KR100393454B1 - 핀 형상 와이어등의 형성방법 - Google Patents
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Abstract
(과제)전자회로소자등에 본딩된 볼로부터 상방의 와이어 길이를 임의로 설정할 수 있고, 또한 단가가 비싸게 되지 않으면서 핀 형상 와이어의 길이가 일정하게 되어, 안정된 일정량의 길이가 얻어진다.
(해결수단)캐필러리(4)에 삽통(揷通)된 와이어(1)의 선단에 볼(1a)을 형성한 후, 캐필러리(4)의 하단으로부터 와이어를 연재(延在)시키고, 커터(6)에 의해 볼(1a)과 캐필러리(4) 사이의 와이어부분에 상처(1b)를 내고, 볼(1a)을 캐필러리(4)를 이용하여 전극패드(8)에 본딩하고, 다음에 캐필러리(4)를 상승시킨후에 와이어(1)를 상방으로 잡아당겨 상처(1b)부분에서 와이어(1)를 절단시켜 핀 형상 와이어등(9)을 형성한다.
Description
(발명이 속하는 기술분야)
본 발명은 핀 형상 와이어 또는 범프의 형성방법에 관한 것이다.
(종래의 기술)
핀 형상 와이어와 범프는 일반적으로 전자회로소자등의 전극패드상에 본딩된 볼상에 남아있는 와이어의 유무 또는 와이어의 장단에 의해 구별하고 있지만, 그 구별은 엄밀하지는 않다. 여기서는 상기 와이어의 길이가 예를들면 100~500μm와 같이 긴 것을 일반적으로 핀 형상 와이어라고 부르고, 그것보다 짧은 것을 범프라고 부른다.
종래, 핀 형상 와이어 또는 범프의 형성방법으로서 예를들면, 일본 특개평10-135220호 공보를 들수 있다. 상기 공지문헌은 범프 형성방법으로 되어 있지만, 전자회로소자등의 전극패드에 본딩된 볼상에 어느 정도의 길이를 갖는 와이어가 형성되어 있기 때문에 핀 형상 와이어 형성방법으로 볼 수도 있다.
상기 공지문헌은 캐필러리에 삽통된 와이어의 선단에 볼을 형성하고, 상기 볼을 캐필러리를 이용하여 전자회로소자등의 전극패드에 본딩하고, 캐필러리를 일정량 상승시키고, 와이어를 캐필러리의 하단에 또한 볼로부터 충분히 떨어진 위치에서 다음에 기술하는 방법으로 절단하여 핀 형상 와이어 또는 범프를 형성한다.
상기 와이어 절단방법으로서 다음과 같은 방법이 개시되어 있다.
제 1의 방법은 캐필러리의 측면에 부설된 방전전극에 의하여 와이어의 캐필러리 구멍 선단부분에 방전시켜 와이어 절단을 행한다.
제 2의 방법은 캐필러리의 하단측방에 배설(配設)된 레이저 수단에 의해 와이어의 캐필러리 구멍 선단부분에 레이저 광을 조사하여 와이어 절단을 행한다.
제 3의 방법은 캐필러리의 선단측방에 배설된 에어노즐에 의하여 와이어의 캐필러리 구멍 선단부분에 에어를 내뿜어 와이어 절단을 행한다.
제 4의 방법은 캐필러리를 와어어의 조이기와 그 해제를 가능하게 하는 복수의 척편으로 하든가 혹은 선단부만을 척부로 하고, 와이어의 캐필러리 구멍 선단부분에 캐필러리의 에지에 의해 상처를 내고, 와이어에 인장력(引張力)을 가하여 와이어 절단을 행한다.
제 5의 방법은 캐필러리의 측방에 커터를 배설하고, 와이어의 캐필러리 구멍 선단부분에 커터를 강압하여 와이어 절단을 행한다.
제 6의 방법은 캐필러리에 삽통되는 와이어에 미리 절단부나 프레스 홈등에 의한 변형부분을 장측방향으로 등간격으로 형성하여 두고, 와이어에 인장력을 가하여 와이어 절단을 행한다.
상기 제 1의 방법은 와이어의 캐필러리 구멍 선단부분에 방전시켜 와이어 절단을 행하는 것이기 때문에, 방전에 의해 와이어가 녹아 캐필러리 구멍에 부풀어 올라 캐필러리 구멍 막힘이 발생하는 문제가 있다.
상기 제 2, 제 3 및 제 5의 방법은 전극패드에 본딩된 볼과 상승상태의 캐필러리 사이의 예를들면 500μm 이하의 짧은 길이의 와이어 부분에 레이저 광을 조사하는 레이저 수단, 에어를 내뿜는 에어노즐, 와이어를 절단하는 커터등을 배설하는 것은 곤란하고, 볼과 캐필러러 사이의 와이어의 길이가 어느 정도의 길이를 갖지않으면 실현될 수 없다. 또한 전자회로소자등에 밀집하여 다수의 핀 형상 와이어 또는 범프가 형성되어 있는 경우, 핀 형상 와이어 또는 범프에 레이저 수단, 에어노즐, 커터등의 절단수단이 접촉하기 때문에 이들 절단수단을 배설할 수 없다.
상기 제 4의 방법은 캐필러리를 개폐자재한 척편 또는 척부로 한다. 그러나 이 방법은 초음파 본딩을 하는 경우에는 캐필러리의 구조는 본딩성에 영향을 미치기 때문에, 척 구조로 형성하는 것은 곤란하고, 실용적이지 않다.
상기 제 6의 방법은 와이어의 제조공정에서 미리 와이어에 등간격으로 변형부분을 형성해 둘 필요가 있기 때문에, 와이어의 제조공정이 증가하고, 재료비의 단가가 비싸게 된다. 또한 와이어의 직경은 일반적으로 20~50μm로 대단히 가늘고, 또한 와이어가 권회(卷回)된 스풀과 캐필러리 사이의 와이어 부분에는 백텐션이 걸려있기 때문에 이 백텐션에 의해 스풀과 캐필러리 사이에 존재하는 와이어의 임의의 변형부분이 뒤틀리고, 변형등에 의해 절단될 염려가 있다. 또한 본딩된 볼로부터 상방의 와이어의 길이가 한정된다.
본 발명의 과제는 전자회로소자등에 본딩된 볼로부터 상방의 와이어 길이를 임의로 설정할 수 있고, 또한 단가가 비싸게 되지 않으면서 핀 형상 와이어의 길이가 일정하게 되고, 안정된 일정량의 길이의 핀 형상 와이어등의 형성방법을 제공하는 것에 있다.
도 1은 본 발명의 핀 형상 와이어등의 형성방법의 일실시의 형태를 나타내는 공정도.
도 2의 (a)는 도 1(c)의 요부확대도, (b)는 (a)의 평면도.
도 3은 도 1(i)의 핀 형상 와이어의 부분을 나타내고, (a)는 확대도, (b)는 핀 형상 와이어의 선단의 평면도.
"도면의 주요부분에 대한 부호의 설명"
1:와이어 1a:볼
1b:상처 1c:핀 형상 와이어
2:제 2 와이어 클램퍼 3:제 1 와이어 클램퍼
4:캐필러리 5:전기토치
6:커터 7:전자회로소자
8:전극패드 9:핀 형상 와이어 또는 범프
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제 1의 수단은 캐필러리에 삽통된 와이어의 선단에 볼을 형성한 후, 캐필러리의 하단으로부터 와이어를 연재시키고, 와이어 본딩 장치에 설치된 상처내기 수단에 의해 상기 볼과 상기 캐필러리 사이의 와이어 부분에 상처를 내고, 상기 볼을 상기 캐필러리를 이용하여 전자회로소자등의 전극패드에 본딩하고, 다음에 캐필러리를 상승시킨 후에 와이어를 상방으로 잡아당겨 상기 상처 부분에서 와이어를 절단하여 핀 형상 와이어등을 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제 2의 수단은 캐필러리와 함께 상하로 움직이는 제 1 와이어 클램퍼와 상하로 움직이지않는 제 2 와이어 클램퍼를 갖고 있는 와이어 본딩 장치를 이용하고, 제 2 와이어 클램퍼 및 제 1 와이어 클램퍼를 통하여 캐필러리에 와이어가 삽통되고, 상기 제 2 와이어 클램퍼를 열고, 상기 제 1 와이어 클램퍼를 닫은 상태로 캐필러리에 삽통된 와이어의 선단에 볼을 형성한 후 상기 제 1 와이어 클램퍼를 열고, 상기 와이어에 걸려있는 백텐션의 작용에 의해 볼이 캐필러리의 하단에 맞닿고, 다음에 캐필러리 및 제 1 와이어 클램퍼를 하강시키고, 이어서 제 2 와이어 클램퍼를 닫은후 캐필러리 및 제 1 와이어 클램퍼를 상승시켜 캐필러리의 하단으로부터 와이어를 연재시키고, 다음에 제 1 와이어 클램퍼를 닫고, 제 2 와이어 클램퍼를 연 상태로 와이어 본딩 장치에 설치된 상처내기 수단에 의해 상기 볼과 상기 캐필러리 사이의 와이어 부분에 상처를 내고, 이어서 제 1 와이어 클램퍼를 열어 캐필러리 및 제 1 와이어 클램퍼를 하강시켜 상기 볼을 상기 캐필러리를 이용하여 전자회로소자등의 전극패드에 본딩하고, 다음에 캐필러리 및 제 1 와이어 클램퍼를 상승시키고, 이 상승도중에 제 1 와이어 클램퍼를 닫고 와이어를 상방으로 잡아당겨 상기 상처 부분에서 와이어를 절단하여 핀 형상와이어등을 형성하는 것을 특징으로 한다.
(발명의 실시형태)
본 발명의 일실시의 형태를 도 1에 의해 설명한다. 도 1(a)에 나타낸 것과 같이, 와이어(1)은 제 2 와이어 클램퍼(2) 및 제 1 와이어 클램퍼(3)를 통하여 캐필러러(4)에 와이어(1)가 삽통되고, 캐필러리(4)의 하단으로부터 연재되어 있다. 이 상태에 있어서는 제 2 와이어 클램퍼(2)가 열리고, 제 1 와이어 클램퍼(3)가 닫힌 상태로 있다. 여기서, 제 2 와이어 클램퍼(2)는 상하로 움직이지 않고 제 1 와이어 클램퍼(3)는 캐필러리(4)와 함께 상하로 움직이게 되어 있다. 이 상태로 동도(b)에 나타낸 것과 같이 와이어(1)의 선단에 전기토치(5)에 의한 방전에 의하여 볼(1a)을 만든다. 그 후, 전기토치(5)는 화살표 방향으로 이동한다.
다음에 동도(c)에 나타낸 것과 같이, 제 1 와이어 클램퍼(3)가 열린다. 이로써, 와이어(1)에 걸려 있는 백텐션의 작용에 의해 볼(1a)이 캐필러리(4)의 하단에 맞닿는다. 이어서 동도(d)에 나타낸 것과 같이, 캐필러리(4) 및 제 1 와이어 클램퍼(3)가 길이 L1만큼 하강한다. 다음에 동도(e)에 나타낸 것과 같이, 제 2 와이어 클램퍼(2)가 닫히고, 캐필러리(4) 및 제 1 와이어 클램퍼(3)가 본래의 위치로 상승, 즉 길이 L1만큼 상승한다. 이로써, 캐필러리(4)의 하단으로부터 와이어(1)가 길이 L1만큼 연재된다.
다음에 동도(f)에 나타낸 것과 같이, 제 1 와이어 클램퍼(3)가 닫힌 후에 제 2 와이어 클램퍼(2)가 열리고, 캐필러리(4)의 하단으로부터 길이 L2만큼 하방으로 배설되어 있는 도시하지 않은 와이어 본딩 장치에 설치된 커터(6)가 왕복동작하여와이어(1)를 절단하는 개소에 상처(1b)를 낸다. 이때, 커터(6)가 와이어(1)에 대향하도록 맞닿아 거의 동일하게 파고들기 때문에, 상처(1b)는 대향한 위치에 거의 동일한 크기로 내어진다(도 2 참조).
커터(6)가 퇴피한 후, 동도(g)에 나타낸 것과 같이 제 1 와이어 클램퍼(3)가 열리고, 캐필러리(4) 및 제 1 와이어 클램퍼(3)가 하강하고, 볼(1a)을 IC, LSI등의 전자회로소자(7)의 전극패드(8)에 압접시킨다. 다음에 캐필러리(4)에 초음파진동을 인가하고, 볼(1a)을 전극패드(8)에 본딩한다.
다음에 동도(h)에 나타낸 것과 같이 캐필러리(4)와 제 1 와이어 클램퍼(3)가 함께 상승하고, 이 상승도중에 제 1 와이어 클램퍼(3)가 닫힌다. 이로써, 동도(i)에 나타낸 것과 같이 동도(h)에 나타낸 상처(1b)부분에서 와이어(1)가 절단된다. 이 상처(1b)부분은 와이어(1)의 대항하는 위치에 동일한 크기로 내어지기 때문에 절단부는 흐트러지지 않고 똑같이 된다(도 3참조). 이로써, 도 1(i) 및 도 3에 나타낸 것과 같이 핀 형상 와이어 또는 범프(9)가 형성된다. 이 경우에 있어서의 핀 형상 와이어(1c)의 길이는 안정되고, 일정량의 길이 L4가 얻어진다.
동도(f)에 나타낸 것과 같이 와이어(1)에 커터(6)로 상처(1b)를 내는 공정은 볼(1a)을 전극패드(8)에 본딩하기 위하여 캐필러리(4)가 하강하기 전에 행하여진다. 따라서, 전극패드(8)와 캐필러리(4) 사이는 커터(6)를 배설하기에 충분한 간격이 있고, 하등의 지장은 없다. 또한 이미 밀집하여 동도(i)에 나타낸 핀 형상 와이어 또는 범프(9)가 형성되어 있는 경우에도 커터(6)는 핀 형상 와이어 또는 범프(9)에서 떨어진 상방으로 작동하기 때문에 커터가 핀 형상 와이어 또는범프(9)에 접촉하는 일도 없다. 이러한 것들에 의하여, 상처(1b)를 내는 와이어(1)의 부분에 제한은 없고, 와이어(1c)의 길이를 임의로 설정할 수 있다.
또한 제 2 와이어 클램퍼(2)를 이용함으로써, 도 1(e)에 나타낸 것과 같이 캐필러리(4)의 하단으로부터 일정량의 길이 L1만큼 와이어(1)를 연재시킬 수 있기때문에, 도 1(f)에 나타낸 것과 같이 미리 정하여진 와이어(1)의 위치에 상처(1b)를 낼 수 있다. 이로써, 볼(1a)로부터 상처(1b)까지의 길이 L3는 안정된 일정량으로 된다. 따라서, 도 1(i) 및 도 3에 나타낸 것과 같이 형성된 핀 형상 와이어 또는 범프(9)의 핀 형상 와이어(1c)의 길이가 일정하게 되고, 상기 길이 L3와 거의 동일한 안정된 일정량의 길이 L4가 얻어진다.
더욱이, 상기 실시의 형태에 있어서는 서로 대향하여 배설된 한쌍의 커터(6)로 상처(1b)를 내었지만, 한쪽만 커터(6)이고 다른쪽은 지지판이라도 좋다. 또한 커터(6)에 한정되지 않고 다른 상처내기 수단을 이용하여도 좋다.
본 발명은 캐필러리에 삽통된 와이어의 선단에 볼을 형성한 후, 캐필러리의 하단으로부터 와이어를 연재시키고, 와이어 본딩 장치에 설치된 상처내기 수단에 의하여 상기 볼과 상기 캐필러리 사이의 와이어의 부분에 상처를 내고, 상기 볼을 상기 캐필러리를 이용하여 전자회로등의 전극패드에 본딩하고, 다음에 캐필러리를 상승시킨 후에 와이어를 상방으로 잡아당겨 상기 상처 부분에서 와이어를 절단하여 핀 형상 와이어등을 형성하기 때문에, 전자회로소자등에 본딩된 볼로부터 상방의 와이어 길이를 임의로 설정할 수 있고, 또한 단가가 비싸게 들지 않으면서 핀 형상와이어의 길이가 일정하게 되고, 안정된 일정량의 길이가 얻어진다.
Claims (2)
- 삭제
- 캐필러리와 함께 상하로 움직이는 제 1 와이어 클램퍼와 상하로 움직이지 않는 제 2 와이어 클램퍼를 갖고 있는 와이어 본딩 장치를 이용하고, 제 2 와이어 클램퍼 및 제 1 와이어 클램퍼를 통하여 캐필러리에 와이어가 삽통되고, 상기 제 2 와이어 클램퍼를 열고, 상기 제 1 와이어 클램퍼를 닫은 상태로 캐필러리에 삽통된 와이어의 선단에 볼을 형성한 후, 상기 제 1 와이어 클램퍼를 열고, 상기 와이어에 걸려있는 백텐션의 작용에 의해 볼이 캐필러리의 하단에 맞닿고, 다음에 캐필러리 및 제 1 와이어 클램퍼를 하강시키고, 이어서 제 2 와이어 클램퍼를 닫은 후에 캐필러리 및 제 1 와이어 클램퍼를 상승시켜 캐필러리의 하단으로부터 와이어를 연재시키고, 다음에 제 1 와이어 클램퍼를 닫고, 제 2 와이어 클램퍼를 연 상태로 와이어 본딩 장치에 설치된 상처내기 수단에 의해 상기 볼과 상기 캐필러리 사이의 와이어 부분에 상처를 내고, 이어서 제 1 와이어 클램퍼를 열어 캐필러리 및 제 1 와이어 클램퍼를 하강시켜 상기 볼을 상기 캐필러리를 이용하여 전자회로소자등의 전극패드에 본딩하고, 다음에 캐필러리와 제 1 와이어 클램퍼를 상승시키고, 이 상승도중에 제 1 와이어 클램퍼를 닫고 와이어를 상방으로 잡아당겨 상기 상처 부분에서 와이어를 절단하여 핀 형상 와이어등을 형성하는 것을 특징으로 하는 핀 형상 와이어등의 형성방법.
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Families Citing this family (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2541440C (en) * | 2003-10-06 | 2012-04-10 | Saint-Gobain Isover | Fire protection gate and correlated fire protection inset |
KR101313391B1 (ko) | 2004-11-03 | 2013-10-01 | 테세라, 인코포레이티드 | 적층형 패키징 |
US8058101B2 (en) | 2005-12-23 | 2011-11-15 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages and methods therefor |
JP4679427B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2011-04-27 | 株式会社新川 | ボンディング装置のテールワイヤ切断方法及びプログラム |
JP4467631B1 (ja) * | 2009-01-07 | 2010-05-26 | 株式会社新川 | ワイヤボンディング方法 |
US8459530B2 (en) * | 2009-10-29 | 2013-06-11 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Automatic wire feeding method for wire bonders |
US9159708B2 (en) | 2010-07-19 | 2015-10-13 | Tessera, Inc. | Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors |
US8482111B2 (en) | 2010-07-19 | 2013-07-09 | Tessera, Inc. | Stackable molded microelectronic packages |
KR101075241B1 (ko) | 2010-11-15 | 2011-11-01 | 테세라, 인코포레이티드 | 유전체 부재에 단자를 구비하는 마이크로전자 패키지 |
US20120146206A1 (en) | 2010-12-13 | 2012-06-14 | Tessera Research Llc | Pin attachment |
US8618659B2 (en) | 2011-05-03 | 2013-12-31 | Tessera, Inc. | Package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface |
KR101128063B1 (ko) | 2011-05-03 | 2012-04-23 | 테세라, 인코포레이티드 | 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리 |
US8404520B1 (en) | 2011-10-17 | 2013-03-26 | Invensas Corporation | Package-on-package assembly with wire bond vias |
US9021682B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus for stud bump formation |
US9314869B2 (en) * | 2012-01-13 | 2016-04-19 | Asm Technology Singapore Pte. Ltd. | Method of recovering a bonding apparatus from a bonding failure |
US8946757B2 (en) | 2012-02-17 | 2015-02-03 | Invensas Corporation | Heat spreading substrate with embedded interconnects |
US8372741B1 (en) * | 2012-02-24 | 2013-02-12 | Invensas Corporation | Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface |
US9349706B2 (en) * | 2012-02-24 | 2016-05-24 | Invensas Corporation | Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface |
US8835228B2 (en) | 2012-05-22 | 2014-09-16 | Invensas Corporation | Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect |
US9391008B2 (en) | 2012-07-31 | 2016-07-12 | Invensas Corporation | Reconstituted wafer-level package DRAM |
US9502390B2 (en) | 2012-08-03 | 2016-11-22 | Invensas Corporation | BVA interposer |
US8540136B1 (en) | 2012-09-06 | 2013-09-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for stud bump formation and apparatus for performing the same |
US8975738B2 (en) | 2012-11-12 | 2015-03-10 | Invensas Corporation | Structure for microelectronic packaging with terminals on dielectric mass |
US8878353B2 (en) | 2012-12-20 | 2014-11-04 | Invensas Corporation | Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface |
US9136254B2 (en) | 2013-02-01 | 2015-09-15 | Invensas Corporation | Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer |
US9034696B2 (en) | 2013-07-15 | 2015-05-19 | Invensas Corporation | Microelectronic assemblies having reinforcing collars on connectors extending through encapsulation |
US9023691B2 (en) | 2013-07-15 | 2015-05-05 | Invensas Corporation | Microelectronic assemblies with stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation |
US8883563B1 (en) | 2013-07-15 | 2014-11-11 | Invensas Corporation | Fabrication of microelectronic assemblies having stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation |
US9167710B2 (en) | 2013-08-07 | 2015-10-20 | Invensas Corporation | Embedded packaging with preformed vias |
US9685365B2 (en) | 2013-08-08 | 2017-06-20 | Invensas Corporation | Method of forming a wire bond having a free end |
US20150076714A1 (en) | 2013-09-16 | 2015-03-19 | Invensas Corporation | Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface |
US9082753B2 (en) | 2013-11-12 | 2015-07-14 | Invensas Corporation | Severing bond wire by kinking and twisting |
US9087815B2 (en) | 2013-11-12 | 2015-07-21 | Invensas Corporation | Off substrate kinking of bond wire |
US9379074B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-06-28 | Invensas Corporation | Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects |
US9263394B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-02-16 | Invensas Corporation | Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate |
US9583456B2 (en) | 2013-11-22 | 2017-02-28 | Invensas Corporation | Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate |
US9583411B2 (en) | 2014-01-17 | 2017-02-28 | Invensas Corporation | Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing |
JP5686912B1 (ja) * | 2014-02-20 | 2015-03-18 | 株式会社新川 | バンプ形成方法、バンプ形成装置及び半導体装置の製造方法 |
US9214454B2 (en) | 2014-03-31 | 2015-12-15 | Invensas Corporation | Batch process fabrication of package-on-package microelectronic assemblies |
US10381326B2 (en) | 2014-05-28 | 2019-08-13 | Invensas Corporation | Structure and method for integrated circuits packaging with increased density |
US9646917B2 (en) | 2014-05-29 | 2017-05-09 | Invensas Corporation | Low CTE component with wire bond interconnects |
US9412714B2 (en) | 2014-05-30 | 2016-08-09 | Invensas Corporation | Wire bond support structure and microelectronic package including wire bonds therefrom |
US9735084B2 (en) | 2014-12-11 | 2017-08-15 | Invensas Corporation | Bond via array for thermal conductivity |
US9888579B2 (en) | 2015-03-05 | 2018-02-06 | Invensas Corporation | Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips |
US9530749B2 (en) | 2015-04-28 | 2016-12-27 | Invensas Corporation | Coupling of side surface contacts to a circuit platform |
US9502372B1 (en) | 2015-04-30 | 2016-11-22 | Invensas Corporation | Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer |
US9761554B2 (en) | 2015-05-07 | 2017-09-12 | Invensas Corporation | Ball bonding metal wire bond wires to metal pads |
US9490222B1 (en) | 2015-10-12 | 2016-11-08 | Invensas Corporation | Wire bond wires for interference shielding |
US10490528B2 (en) | 2015-10-12 | 2019-11-26 | Invensas Corporation | Embedded wire bond wires |
US10332854B2 (en) | 2015-10-23 | 2019-06-25 | Invensas Corporation | Anchoring structure of fine pitch bva |
US10181457B2 (en) | 2015-10-26 | 2019-01-15 | Invensas Corporation | Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out |
US9911718B2 (en) | 2015-11-17 | 2018-03-06 | Invensas Corporation | ‘RDL-First’ packaged microelectronic device for a package-on-package device |
US9659848B1 (en) | 2015-11-18 | 2017-05-23 | Invensas Corporation | Stiffened wires for offset BVA |
US9984992B2 (en) | 2015-12-30 | 2018-05-29 | Invensas Corporation | Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces |
US9935075B2 (en) | 2016-07-29 | 2018-04-03 | Invensas Corporation | Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding |
US10299368B2 (en) | 2016-12-21 | 2019-05-21 | Invensas Corporation | Surface integrated waveguides and circuit structures therefor |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10135220A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Taiyo Yuden Co Ltd | バンプ形成方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4955523A (en) * | 1986-12-17 | 1990-09-11 | Raychem Corporation | Interconnection of electronic components |
US5014419A (en) * | 1987-05-21 | 1991-05-14 | Cray Computer Corporation | Twisted wire jumper electrical interconnector and method of making |
US6206273B1 (en) * | 1999-02-17 | 2001-03-27 | International Business Machines Corporation | Structures and processes to create a desired probetip contact geometry on a wafer test probe |
-
1999
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2000
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10135220A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Taiyo Yuden Co Ltd | バンプ形成方法 |
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