KR100391263B1 - 외력 검지 센서 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (6)
- 상면 및 하면을 구비한 공동(cavity)을 한정하는 지지 부재, 및상기 공동 내에 배치되고, 지지부, 가동 전극을 구비한 가동부 및 소정의 간격을 통해 상기 가동부에 대향하는 고정 전극을 구비한 고정부를 포함하는 기능 소자로 구성되는 외력 검지 센서에 있어서,상기 간격을 g, 상기 가동 전극의 폭을 W1, 상기 고정 전극의 폭을 W2, 그리고 상기 가동 전극 및 상기 고정 전극의 높이를 h라고 할 때, 상기 고정 전극으로부터 상기 공동의 상면 및 하면까지의 높이(D)가 다음의 식,을 만족하는 외력 검지 센서.
- 지지부, 상기 지지부에 빔으로 연결되고 단면이 직사각형인 가동 빗형상 전극을 구비한 가동부 및 소정의 간격을 통하여 어느 한 쪽에 고정 빗형상 전극을 구비한 고정부를 포함하는 기능 소자;상기 기능 소자를 어느 한 쪽의 표면으로부터 지지하는 지지 기판; 및다른 쪽 표면으로부터 상기 기능 소자에 배치된 개기판;을 포함하는 외력 검지 센서에 있어서,상기 가동부의 변위를 가능하게 하는 공동이 상기 빔 및 상기 가동부를 포함하는 부분에 형성되고, 상기 공동은 상면 및 하면을 구비하고,상기 간격을 g, 상기 가동 빗형상 전극의 폭을 W1, 상기 고정 빗형상 전극의 폭을 W2, 그리고 상기 가동 빗형상 전극 및 상기 고정 빗형상 전극의 높이를 h라고 할 때, 상기 고정 빗형상 전극으로부터 상기 공동의 상면 및 하면까지의 높이(D)가 다음의 식,을 만족하는 외력 검지 센서.
- 지지부, 상기 지지부에 빔으로 연결되고 단면이 직사각형인 가동 빗형상 전극을 구비한 가동부 및 소정의 간격을 통하여 어느 한 쪽에서 상기 가동 빗형상 전극에 대향하는 단면이 직사각형인 고정 빗형상 전극을 구비한 고정부를 포함하는 기능 소자;상기 가동부의 변위를 가능하게 하는 제1 오목부가 설치되고, 상기 기능 소자를 지지하는 지지 기판; 및상기 가동부의 변위를 가능하게 하는 제2 오목부가 설치되고, 상기 기능 소자를 보호하는 개기판;을 포함하는 외력 검지 센서에 있어서,상기 제1 오목부 및 제2 오목부는 각각 높이가 D이고, 상기 간격을 g, 상기 가동 빗형상 전극의 폭을 W1, 상기 고정 빗형상 전극의 폭을 W2, 그리고 상기 가동 빗형상 전극 및 상기 고정 빗형상 전극의 높이를 h라고 할 때, 상기 제1 및 제2 오목부의 높이(D)가 다음의 식,을 만족하는 외력 검지 센서.
- 지지부, 상기 지지부에 빔으로 연결되고 단면이 직사각형인 가동 빗형상 전극을 구비한 가동부 및 소정의 간격을 통하여 어느 한 쪽에서 상기 가동 빗형상 전극에 대향하는 단면이 직사각형인 고정 빗형상 전극을 구비한 고정부를 포함하는 기능 소자;상기 기능 소자를 지지하는 지지 기판; 및상기 지지 기판의 반대측에서 상기 기능 소자에 배치된 개기판;을 포함하는 외력 검지 센서에 있어서,상기 빔 및 상기 가동부를 포함하는 부분에 공동이 형성되고, 상기 공동은 상기 기능 소자, 상기 지지 기판 및 상기 개기판 중 어느 두 개 사이에 한정되고, 상기 공동은 상면 및 하면을 포함하고,상기 간격을 g, 상기 가동 빗형상 전극의 폭을 W1, 상기 고정 빗형상 전극의폭을 W2, 그리고 상기 가동 빗형상 전극 및 상기 고정 빗형상 전극의 높이를 h라고 할 때, 상기 고정 빗형상 전극으로부터 상기 공동의 상면 및 하면까지의 높이(D)가 다음의 식,을 만족하는 외력 검지 센서.
- 고정부, 지지부 및 상기 지지부에 빔으로 연결된 가동부를 포함하는 기능 소자;상기 기능 소자를 지지하는 지지 기판; 및상기 기능 소자를 보호하는 개기판;을 포함하는 외력 검지 센서에 있어서,상기 지지 기판 및 상기 개기판은 상기 기능 소자의 대향하는 양면에서 상기 기능 소자를 끼우도록 배치되어, 상기 빔 및 가동부를 포함하는 부분에 상기 가동부의 변위를 가능하게 하는 공동을 형성하고, 상기 공동은 상면 및 하면을 구비하고,상기 가동부에는 단면이 직사각형인 상기 가동 빗형상 전극이 제공되고, 상기 고정부에는 공통의 간격을 통해 어느 한 쪽에서 상기 가동 빗형상 전극과 깍지끼고 있는 단면이 직사각형인 상기 고정 빗형상 전극이 제공되고,상기 간격을 통해 인접하고 있는 상기 가동 빗형상 전극 및 고정 빗형상 전극의 대향하는 면에 대각선으로 위치한 모서리들을 통과하는 직선을 따라 상기 가동 빗형상 전극을 이동시켜서, 대향하지 않는 쪽의 상기 가동 빗형상 전극의 표면과 고정 빗형상 전극의 표면이 동일 평면상에 위치하는 경우, 상기 고정 빗형상 전극으로부터 상기 공동의 상면 및 하면까지의 높이가 상기 고정 빗형상 전극으로부터 먼 쪽의 상기 가동 빗형상 전극의 표면의 높이보다 같거나 작게 설정되는 것을 특징으로 하는 외력 검지 센서.
- 제2항 내지 제5항 중 어느 하나에 있어서, 반대쪽에서 상기 고정 빗형상 전극에 대향하고 단면이 직사각형인 부가 고정 빗형상 전극을 더 포함하고, 상기 부가 고정 빗형상 전극의 폭을 W3라고 할 때, 상기 높이(D)가의 관계식을 만족하는 외력 검지 센서.
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US7250322B2 (en) * | 2005-03-16 | 2007-07-31 | Delphi Technologies, Inc. | Method of making microsensor |
JP2008039593A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Alps Electric Co Ltd | 静電容量型加速度センサ |
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DE4432837B4 (de) * | 1994-09-15 | 2004-05-13 | Robert Bosch Gmbh | Beschleunigungssensor und Meßverfahren |
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DE19817357B4 (de) * | 1998-04-18 | 2008-10-30 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement |
JP2000022170A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
US6105427A (en) * | 1998-07-31 | 2000-08-22 | Litton Systems, Inc. | Micro-mechanical semiconductor accelerometer |
JP2000081335A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-21 | Denso Corp | ヨーレートセンサ |
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