KR100445252B1 - 반도체 캡슐화 에폭시수지조성물 및 그것으로 캡슐화한 반도체장치 - Google Patents

Abstract

에폭시수지, 경화제, 무기충전제로 이루어진 반도체 캡슐화 에폭시수지조성물에서 1~90중량%인 무기충전제는 구상 크리스토발라이트이다. 이 조성물은 무기충전제의 더높은 부하를 달성하며 열팽창계수의 용이한 제어를 허용하며, 개선된 열전도성 및 낮은 수분흡수율을 갖는 고품질의 경화제품을 제공한다.

Description

반도체 캡슐화 에폭시수지조성물 및 그것으로 캡슐화한 반도체장치 {Semiconductor Encapsulating Epoxy Resin Compositions, and Semiconductor Devices Encapsulated Therewith}

본 발명은 에폭시수지, 경화제 및 무기충전제로 이루어지는 반도체 캡슐화에 적합한 에폭시수지조성물에 관한 것이다. 또한 본 발명은 이러한 조성물로 경화상태로 캡슐화한 반도체장치에 관한 것이다.

최근의 박형팩키지용 캡슐화제로 사용되는 에폭시수지조성물은 수분흡수율을 감소시키고 팩키지가 기질에 땜납될 때 균열 형성을 방지하기 위해 다량의 구상용융실리카로 부하된다. 그러나, 그러한 용융실리카의 다량 부하는 매우 작은 열팽창계수를 가져온다. 구리가 납프레임 재료로서 사용될 때, 납프레임의 팽창계수와 에폭시수지조성물의 팽창계수의 차이는 커지게 되며, 이러한 결과는 열사이클링 및 땜납리플로시 보다 큰 응력을 가져오며, 따라서 균열 형성의 경향이 증가한다.

이러한 문제의 종래의 해결책으로는 용융실리카를 큰 팽창계수를 갖는 또다른 무기충전제와 혼합함으로써 에폭시수지조성물의 팽창계수를 변경하는 것이다. 다수의 특허에서 에폭시수지조성물에 무기충전제로서 용융실리카와 결정실리카의 혼합물의 조제를 기재하고 있다.

그러나, 이들 특허에서 사용되는 결정실리카는 전적으로 분쇄물질로 구성되어 있어 결정실리카는 구상용융실리카로 다량부하된 최근의 조성물에 요구되는 양으로 포함될 수 없다. 그 결과, 경화캡슐화제의 수분흡수율을 목적하는 수준으로 감소시키는 것은 불가능하였다. 다른 대안으로는 구상용융실리카를 이용하는 것이나, 불행히도 이는 공업적으로 제조될 수 없기 때문에 얻기가 매우 어렵다. 몇 가지 구상결정실리카는 천연에서 이용가능하나 이는 하상에서 장년에 걸쳐 마모된 생산물이다. 그자체로, 그것을 최첨단 반도체장치를 캡슐화하기 위해 사용하는 것은 순도면에서 요구되는 점이있다. 더욱이, 그러한 물질은 다량부하에 최적한 입도분포를 제공받을 수 없다.

그러므로 본 발명은 무기충전제로 다량부하될 수 있고, 열팽창계수를 용이하게 제어할 수 있으며, 높은 열전도성 및 낮은 수분흡수율을 지닌 경화제품을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또 다른 목적은 이러한 조성물을 경화상태로 캡슐화한 반도체 장치를 제공하는 것이다.

본 발명자는 최적입경에 맞춘 구상용융실리카로부터 크리스토발라이트를 형성함으로써, 구상용융실리카를 본래의 형상과 입도분포를 보유한 상태로 용융상태에서 크리스토발라이트로 결정화할 수 있음을 알아내었다. 입도분포 또는 형상의 변화없이 이와같이 얻어진 구상 크리스토발라이트는 무기충전제의 다량부하, 높은 열전도성, 팽창계수의 용이한 제어등이 달성되게 한다. 얻어진 구상 크리스토발라이트를 충전제로서 에폭시수지조성물내에 특정비율로 포함시킴으로써, 조성물은 보다 높은 충전제함량과 보다 나은 열전도성을 갖게되며, 팽창계수가 목적하는 대로 제어될 수 있고 수분흡수율이 감소될 수 있다.

따라서, 본 발명은 에폭시수지, 경화제, 무기충전제로 이루어지는 반도체 캡슐화 에폭시수지조성물을 제공하며, 여기서 1∼90중량%의 무기충전제는 구상 크리스토발라이트이다. 또한 본 발명은 경화상태로 조성물내에 캡슐화된 반도체 장치를 제공한다.

무기충전제로서의 구상 크리스토발라이트는 전체 충전제의 1~90중량%의 양으로 혼합하기 때문에 에폭시수지조성물은 무기충전제의 다량부하 및 열팽창계수의 용이한 제어를 가능케한다. 조성물은 높은 열전도성 및 낮은 수분흡수율을 갖는 경화제품을 제공하며, 최첨단의 박형 팩키지를 위한 캡슐화제 및 기타용도로서 매우 적합하다.

도 1은 제조실시예 1에서 얻어진 구상 크리스토발라이트의 x-선 회절분석결과를 보여주는 그래프이다.

도 2A 및 2B는 각각 제조실시예 1에서 얻어진 구상 그리스토발라이트 및 출발원료인 구상용융실리카의 1000x 확대율에서 전자 현미경사진이다.

본 발명의 반도체 캡슐화 에폭시수지조성물은 에폭시수지, 경화제, 및 무기충전제를 필수성분으로 포함한다.

여기에서 사용된 에폭시수지는 분자당 두 개 이상의 에폭시 기를 갖는 어떤 공지된 에폭시수지도 될 수 있다. 예로는 비스페놀A 에폭시수지 및 비스페놀F 에폭시수지와 같은 비스페놀형 에폭시수지; 페놀 노보락 에폭시수지 및 크레졸 노보락 에폭시수지와 같은 노보락형 에폭시수지; 또한 나프탈렌 에폭시수지, 트리페놀알칸 에폭시수지, 비페닐 에폭시수지, 페놀아랄킬 에폭시수지, 비페닐아랄킬 에폭시수지 및 시클로펜타디엔 에폭시수지등을 포함한다. 이들 중, 다음과 같은 구조식으로 표시되는 액정구조를 지닌 에폭시수지가 선호된다.

이 식에서 G는 글리시딜기, Me은 메틸기, 각 R¹은 독립적으로 수소, 1~4 탄소원자를 지닌 알킬기, 또는 페닐기이며, n은 1~10의 정수이다.

이러한 에폭시수지는 전체 염소함량이 1,500ppm 이하, 특히 1,000ppm이하인 것이 바람직하다. 염소가 50%의 에폭시수지농도에서 120℃온도로 20시간이상 물로 추출할 때, 수-추출된 염소함량이 5ppm이하인 것이 바람직하다. 전체 염소함량이 1,500ppm이상이거나 수추출염소함량이 5ppm이상일 때, 캡슐화된 반도체는 수분존재하에 신뢰성이 떨어지게 된다.

지금까지 분자에 두 개 이상 페놀성 수산기를 갖는 페놀수지인한 어떤 경화제도 사용할 수 있다. 예가되는 경화제는 비스페놀A 및 비스페놀F와 같은 비스페놀형수지; 페놀 노보락 수지 및 크레졸 노보락 수지와 같은 노보락형 페놀수지; 페놀 아랄킬수지, 트리페놀알칸수지, 나프탈렌 페놀수지, 비페닐수지 및 시클로펜타디엔 페놀수지, 또한 아래와 같은 구조를 갖는 페놀성 수산기함유 수지등을 포함한다.

상기 식에서 각 R²은 독립적으로 수소원자, 1~4 탄소원자를 지닌 알킬기, 또는 페닐기이며, n은 0~10의 정수이다.

에폭시수지로부터 염소를 추출하기 위한 상기 기재된 것과 같은 과정에 의해 120℃에서 페놀수지로부터 추출된 염소이온, 나트륨이온등의 각각의 함량은 10ppm이하, 특히 5ppm이하가 바람직하다.

페놀수지는 에폭시수지에서 에폭시기의 몰당 페놀수지에서 페놀성 수산기가 바람직하게는 0.5~1.6몰, 특히 0.6~1.4몰에 해당하는 양으로 사용된다. 페놀성 수산기가 0.5몰 미만이면 수산기의 부족을 의미하며, 에폭시기 단일중합의 보다 높은 비율을 가져오며, 이는 에폭시수지조성물의 유리전이온도를 낮추게 된다. 한편, 페놀성 수산기가 1.6몰 이상이면, 경화상태에서의 불충분한 강도 및 낮은 교차결합밀도 뿐만 아니라 반응성 또한 감소하게 된다.

경화촉진제는 에폭시수지조성물과 혼합하는 것이 바람직하다. 사용 가능한 경화촉진제의 실례로는 트리페닐포스핀, 2,6,- 또는 2,4,6-메톡시-치환된 트리페닐포스핀 유도체, 이러한 트리페닐포스핀 화합물의 4차염, 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트 및 그것의 유도체와 같은 유기 인 화합물; 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 4-메틸이미다놀, 4-에틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸,2-페닐-4-히드록시메틸-이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 및 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸과 같은 이미다졸유도체; 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데센-7 과 같은 시클로아미딘 유도체 등을 포함한다. 경화촉진제는 에폭시수지 및 페놀수지 합계량 100중량부당 0~10중량부로 혼합하는 것이 바람직하고, 0.01~5중량부가 더욱 바람직하다.

본 발명의 조성물은 무기충전제로서 구상 크리스토발라이트를 혼합하는 것을 특징으로 한다. 구상 크리스토발라이트는 당업자에게 알려진 방법으로 제조된 구상용융실리카로부터 크리스토발라이트 전환에 의하여 얻을 수 있다. 바람직하게는, 출발원료로 제공되는 구상용융실리카는 평균입경 0.3~50㎛를, 특히 0.5~30㎛, 가장 특히 1.0~20㎛를 갖고, 최대입경으로 150㎛이하, 특히 100㎛이하, 가장 특히 75㎛를 갖는다. 평균입경이 50㎛보다 크게 되면, 입자가 너무 굵게되어 몰드의 출구를 막아버리게 되거나 또는 몰드 마모를 일으킨다. 한편, 평균입경이 0.3㎛보다 작게 되면, 입자가 너무 미세하여 조성물에서 다량부하를 어렵게 한다. 마찬가지로, 최대입경이 150㎛보다 크게 되면 입자가 너무 굵게되어 몰드의 출구를 막아버리거나 또는 성형마모를 일으킨다. 여기서 사용되는 평균입경은 예를 들어, 레이저광회절법으로 측정한 입도분포에서 중량평균(중간 지름)으로서 결정될 수 있다.

구상용융실리카는 바람직하게는 불순물로서 나트륨 및 칼륨과 같은 알칼리금속 및 불소, 염소, 브롬과같은 할로겐원소를 각각 20ppm 이하, 특히 10ppm 이하를 갖는다. 어느 불순물이든 그 함량이 20ppm 이상인 구상용융실리카로부터 얻은 크리스토발라이트를 충전제로 사용하면 감소된 내습성이 가져온다. 알칼리금속 함량 및 할로겐원소 함량은 구상용융실리카 샘플10g을 250cc 플라스틱 용기에 넣고, 정제수 100cc를 첨가한 후, 30분간 흔들어줌으로써 결정된다. 그 다음 샘플과 물은 95℃의 항온탱크에서 20시간동안 방치한다. 샘플을 분리된 후, 추출된 알칼리금속 함량 및 할로겐원소 함량을 이온 크로마토그래피에 의해서 측정한다.

본 발명의 실시에서, 출발원료인 구상용융실리카는 그 형상과 입도분포를 유지하면서 용융상태에서 크리스토발라이트로 결정화된다. 따라서, 불순물로서 우라늄 및 토륨의 낮은 함량을 갖는, 특히 1ppb 이하의 우라늄 및 토륨함량을 갖는 고순도 합성구상실리카를 출발원료로서 사용하면, 기억장치로서 사용이 매우 적합한 구상 크리스토발라이트를 얻을 수 있다.

이러한 형태의 구상용융실리카는 상승된 온도 1,200 ~ 1,600℃ 특히, 1,200 ~ 1,500℃에서, 10~50시간 특히, 15~40시간동안 결정의 확실한 성장을 유도하기까지 가열한 후 냉각함으로써 크리스토발라이트로 전환될 수 있으며, 이러한 과정에서, 실온으로부터 목적하는 온도까지 온도상승율은 바람직하게는 10~100℃/분 이다. 1,200℃미만의 최대가열온도에서는 크리스토발라이트로 완전한 전환이 너무 오래 걸리며, 반면 1,600℃이상의 온도까지 가열하게 되면 구상용융실리카 입자들이 서로 결합하게되어, 원래의 입도분포를 유지할 수 없게된다. 10시간 미만의 가열시간은 결정화가 충분한 정도까지 진행하지 못하게 한다. 한편, 50시간 이상동안 가열은 결정화를 위한 충분한 시간을 제공하지만, 그러한 장시간동안 상승온도를 유지하는것은 제조비용을 증가시킨다.

얻어진 구상 크리스토발라이트는 출발원료 용융실리카의 형상 및 입도분포를 유지하고 있기때문에 에폭시수지조성물에서 다량부하가 가능하며 조성물의 열전도성은 향상될 수 있다. 더욱이, 크리스토발라이트입자의 구상형태로 인하여, 얻어진 조성물은 충전제의 다량부하로도 매우 낮은 성형마모를 나타낸다.

구상 크리스토발라이트는 실란 커플링제, 티타늄 커플링제 및 알루미늄 커플링제등을 포함하는 커플링제로 표면을 처리한 후 사용될 수 있다.

본 발명의 에폭시수지조성물은 또한 상기 기재된 구상 크리스토발라이트 외의 무기충전제를 포함한다. 다른 무기충전제의 실례로는 볼밀과 같은 기구에서 분쇄된 용융실리카, 화염용융으로 얻어진 구상실리카, 졸-겔 공정과 같은 기술로써 제조된 구상실리카, 결정 실리카, 알루미나, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화규소, 마그네시아, 규산마그네슘 등을 포함한다. 에폭시수지조성물에서 무기충전제의 다량부하를 달성하기 위하여, 사용되는 모든 충전제가 구상인 것이 바람직하다. 구상용융실리카는 다른 무기충전제로서 특히 바람직하다.

상기 기재된 구상 크리스토발라이트는 전체충전제를 기준으로, 1~90중량%, 바람직하게는 5~70중량%, 더욱 바람직하게는 10~50중량% 범위내의 양으로 본 발명의 에폭시수지조성물내에 배합된다. 1중량%미만의 구상 크리스토발라이트는 거의 배합효과를 얻지못하며, 본 발명의 목적을 달성하지 못한다. 한편, 90중량%이상의 구상 크리스토발라이트를 포함하면 매우 큰 팽창계수를 제공하여, 반도체 장치에의 응력을 증가시킨다. 크리스토발라이트는 200℃이상의 온도에서 팽창계수가 갑작스런 증가를 나타내기 때문에 충전제의 90중량%을 초과하는 크리스토발라이트의 부하는 응력 및 다른 바람직하지못한 영향으로 인한 장치실패의 위험을 증가시키게 된다.

통상, 본 발명의 에폭시수지조성물에서 사용되는 무기충전제의 총량은 에폭시수지와 경화제 총량 100중량부당 바람직하게는 300~1200중량부, 특히 500~1,000중량부, 가장 특히 600~1000중량부이다. 무기충전제를 300중량부 미만을 사용하면 얻어야 할 팽창계수의 충분히 감소가 가능하지 않을 것이며, 더욱이 흡수율이 증가하고, 이는 땜납리플로온도에서 팩키지에 균열 형성을 가져올 수 있다. 한편, 1,200중량부 이상을 사용하면 너무 점성이 높아 성형할 수 없게 된다.

퓸드실리카 및 침전실리카(예, 아에로질)와 같은 초미세입자 실리카는 요변성을 부여하기위해 본 발명의 조성물에 첨가될 수 있다. 이러한 형태의 초미세입자 실리카를 사용하는 경우에는 충전제를 수지성분과 혼합하기 전에 볼밀과 같은 혼합장치에서 다른 충전제와 균일하게 미리 혼합하는 것이 바람직하다.

응력감소제가 또한 본 발명 조성물에 첨가될 수 있다. 응력감소제의 예로는 분말형태의 공지의 실리콘 고무 및 겔, 실리콘변형 에폭시수지, 실리콘변형 페놀수지, 메타크릴산 메틸-부타디엔-스티렌 열가소성수지등이 있다. 이러한 수지는 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서 통상적 양으로 첨가된다.

본 발명 조성물에 첨가될 수 있는 다른 임의성분은 커플링제(예, 실란 커플링제, 티타늄 커플링제 및 알루미늄 커플링제), 카본블랙와 같은 착색제, 습윤향상제 및 소포제(예, 노니온계계면활성제, 불소계계면활성제, 실리콘오일)등이 있다. 이들 임의성분은 발명의 목적이 달성될 수 있는 한 통상적 양으로 첨가된다.

본 발명의 반도체 캡슐화 에폭시수지조성물은 고속혼합기와 같은 적합한 장치에서 상기 기재된 성분을 균등하게 혼합하고, 2롤밀, 연속혼련장치등에서 혼합물을 충분히 혼련함으로써 제조될 수 있다. 혼합물은 바람직하게는 50~110℃온도에서 혼련된 후, 얇게 시트화하고, 냉각하여 목적하는 에폭시수지조성물을 얻도록 미세하게 분쇄한다.

구상 크리스토발라이트는 무기충전제 부분으로서 혼합하기 때문에, 본 발명의 반도체 캡슐화 에폭시수지조성물은 무기충전제 다량부하를 달성할 수 있고, 열팽창계수를 용이하게 제어할 수 있으며, 높은 열전도성 및 낮은 수분흡수율을 지닌 고품질의 제품으로 경화된다. 따라서, 본 발명의 에폭시수지 조성물은 최첨단장치에서 반도체 캡슐화제로서 이용하는 데 매우 적합하다.

실시예

다음의 실시예는 본 발명을 설명하기 위해 제공되며, 본 발명의 범위를 제한하지는 않는다. 모든 부와 퍼세트는 중량에 의한 것이다.

제조예1

표1에 보이는 입도분포를 지닌 구상용융실리카를 20시간동안 1,500℃온도에 방치하였다. 그 후, 온도를 100℃/시 속도로 최종온도 25℃까지 낮춘다.

얻어진 구상 크리스토발라이트를 전자현미경에서 입자형태를 조사하고 입도분포를 결정한 후 x선회절분석에 의해 결정구조를 확인하였다. 입도분포는 표1에, x선회절분석 도표는 도1에서 보여진다. 도 2A 및 2B는 각각 얻어진 구상 크리스토발라이트 및 출발원료인 구상용융실리카의 전자현미경사진(확대율 1,000x)을 나타낸다.

제조예 2~6

제조예 1에서 사용된 구상용융실리카는 표3에 나타낸 제조 조건하에 크리스토발라이트로 전환되었다. 표3은 또한 얻어진 실리카의 물성을 나타낸다.

제조예 7

표2에 나타낸 분쇄용융실리카는 표3에 나타난 제조 조건하에 크리스토발라이트로 전환되었다. 표3은 또한 얻어진 실리카의 물성을 나타낸다.

실시예 1~4, 비교예 1 및 2

여섯가지의 에폭시수지조성물을, 다음으로 표시되는 에폭시수지 YX4000(Yuka Shell Co., Ltd.) 43.2부,

경화제 Mylex(아랄킬 페놀수지, 미츠이 도아츠 가가쿠 제)51.8부, 브롬화 에폭시수지 Bren-S(닛본 카야쿠 제)5부, 표4에 나타낸 형태와 양의 무기충전제, 삼산화안티몬 5부, 착색제로서 카본블랙 1.5부, 실란커플링제 KBM403(γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란, 신에츠 가가쿠 제)1.5부, 이형제로서 카르나바 왁스 1.2부, 촉매 트리페닐포스핀 0.8부(호코 가가쿠 제)를 칭량함으로써 준비하였다. 이들 성분은 고속혼합기에서 10분간 교반 및 혼합한 후, 연속압출기에서 혼련시켰다.

다음의 성질들을 얻어진 에폭시수지조성물의 각각에 대해 측정하였고, 그 결과는 표4 와 5에 나타낸다.

(1)나선형흐름

나선형흐름을 70kgf/㎠ 압력 및 175℃온도에서 조성물을 이송성형함으로써 측정하였다.

(2)겔화 시간

175℃의 열판에서 에폭시수지조성물이 겔화될 때까지의 시간으로 측정.

(3)용융점도

용융점도는 일본에서 코카형 플로우시험기로 알려진 기종의 일정부하오리피스형 플로우시험장치로 직경1mm의 노즐을 사용하여 10kg의 압력하 175℃에서 측정하였다.

(4)성형시 경도

에폭시수지조성물을 JIS K-6911에 따라 175℃온도 및 70kgf/㎠ 압력에서 성형하여 10×4×100mm 막대로 만들었다. 바콜 경도시험기를 사용하여 바를 고온경도를 측정하였다.

(5)유리전이온도(Tg) 및 팽창계수

175℃온도 및 70kgf/㎠압력에서 2분간 성형하여 4×4×15 크기의 시험편을 만들고, 180℃온도에서 4시간동안 후 경화하였다. 측정은 팽창계에서 5℃/분의 속도로 시험편을 가열함으로써 행하였다.

(6)수분흡수율

175℃온도 및 70kgf/㎠압력에서 2분간 지름 50mm 및 두께 3mm의 디스크를 성형하고 180℃온도에서 4시간동안 후 경화하였다. 디스크를 85℃/85%RH 에서 72시간동안 방치한후, 수분흡수율을 측정하였다.

(7)수분흡수율 후 균열 내성

구리프레임을 갖는 100핀QFP(quad flat pack)용 납프레임(크기,14×20×2.7mm)에 6.5×6.5 mm 크기의 칩을 탑재하고, 실시예 1,2 및 4, 그리고 비교예 1 및 2에서 얻어진 에폭시수지조성물로 캡슐화하였다. 각 경우, 캡슐화는 성형온도 175℃에서, 성형압력 70kgf/㎠ 에서, 성형시간 2분동안 행한 후 180℃에서 4시간 후 경화하였다. 각 수지조성물에 의해 캡슐화된 5개의 팩키지는 85℃/85%RH 에서 72시간동안 방치하여 수분흡수를 유도하고, 피크온도 240℃에서 적외선 리플로를 3회 실시하였다. 땜납리플로 내성은 내부 균열형성 및 외부 균열형성으로 둘다에 대해 평가하였고, 결과는 샘플 10개당 균열이 형성된 샘플의수에 의해 보고하였다.

일본 특허출원 122805/1998은 참고문헌으로서 여기에 포함된다.

몇몇의 바람직한 구체예를 기재하였지만 상기 교시로 미루어 거기에 많은 변경과 변형을 행할 수 있다. 그러므로 본 발명은 첨부된 청구항의 범위에서 벗어나지 않고 구체적으로 설명된 것과 달리 실시될 수 있음이 이해된다.

본 발명의 반도체 캡슐화 에폭시수지조성물은 무기 충전제로서 구상 크리스토발라이트를 특정량 배합하여 무기충전제를 다량부하할 수 있고 또한 팽창계수를 용이하게 제어할 수 있고, 향상된 열전도성 및 낮은 수분흡수율을 갖는 고품질의 경화생산물을 제공한다. 따라서, 본 발명의 에폭시수지 조성물은 반도체 캡슐화재료로서 최첨단 장치용으로서 바람직하게 이용할 수 있다.

Claims (7)

1. 에폭시수지, 경화제 및 무기충전제로 이루어지고, 무기충전제는 구상 크리스토발라이트 1~90중량%를 포함하며, 이 구상 크리스토발라이트는 0.3∼50㎛의 평균 입경 및 150㎛이하의 최대입경을 갖는 구상용융실리카를 크리스토발라이트로 전환함으로써 얻어진 것을 특징으로 하는 반도체 캡슐화 에폭시수지조성물.
2. 제 1 항에 있어서, 무기충전제가 구상 크리스토발라이트 및 구상용융실리카로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 캡슐화 에폭시수지조성물.
3. 청구항 1의 반도체 캡슐화 에폭시수지조성물로 경화상태로 캡슐화한 반도체 장치.
4. 제 1 항에 있어서, 구상용융실리카는 1200∼1600℃의 온도로 가열시킴으로써 크리스토발라이트로 전환되는 것을 특징으로 하는 반도체 캡슐화 에폭시수지조성물.
5. 제 1 항에 있어서, 구상용융실리카는 10 내지 50 시간동안 1200∼1600℃의 온도로 가열시킴으로써 크리스토발라이트로 전환되는 것을 특징으로 하는 반도체 캡슐화 에폭시수지조성물.
6. 제 1 항에 있어서, 구상크리스토발라이트는 커플링제로 처리되는 것을 특징으로 하는 반도체 캡슐화 에폭시수지조성물.
7. 제 1 항에 있어서, 무기충전제의 총량은 에폭시수지와 경화제 총량 100중량부당 300∼1200 중량부인 것을 특징으로 하는 반도체 캡슐화 에폭시수지조성물.