JPH09162226A - 被覆ワイヤのワイヤボンディング方法 - Google Patents

被覆ワイヤのワイヤボンディング方法

Info

Publication number
JPH09162226A
JPH09162226A JP7344554A JP34455495A JPH09162226A JP H09162226 A JPH09162226 A JP H09162226A JP 7344554 A JP7344554 A JP 7344554A JP 34455495 A JP34455495 A JP 34455495A JP H09162226 A JPH09162226 A JP H09162226A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
coating film
capillary
length
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7344554A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3218382B2 (ja
Inventor
Osamu Nakamura
修 中村
Kazumasa Sasakura
一正 笹倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinkawa Ltd
Original Assignee
Shinkawa Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinkawa Ltd filed Critical Shinkawa Ltd
Priority to JP34455495A priority Critical patent/JP3218382B2/ja
Priority to TW085104454A priority patent/TW410449B/zh
Priority to KR1019960061472A priority patent/KR100229592B1/ko
Priority to US08/759,228 priority patent/US5891796A/en
Publication of JPH09162226A publication Critical patent/JPH09162226A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3218382B2 publication Critical patent/JP3218382B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004—Wire welding
    • B23K20/005—Capillary welding
    • B23K20/007—Ball bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/78268—Discharge electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/786—Means for supplying the connector to be connected in the bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/786—Means for supplying the connector to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/78621—Holding means, e.g. wire clampers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/851—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector the connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】ボール形成時に被覆膜の溶け上がり及び飛散を
防止する。 【解決手段】ボール１ｃ形成時にキャピラリ４の先端か
ら突出したテール長Ｌ3の部分は、被覆膜１ｂが完全に
除去されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は被覆ワイヤのワイヤ
ボンディング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、被覆ワイヤのワイヤボンディング
方法として、例えば特開平２−２１３１４６号公報に示
すものが知られている。この方法を図３に示す。被覆ワ
イヤ１は、導電体である芯線１ａと、この周囲に被着さ
れた電気絶縁性を有する高分子樹脂材からなる被覆膜１
ｂによって形成されている。被覆ワイヤ１は図示しない
ワイヤスプールから供給され、ワイヤ保持用第２クラン
パ２、ワイヤ切断用第１クランパ３を経てキャピラリ４
に挿通されている。そして、キャピラリ４に挿通された
被覆ワイヤ１が半導体ペレット５のパッドとリードフレ
ーム６のリード６ａに接続される。
【０００３】図３（ａ）は被覆ワイヤ１の先端にボール
１ｃが形成され、第１クランパ３及び第２クランパ２が
開いた状態を示す。また被覆ワイヤ１の先端から一定距
離の部分には、除去部位（芯線露出部１ｄ）が予め後記
する方法によって形成されている。図３（ａ）から図３
（ｂ）に示すように、キャピラリ４が下降してボール１
ｃを半導体ペレット５のパッドの第１ボンディング点に
第１ボンディングする。次にキャピラリ４は、上昇、リ
ードフレーム６のリード６ａの上方に移動及び下降し、
図３（ｃ）に示すように、リード６ａの第２ボンディン
グ点に芯線露出部１ｄを第２ボンディングする。
【０００４】次に図３（ｄ）に示すように、キャピラリ
４がリード６ａの表面からＬ1 だけ上昇する。このＬ1
は、前記した特開平２−２１３１４６号公報に記載され
ているように、第１及び第２ボンディング部位に関する
情報及び装置の初期設定条件等によって算出される。キ
ャピラリ４がＬ1 だけ上昇すると、第１クランパ３が閉
じて被覆ワイヤ１をクランプする。続いて第１クランパ
３が閉じた状態でキャピラリ４と共に上昇し、図３
（ｅ）に示すように、被覆ワイヤ１は前記第２のボンデ
ィング点の根元から切断される。この場合、第１クラン
パ３及びキャピラリ４は、該キャピラリ４の先端から伸
びた被覆ワイヤ１の被覆除去予定部位１ｅが一対の放電
電極７、８間に位置するように上昇させられる。この結
果、被覆ワイヤ１はキャピラリ４の先端より前記Ｌ1 の
長さ分だけ突出した状態となる。また被覆ワイヤ１の先
端には芯線露出部１ｄの一部が残る。
【０００５】次に図３（ｆ）に示すように、一対の放電
電極７、８が被覆ワイヤ１の両側方から非接触の状態で
挟み込む。続いて放電電極７、８に電圧が印加され、被
覆膜１ｂを介した状態で電磁片７１、８１と芯線１ａと
の間で放電が行われる。この時の放電エネルギーによっ
て、被覆ワイヤ１の所定部位における被覆膜１ｂの一部
が除去される。即ち、図３（ａ）に示す芯線露出部１ｄ
が形成される。次に図２（ｇ）に示すように、放電電極
７、８が被覆ワイヤ１より離反する方向に退避する。
【０００６】続いて２点鎖線で示すように第２クランパ
２が閉じられ、第１クランパ３が開かれる。その後、キ
ャピラリ４及び第１クランパ３は、図３（ｈ）に示すよ
うに、図３（ｇ）の状態よりもＬ2 だけ相対的に下降さ
せられる。この時、被覆ワイヤ１は第２クランパ２によ
って保持（拘束）されているので、被覆ワイヤ１はキャ
ピラリ４の内部にＬ2 だけ引き込まれ、キャピラリ４の
先端より被覆ワイヤ１の先端がテール長Ｌ3 だけ突出し
た状態となる。この場合、被覆ワイヤ１の先端のテール
長Ｌ3 は前記した芯線露出部１ｄの一部であり、被覆膜
１ｂが除去された状態となっている。
【０００７】次に図３（ｉ）に示すように、第１クラン
パ３が閉じて第２クランパ２が開く。続いて図３（ｊ）
に示すように、キャピラリ４はボール形成レベルまで上
昇する。次に２点鎖線で示すように、放電電極８が移動
してボール形成用電極面８ａが被覆ワイヤ１の先端の直
下に位置する。そして、図３（ｋ）に示すように、放電
電極８と被覆ワイヤ１に高電圧が印加され、ボール１ｃ
が形成される。続いて２点鎖線で示すように、放電電極
８は元の位置に戻る。そして、第１クランパ３が開き、
キャピラリ４が次のボンディング点の上方（図３（ａ）
参照）に位置する。以後、前記した図３（ａ）〜（ｋ）
の一連の動作を繰り返し行う。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、図３
（ｆ）に示すように、次の配線に要する長さＬ4 、即ち
被覆除去予定部位１ｅ部分の被覆膜１ｂを除去するのみ
である。このため、図３（ｊ）に示すように、ボール１
ｃ形成時において、キャピラリ４の先端より突出したテ
ール長Ｌ3 の部分に被覆膜１ｂが残っている。そこで、
テール長Ｌ3 に高電圧を印加して図３（ｋ）に示すよう
に、ボール１ｃを形成すると、この放電によって被覆膜
１ｂが溶け上がり、また飛散してキャピラリ４の先端を
汚染する。キャピラリ４の先端の汚れは、図３（ｂ）に
示すようにボール１ｃの圧着部分や、図３（ｃ）に示す
ようにリード圧着部分に付着するので、ボンディングの
信頼性を損ねてしまう。
【０００９】本発明の課題は、ボール形成時に被覆膜の
溶け上がり及び飛散が生じない被覆ワイヤのワイヤボン
ディング方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の第１の手段は、予め次の配線のリード側接合予定部分
の被覆ワイヤの被覆膜を除去し、被覆ワイヤの先端に形
成したボールを半導体ペレットのパッドにボンディング
し、その後キャピラリより被覆ワイヤを繰り出して前記
被覆膜が除去された被覆ワイヤの芯線露出部分をリード
フレームのリードにボンディングする被覆ワイヤのワイ
ヤボンディング方法において、ボール形成時にキャピラ
リの先端から突出したテール長部分は、被覆膜が完全に
除去されていることを特徴とする。
【００１１】上記課題を解決するための第２の手段は、
予め次の配線のリード側接合予定部分の被覆ワイヤの被
覆膜を除去し、被覆ワイヤの先端に形成したボールを半
導体ペレットのパッドにボンディングし、その後キャピ
ラリより被覆ワイヤを繰り出して前記被覆膜が除去され
た被覆ワイヤの芯線露出部分をリードフレームのリード
にボンディングする被覆ワイヤのワイヤボンディング方
法において、前記被覆膜除去部分は、前記次の配線に要
する長さにテール長を加えた長さの上限位置又はこの上
限位置より若干長い上限位置から前記次の配線に要する
長さより次のリード部へのボンディング長さを引いた長
さの下限位置又はこの下限位置より若干短い下限位置の
範囲まで除去することを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の一形態を図
１及び図２により説明する。ここで、図２は図１に続く
工程を示す。なお、図３と同じ又は相当部分には、同一
符号を付して説明する。図１（ａ）は図３の（ｄ）の状
態、即ち図３（ａ）（ｂ）（ｃ）を経て図１（ａ）にな
った状態を示す。図１（ａ）（ｂ）において、次の配線
に要する長さをＬ4 、ボール１ｃ形成時のテール長をＬ
3 、放電電極７、８がキャピラリ４に干渉しない余裕長
さをαとすると、キャピラリ４を上昇させる高さＬ1 は
数１で表される。またリード６ａへのボンディング長さ
をＬ5 とすると、被覆除去範囲Ｌ6 は数２で表される。
従って、図１（ｂ）に示す被覆除去上限位置Ｌ7及び被
覆除去下限位置Ｌ8 は数３及び数４で表される。
【数１】Ｌ1 ＝Ｌ3 ＋Ｌ4 ＋α
【数２】Ｌ6 ＝Ｌ3 ＋Ｌ5
【数３】Ｌ7 ＝Ｌ4 ＋Ｌ3
【数４】Ｌ8 ＝Ｌ7 −Ｌ6 ＝（Ｌ4 ＋Ｌ3 ）−（Ｌ3 ＋
Ｌ5 ）＝Ｌ4 −Ｌ5
【００１３】図１（ａ）に示すように、キャピラリ４が
Ｌ1 だけ上昇すると、第１クランパ３が２点鎖線で示す
ように閉じて被覆ワイヤ１をクランプする。続いて第１
クランパ３が閉じた状態でキャピラリ４と共に上昇し、
図１（ｂ）に示すように、被覆ワイヤ１は第２のボンデ
ィング点の根元から切断される。そして、被覆膜１ｂの
除去部分が一対の放電電極７、８間に位置させられる。
従来は、次の配線に要する長さＬ4 の被覆除去予定部位
１ｅが放電電極７、８間に位置させられた。本形態にお
いては、次の配線に要する被覆ワイヤの長さＬ4 の被覆
除去予定部位１ｅよりボール１ｃ形成時のテール長Ｌ3
だけ上方の長さＬ7 の部分が一対の放電電極７、８間に
位置させられる。
【００１４】次に図１（ｃ）に示すように、一対の放電
電極７、８が被覆ワイヤ１の両側方から非接触の状態で
挟み込む。続いて放電電極７、８に電圧が印加され、被
覆膜１ｂを介した状態で電磁片７１、８１と芯線１ａと
の間で放電が行われる。この時の放電エネルギーによっ
て、被覆ワイヤ１の被覆除去上限位置Ｌ7 における被覆
膜１ｂの一部が除去される。そこで、この放電電極７、
８の放電を持続させ、図１（ｄ）に示すように、第１ク
ランパ３及びキャピラリ４を徐々に被覆除去範囲Ｌ6 だ
け上昇させる。これにより、上限がＬ7 で下限がＬ8 の
被覆除去範囲Ｌ6 だけ被覆膜１ｂが除去されて芯線露出
部１ｄが形成される。
【００１５】被覆除去上限位置Ｌ7 及び被覆除去下限位
置Ｌ8 は数３及び数４で表され、数３及び数４における
Ｌ4 は次の配線に要する被覆ワイヤの長さであるので、
テール長Ｌ3 の部分及び次のリード６ａへのボンディン
グ部分は全て被覆膜１ｂが除去されていることになる。
次に図１（ｅ）に示すように放電電極７、８が被覆ワイ
ヤ１より離反する方向に退避する。続いて第２クランパ
２が閉じられ、第１クランパ３が開かれる。その後、キ
ャピラリ４は、図２（ａ）に示すように下降させられ、
該キャピラリ４の先端よりテール長Ｌ3 だけ突出するよ
うに被覆ワイヤ１はキャピラリ４内部に引き込まれる。
【００１６】ところで、前記のようにして除去された被
覆除去範囲Ｌ6 は、次の配線におけるリード６ａへのボ
ンディング部分とボール１ｃ形成のためのテール長Ｌ3
部分となる。従って、次の配線が完了した後の図２
（ａ）の状態におけるテール長Ｌ3 の部分は、全て被覆
膜１ｂが除去されている。そこで、続いて従来と同様
に、図２（ｂ）（ｃ）の工程を経てボール１ｃを形成し
た場合、テール長Ｌ3 の部分には被覆膜１ｂは存在しな
いので、ボール１ｃ形成時における被覆膜１ｂの溶け上
がり及び飛散がなく、キャピラリ４の汚れは極めて少な
くなる。このため、ボンディングの信頼性が著しく向上
する。
【００１７】なお、上記実施例においては、被覆除去上
限位置Ｌ7 を「Ｌ4 ＋Ｌ3 」としたが、これより若干、
例えば０．５ｍｍ程度大きくしてもよい。また被覆除去
範囲Ｌ6 を「Ｌ3 ＋Ｌ5 」としたが、これより若干、例
えば０．５ｍｍ程度大きくしてもよい。即ち、被覆除去
下限位置Ｌ8 を「Ｌ4 −Ｌ5 」より小さくしてもよい。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、ボール形成時にキャピ
ラリの先端から突出したテール長部分は、被覆膜が完全
に除去されているので、ボール形成時に被覆膜の溶け上
がり及び飛散が生じない。
【００１９】また被覆膜除去部分を、次の配線に要する
長さにテール長を加えた長さの上限位置又はこの上限位
置より若干長い上限位置から前記次の配線に要する長さ
より次のリード部へのボンディング長さを引いた長さの
下限位置又はこの下限位置より若干短い下限位置の範囲
まで除去することにより、ボール形成時にキャピラリの
先端から突出したテール長部分の被覆膜を完全に除去す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の被覆ワイヤのワイヤボンディング方法
の一実施例を示す動作説明図である。
【図２】図１の続きの工程を示す動作説明図である。
【図３】従来の被覆ワイヤのワイヤボンディング方法を
示す動作説明図である。
【符号の説明】
１ 被覆ワイヤ １ａ 芯線 １ｂ 被覆膜 １ｃ ボール １ｄ 芯線露出部 ４ キャピラリ ５ 半導体ペレット ５ａ パッド ６ リードフレーム ６ａ リード ７、８ 放電電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年１月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】次に図３（ｆ）に示すように、一対の放電
電極７、８が被覆ワイヤ１の両側方から非接触の状態で
挟み込む。続いて放電電極７、８に電圧が印加され、被
覆膜１ｂを介した状態で電磁片７１、８１と芯線１ａと
の間で放電が行われる。この時の放電エネルギーによっ
て、被覆ワイヤ１の所定部位における被覆膜１ｂの一部
が除去される。即ち、図３（ａ）に示す芯線露出部１ｄ
が形成される。次に図３（ｇ）に示すように、放電電極
７、８が被覆ワイヤ１より離反する方向に退避する。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 予め次の配線のリード側接合予定部分の
    被覆ワイヤの被覆膜を除去し、被覆ワイヤの先端に形成
    したボールを半導体ペレットのパッドにボンディング
    し、その後キャピラリより被覆ワイヤを繰り出して前記
    被覆膜が除去された被覆ワイヤの芯線露出部分をリード
    フレームのリードにボンディングする被覆ワイヤのワイ
    ヤボンディング方法において、ボール形成時にキャピラ
    リの先端から突出したテール長部分は、被覆膜が完全に
    除去されていることを特徴とする被覆ワイヤのワイヤボ
    ンディング方法。
  2. 【請求項２】 予め次の配線のリード側接合予定部分の
    被覆ワイヤの被覆膜を除去し、被覆ワイヤの先端に形成
    したボールを半導体ペレットのパッドにボンディング
    し、その後キャピラリより被覆ワイヤを繰り出して前記
    被覆膜が除去された被覆ワイヤの芯線露出部分をリード
    フレームのリードにボンディングする被覆ワイヤのワイ
    ヤボンディング方法において、前記被覆膜除去部分は、
    前記次の配線に要する長さにテール長を加えた長さの上
    限位置又はこの上限位置より若干長い上限位置から前記
    次の配線に要する長さより次のリード部へのボンディン
    グ長さを引いた長さの下限位置又はこの下限位置より若
    干短い下限位置の範囲まで除去することを特徴とする被
    覆ワイヤのワイヤボンディング方法。
JP34455495A 1995-12-05 1995-12-05 被覆ワイヤのワイヤボンディング方法 Expired - Fee Related JP3218382B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34455495A JP3218382B2 (ja) 1995-12-05 1995-12-05 被覆ワイヤのワイヤボンディング方法
TW085104454A TW410449B (en) 1995-12-05 1996-04-13 Wire connection method for shielded cable
KR1019960061472A KR100229592B1 (ko) 1995-12-05 1996-12-04 피복와이어의 와이어 본딩방법
US08/759,228 US5891796A (en) 1995-12-05 1996-12-05 Method for wire-bonding a covered wire

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34455495A JP3218382B2 (ja) 1995-12-05 1995-12-05 被覆ワイヤのワイヤボンディング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09162226A true JPH09162226A (ja) 1997-06-20
JP3218382B2 JP3218382B2 (ja) 2001-10-15

Family

ID=18370181

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34455495A Expired - Fee Related JP3218382B2 (ja) 1995-12-05 1995-12-05 被覆ワイヤのワイヤボンディング方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5891796A (ja)
JP (1) JP3218382B2 (ja)
KR (1) KR100229592B1 (ja)
TW (1) TW410449B (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3349886B2 (ja) * 1996-04-18 2002-11-25 松下電器産業株式会社 半導体素子の２段突起形状バンプの形成方法
US6098868A (en) * 1997-05-23 2000-08-08 Masushita Electric Industrial Co., Ltd. Bump forming method and bump bonder
US6158647A (en) 1998-09-29 2000-12-12 Micron Technology, Inc. Concave face wire bond capillary
JP3935370B2 (ja) * 2002-02-19 2007-06-20 セイコーエプソン株式会社 バンプ付き半導体素子の製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP2004303861A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
US7227095B2 (en) * 2003-08-06 2007-06-05 Micron Technology, Inc. Wire bonders and methods of wire-bonding
JP2006013306A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Fujitsu Ltd ボールボンディング方法およびボールボンディング装置
US8540136B1 (en) 2012-09-06 2013-09-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods for stud bump formation and apparatus for performing the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4597522A (en) * 1983-12-26 1986-07-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Wire bonding method and device
JPS6362241A (ja) * 1986-09-02 1988-03-18 Toshiba Corp ワイヤボンデイング方法
US4842662A (en) * 1988-06-01 1989-06-27 Hewlett-Packard Company Process for bonding integrated circuit components
JP2723280B2 (ja) * 1989-02-13 1998-03-09 株式会社日立製作所 ワイヤボンディング方法および装置
US5176310A (en) * 1988-11-28 1993-01-05 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for wire bond
US5310702A (en) * 1992-03-20 1994-05-10 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Method of preventing short-circuiting of bonding wires
JPH0645409A (ja) * 1992-07-22 1994-02-18 Rohm Co Ltd ワイヤーボンディング方法及びその装置
US5455745A (en) * 1993-07-26 1995-10-03 National Semiconductor Corporation Coated bonding wires in high lead count packages

Also Published As

Publication number Publication date
KR100229592B1 (ko) 1999-11-15
JP3218382B2 (ja) 2001-10-15
TW410449B (en) 2000-11-01
US5891796A (en) 1999-04-06
KR970053281A (ko) 1997-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3623649A (en) Wedge bonding tool for the attachment of semiconductor leads
US6687988B1 (en) Method for forming pin-form wires and the like
KR100393454B1 (ko) 핀 형상 와이어등의 형성방법
JP3400279B2 (ja) バンプ形成方法
EP0034001B1 (en) Ic chip mounting assembly and a method of manufacturing such assembly
US5897049A (en) Method for wire-bonding a covered wire
US5797388A (en) Wire-bonding apparatus and method using a covered wire
JPH09162226A (ja) 被覆ワイヤのワイヤボンディング方法
JP2631013B2 (ja) バンプ形成方法
JPH09162224A (ja) 被覆ワイヤのワイヤボンディング方法
US5723364A (en) Method for wire-bonding a covered wire
JPS6052585B2 (ja) ワイヤボンディング法
JPS62152143A (ja) バンプ形成方法
JP3457196B2 (ja) ボールボンディング方法
JPH05226428A (ja) ワイヤボンディング方法
JPS603134A (ja) ワイヤボンデイング方法
JP3372313B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JP2822997B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2894344B1 (ja) ワイヤボンディング方法
KR100715978B1 (ko) 스파크 발생수단을 갖는 와이어 본딩용 캐필러리
JP3369764B2 (ja) ワイヤボンディング装置における放電用トーチ電極体
JPH05235002A (ja) バンプ形成方法
JPS62152142A (ja) バンプ形成方法
JP3289609B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH11297736A (ja) ワイヤ切断方法およびボールボンディング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010703

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070810

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080810

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090810

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees