御される。
When the valves V 6 and V 7 are simultaneously opened and pure water and nitrogen gas are simultaneously introduced into the two-
基板Wの表面を洗浄するときは、コントローラ50の制御により、入口ノズル20からリンス液を吐出させると共に、2流体 ノズル21から基板Wの表面に向かって純水及び窒素ガスからなる2流体を噴射させ、さらに、上部スプレイノズル22、及び下部スプレイノズル24からミスト状のリンス液を基板Wに対して噴霧する。
When cleaning the surface of the substrate W, the
処理チャンバ12の底部には、液流出管42が設けられている。液流出管42は、回収用配管44と排液用配管46とに分岐している。回収用配管44の先端流出口は、貯水槽36内へ導入されている。また、排液用配管46を通って使用済みのリンス液が廃棄される。回収用配管44及び排液用配管46には、開閉制御弁V4、V5がそれぞれ設けられている。
A
次に、入口ノズル20及び2流体ノズル21について説明する。図2は入口ノズル20及び2流体ノズル21の配置と、入口ノズル20及び2流体ノズル21からリンス液が吐出される様子を示す平面図、図3は入口ノズル20及び2流体ノズル21の配置と、入口ノズル20及び2流体ノズル21からリンス液が吐出される様子を示す側面図である。
Next, the
図2に示すように、入口ノズル20は、基板Wの搬送方向に直交する基板幅方向に延び、当該基板幅に亘る長さで設けられている。入口ノズル20には、リンス液が吐出されるスリット201が入口ノズル20の長さ方向に亘って基板幅の全域に設けられている。また、図2及び図3に示すように、このスリット201から基板Wの表面の幅全域に対して、基板搬送方向下流側に向けてカーテン状に多量のリンス液を吐出する。吐出されたリンス液は、入口ノズル20よりも基板搬送方向下流側の基板W表面全域に拡がるようになっている。これにより、搬送されてくる基板Wの表面に残存している前工程での処理液(エッチング液)を短時間で洗い流すようになっている。
As shown in FIG. 2, the
また、入口ノズル20の基板搬送方向下流側に配設された2流体ノズル21も、基板Wの幅方向に延び、当該基板幅に亘る長さで設けられている。この2流体ノズル21には、真下に位置する基板W表面部分に2流体を吐出する吐出口210が、2流体ノズル21の長さ方向に亘って一定間隔で複数設けられている。各吐出口210からは、例えば、基板W表面に対して直交させて噴射する場合、基板Wから吐出口210までの距離20mm〜100mm(より好ましくは70mm)、噴射圧0.4Mpaで2流体を噴射する。各吐出口210同士の間隔は、図2に示すように、各吐出口210から噴射された2流体が基板Wの表面に達したときに、2流体の各噴射領域Rが、基板幅方向において重なるように設定される。
In addition, the two-
上記2流体ノズル21の吐出口210から吐出された2流体は、上記圧で基板Wの表面に達し、各吐出口210からそれぞれ吐出される2流体同士が重なるため、基板幅方向に亘って2流体の壁のようなものが形成される。
The two fluids discharged from the
上記入口ノズル20からリンス液がカーテン状に噴射され、それまで基板Wの表面に残存していた処理液は、入口ノズル20から吐出されたリンス液によって、基板Wの表面を基板送方向下流側に向けて洗い流されるが、この前工程で基板Wに付与された処理液(エッチング液)を含むリンス液は、図2及び図3に示すように、上記2流体の壁によって、2流体ノズル21の配設位置で堰き止められ、それ以上基板搬送方向下流側には流れない。堰き止められたリンス液は、2流体の壁に沿って基板幅方向に流れ、基板Wの側縁部において、基板Wの表面から処理チャンバ12の底部に流れ落ちる。本実施形態の場合、基板Wがローラコンベア18によって基板搬送方向に直交する方向に傾けた姿勢で搬送されているため、上記堰き止められたリンス液は、当該傾斜の下側となる基板W側縁部に案内されて処理チャンバ12の底部に流れ落ちる。
The rinsing liquid is sprayed from the
このように、基板W上に前工程で付与された処理液は、基板Wの表面から流れ落とされるが、例えば、前工程で付与された処理液が粘度の高いものであった場合など、基板Wの表面から除去し難いものである場合は、入口ノズル20からのリンス液による洗浄後の基板Wの表面に処理液が残存する可能性がある。しかし、本実施形態の場合、2流体ノズル21の吐出口210から噴射される2流体は、上記のように気体及び液体からなるために断熱膨張の効果で温度が低くなっており、基板Wの表面に残存する前工程の処理液が冷却されことになる。また、上記2流体の液体部分は細かな粒子であるため、周囲の熱で容易に蒸発して気化熱を奪い取るが、これによる冷却効果でも、基板Wの表面に残存する前工程の処理液が冷却される。そのため、前工程で付与された、例えばエッチング液を冷却してエッチングレート(反応速度)を低下させることができるので、基板Wの表面に残存するエッチング液が、基板Wの表面に形成された配線パターンの形状や線幅の均一性に及ぼす悪影響が低減される。
As described above, the processing liquid applied in the previous step on the substrate W flows down from the surface of the substrate W. For example, when the processing liquid applied in the previous step has a high viscosity, If it is difficult to remove from the surface of W, the processing liquid may remain on the surface of the substrate W after cleaning with the rinse liquid from the
また、上記のように、2流体ノズル21からは、一定の圧力で2流体を基板Wの表面に噴射するため、噴射された2流体の圧力によっても、基板Wの表面に残存する前工程の処理液を除去する効果は得られる。
Further, as described above, since the two fluids are ejected from the two-
さらに、上記2流体の壁によるリンス液の堰き止め効果により、2流体ノズル21よりも基板搬送方向下流側においては、基板Wから流れ落ちるリンス液には、前工程での処理液が残存しないので、2流体ノズル21よりも下流側の領域でリンス液を回収すれば、再利用に適したものとなる。
Furthermore, due to the rinsing liquid blocking effect by the two fluid walls, the processing liquid in the previous step does not remain in the rinsing liquid that flows down from the substrate W on the downstream side of the two-
次に、基板処理装置の別の形態を説明する。図4は別の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す側断面図であり、特に、本発明の特徴的構成であるリンス液供給機構(入口ノズル20及び高圧スプレイノズル21’)が適用された水洗処理部10’を図示している。図5(a)は別の形態に係る基板処理装置に備えられる高圧スプレイノズルの吐出口と、当該吐出口から吐出される高圧流体の基板表面での吐出領域の第1例を示した図、(b)は別の形態に係る基板処理装置に備えられる高圧スプレイノズルの吐出口と、当該吐出口から吐出される高圧流体の基板表面での吐出領域の第2例を示した図である。
In the following, it will be described another form of board processor. FIG. 4 is a side sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment, and in particular, a rinsing liquid supply mechanism (
図4に示すように、別の形態に係る基板処理装置1’は、第1実施形態の基板処理装置1が備えている2流体ノズル21に代えて、高圧スプレイノズル(高圧流体供給手段)21’を備える。第1実施形態の2流体ノズル21は、2流体による冷却作用と、2流体の噴射圧とによって残存処理液が基板Wに及ぼす悪影響を低減させるものであったが、別の形態の高圧スプレイノズル21’は、吐出するリンス液の圧力で残存処理液を除去率を高めて、残存処理液が基板Wに及ぼす悪影響を低減させるものである。
As shown in FIG. 4, a substrate processing apparatus 1 ′ according to another embodiment is replaced with a high-pressure spray nozzle (high-pressure fluid supply means) 21 instead of the two-
高圧スプレイノズル21’は、純水等のリンス液を高圧で基板Wに対して吐出するようになっており、リンス液供給配管61によってリンス液タンク64に配管接続されている。また、高圧スプレイノズル21’とリンス液タンク64の間のリンス液供給配管61には、フィルタ62、流量調節用の開閉弁V8,及びポンプ63が設けられている。ポンプ63はインバータ65の出力によって駆動され、インバータ65の出力はコントローラ50によって制御される。ポンプ63は、コントローラ50によってインバータ65の周波数を制御することにより、高圧スプレイノズル21’側に向けた吐出圧力を任意に切り替えて駆動制御可能となっている。
The high
また、高圧スプレイノズル21’は、第1実施形態に係る2流体ノズル21と同様に、基板搬送方向において、入口ノズル20の基板搬送方向下流側に設けられ、基板Wの基板幅方向に延び、当該基板幅に亘る長さで設けられる。そして、高圧スプレイノズル21’には、その真下の基板Wの表面部分に対して高圧でリンス液を吐出する吐出口210’(図5(a)(b)参照)が、高圧スプレイノズル21’の長さ方向に亘って、一定間隔で複数設けられている。
Further, the high
上記各吐出口210’は、基板W表面に対して直交するようにして高圧のリンス液を噴射する。この各吐出口210’同士の間隔は、各吐出口210から噴射されたリンス液が基板Wの表面に達したときに、それぞれのリンス液の噴射領域が基板幅方向において隙間無く重なるように設定される。各吐出口210’からは、例えば、基板W表面に対して直交させてリンス液を噴射する場合、基板Wから吐出口210までの距離20mm〜100mm(より好ましくは70mm)、噴射圧0.3〜0.4Mpaでリンス液を噴射する。
Each of the
例えば、図5(a)の上図に示すように、各吐出口210’に設けられている、リンス液を吐出させる吐出孔2101’を楕円径として、高圧スプレイノズル21’の長さ方向に平行となるように並べて配設し、図5(a)の下図に示すように、各吐出孔2101’のリンス液噴射領域R1の長さ方向端部同士が重なるようにする。このようにすれば、吐出孔2101’同士の間隔を比較的広くしても、リンス液による噴射領域R1を交差させることができるため、高圧スプレイノズル21’に設ける吐出口210’の数を少なくすることができる。
For example, as shown in the upper diagram of FIG. 5 (a), the
また、図5(b)の上図に示すように、吐出口210″の各吐出孔2101″を、高圧スプレイノズル21’の長さ方向に対して一定の角度で傾斜させて並設し、図5(b)の下図に示すように、各吐出孔2101″のリンス液噴射領域R2の側部(幅方向の端部)同士が重なるようにする。このようにすれば、吐出孔2101″からのリンス液による残存処理液除去領域を広くでき、さらに、リンス液による基板Wへの打力を大きく確保することができるため、残存処理液の除去率を高めることができる。
Further, as shown in the upper diagram of FIG. 5B, the discharge holes 2101 ″ of the
なお、本発明は上記実施の形態の構成に限られず種々の変形が可能である。例えば、上記第1実施形態では、2流体ノズル21が、純水及び窒素ガスからなる2流体を吐出するとして説明したが、2流体ノズルから吐出する2流体をなす液体及び気体はこれらに限定されず、他の液体及び気体を用いることも可能である。
The present invention is not limited to the configuration of the above embodiment, and various modifications can be made. For example, in the first embodiment, the two-
また、2流体ノズル21の構成は、上記実施形態で示したものには限定されず、上記とは別の構成からなるものを採用してもよい。
Further, the configuration of the two-
また、上記別の形態では、高圧スプレイノズル21’から純水を吐出するとして説明しているが、他の液体を高圧で吐出するようにしてもよいし、更には、高圧の気体を吐出するようにしてもよい。気体を噴射する場合は、各吐出口210’からは、例えば、基板W表面に対して直交させて気体を噴射するとして、基板Wから吐出口210までの距離20mm〜100mm、例えば、0.15Mpaの噴射圧で気体を噴射する。
Moreover, although the said another form demonstrated as having discharged pure water from high pressure spray nozzle 21 ', you may make it discharge another liquid at high pressure, and also discharge high pressure gas. You may do it. In the case of injecting gas, from each
また、上記第1実施形態および別の形態では、入口ノズル20及び2流体ノズル21又は高圧スプレイノズル21’が備えられる処理槽を、剥離処理後の工程である水洗処理部10としているが、これは、入口ノズル20及び2流体ノズル21又は高圧スプレイノズル21’が備えられる処理槽を水洗処理部10に限定する意ではなく、他の処理を行う処理槽に入口ノズル20及び2流体ノズル21又は高圧スプレイノズル21’を備えるようにすることも可能である。
Further, in the first implementation embodiment and alternative forms, a treatment
また、上記実施形態では、処理チャンバ12の入口ノズル20及び2流体ノズル21を、エッチング処理後の基板Wをリンス液に置換する処理を行うものとして説明しているが、例えば、剥離処理後、洗浄処理後、現像処理後等の基板Wに対しても適用が可能である。
In the above embodiment, the
1 基板処理装置
10 水洗処理部
12 処理チャンバ
20 入口ノズル
21 2流体ノズル
21’ 高圧スプレイノズル
R1,R2 リンス液噴射領域
W 基板
1
Claims (2)
前記処理槽内の入口側に配置され、当該搬送中の基板の表面に対して、基板搬送方向下流側に向けてカーテン状にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
前記処理槽内において前記リンス液供給手段よりも基板搬送方向下流側に設けられ、当該基板搬送方向に交差する基板幅の全域に亘って壁を形成する態様で、前記基板の表面に対して、気体と液体とからなる2流体を供給する2流体供給手段と、
基板搬送路の上方および下方に、それぞれ基板搬送路に沿って列設され、基板の表面および裏面へリンス液を供給する上部スプレイノズルおよび下部スプレイノズルとを備え、
これらのリンス液供給手段、2流体供給手段および上下部スプレイノズルが前記処理層内において基板搬送方向に沿って順次連続して設けられていることを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus for performing a replacement process for replacing a processing liquid adhering to the surface of a substrate transported along a predetermined substrate transport path in a processing tank with a rinsing liquid ,
Is arranged on the inlet side of the processing bath, to the surface of the substrate during the conveyance, the rinse liquid supply means for supplying a rinsing liquid curtain shape toward the substrate conveyance direction downstream side,
Provided on the substrate transport direction downstream side of the rinsing liquid supply means in the processing bath, the entire substrate width crossing to the substrate conveying direction in a manner to form a wall I Wataru, to the surface of the substrate Two-fluid supply means for supplying two fluids consisting of gas and liquid ;
An upper spray nozzle and a lower spray nozzle that are arranged along the substrate transport path above and below the substrate transport path, respectively, and supply a rinsing liquid to the front and back surfaces of the substrate,
The rinsing liquid supply means, the two-fluid supply means, and the upper and lower spray nozzles are sequentially provided in the processing layer along the substrate transport direction .
前記処理槽内における前記第1工程によるリンス液供給位置よりも基板搬送方向下流側で、前記基板の表面に対して、当該基板搬送方向に交差する基板幅の全域に亘って壁を形成する態様で、気体と液体とからなる2流体を供給する第2工程と、
前記処理層内における前記第2工程による2流体供給位置よりも基板搬送方向下流側の複数位置で、基板の表面および裏面へリンス液を供給する第3工程とを備え、
上記第1工程から第3工程までを前記処理槽内において順次連続して行うことを特徴とする基板処理方法。 In a processing tank that performs a replacement process for replacing the processing liquid adhering to the surface of the substrate transferred along a predetermined substrate transfer path with a rinsing liquid, on the inlet side in the processing tank, the substrate being transferred A first step of supplying a rinsing liquid in the form of a curtain toward the downstream side in the substrate transport direction with respect to the surface of
In the substrate transport direction downstream side of the rinsing liquid supply position by the first step in the treatment tank, to the surface of the substrate to form a wall I Wataru over the entire substrate width crossing to the direction of substrate conveyance In a mode, a second step of supplying two fluids consisting of a gas and a liquid ;
A third step of supplying a rinsing liquid to the front surface and back surface of the substrate at a plurality of positions downstream of the two fluid supply positions in the processing layer from the two fluid supply positions in the substrate transport direction;
A substrate processing method characterized by sequentially performing the first to third steps in the processing tank .
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