KR100435898B1 - 트랜지스터의 샐리사이드 영역 형성방법 - Google Patents

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Abstract

실리콘 기판위에 액티브 및 필드를 형성하는 단계와, 산화막을 증착하는 단계와, 트렌치 형성을 위한 포토 레지스트를 형성하는 단계와, 트렌치를 형성하는 단계와, 게이트 산화막을 증착하는 단계와, 폴리를 증착 및 평탄화(CMP) 또는 에치백하는 단계와, 산화막을 에치백하는 단계와, 스페이서 형성을 위한 포토 레지스트를 형성하는 단계와, 스페이서를 형성하고 샐리사이드 영역을 확보하는 단계와, 샐리사이드 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며,
단일 산화막을 이용하여 샐리사이드 영역을 형성함으로써 상대적으로 공정이 쉬울 뿐만 아니라, 폴리 측면의 샐리사이드 영역을 조절하는 것이 쉬운, 트랜지스터의 샐리사이드 영역 형성방법을 제공한다.

Description

트랜지스터의 샐리사이드 영역 형성방법{method for forming salicide area of the transistor}
이 발명은 트랜지스터의 샐리사이드 영역 형성방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 말하자면 단일 산화막을 이용하여 샐리사이드 영역을 형성함으로써 상대적으로 공정이 쉬울 뿐만 아니라, 폴리 측면의 샐리사이드 영역을 조절하는 것이 쉬운, 트랜지스터의 샐리사이드 영역 형성방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼상에 트랜지스터를 형성하기 위해서는 폴리(poly)를 형성한 뒤에, 그 위에 스페이서(spacer)로서 산화막(oxide film)을 입히고, 그 위에 스페이서로서 질화막(nitride film)을 입히고, 상기한 스페이서 질화막을 식각한 후, 상기한 스페이서 산화막을 식각하고나서, 샐리사이드 영역을 확보하게 된다.
그러나, 이와 같은 종래의 트랜지스터의 샐리사이드 영역 형성방법은 산화막과 질화막의 2종류의 막을 증착해야 하기 때문에 상대적으로 공정이 복잡할 뿐만 아니라, 폴리 측면의 샐리사이드 영역을 조절하는 것이 어렵게 되는 문제점 등이 있었다.
이 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 단일 산화막을 이용하여 샐리사이드 영역을 형성함으로써 상대적으로 공정이 쉬울 뿐만 아니라, 폴리 측면의 샐리사이드 영역을 조절하는 것이 쉬우운, 트랜지스터의 샐리사이드 영역 형성방법을 제공하는 데 있다.
도 1a 내지 도 1j는 이 발명의 실시예에 따른 트랜지스터의 샐리사이드 영역 형성방법의 공정 순서도이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 수단으로서 이 발명은, 실리콘 기판위에 액티브 및 필드를 형성하는 단계와, 산화막을 증착하는 단계와, 트렌치 형성을 위한 포토 레지스트를 형성하는 단계와, 트렌치를 형성하는 단계와, 게이트 산화막을 증착하는 단계와, 폴리를 증착 및 평탄화(CMP) 또는 에치백(etch back)하는 단계와, 산화막을 에치백하는 단계와, 스페이서 형성을 위한 포토 레지스트를 형성하는 단계와, 스페이서를 형성하고 샐리사이드 영역을 확보하는 단계와, 샐리사이드 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
상기한 게이트 산화막 증착 후에, 폴리를 증착 및 평탄화(CMP)하지 않고 폴리를 에치백하여도 무방하다.
이하, 이 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 이 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조로 하여 상세히 설명하기로 한다. 이 발명의 목적, 작용, 효과를 포함하여 기타 다른 목적들, 특징점들, 그리고 동작상의 이점들이 바람직한 실시예의 설명에 의해 보다 명확해질 것이다.
참고로, 여기에서 개시되는 실시예는 여러가지 실시가능한 예중에서 당업자의 이해를 돕기 위하여 가장 바람직한 예를 선정하여 제시한 것일 뿐, 이 발명의 기술적 사상이 반드시 이 실시예에만 의해서 한정되거나 제한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 다양한 변화와 부가 및 변경이 가능함은 물론, 균등한 타의 실시예가 가능함을 밝혀 둔다.
이 발명의 실시예에 따른 트랜지스터의 샐리사이드 영역 형성방법은 다음과 같다.
먼저, 도 1a에 도시되어 있는 바와 같이 실리콘 기판위에 액티브 및 필드를 형성한다.
이어서, 상기한 액티브 및 필드 위에 도 1b에 도시되어 있는 바와 같이 산화막을 증착한다.
다음에, 상기한 산화막의 위에 도 1c에 도시되어 있는 바와 같이 트렌치 형성을 위한 포토 레지스트를 형성한다.
이어서, 도 1d에 도시되어 있는 바와 같이 식각을 통하여 상기 산화막에 트렌치를 형성한다.
다음에, 상기한 트렌치의 위에 도 1e에 도시되어 있는 바와 같이 게이트 산화막을 증착한다.
이어서, 상기한 게이트 산화막의 위에 도 1f에 도시되어 있는 바와 같이 폴리를 증착한 뒤에 평탄화(CMP)를 한다. 상기한 폴리를 증착 및 평탄화(CMP)하는 대신에 폴리를 에치백하여도 무방하다.
다음에, 도 1g에 도시되어 있는 바와 같이 산화막을 에치백한다.
이어서, 도 1h에 도시되어 있는 바와 같이 스페이서 형성을 위한 포토 레지스트를 형성한다.
다음에, 도 1i에 도시되어 있는 바와 같이 스페이서를 형성하고 샐리사이드 영역을 확보한다.
이어서, 도 1j에 도시되어 있는 바와 같이 샐리사이드 영역을 형성한다.
이상의 설명에서와 같이 이 발명의 실시예에서, 단일 산화막을 이용하여 샐리사이드 영역을 형성함으로써 상대적으로 공정이 쉬울 뿐만 아니라, 폴리 측면의 샐리사이드 영역을 조절하는 것이 쉬운 효과를 가진 트랜지스터의 샐리사이드 영역 형성방법을 제공할 수가 있다. 이 발명의 이와 같은 효과는 반도체 제조공정 분야에서 이 발명의 기술적 사상의 범위를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 응용되어 이용될 수가 있다.

Claims (2)

  1. (정정) 실리콘 기판위에 액티브 및 필드를 형성하는 단계와,
    상기 액티브 및 필드 위에 산화막을 증착하는 단계와,
    상기 산화막 위에 트렌치 형성을 위한 포토 레지스트를 형성하는 단계와,
    상기 산화막에 트렌치를 형성하는 단계와,
    상기 트렌치 및 그 외주연에 게이트 산화막을 증착하는 단계와,
    상기 트렌치의 게이트 산화막 위에 폴리를 증착 및 평탄화(CMP)하는 단계와,
    상기 게이트 산화막을 에치백하는 단계와,
    상기 폴리 및 산화막 위에 스페이서 형성을 위한 포토 레지스트를 형성하는 단계와,
    상기 산화막 및 포토레지스트를 에칭하여 스페이서를 형성하고 샐리사이드 영역을 확보하는 단계와,
    상기 폴리 및 그 외주연에 샐리사이드 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 샐리사이드 영역 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기한 게이트 산화막 증착 후에, 폴리를 에치백하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 샐리사이드 영역 형성방법.
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