KR100384806B1 - 성막 방법, 반도체 소자, 반도체 소자의 제조 방법,도우넛형 기억 매체의 제조 방법 - Google Patents

성막 방법, 반도체 소자, 반도체 소자의 제조 방법,도우넛형 기억 매체의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100384806B1
KR100384806B1 KR10-2001-0022691A KR20010022691A KR100384806B1 KR 100384806 B1 KR100384806 B1 KR 100384806B1 KR 20010022691 A KR20010022691 A KR 20010022691A KR 100384806 B1 KR100384806 B1 KR 100384806B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
liquid
film
liquid film
processed
Prior art date
Application number
KR10-2001-0022691A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010098911A (ko
Inventor
이또신이찌
오꾸무라가쯔야
Original Assignee
가부시끼가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 도시바 filed Critical 가부시끼가이샤 도시바
Publication of KR20010098911A publication Critical patent/KR20010098911A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100384806B1 publication Critical patent/KR100384806B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005—Spin coating
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

피처리 기판 상에 스파이럴형으로 약액을 공급하여 성막을 행하는 기술에 있어서, 피처리 기판 밖으로의 약액의 방출을 억제함과 동시에, 균일하게 막을 형성한다.
상기 피처리 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 상기 기판을 회전시키면서, 상기 적하부를 상기 기판의 대략 중심으로부터 상기 기판의 외주을 향하여 상대적으로 이동시키는 것으로, 상기 피처리 기판의 대략 중심에서 외주를 향한 상기 적하부의 상대적인 이동에 따라서 적하된 액막에 걸리는 원심력에 의해 상기 액막이 이동하지 않도록 상기 기판의 회전수 w를 저하시킴과 동시에, 상기 적하부로부터의 상기 액체의 공급 속도 v를 증가시켜 상기 피처리 기판 상에 액막을 형성한다.

Description

성막 방법, 반도체 소자, 반도체 소자의 제조 방법, 도우넛형 기억 매체의 제조 방법{METHOD OF FORMING FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING DOUGH-NUT STORAGE MEDIA}
본 발명은 피처리 기판에 대하여 액체를 스파이럴형으로 적하하여 성막을 행하는 성막 방법, 그 성막 방법을 이용한 반도체 소자의 제조 방법, 그 제조 방법에 의한 반도체 소자 및 그 성막 방법을 이용한 도우넛형 기억 매체의 제조 방법에 관한 것이다.
리소그래피 프로세스에서 종래부터 행해져 온 회전 도포법은 기판에 적하한 액체의 대부분을 기판 밖으로 배출하고, 남은 수%로 성막하기 때문에, 사용하는 약액의 낭비가 많고, 배출된 약액이 많기 때문에 환경에도 악영향을 미치고 있었다. 또한, 방형의 기판이나 12인치 이상의 대구경의 원형 기판에서는 기판의 외주부에서 난기류가 발생하여 그 부분에서 막 두께가 불균일하게 된다고 하는 문제가 발생하였다.
약액을 낭비하지 않고 기판 전면에 균일하게 도포하는 수법으로서 특개평2-220428호 공보에는 일렬로 배치된 다수의 노즐로부터 레지스트를 적하하고, 그 후방으로부터 가스 또는 액체를 성막면에 분무함으로써 균일한 막을 얻는 수법이 기재되어 있다. 또한, 특개평6-151295호 공보에서는 막대(棒)에 다수의 분무구를 설치하고, 그것으로부터 레지스트를 기판 상에 적하하여 균일한 막을 얻는 것을 목적으로 하고 있다. 또한 특개평7-321001호에 레지스트를 분무하기 위한 다수의 분출 구멍이 형성된 스프레이 헤드를 이용하여 기판과 상대적으로 이동하여 도포하는 수법이 기재되어 있다. 이들 모두 도포 장치에 있어서도 적하 혹은 분무 노즐을 가로 일렬로 복수 배치하고, 그것을 기판 표면을 따라서 스캔시켜 균일한 막을 얻는 것을 목적으로 하고 있다.
이들 복수의 노즐을 갖는 장치를 이용한 도포법 외에 한개의 액체 토출 노즐을 이용하여 피처리 기판 상을 주사시킴으로써 액막을 형성하는 수법이 있다. 이 수법에서는 노즐의 조작법대로는 기판 1장당의 처리 시간이 길어지거나, 약액의 사용량이 방대해지는 문제가 발생하였다.
이들 문제를 해결하는 성막 방법으로서, 특개2000-77326호 공보에는 스파이럴형으로 약액을 공급하여 도포를 행하는 수법이 개시되어 있다. 이 중에서, "도포 조건으로서 웨이퍼를 저속(예를 들면 20∼30rpm)으로 회전시키면서 노즐 유닛을 이 웨이퍼의 직경 방향(예를 들면 X방향)으로 이동시키는 것이 바람직하다." 라는 것이 기재되어 있다. 또한, "웨이퍼와 노즐 유닛의 상대 속도를 일정하게 유지하는 것이 중요하다." 라는 것이 기재되어 있다. 즉, 노즐의 선속도를 일정하게 하는 것이 기재되어 있다.
노즐 유닛을 일정한 속도로 이동시킨 경우, 선속도를 일정하게 하기 위해서는 노즐 외주부에 대하여 그 내측에서의 회전수를 크게 해야만 한다. 예를 들면, 200㎜ 웨이퍼로 생각한 경우, 반경 100㎜에서의 회전수를 30rpm으로 하여도 회전수가 직경의 역수에 비례하고 반경 1㎜ 이하의 부분에서는 3000rpm 이상으로 회전시킬 필요가 있다. 3000rpm으로 웨이퍼를 회전시킨 경우, 기판 중심으로부터 액 도포를 개시하였다고 해도 약액이 순간적으로 기판 밖으로 방출되게 된다.
또한, 웨이퍼를 저속으로 일정한 회전수로 회전시킨 경우, 기판 중심에서의 노즐 이동 속도는 매우 빠르고, 도포 후에 진동을 제공하여 액체의 이동을 발생시켰다고 해도 끝까지 이동할 수 없어서 결국 중앙부에서는 도포되지 않은 영역이 생기고, 균일한 막을 형성할 수 없다고 하는 문제가 있었다. 이와 같이, 선속도를일정하게 하여 약액을 토출시키면, 액막이 형성되지 않는다고 하는 문제가 있었다.
상술한 바와 같이, 피처리 기판을 회전시키면서 약액을 적하하여 피처리 기판 상에 스파이럴형으로 약액을 공급하여 액막의 성막을 행하는 기술에 있어서, 피처리 기판에 대한 적하 노즐의 선속도를 일정하게 하면, 약액이 기판 밖으로 방출되게 되거나 혹은 균일하게 액막이 형성되지 않는다고 하는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은 피처리 기판 상에 스파이럴형으로 약액을 공급하여 성막을 행하는 기술에 있어서, 피처리 기판 밖으로의 약액의 방출을 억제함과 동시에 균일하게 막을 형성할 수 있는 성막 방법을 제공하는 것에 있다.
도 1은 제1 실시예에 관계되는 성막 장치의 개략 구성을 나타내는 구성도.
도 2는 도 1에 도시한 성막 장치를 구성하는 약액 공급 노즐의 개략 구성을 나타내는 구성도.
도 3은 제1 실시예에 관계되는 프로세스 시간에 대한 피처리 기판의 회전수, 노즐 위치, 약액의 토출량을 나타내는 특성도.
도 4는 약액 공급시의 노즐 이동 방향을 나타내는 평면도.
도 5는 제2 실시예에 관계되는 약액 공급 노즐의 개략 구성을 나타내는 구성도.
도 6은 도 5에 도시한 약액 공급 노즐이 이동하는 모습을 나타내는 평면도.
도 7은 제2 실시예에 관계되는 프로세스 시간에 대한 피처리 기판의 회전수, 노즐 위치, 약액의 토출량을 나타내는 특성도.
도 8은 프로세스 시간에 대한 약액의 토출량을 나타내는 특성도.
도 9는 약액 공급 노즐의 변형예를 나타내는 구성도.
도 10은 제3 실시예에 관계되는 프로세스 시간에 대한 피처리 기판의 회전수, 노즐 위치, 약액의 토출량을 나타내는 특성도.
도 11은 제4 실시예에 관계되는 성막 장치의 개략 구성을 나타내는 구성도.
도 12는 제4 실시예에 관계되는 피처리 기판의 선형 도포 영역과 나선형 도포 영역을 나타내는 도면.
도 13은 제4 실시예에 관계되는 선형 도포 영역에서의 약액 공급 노즐의 이동 궤적을 나타내는 도면.
도 14는 제4 실시예에 관계되는 나선 도포 영역에서의 약액 공급 노즐의 이동 궤적을 나타내는 도면.
도 15는 제4 실시예에 관계되는 피처리 기판 상에서의 약액 공급 노즐의 이동 궤적을 나타내는 도면.
도 16은 피처리 기판의 중심을 포함하는 영역에 점형으로 약액을 적하하여 액막을 형성한 경우의 약액 공급 노즐로부터 적하된 약액의 궤적을 나타내는 도면.
도 17은 제4 실시예에 관계되는 프로세스 시간에 대한 피처리 기판의 회전수, 노즐 위치, 약액의 토출량을 나타내는 특성도.
도 18은 제5 실시예에 관계되는 프로세스 시간에 대한 피처리 기판의 회전수, 노즐 위치, 약액의 토출량을 나타내는 특성도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 피처리 기판
101 : 액막
120 : 기판 유지부
121 : 구동계
122 : 약액 공급 노즐
123 : 노즐 구동계
124 : 약액 공급관
125 : 약액 공급 펌프
126a, 126b : 약액 차단 기능
127 : 노즐 구동 제어부
128 : 회전 구동 제어부
129 : 컨트롤러
201 : 약액조(藥液槽)
202 : 약액 토출구
701 : 제1 약액조
702 : 제2 약액조
703 : 구획판
704 : 제1 약액 토출구
705 : 제2 약액 토출구
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서 이하와 같이 구성되어 있다.
(1) 본 발명(청구항 1)은 액체를 적하하는 적하부와, 그 적하부의 연직하에 있는 피처리 기판과, 그 적하부로부터 그 기판 상에 적하된 액체를 그 피처리 기판에 잔류시키면서, 그 피처리 기판 혹은 그 적하부를 상대적으로 이동시켜 피처리 기판 상에 액막을 형성하는 액막 형성 방법에 있어서, 상기 피처리 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 그 기판을 회전시키면서 상기 적하부를 그 기판의 내주부로부터 그 기판의 외주부를 향하여 상대적으로 이동시키는 것이고, 상기 피처리 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 그 기판을 회전시키면서 상기 적하부를 그 기판의 내주부에서 그 기판의 외주부를 향하여 상대적으로 이동시키는 것으로, 상기 액체가 상기 피처리 기판 상에 나선형으로 적하되는 것이고, 상기 피처리 기판의 내주부에서 외주부를 향한 상기 적하부의 상대적인 이동에 따라서 적하된 액막에 걸리는 원심력에 의해 적하된 그 액막이 이동하지 않도록 그 기판의 회전수 w를 저하시킴과 동시에, 그 적하부로부터의 상기 액체의 공급 속도 v를 증가시켜 상기 피처리 기판 상에 액막을 형성하거나, 혹은, 상기 피처리 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 그 기판을 회전시키면서 상기 적하부를 그 기판의 외주로부터 그 기판의 그 내주를 향하여 상대적으로 이동시키는 것이고, 상기 피처리 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 그 기판을 회전시키면서 상기 적하부를 그 기판의 외주부로부터 그 기판의 내주부를 향하여 상대적으로 이동시키는 것으로, 상기 액체가 상기 피처리 기판 상에 나선형으로 적하되는 것이고, 상기 피처리 기판의 외주부에서 내주부를 향한 상기 적하부의 상대적인 이동에 따라서 적하된 액막에 걸리는 원심력에 의해 적하된 그 액막이 이동하지 않도록, 그 기판의 회전수 w를 증가시킴과 동시에, 그 적하부로부터의 상기 액체의 공급 속도 v를 저하시켜 상기 피처리 기판 상에 액막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
또, "적하된 액막에 걸리는 원심력에 의해 적하된 그 액막이 이동하지 않도록" 이라고 하는 것은 적하된 액체가 유동성에 의해 퍼져 이동하는 것을 방지하는 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예를 이하에 나타낸다.
(a) 상기 적하부가 상기 피처리 기판 중심으로부터의 거리 r에 위치하는 경우, 그 적하부로부터의 상기 액체의 공급 속도 v는 상기 기판 유지부의 회전수 w와 공급 속도 v와의 곱이 일정해지도록 상기 피처리 기판의 회전수 w에 따라서 정해지는 것이다.
(b) 상기 적하부가 상기 피처리 기판의 최외경 R에 위치할 때의 그 기판의 회전수 wo, 및 그 적하부가 상기 피처리 기판 중심으로부터의 거리 R에 위치할 때의 상기 액체의 공급 속도 vo에 대하여, 상기 기판이 상기 거리 r에 위치하는 경우의 그 기판의 회전수 w가 (R/r)의 평방근과 wo와의 곱으로 정해지고, 또한 공급 속도 v가 vo를 (R/r)의 평방근으로 나눈 값으로서 정해지는 것이다.
(c) 상기 피처리 기판이 반경 R(㎜)인 원형상 기판인 경우, 상기 적하부가 그 기판의 최외경부에서 액체를 적하하고 있는 상태에 있어서의 그 기판의 회전수(rpm)가 1000000/R의 평방근으로 정해지는 값 미만인 것이다.
(d) 상기 피처리 기판이 직경 200㎜인 원형상 기판인 경우, 상기 적하부가 그 기판의 최외경부에서 액체를 적하하고 있는 상태에 있어서의 그 기판의 회전수가 99rpm 이하인 것이다.
(e) 상기 피처리 기판이 직경 300㎜인 원형상 기판인 경우, 상기 적하부가 그 기판의 최외경부에서 액체를 적하하고 있는 상태에서의 그 기판의 회전수가 81rpm 이하인 것이다.
(f) 상기 적하부의 상기 피처리 기판의 내주부에서 외주부 혹은 외주부에서 내주부로의 상대적인 이동은 그 기판이 1회전하는 동안에 소정의 피치만큼 이동하도록 제어되는 것이다.
(g) 상기 적하부는 액체를 토출하는 복수의 토출구를 구비하고, 상기 적하부의 토출 속도와 그 피처리 기판의 회전수는 그 복수의 토출구의 변위의 평균치에 의해 결정되는 것이다.
(h) 상기 액체는 노광 공정에 이용되는 반사 방지재를 포함하는 약액, 감광성 재료를 포함하는 용액, 저유전체 재료를 포함하는 용액, 강유전체 재료를 포함하는 용액, 전극 재료를 포함하는 용액, 패턴 전사 재료를 포함하는 용액, 도우넛형 기억 매체에 이용되는 자성체 재료를 포함하는 용액, 도우넛형 기억 매체에 이용되는 광 흡수 반응 재료를 포함하는 용액 중 어느 하나인 것이다.
(i) 상기 액막이 형성된 그 피처리 기판을 그 액막 중의 용제의 처리 온도에 있어서의 증기압 이하의 압력 하에 노출시켜 그 용제를 건조 제거하여 고체층을 형성하는 것이다.
(j) 상기 형성된 액막을 진동시키면서 건조시켜 표면이 대략 평탄한 고체층을 형성하는 것이다.
(k) 상기 액막이 형성된 그 피처리 기판을 기류 속에 노출시켜 그 액막 중의 용제를 건조 제거하여 고체층을 형성하는 것이다.
(l) 상기 성막 방법을 이용하여 상기 피처리 기판 상에 상기 고체층을 형성하는 도우넛형 기억 매체의 제조 방법에 있어서, 상기 고체층은 자성체막 또는 광 흡수 반응막인 것이다. 도우넛형 기억 매체란 컴팩트 디스크, 미니 디스크, 디지털 비디오 디스크, 하드디스크 등이다.
(m) 상기 피처리 기판의 대략 중심을 포함하는 영역에서는 상기 적하부로부터 토출된 액체의 일부를 상기 피처리 기판 상에 도달하지 않도록 차단하여 적하량을 조정함으로써, 적하된 액막에 걸리는 원심력에 의해 액막이 이동하지 않도록 하는 것이다.
(n) 상기 피처리 기판의 내주부에서 외주부를 향한 상기 적하부의 상대적인 이동은 상기 피처리 기판의 대략 중심에서 외주를 향한 상대적인 이동이고, 상기 피처리 기판의 외주부에서 내주부를 향한 상기 적하부의 상대적인 이동은 상기 피처리 기판의 외주에서 대략 중심을 향한 상대적인 이동인 것이다.
(o) 상기 피처리 기판의 대략 중심을 포함하는 영역에서는, 상기 적하부가 상기 대략 중심을 포함하는 영역의 한 단에서 다른 단을 향하는 열 방향의 이동과 상기 대략 중심을 포함하는 영역 밖의 행 방향의 이동으로 구성된 그 피처리 기판과 그 적하부와의 상대적인 이동을 시킴과 동시에, 상기 적하부로부터 그 피처리 기판에 대하여 공급 속도 v’로 약액을 공급하여 액막을 형성하는 것이다. 상기 공급 속도 v’가 상기 대략 중심을 포함하는 영역의 바로 외측에서 나선형으로 적하되는 액체의 공급 속도 v와 대략 동일해지도록 설정되어 있는 것이다.
(p) 상기 피처리 기판의 대략 중심을 포함하는 영역에서는 상기 적하부로부터 토출된 액체의 일부를 상기 피처리 기판 상에 도달하지 않도록 차단하여 적하량을 조정함으로써, 적하된 액막에 걸리는 원심력에 의해 액막이 이동하지 않도록 하는 것이다.
본 발명은 상기 구성에 의해서 이하의 작용·효과를 갖는다.
본 발명에 따르면, 적하부로부터의 상기 액체의 공급 속도 v를 증가시키면서, 적하된 액막에 걸리는 원심력에 의해 그 액막이 이동하지 않도록 피처리 기판의 회전수 w를 저하시킴으로써, 내주부 및 외주부에 있어서 액막이 이동하지 않고, 피처리 기판의 중심부에서 액막이 형성되지 않은 영역이 생기지 않아 균일한 액막을 형성할 수 있다.
원심력은 질량, 회전 중심으로부터의 거리 및 회전수의 2승의 곱에 비례한다. 따라서, 회전 중심으로부터의 가까운 곳에서는 액막에 걸리는 원심력은 외주부에 비해 작아진다. 따라서, 내주부에서는 회전수를 크게 하고, 원심력에 의해 액막이 이동하지 않도록 회전수를 작게 함으로써 액막이 이동하지 않고, 액막이 형성되지 않은 영역이 생기지 않는다.
또한, 회전수의 감소와 함께 액체의 공급 속도를 증가시킴으로써, 피처리 기판 상으로의 액체의 공급량이 일정해지고, 균일한 액막을 형성할 수 있다.
(a)에 나타낸 조건으로 성막을 행함으로써, 단위 면적당의 약액 공급량을 동일하게 할 수 있다. 또한, (b)에 나타낸 조건으로 피처리 기판의 회전수와 액체의 적하 속도를 결정할 수 있다. (c)∼(e)에 나타낸 조건으로 원심력으로 액막이 이동하지 않는다. (f)에 나타낸 조건으로 적하부를 이동시킴으로써, 액막이 형성되지 않은 영역이 없는 균일한 막을 형성할 수 있다. (g)에 나타낸 조건에 의해, 두개의 토출구를 갖고, 각각에 동일 공급 속도를 제공하는 약액 공급 노즐을 이용하였을 때, 위치에 있는 토출구에 대하여 동일 공급 속도를 제공하여도 균일한 액막 형성을 가능하게 한다. 또한, (h)는 액체로서 적용 가능한 범위를 나타내고 있다. (i), (k)에 의해, 액막으로부터 균일한 막 두께의 고체층을 형성할 수 있다. 또한, (j)에 의해 균일한 막 두께의 고체층을 형성할 수 있다.
본 발명에 의해 형성된 고체층은 막 두께의 균일성이 개선되기 때문에, 이 고체층을 포함하는 반도체 소자도 우수한 전기적 특성을 갖는다.
본 도포 방법으로 도우넛형 기록 미디어로의 도포를 행함으로써, 도포 막 두께를 균일하게 할 수 있고, 기억 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
나선 도포가 어려운 기판 중심 영역에 대하여 약액 차단을 행함으로써 단위 면적당의 약액 공급량을 동일하게 할 수 있다.
나선 도포가 어려운 기판 중심 영역에 대하여 직선형의 도포를 행함으로써 단위 면적당의 약액 공급량을 동일하게 할 수 있다.
<실시예>
본 발명의 실시예를 이하에 도면을 참조하여 설명한다.
[제1 실시예]
도 1은 본 발명에 이용하는 성막 장치의 개략 구성을 나타내는 구성도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 피처리 기판(100)이 설치되는 기판 유지부(120)는 기판(100) 중심에서 회전하는 구동계(121)에 접속되어 있다. 또한, 피처리 기판(100)의 상측에는 약액을 토출하면서, 노즐 구동계(123)에 의해 직경 방향으로 이동 가능한 약액 공급 노즐(122)이 설치되어 있다. 약액 공급 노즐(122)에는 약액 공급관(124)을 통해 약액 공급 노즐(122)에 약액을 공급하는 약약 공급 펌프(125)가 접속되어 있다. 약액 공급 노즐(122)로부터의 약액 토출의 제어는 약액 공급 펌프(125)로부터의 약액 공급 압력을 제어하여 행하였다.
약액 공급 노즐(122)은, 예를 들면 도 2에 도시한 바와 같은 구성이다. 도2에 도시한 바와 같이, 약액 공급 노즐(122)은 도시되지 않은 약액 공급 펌프에 접속된 약액 공급관(124)으로부터 공급된 약액이 일단 저장되는 약액조(201)와, 약액조(201) 내의 약액이 토출되는 약액 토출구(202)를 포함하여 구성된다.
약액 공급 노즐(122)은 노즐 구동계(123)에 의해 피처리 기판(100)의 거의 중앙으로부터 이동을 개시하고, 약액을 피처리 기판 상에 연속적으로 공급하면서 기판의 대략 엣지 부분까지 이동한다. 약액 공급은 약액 공급 노즐이 피처리 기판 엣지에 도달한 단계에서 종료된다. 약액 공급 노즐의 이동 개시점 및 이동 종료점에는 약액 차단 기능(126a, 126b)이 설치되어 있다. 이동 개시점의 약액 차단 기능(126a)은 기판 유지부(120)의 회전수, 노즐 구동계(123)의 이동 속도, 약액 공급 노즐(122)로부터의 약액 토출 속도가 도포 개시시에 필요한 소정의 값이 될 때까지 약액 공급 노즐(122)로부터 토출된 약액을 차단하여, 약액이 피처리 기판(100)에 도달하는 것을 방지한다. 또한, 이동 종료점의 약액 차단 기능(126b)은 피처리 기판(100)의 엣지부에 약액이 공급되지 않도록 기판(100) 엣지부 상공에 대기하고, 약액 공급 노즐(122)이 기판(100)의 엣지에 왔을 때 노즐(122)로부터 토출된 약액을 차단하여 약액이 피처리 기판(100)에 도달하는 것을 방지한다.
약액이 피처리 기판(100) 상에 공급되는 동안, 기판 유지부(120)의 회전수, 노즐 구동계(123)의 이동 속도, 약액 공급 노즐(122)로부터의 약액 토출 속도는 각각 회전 구동 제어부(128), 노즐 구동 제어부(127), 약액 공급 펌프(125)에 의해 관리된다. 또, 이들 3개의 제어부(125, 127, 128)를 통괄하는 컨트롤러(129)가 그 상류에 배치되어 있다.
컨트롤러(129)는 약액 공급 노즐(122)의 기판 상의 위치 정보에 기초하여 회전 구동 제어부(128)의 회전수, 노즐 구동 속도, 약액 토출 속도를 결정하고, 회전 구동 제어부(128), 노즐 구동 제어부(127), 약액 공급 펌프(125)의 각각에 사령한다. 이 사령에 기초하여 각각이 동작함으로써 피처리 기판 상에는 스파이럴형으로 약액이 공급된다. 피처리 기판 상에 공급된 약액은 넓게 퍼져 인접하는 액막과 결합하여 피처리 기판 상에서 하나의 액막(101)이 된다.
액막(101)이 형성된 후, 그 피처리 기판(100)에는 액막 중에 있는 용제를 건조 제거하는 공정이 행해진다. 건조 수법에는 가열, 용제의 포화 증기압 이하에서의 감압 건조, 표면을 기류에 접촉시키는 수법 등이 이용된다.
이하, 이 액막 형성 수단을 ψ200㎜(8인치)의 Si 웨이퍼(피처리 기판) 상에 막 두께 400㎚의 ArF 감광성 수지막 형성에 적용한 경우에 대해 설명한다. 감광성 수지 용액에는 고형분량 1.5%인 것을 이용하였다. 또, Si 웨이퍼 상에는 ArF 노광 시에 기판면으로부터의 반사광을 상쇄시키는 반사 방지막이 이하와 마찬가지의 수법으로 미리 형성되어 있다.
우선, 상술한 감광성 수지액이 기판 최외주(φ194㎜)에서 기판 밖으로 비산하지 않는 회전수를 별도로 구하였다. 정지 상태에서 회전수를 회전 가속도 1rpm/sec에서 서서히 회전수를 올려 감광성 수지액이 기판 밖으로 비산하는 회전수를 구하였다. 감광성 수지액은 80rpm에서 기판 밖으로 비산하였다. 이 때의 원심력을 넘지 않도록 기판 외주에서의 회전수 wo=60rpm으로 하고, 처리 시간에 대한 회전 구동 제어부의 회전수, 노즐 구동 속도, 약액 토출 속도를 우선 구하였다.
또, 본 실시예에서는 스파이럴형의 액막 형성 위치가 1주기 때마다 0.4㎜의 피치로 기판 외주를 향하여 이동하게 하였다. 또한, 기판 중심으로부터의 거리 r=100㎜에 있어서의 약액 공급 속도를 vo=0.4㏄/min으로 하였다.
기판 중심으로부터의 거리 r에 있어서의 면적 변화율은 dS/dr=2πr이다. 기판 중심으로부터의 거리 r에 있어서의 면적 변화율은 기판 중심으로부터의 거리 r에 비례하고 있기 때문에, 기판 반경 ro(본 실시예의 경우에는 100㎜)와 약액 공급량 qo와의 비와, 기판 중심으로부터의 거리 r(㎜)과 약액 공급량 q와의 비를 동일하게 할 필요가 있다.
따라서, 기판 중심으로부터의 거리 r에서의 약액 공급량 q는,
로 할 필요가 있다.
또한, 기판 중심으로부터의 거리 r에 있어서의 약액 공급 속도 v(㏄/min)와 회전수 w(rpm)와 약액 공급량 q와의 사이에는,
와의 관계가 성립한다.
따라서, 수학식 1, 수학식 2로부터
를 만족시키도록 기판 중심으로부터의 거리 r에 있어서의 약액 공급 속도 v와 회전수 w를 정하면 좋다.
본 실시예에서는 약액 공급 속도 v와 회전수 w에 동일 변화율을 제공하는 것으로 하고, 기판 중심으로부터의 거리 r에 있어서 각각을
로 정하였다.
또한, 이 때의 직경 r에 있어서의 미소 단위 면적에 있는 액막에 걸리는 원심력 F는 액막도(液膜度) c를 이용하여,
로 나타난다.
원심력 F가 일정해지기 위해서는, 상수 C를 이용하여
W=C/r1/2
로 할 필요가 있다.
이 식을 수학식 5와 비교하면, C는 수학식 5의 상수항으로 볼 수 있다. 따라서, 직경 r에 있어서, 수학식 4, 수학식 5를 만족시키도록 조작시키면, 임의의 직경 r에 위치하는 액막에 걸리는 원심력을 일정하게 유지하면서 액막의 도포가 가능해진다.
이상으로부터 정해진 처리 시간에 대한 노즐 위치(중심을 0으로 함), 회전 구동 제어부의 회전수, 노즐 구동 속도, 약액 토출 속도를 각각 도 3의 (a), 도 3의 (b), 도 3의 (c)에 도시한다. 이들의 관계를 미리 컨트롤러에(그 하류의 각 제어부에 대하여 행하여도 좋음) 기억시켜 감광성 수지액의 피처리 기판으로의 도포를 개시하였다. 이후, 도 4에 도시한 바와 같이, 약액 공급시의 노즐 이동 방향과 동일 방향의 이동을 +축, 그 반대의 이동을 -축으로서 설명한다.
미리, 약액 공급 노즐(122)을 피처리 기판 중심으로부터 -1㎜의 위치로 이동시킨다. 또한, 약액 차단 기능(126a)을 +0.2㎜ 이하의 영역에 오도록 조정하였다. 약액 차단 기능(126a)은 노즐(122)이 +0.2㎜ 이하의 위치에 있는 경우, 노즐(122)로부터 적하되는 감광성 수지 용액이 기판 표면에 도달하지 않도록 차단한다.
계속해서, 구동계(121)에 의해 기판 유지부(120)를 구동하고, 피처리 기판(100)의 회전을 개시하여 회전수가 1341.6rpm이 되도록 제어하고, 약액 공급 노즐로부터 감광성 수지 용액의 토출이 0.018㏄/min이 되도록 감광성 수지 용액의 적하량을 조정하였다. 회전수, 공급 속도가 안정된 후, 약액 공급 노즐을 +측으로 31㎜/sec로 이동을 개시시켰다. 노즐 토출구의 중심이 +0.2㎜ 이하의 위치에서는기판 회전, 노즐 이동, 약액 공급 속도의 각각을 등속으로 동작시켰지만, +0.2㎜에 도달한 시점으로부터 도 3의 (a)∼도 3의 (c)의 관계에 따라 회전 구동 제어부, 노즐 구동 제어부, 약액 공급 펌프의 제어를 행하였다. 도 3의 (a)∼도 3의 (c)에 도시한 바와 같이, 기판의 대략 중심에서 외주를 향한 약액 공급 노즐의 이동에 따라 기판의 회전수 w를 저하시킴과 동시에, 약액 공급 노즐로부터의 감광성 수지 용액의 공급 속도 v를 증가시키고 있다. 도 3의 (a)∼도 3의 (c)에 도시한 회전수에서는 원심력에 의해 감광성 수지 용액이 이동하지 않기 때문에, 감광성 수지 용액이 기판의 외부로 비산하지 않는다. 또, 여기서, "원심력에 의해 감광성 수지 용액이 이동하지 않는다" 라고 하는 것은 감광성 수지 용액이 유동성에 의해 널리 퍼져 이동하는 것을 방지하고 있다.
약액 공급 노즐이 기판 엣지부의 약액 차단 기능의 상공에 온 단계에서 약액 공급 수단으로부터의 약액 공급의 정지, 약액 공급 노즐의 정지, 피처리 기판의 회전의 정지를 각각 행하여 액막 형성을 종료하였다. 200㎜ 웨이퍼 1장을 처리하는 데 150초 정도가 걸린다. 처리 중에 스파이럴형으로 형성된 액막이 확대되고, 인접하는 액막과 결합함으로써 엣지부를 제외한 기판 전면을 피복하는 액막이 되었다. 또 처리 중에 감광성 수지 용액이 기판으로부터 밖으로 방출되지 않는다.
다음에, 기판을 챔버에 넣어 감광성 수지 용액 중의 용제의 증기압에 거의 일치하는 압력 하에 기판을 노출시켜 용제를 서서히 제거하고, 감광성 수지막을 형성하였다.
본 발명에 따르면, 적하부로부터의 상기 약액의 공급 속도 v를 증가시키면서, 적하된 액막에 걸리는 원심력에 의해 그 액막이 이동하지 않도록 피처리 기판의 회전수 w를 저하시킴으로써, 중심부 부근 및 외주부에 있어서 액막이 이동하지 않고, 피처리 기판의 중심부에서 액막이 형성되지 않은 영역이 생기지 않아 균일한 액막을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 도포 개시 직전과 도포 종료 직후에 약간량의 약액을 버리는 것 이외에는 기판 상에 약액을 잔류시키기 때문에, 폐기량을 1% 이내로 할 수 있다.
본 실시예에서는 감광성 수지 용액으로부터 감광성 수지 액막을 거쳐 감광성 수지막을 형성하는 공정을 나타내었지만, 본 발명의 용도는 이것에 한하는 것이 아니라, 저유전체막 재료를 포함하는 용액(예를 들면 유기 실로키산 등의 용액)으로부터의 저유전체막의 형성, 강유전체막 재료를 포함하는 용액으로부터의 강유전체막에 이용할 수 있다.
또한, 기판 최외주에 있어서의 회전수 wo도 60rpm으로 정해지는 것이 아니라, 미소 약액이 기판 밖으로 이동하지 않으면 어떠한 값이라도 좋다(본 실시예의 경우 80rpm 이하가 좋음). 또한 스파이럴형 액막 형성 위치의 1주기마다의 간격과, r=100㎜에 있어서의 약액 공급 속도 vo는 원하는 막 두께 및 균일성에 따라서 변경하여도 좋다.
도 1에서는 약액 차단 기능을 개시와 종료부에서 합계 두개를 갖고 있지만, 한개의 약액 차단 기능을 사용하여도 좋다. 이 경우, 최초 기판 중심 부근에서 개시 전의 약액을 차단하고 있던 약액 차단 기능을 노즐보다 먼저 기판 엣지부까지 이동시켜 대기시키면 좋다.
[제2 실시예]
본 실시예에서는 성막 속도의 개선을 도모한 수법에 대하여 설명한다.
본 실시예에서는 성막 속도의 개선을 꾀하기 위해, 도 5에 도시한 바와 같이, 구획판(703)으로 나누어진 제1 및 제2 약액조(701, 702)에 각각 제1 및 제2 약액 토출구(704, 705)가 설치된 노즐을 이용하였다. 제1 및 제2 약액 토출구(704, 705)는 직경 방향으로 배열되어 있다. 제1 및 제2 약액조(701, 702)는 각각 제1 및 제2 약액 공급관(706, 707)으로부터 약액이 공급되고 있다. 제1 및 제2 약액 공급관(706, 707)은 각각 다른 약액 공급 펌프에 접속되어 있다. 각각의 약액 공급 펌프의 압력을 독립적으로 제어함으로써, 두개의 약액 토출구(704, 705)로부터의 약액 토출 속도를 독립적으로 제어할 수 있다. 또, 장치 전체의 구성은 도 1에 도시한 장치와 마찬가지이기 때문에, 도시 및 구성의 설명을 생략한다.
본 실시예에서는, 또, 본 실시예에서는 저유전체 재료를 포함하는 용액의 성막에 대하여 본 발명을 적용하였다. 저유전체 재료로서 폴리실록산을 포함하는 것을 이용하여 막 두께 100㎚의 층간 절연막의 형성을 목적으로 하였다. 또, 약액 중의 고형분량은 5%로 하였다.
여기서 이용하는 저유전체 재료를 포함하는 용액이 기판 최외주(ψ194㎜)에서 기판 밖으로 비산하지 않는 회전수를 제1 실시예와 마찬가지의 수법으로 별도로 구하면 99rpm이었다. 이 때의 원심력을 넘지 않도록, 기판 외주에서의 회전수wo=90rpm으로 하고, 각 위치의 처리 시간에 있어서의 회전 구동 제어부의 회전수, 노즐 구동 속도, 약액 토출 속도를 우선 구하였다. 본 실시예에서는, 도 6에 도시한 바와 같이, 스파이럴형의 액막 형성 위치가 1주기 때마다 0.8㎜의 피치로 기판 외주를 향하여 이동하도록 하였다.
또한, 300㎜ 웨이퍼의 최외주부에서 저유전체 재료를 포함하는 용액이 기판 밖으로 비산하지 않는 회전수를 구하면 82rpm이었다. 물질에 걸리는 원심력은 질량, 회전 중심으로부터의 거리, 회전수의 2승에 비례한다. 회전 중심으로부터의 거리가 100㎜이고 회전수가 100rpm일 때 액막에 걸리는 원심력에 대하여, 회전 중심으로부터의 거리 r(㎜)에 있어서의 원심력을 동일하게 하기 위해서는 회전수를(1000000/r)1/2로 할 필요가 있다. 따라서, 기판이 반경이 R(㎜)인 원형상 기판인 경우에는, 상기 적하부가 그 기판의 최외부 직경부에서 액체를 적하하고 있는 상태에서의 그 기판의 회전수가 1000000/R의 평방근으로 정해지는 값 미만으로 하면, 약액의 공급시에 원심력에 의해서 액막이 이동하지 않는다.
처리 시간에 대한 노즐 위치(중심을 0으로 함), 회전 구동 제어부의 회전수, 노즐 구동 속도, 약액 토출 속도를 각각 도 7의 (a), 도 7의 (b), 도 7의 (c)에 도시한다. 도 7의 (a)에 있어서, 두개의 약액 토출구의 중심 위치를 나타내고 있다. 도 7의 (c)에 있어서, 이 스케일에서는 두개의 약액 토출구로부터의 공급 속도의 차를 알 수 없다. 그래서, 0∼5초에 있어서의 두개의 약액 토출구로부터의 공급 속도를 도 8에 도시한다.
이들 관계를 미리 컨트롤러에(그 하류의 각 제어부에 대하여 행하여도 좋음)기억시켜 저유전체 재료를 포함하는 용액의 피처리 기판으로의 도포를 개시하였다. 이후, 약액 공급시의 약액 공급 노즐의 이동과 동일 방향의 이동을 +축, 그 반대의 이동을 -축으로서 설명한다.
미리, 노즐을 피처리 기판 중심으로부터 -1㎜의 위치로 이동시켰다. 또한, 노즐 바로 아래에 약액 차단 기능이 오도록 조정하였다. 약액 차단 기능은 노즐로부터 토출되는 약액을 차단한다.
계속해서, 피처리 기판의 회전을 개시하여 회전수가 2012rpm이 되도록 제어하였다. 또한 노즐로부터 0.030㏄/min이 되도록 적하 속도를 조정하였다. 회전수, 공급 속도가 안정된 후, 약액 공급 노즐과 약액 차단 기능을 +측으로 243㎜/sec로 이동을 개시하였다. 노즐 토출구의 중심이 +0.2㎜의 위치에 올 때까지는 각각 등속으로 운동시켰지만, +0.2㎜를 통과한 시점에서 도 7의 (a)∼도 7의 (c), 도 8의 관계에 따라 회전 구동 제어부(감속), 노즐 구동 제어부(감속), 약액 공급 펌프(가속)의 제어를 개시하였다. 또, 약액 차단 기능은 그 상태 그대로 등속으로 이동시켰기 때문에, +0.2㎜ 이후의 영역에서 약액 공급 노즐의 바로 아래로부터 약액 차단 기능은 이동하고, 약액 공급 노즐로부터 피처리 기판에 대하여 약액의 공급이 개시되었다. 또, 약액 차단 기능을 기판 엣지부에서 정지시켜 약액 공급 노즐이 도달할 때까지 대기시켰다. 약액 공급 노즐이 기판 엣지부에서 대기하고 있던 약액 차단 기능이 상공에 온 단계에서 약액 공급 수단으로부터의 약액 공급의 정지, 약액 공급 노즐의 정지, 피처리 기판의 회전 정지를 각각 행하고, 액막 형성을 종료하였다. 200㎜ 웨이퍼 1장을 처리하는 데 53초 정도가 걸렸다. 또, 약액을 공급하는 동안에 약액이 기판 밖으로 방출되지 않는다. 처리 중에 스파이럴형으로 형성된 액막은 확대되어, 인접하는 액막과 결합함으로써 엣지부를 제외한 기판 전면을 피복하는 액막이 되었다.
계속해서, 이 기판을 챔버에 넣어 약액의 용제의 증기압에 거의 일치하는 압력 하에 노출시키고, 용제를 서서히 제거하여 층간 절연막을 형성하였다.
종래와 같이 기판에 걸치도록 직선형으로 노즐을 왕복 이동시켜 액막을 형성하는 경우에는 반환 때마다 조주 구간이 필요하기 때문에 피처리 기판에 공급하는 액량에 대하여 폐기율(기판 밖 방출량/ 기판 안 공급량) 10∼20%의 약액을 기판 밖으로 방출하고 있었다. 그러나, 본 발명에서는 도포 개시 직전과 도포 종료 직후에만 약간량의 약액만을 버리기 때문에, 폐기량을 1% 이내로 할 수 있었다.
본 실시예는 저유전체 재료를 포함하는 용액으로부터 저유전체 액막을 거쳐 층간 절연막을 형성하는 공정을 나타냈지만, 본 발명의 용도는 이것에 한하는 것이 아니라 레지스트막, 반사 방지막의 형성이나, 강유전체막 재료를 포함하는 용액으로부터의 강유전체막에 이용할 수 있다.
또한, 기판 최외주에 있어서의 회전수 wo도 90rpm으로 정해진 것이 아니라, 미소 약액이 기판 밖으로 이동하지 않으면 어떠한 값이라도 좋다(본 실시예의 경우 95rpm 이하). 또한, 스파이럴형 액막 형성 위치의 1주기마다의 간격과, r=100㎜에 있어서의 약액 공급 속도 vo는 원하는 막 두께 및 균일성에 따라서 변경하여도 좋다.
또한, 본 실시예에서는 약액 공급 노즐로서 두개의 토출구에 대하여 독립적으로 공급 속도를 제어할 수 있는 것을 이용하였지만, 이것에 한하는 것은 아니다. 도 9에 도시한 바와 같이 두개의 토출구에 동시에 동일 공급 속도를 제공하는 것을 이용하여도 좋다. 이 경우, 공급 속도의 설정은 도 7의 (c), 도 8에 도시한 특성도에 있어서, 제1 약액 토출구와 제2 약액 토출구로부터의 용액 공급 속도의 평균치를 제공하면 좋다. 이 속도로 액막의 형성을 행하고, 건조시에 액막에 진동을 제공하여 평균화시킴으로써 균일한 막 두께를 얻을 수 있다.
본 실시예에서는 두개의 토출구를 갖는 노즐을 이용하였지만 이것에 한하는 것이 아니라 3개 이상의 토출구를 갖는 노즐을 이용하는 것도 가능하다.
또, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 본 발명은 리소그래피 공정에서 이용되는 반사 방지제, 레지스트제의 도포를 비롯하여 저유전체재, 강유전체재의 도포 등 반도체 프로세스는 물론, 도금 등 장식 프로세스로서 모든 성막 공정에 적용 가능하다.
기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형하여 실시하는 것이 가능하다.
[제3 실시예]
본 실시예는 제1 실시예에서 도 1을 이용하여 설명한 성막 장치와 동일한 것을 이용하여, 컴퓨터의 기록 매체에 이용되는 컴팩트 디스크 기록 매체(CD-R)의 광 흡수 반응막을 형성하는 수법에 관한 것이다.
피처리 기판은 직경 12㎝이고, 중심으로부터 ψ40㎜ 이내의 영역(반경 r=0으로부터 20㎚)은 유지 영역으로서 확보되고, 이 영역에는 막이 형성되지 않는다. 이 기판에 대하여 반경 r=20㎜로부터 r=60㎜의 영역에 대하여, 본 발명의 수법에 의해 광 흡수 반응막의 도포를 행하였다.
약액 공급 노즐, 피처리 기판 회전수, 약액 토출 속도에 대해서는 각각 도 10의 (a)∼도 10의 (c)에 도시한 관계에 기초하여 제어하였다. 이들의 관계는 미리 컨트롤러에(그 하류의 각 제어부에 대하여 행하여도 좋음) 기억시켜 두고 감광성 수지액의 피처리 기판으로의 도포를 개시하였다. 이후, 약액 공급시의 노즐 이동 방향과 동일 방향의 이동을 +축, 그 반대의 이동을 -축으로서 설명한다.
미리 약액 공급 노즐(122)을 피처리 기판(100) 중심으로부터 +18㎜의 위치로 이동시켰다. 또한, 약액 차단 기능(126a)을 +20㎜ 이하의 영역에 오도록 조정하였다. 약액 차단 기능(126a)은 약액 공급 노즐(122)이 +20㎜ 이하의 위치에 있는 경우, 약액 공급 노즐(122)로부터 적하된 약액을 피처리 기판(100) 표면에 도달하지 않도록 차단한다.
계속해서, 기판 유지부(120)를 구동하고, 피처리 기판(100)의 회전을 개시하여 133.5rpm이 되도록 제어하고, 약액 공급 노즐(122)로부터 감광성 수지 용액의 토출량이 0.003㏄/min이 되도록 적하량을 조정하였다. 피처리 기판 회전수, 약액 공급 속도가 안정된 후, 약액 공급 노즐(122)을 +측으로 이동을 개시시켰다. 노즐 토출구의 중심이 +20㎜ 이하의 위치에서는 기판 회전, 노즐 이동, 약액 공급 속도의 각각을 등속으로 동작시켰다. 그 동안에 토출된 약액은 약액 공급 노즐(122)과피처리 기판(100) 사이에 배치된 약액 차단 기능(126a)을 삽입함으로써 기판 표면에 도달하지 않도록 하였다.
노즐 토출구의 중심이 +20㎜에 도달한 시점으로부터, 도 10의 (a)∼도 10의 (c)에 도시한 관계에 따라 회전 구동 제어부(128), 노즐 구동 제어부(127), 약액 공급 펌프(125)의 제어를 행하였다. 약액 공급 노즐(122)이 기판(100) 엣지부의 약액 차단 기능(126b)의 상공에 온 단계에서 약액 공급 펌프(125)의 정지, 약액 공급 노즐(122)의 정지, 피처리 기판(100)의 회전의 정지를 각각 행하여 액막 형성을 종료하였다.
CD-R 1장에 약액을 도포하는 데 62초 정도가 걸렸다. 처리 중에 나선형으로 형성된 액막은 확대되어 인접하는 액막과 결합함으로써 엣지부를 제외한 기판 전면을 피복하는 액막이 되었다. 또 처리 중에 약액이 기판으로부터 밖으로 방출되지 않는다.
다음에 피처리 기판을 챔버에 넣어 약액의 용제의 증기압에 거의 일치하는 압력 하에 기판을 노출시켜 용제를 서서히 제거하고, 감광성 수지막을 형성하였다.
본 실시예에서는 CD-R의 감광성 수지막을 형성하는 공정을 나타냈지만, 본 발명의 용도는 이것에 한하는 것이 아니라 미니 디스크(MD), 디지털 비디오 디스크(DVD)-RAM, CD 원판 등 모든 도우넛형 기판으로의 도포에 적용 가능하다. 또한, 도포재도 감광성 수지막에 한하는 것이 아니라 자성체, 금속을 포함하는 약액의 도포에도 적용할 수 있다. 또한, 프로세스 시간에 대한 노즐 이동 속도, 기판 회전수, 약액 토출량은 도 10의 관계에 한하는 것이 아니라, 수학식 1로부터 수학식 5를 만족시키도록 설정하면 어떠한 것이라도 좋다. 또, 수학식 1로부터 수학식 5 중 상수로서 이용되고 있는 100, vo, wo는 각각 피처리 기판 중심을 원점으로 했을 때의 직경 방향의 특정 위치, 피처리 기판 중심을 원점으로 했을 때의 직경 방향의 특정 위치에서의 약액 공급 속도, 피처리 기판 중심을 원점으로 했을 때의 직경 방향의 특정 위치에서의 피처리 기판 회전수를 이용하여 나타낼 수 있다.
또한, 기판 최외주(r=60㎜)에 있어서의 회전수 wo도 78rpm으로 정해진 것이 아니라, 미소 약액이 기판 밖으로 이동하지 않으면 어떠한 값이라도 좋다(본 실시예의 경우 100rpm 이하가 좋음). 또한 나선형 액막 형성 위치의 1주기마다의 간격과, r=60㎜에 있어서의 약액 공급 속도 vo는 원하는 막 두께 및 균일성에 따라서 변경하여도 좋다.
[제4 실시예]
도 11은 본 발명의 제4 실시예에 관계되는 성막 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 도 11에 있어서, 도 1과 동일한 부위에는 동일 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
피처리 기판(100)은 기판 유지부(120) 상에 배치된다. 기판 유지부(120)는 기판 중심에서 회전하는 구동계(121)를 구비하고, 이들이 또한 지면 전후로 이동할 수 있는 기판 유지부 병진부(130)에 탑재되어 있다.
또한, 피처리 기판(100) 상공에는, 예를 들면 도 2에 도시한 바와 같은 약액 공급 노즐(122)이 배치되어 있다. 약액 공급 노즐로부터의 약액 토출의 제어는 노즐 상류에 있는 약액 공급 펌프의 압력을 제어하여 행하였다. 약액 공급 노즐은 지면 좌우 방향으로 왕복 이동할 수 있는 노즐 이동 기능에 탑재되어 있다. 또한, 약액 공급 노즐과 피처리 기판 사이에는 약액 공급 노즐의 이동과 동일 방향으로 이동할 수 있는 약액 차단 기능(126)이 설치되어 있다.
설명을 알기 쉽게 하기 위해서, 이하에서는 피처리 기판(100)의 직경을 포함하는 기판 유지부(120)의 병진 구동 방향을 X축으로 하고, 그것과 직교하는 약액 공급 노즐(122)을 구동했을 때의 토출구의 궤적을 Y축으로 한다. 또한, X축과 Y축의 교점을 장치 기준점, 원형의 피처리 기판의 중심을 기판 원점으로 이하에서 부른다. 또한, 장치 기준점을 XY 좌표계의 원점 (0, 0)으로 하고, 위치의 단위는 ㎜로 나타낸다.
본 실시예에서는, 도 12에 도시한 바와 같이, ψ30㎜ 이내의 선형 도포 영역(1201)을 노즐 이동 기능으로 노즐을 왕복 운동시키면서, 노즐의 반환점에서 기판 유지부 병진부(130)를 동작시켜 피처리 기판 상에 평행선형으로 약액을 공급한 후, ψ30㎜보다 외측의 나선형 도포 영역(1202)에서 구동계(121)를 동작시켜 피처리 기판(100) 상에 나선형으로 약액을 공급하고, 공급된 약액의 유동성을 이용하여 액막을 형성하는 수법에 대하여 설명한다.
기판 반송 아암에 의해 피처리 기판(100)을 기판 유지부(120) 상으로 수송하여 유지하였다. 여기서는 피처리 기판(100)으로서 반도체 제조 공정 도중의 Si 웨이퍼이고, 기판 표면이 평탄화된 것을 이용하였다.
우선 기판 유지부(120)의 병진 구동계(130)를 조작하고, 기판 원점이 장치기준점에 대하여 (15, 0)에 오도록 하였다. 계속해서, 약액 공급 노즐(122)과 피처리 기판(100) 사이에 약액 차단 기능(126)이 배치된 상태에서, 약액 공급 펌프(125)를 동작시켜 약액 공급 노즐(122)로부터 약액의 토출을 개시하였다. 토출 속도가 0. 0026㏄/sec가 되도록 약액 공급 펌프(125)의 압력을 제어하고, 약액의 토출이 안정된 단계에서 약액 공급 노즐(122)의 Y축을 따른 왕복 이동을 개시하였다. 이 때, 약액 공급 노즐(122)과 피처리 기판(100) 사이에 설치된 약액 차단 기능(126)은 약액이 기판 원점에 대하여 ψ29.5㎜보다 외측에 약액이 공급되지 않도록, 약액 공급 노즐(122)의 동작에 맞춰 이동시켰다.
또 이 때, 약액 공급 노즐(122)은 기판 원점으로부터 ψ29.5㎜의 범위에서는 36.6㎝/sec의 등속 이동을 행하고, ψ29.5㎜의 외측에서 150m/sec2의 감속을 행하여 정지시키고, 즉시 반대 방향으로 150m/sec2의 가속도를 제공하여 재차 ψ29.5㎜의 영역에 도달할 때까지 36.6㎝/sec가 되도록 제어하였다. 기판 유지부 병진부(130)는 약액 공급 노즐(122)이 ψ295㎜보다 외측에 있는 동안에 (-0.4, 0)만큼 이동시키도록 하였다.
이들의 조작을 계속하여, 기판 원점이 (-15, 0)에 도달한 단계에서, 도 13에 도시한 바와 같이, 반환 영역(1301)의 내측의 선형 도포 영역(1201)에서 선형의 도포막을 형성할 수 있었다. 그 후, 약액 공급 노즐과 피처리 기판 사이에는 약액 차단 기능(126)이 삽입되어 일시적으로 약액 공급의 차단이 행해진다.
계속해서 피처리 기판은 기판 원점이 (-15, 0)에 위치한 상태에서, 선형 도포 영역에 있어서의 토출 속도(0.0026㏄/sec)로 거의 유지된 상태에서 기판 원점을 중심으로 한 회전 동작에 들어간다. 회전수가 160rpm이 된 단계에서 약액 차단 기능(126)이 제거되고, 동시에 도 17의 (a)∼도 17의 (c)에 도시한 관계에 기초한 동작을 개시한다. 여기서 프로세스 시간은 나선형의 도포 동작을 개시한 시간을 0으로 하였다. 나선 도포 영역(1202)에 있어서는, 도 14에 도시한 바와 같은 궤적에 의해 도포막을 형성할 수 있었다. 또, 도 13 및 도 14에서는 궤적을 알기 쉽게 하기 위해서 본 실시예에서 이용한 피치·선보다 확대하여 표현하고 있다. 최종적으로 피처리 기판(100) 상에 도포된 약액의 궤적을 도 15에 도시한다(피치·선은 실제보다 확대되어 표현).
선형 도포 영역에 있어서의 토출 속도와, 나선형 도포 영역에 있어서의 최초의 토출 속도를 대략 동일하게 함으로써, 토출 속도를 변경하는 수고가 없어진다. 또한, 토출 속도를 변경시키면, 토출 속도가 안정될 때까지 토출되는 약액이 낭비되지만, 토출 속도를 대략 동일하게 함으로써, 약액이 낭비되지 않는다.
이들 조작에 의해, ψ200㎜의 전면에 액막을 형성할 수 있었다. 또, 선형으로 공급한 액막은 유동성에 의해 프로세스 중에 있어서 인접하는 액막과 접속하고, 엣지부를 제외한 기판 전면을 피복하는 액막이 되었다. 또 처리 중에 약액이 기판으로부터 밖으로 방출되지 않는다.
다음에 표면에 액막이 형성된 피처리 기판(100)을 챔버에 넣어 약액의 용제의 증기압에 거의 일치하는 압력 하에 기판을 노출시켜 용제를 서서히 제거하고, 감광성 수지막을 형성하였다.
종래와 같이 기판에 걸치도록 직선형으로 노즐을 왕복 이동만시켜 액막을 형성하는 경우에는 반환할 때마다 조주 구간이 필요하고 피처리 기판에 공급하는 액량에 대하여 폐기율(기판 밖 방출량/기판 안 공급량) 10∼20%의 약액을 기판 밖으로 방출하고 있었다. 그러나, 본 발명에서는 도포 개시 직전과 도포 종료 직후에 약간량의 약액을 버리는 것 이외에는 기판 상에 약액을 잔류시키기 때문에, 폐기량을 1% 이내로 할 수 있었다. 또한, 나선만으로 행한 경우 중심부에서 약간 생긴 막 두께 이상에 대해서도 개선할 수 있었다.
본 실시예는 감광성 수지 용액으로부터 감광성 수지 액막을 거쳐 감광성 수지막을 형성하는 공정을 나타냈지만, 본 발명의 용도는 이것에 한하는 것이 아니라 저유전체막 재료를 포함하는 용액(예를 들면 유기 실로키산 등의 용액)으로부터의 저유전체막의 형성, 강유전체막 재료를 포함하는 용액으로부터의 강유전체막에 이용할 수 있다.
또한, 기판 최외주에 있어서의 회전수 wo도 60rpm으로 정해진 것이 아니라 미소 약액이 기판 밖으로 이동하지 않으면 어떠한 값이라도 좋다(본 실시예의 경우 80rpm 이하가 좋음). 또한 나선형 액막 형성 위치의 1주기마다의 간격과, r=100㎜에 있어서의 약액 공급 속도 vo(상정치)는 원하는 막 두께, 균일성에 따라 변겅하여도 좋다.
또한, 약액이 피처리 기판 밖으로 방출되지 않으면 도포 순서를
a) 외측에서 나선형으로 내측을 향하여 도포한 후, 중앙의 평행선형의 도포를 행한다.
b) 내측에서 나선형으로 외측을 향하여 도포한 후, 중앙의 평행선형의 도포를 행한다.
c) 중앙의 평행선형의 도포를 행한 후, 외측에서 나선형으로 내측을 향하여 도포한다.
와 같이 변경하여도 좋다.
또한, 중앙의 평행선형 도포 대신에 점형으로 약액을 공급해도 좋다. 이 경우 ψ29.5㎜ 이내의 영역에 형성하는 천장의 약액의 총체적이 선형으로 공급된 경우와 동일하고, 최종적으로 결합하여 얻어지는 액막의 두께 변동이 작으면, 적하량, 적하 위치를 적당하게 설정하여도 좋다. 도 16은 피처리 기판의 중심을 포함하는 점형 도포 영역(1601)에서 약액을 점형으로 적하했을 때의 경우를 나타내고 있고(점과 선의 피치, 폭은 실제의 것보다 확대하여 표현하고 있음), 이와 같이 적하된 약액은 피처리 기판 상에서 널리 퍼져 중첩됨으로써 하나의 액막이 된다.
이 때, 펌프의 동작을 ON/OFF로 하여 점형으로 약액을 적하하는 것은 아니라, 액체를 연속적으로 적하하면서 적합한 액체의 일부를 약액 차단 기능(126)에 의해 차단하여 약액을 점형으로 적하하는 것이 바람직하다. 점형의 적하를 약액을 차단하여 행하는 쪽이 펌프의 ON/OFF 동작에 의한 것과 비교하여 적하량의 제어성이 보다 향상된다.
또한, 나선 도포 영역의 경계를 본 실시예에서는 ψ29.5㎜로 하였지만, 이것에 한하는 것은 아니다. 약액 공급 펌프, 회전 기능, 약액 공급 노즐 이동 기능의성능에 따라서 변경해도 좋다. 그러나, 약액 폐기량을 적게 하기 위해서는 경계를 가능한 한 기판 중심에 가깝게 하는 것이 바람직하다.
[제5 실시예]
본 실시예는 제4 실시예에 있어서 약액 공급 펌프의 성능에 한계가 생긴 경우의 파라미터 변경법에 관한 것이다. 여기서는 약액 공급의 제어 파라미터로서 펌프 압력을 이용하고 있다. 또한, 노즐은 1회전당 0.8㎜ 이동하도록 하였다. 이 펌프의 압력 제어의 하한이 1㎏W/㎠이었다. 프로세스 시간 7.5초 이하에서는 압력이 1㎏W/㎠ 이하가 되어 제어 불능으로 될 것이 예상되었다. 그래서, 프로세스 시간 7.5초 이하의 부분에서 토출 압력을 1㎏W/㎠로 일정하게 하고, 단위 면적당의 공급량이 일정해지도록 회전수로 제어를 행하도록 하였다. 이 조건에 기초하여 결정된 프로세스 시간에 대한 기판 회전수, 기판 중심으로부터의 노즐 위치 및 토출량, 각각 도 18의 (a)∼도 18의 (c)에 도시한다.
우선, 기판 유지 부재의 병진 구동계를 조작하고, 기판 원점이 장치 기준점에 대하여 (1.5, 0)에 오도록 하였다. 계속해서 약액 공급 노즐과 피처리 기판 사이에 약액 차단 기능(126)을 배치하여 약액 공급 노즐로부터 약액의 토출을 개시하였다. 토출 압력이 1㎏f가 되도록 펌프의 압력을 제어하고, 토출이 안정된 단계에서 약액 공급 노즐의 Y축을 따른 왕복 이동을 개시하였다. 이 때, 약액 공급 노즐과 피처리 기판 사이에 설치된 약액 차단 기능(126)은 약액이 기판 원점에 대하여 ψ29.5㎜보다 외측에 약액이 공급되지 않도록, 약액 공급 노즐의 동작에 맞춰 이동시켰다. 또, 이 때 약액 공급 노즐은 기판 원점으로부터 ψ29.5㎜의 범위에서는19.7㎝/sec의 등속 이동을 행하고, ψ29.5㎜의 외측에서 150m/sec2의 감속을 행하여 정지시키고, 즉시 반대 방향으로 150m/sec2의 가속도를 제공하여 재차 ψ29.5㎜의 영역에 도달할 때까지 19.7㎝/sec가 되도록 제어하였다. 기판 유지부 병진 기능은 약액 공급 노즐이 ψ29.5㎜보다 외측에 있는 동안에 (-0.4, 0)만큼 이동시키도록 하였다. 이들의 조작을 계속하여, 기판 원점이 (-15, 0)에 도달한 단계에서 도 13에 도시한 바와 같이ψ30㎜의 영역을 나타내는 점선의 내부의 영역에서 선형의 도포막을 형성할 수 있었다. 이 때, 약액 공급 노즐과 피처리 기판 사이에는 약액 차단 기능(126)이 삽입되어 일시적으로 약액의 차단이 행해진다.
계속해서 피처리 기판은 기판 원점이 (-15, 0)에 위치한 상태에서 기판 원점을 중심으로 한 회전 동작에 들어간다. 회전수가 155rpm이 된 단계에서 약액 차단 기능(126)이 제거되고, 동시에 도 18의 (a)∼도 18의 (c)에 도시한 관계에 기초한 동작을 개시한다. 여기서 프로세스 시간은 나선형의 도포 동작을 개시한 시간을 0으로 하였다. 최초의 7.5초 동안은 약액 공급 노즐의 압력은 일정하게 하고 있다. 그 동안, 회전수는 크게 변화시켰다. 7.5초 이후에는 약액 공급 노즐의 압력, 회전수를 모두 제어하여 성막을 행하였다. 이들의 조작에 의해 ψ200㎜의 전면에 액막을 공급할 수 있었다. 또, 선형으로 공급한 액막은 유동성에 의해 프로세스 중에 있어서 인접하는 액막과 접속하고, 엣지부를 제외한 기판 전면을 피복하는 액막이 되었다. 또 처리 중에 약액이 기판으로부터 밖으로 방출되지 않는다.
다음에 기판을 챔버에 넣어 약액의 용제의 증기압에 거의 일치하는 압력 하에 기판을 노출시켜 용제를 서서히 제거하고, 감광성 수지막을 형성하였다.
본 실시예에서는 약액 공급 펌프 제어에 한계가 있고, 회전수 제어에 여유가 있는 경우의 레시피(recipe) 변경에 관한 것이지만, 회전수 제어에 한계가 있고 약액 공급 펌프 제어에 여유가 있는 경우에 대해서도 한계 영역에서 회전수를 일정하게 하여 토출압의 변화량을 수학식 1∼수학식 5에 기초하여 설정하면 좋다. 또한, 약액 공급 펌프 제어와 회전수 제어의 한계를 고려하고, 제어의 부하 배분을 임의의 a를 이용하여 수학식 6, 수학식 7과 같이 변경하여도 좋다.
여기서 vo, Wo는 각각 직경 R㎜에서의 약액 공급 속도와 회전수이다. 또, 수학식 6은 압력 제어로 행하는 경우, 약액 공급 펌프의 직경 R㎜에서의 약액 토출 압력 Po에 대하여 직경 r에서는
P={Po×a/(R/r)1/2}2
로서 정하면 좋다.
종래와 같이 기판에 걸치도록 직선형으로 노즐을 왕복 이동만시켜 액막을 형성하는 경우에는 반환할 때마다 조주 구간이 필요하고 피처리 기판에 공급되는 액량에 대하여 폐기율(기판 밖 방출량/기판 안 공급량) 10∼20%의 약액을 기판 밖으로 방출하고 있었다. 그러나, 본 발명에서는 도포 개시 직전과 도포 종료 직후에 약간량의 약액을 버리는 것 이외에는 기판 상에 약액을 잔류시키기 때문에, 폐기량을 1% 이내로 할 수 있었다. 또한, 나선만으로 행한 경우 중심부에서 약간 생긴 막 두께 이상에 대해서도 개선할 수 있었다.
본 실시예는 감광성 수지 용액으로부터 감광성 수지 액막을 거쳐 감광성 수지막을 형성하는 공정을 나타냈지만, 본 발명의 용도는 이것에 한하는 것이 아니라 저유전체막 재료를 포함하는 용액(예를 들면 유기 실로키산 등의 용액)으로부터의 저유전체막의 형성, 강유전체막 재료를 포함하는 용액으로부터의 강유전체막에 이용할 수 있다.
또한, 기판 최외주에 있어서의 회전수 wo도 60rpm으로 정해진 것이 아니라, 미소 약액이 기판 밖으로 이동하지 않으면 어떠한 값이라도 좋다(본 실시예의 경우 80rpm 이하가 좋음). 또한 나선형 액막 형성 위치의 1주기마다의 간격과, r=100㎜에 있어서의 약액 공급 속도 vo는 원하는 막 두께 및 균일성에 따라서 변경하여도 좋다.
또한, 약액이 피처리 기판 밖으로 방출되지 않으면 도포 순서를
a) 외측에서 나선형으로 내측을 향하여 도포한 후, 중앙의 평행선형의 도포를 행한다.
b) 내측에서 나선형으로 외측을 향하여 도포한 후, 중앙의 평행선형의 도포를 행한다.
c) 중앙의 평행선형의 도포를 행한 후, 외측에서 나선형으로 내측을 향하여 도포한다.
와 같이 변경하여도 좋다.
또한, 중앙의 평행선형 도포 대신에 점형으로 약액을 공급해도 좋다. 이 경우 ψ29.5㎜ 이내의 영역에 형성하는 천장의 약액의 총체적이 선형으로 공급한 것과 동일하고, 최종적으로 결합하여 얻어지는 액막의 두께 변동이 작으면, 적하량, 적하 위치를 적당하게 설정하여도 좋다.
또한, 나선 도포 영역의 경계를 본 실시예에서는 ψ29.5㎜로 하였지만, 이것에 한하는 것은 아니다. 약액 공급 펌프, 회전 기능, 약액 공급 노즐 이동 기능의 성능에 따라서 변경해도 좋다. 그러나, 약액 폐기량을 적게 하기 위해서는 경계를 가능한 한 기판 중심에 가깝게 하는 것이 바람직하다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 적하부로부터의 상기 약액의 공급 속도 v를 증가시키면서, 적하된 액막에 걸리는 원심력에 의해 그 액막이 이동하지 않도록 피처리 기판의 회전수 w를 저하시킴으로써, 중심부 부근 및 외주부에 있어서 액막이 이동하지 않고, 피처리 기판의 중심부에서 액막이 형성되지 않은 영역이 생기지 않아 균일한 액막을 형성할 수 있다.

Claims (20)

  1. 액체를 적하하는 적하부(滴下部)와, 상기 적하부의 연직하(鉛直下)에 있는 피처리 기판과, 상기 적하부로부터 상기 기판 상에 적하된 액체를 상기 피처리 기판에 잔류시키면서, 상기 피처리 기판 혹은 상기 적하부를 상대적으로 이동시켜 피처리 기판 상에 액막을 형성하는 액막 형성 방법에 있어서,
    상기 피처리 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 상기 기판을 회전시키면서, 상기 적하부를 상기 기판의 내주부에서 상기 기판의 외주부를 향하여 상대적으로 이동시키는 것이고,
    상기 피처리 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 상기 기판을 회전시키면서, 상기 적하부를 상기 기판의 내주부에서 상기 기판의 외주부를 향하여 상대적으로 이동시키는 것으로, 상기 액체가 상기 피처리 기판 상에 나선형으로 적하되는 것이고,
    상기 피처리 기판의 내주부에서 외주부를 향한 상기 적하부의 상대적인 이동에 따라서, 적하된 액막에 걸리는 원심력에 의해 적하된 상기 액막이 이동하지 않도록 상기 기판의 회전수 w를 저하시킴과 동시에, 상기 적하부로부터의 상기 액체의 공급 속도 v를 증가시켜 상기 피처리 기판 상에 액막을 형성하거나, 또는
    상기 피처리 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 상기 기판을 회전시키면서, 상기 적하부를 상기 기판의 외주에서 상기 기판의 상기 내주를 향하여 상대적으로 이동시키는 것이고,
    상기 피처리 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 상기 기판을 회전시키면서, 상기 적하부를 상기 기판의 외주부에서 상기 기판의 내주부를 향하여 상대적으로 이동시키는 것으로, 상기 액체가 상기 피처리 기판 상에 나선형으로 적하되는 것이고,
    상기 피처리 기판의 외주부에서 내주부를 향한 상기 적하부의 상대적인 이동에 따라, 적하된 액막에 걸리는 원심력에 의해 적하된 상기 액막이 이동하지 않도록 상기 기판의 회전수 w를 증가시킴과 동시에, 상기 적하부로부터의 상기 액체의 공급 속도 v를 저하시켜 상기 피처리 기판 상에 액막을 형성하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 적하부가 상기 피처리 기판 중심으로부터의 거리 r에 위치하는 경우, 상기 적하부로부터의 상기 액체의 공급 속도 v는 상기 기판 유지부의 회전수 w와 공급 속도 v와의 곱이 일정해지도록 상기 피처리 기판의 회전수 w에 따라서 정해지는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 적하부가 상기 피처리 기판의 최외경 R에 위치할 때의 상기 기판의 회전수 wo, 및 상기 적하부가 상기 피처리 기판 중심으로부터의 거리 R에 위치할 때의 상기 액체의 공급 속도 vo에 대하여, 상기 기판이 상기 거리 r에 위치하는 경우의 상기 기판의 회전수 w가 (R/r)의 평방근과 wo와의 곱으로 정해지고,또한 공급 속도 v가 vo를 (R/r)의 평방근으로 나눈 값으로서 정해지는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 피처리 기판이 반경 R(㎜)인 원형상 기판인 경우, 상기 적하부가 상기 기판의 최외경부에서 액체를 적하하고 있는 상태에 있어서의 상기 기판의 회전수(rpm)가 1000000/R의 평방근으로 정해지는 값 미만인 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 피처리 기판이 직경 200㎜인 원형상 기판인 경우, 상기 적하부가 상기 기판의 최외경부에서 액체를 적하하고 있는 상태에 있어서의 상기 기판의 회전수가 99rpm 이하인 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 피처리 기판이 직경 300㎜인 원형상 기판인 경우, 상기 적하부가 상기 기판의 최외경부에서 액체를 적하하고 있는 상태에 있어서의 상기 기판의 회전수가 81rpm 이하인 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 적하부의 상기 피처리 기판의 내주부에서 외주부, 혹은 외주부에서 내주부로의 상대적인 이동은 상기 기판이 1회전하는 동안에 소정의 피치만큼 이동하도록 제어되는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 적하부는 액체를 토출하는 복수의 토출구를 포함하고,
    상기 적하부의 토출 속도와 상기 피처리 기판의 회전수는 상기 복수의 토출구의 변위의 평균치에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 액체는 노광 공정에 이용되는 반사 방지재를 포함하는 약액, 감광성 재료를 포함하는 용액, 저유전체 재료를 포함하는 용액, 강유전체 재료를 포함하는 용액, 전극 재료를 포함하는 용액, 패턴 전사 재료를 포함하는 용액, 도우넛형 기억 매체에 이용되는 자성체 재료를 포함하는 용액, 도우넛형(dough-nut) 기억 매체에 이용되는 광 흡수 반응 재료를 포함하는 용액 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 액막이 형성된 상기 피처리 기판을 상기 액막 중의 용제의 처리 온도에 있어서의 증기압 이하의 압력 하에 노출시켜 상기 용제를 건조 제거하여 고체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 액막이 형성된 상기 피처리 기판을 기류 속에 노출시켜 상기 액막 중의 용제를 건조 제거하여 고체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 형성된 액막을 진동시키면서 건조시켜, 표면이 대략 평탄한 고체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 피처리 기판의 내주부에서 외주부를 향한 상기 적하부의 상대적인 이동은 상기 피처리 기판의 대략 중심에서 외주를 향한 상대적인 이동이고,
    상기 피처리 기판의 외주부에서 내주부를 향한 상기 적하부의 상대적인 이동은 상기 피처리 기판의 외주부에서 대략 중심을 향한 상대적인 이동인 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 피처리 기판의 대략 중심을 포함하는 영역에서는, 상기 적하부가 상기 대략 중심을 포함하는 영역의 한 단에서 다른 단을 향하는 열 방향의 이동과 상기 대략 중심을 포함하는 영역 밖의 행 방향의 이동으로 구성된 상기 피처리 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동을 시킴과 동시에, 상기 적하부로부터 상기 피처리 기판에 대하여 공급 속도 v’로 약액을 공급하여 액막을 형성하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 공급 속도 v’가,
    상기 대략 중심을 포함하는 영역의 바로 외측에서 나선형으로 적하되는 액체의 공급 속도 v와 대략 동일해지도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  16. 제1항에 있어서, 상기 피처리 기판의 대략 중심을 포함하는 영역에서는,
    상기 적하부로부터 토출된 액체의 일부를 상기 피처리 기판 상에 도달하지 않도록 차단하여 적하량을 조정함으로써, 적하된 액막에 걸리는 원심력에 의해 액막이 이동하지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  17. 액체를 적하하는 적하부와, 상기 적하부의 연직하에 있는 반도체 기판과, 상기 적하부로부터 상기 기판 상에 적하된 액체를 상기 반도체 기판에 잔류시키면서, 상기 반도체 기판 혹은 상기 적하부를 상대적으로 이동시켜 반도체 기판 상에 액막을 형성한 후, 상기 액막을 건조하여 고체층을 형성하는 반도체 소자의 제조 방법에 있어서,
    상기 반도체 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 상기 기판을 회전시키면서, 상기 적하부를 상기 기판의 내주부에서 상기 기판의 외주부를 향하여 상대적으로 이동시키는 것이고,
    상기 반도체 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 상기 기판을 회전시키면서 상기 적하부를 상기 기판의 내주부에서 상기 기판의 외주부를 향하여 상대적으로 이동시키는 것으로, 상기 액체가 상기 반도체 기판 상에 나선형으로 적하되는 것이고,
    상기 반도체 기판의 내주부에서 외주부를 향한 상기 적하부의 상대적인 이동에 따라, 적하된 액막에 걸리는 원심력에 의해 적하된 상기 액막이 이동하지 않도록 상기 기판의 회전수 w를 저하시킴과 동시에, 상기 적하부로부터의 상기 액체의 공급 속도 v를 증가시켜 상기 반도체 기판 상에 액막을 형성하거나, 또는
    상기 반도체 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 상기 기판을 회전시키면서, 상기 적하부를 상기 기판의 외주에서 상기 기판의 상기 내주를 향하여 상대적으로 이동시키는 것이고,
    상기 반도체 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 상기 기판을 회전시키면서, 상기 적하부를 상기 기판의 외주부에서 상기 기판의 내주부를 향하여 상대적으로 이동시키는 것으로, 상기 액체가 상기 반도체 기판 상에 나선형으로 적하되는 것이고,
    상기 반도체 기판의 외주부에서 내주부를 향한 상기 적하부의 상대적인 이동에 따라, 적하된 액막에 걸리는 원심력에 의해 적하된 상기 액막이 이동하지 않도록 상기 기판의 회전수 w를 증가시킴과 동시에, 상기 적하부로부터의 상기 액체의 공급 속도 v를 저하시켜 상기 반도체 기판 상에 액막을 형성한 후,
    상기 액막이 형성된 상기 반도체 기판을 상기 액막 중의 용제의 처리 온도에 있어서의 증기압 이하의 압력 하에 노출시켜 상기 용제를 건조 제거하여 상기 고체층을 형성하거나, 또는
    상기 액막이 형성된 상기 반도체 기판을 기류 속에 노출시켜 상기 액막 중의 용제를 건조 제거하여 상기 고체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 고체층은 노광 공정에 이용되는 반사 방지, 감광성을 포함하는 막, 저유전체막, 층간 절연막, 강유전체막, 전극, 패턴 전사막 중 어느 하나로부터 한개 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
  19. 액체를 적하하는 적하부와, 상기 적하부의 연직하에 있는 반도체 기판과, 상기 적하부로부터 상기 기판 상에 적하된 액체를 상기 반도체 기판에 잔류시키면서, 상기 반도체 기판 혹은 상기 적하부를 상대적으로 이동시켜 반도체 기판 상에 액막을 형성한 후, 상기 액막을 건조하여 고체층을 형성하여 이루어지는 반도체 소자에 있어서,
    상기 반도체 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 상기 기판을 회전시키면서, 상기 적하부를 상기 기판의 내주부에서 상기 기판의 외주부를 향하여 상대적으로 이동시키는 것이고,
    상기 반도체 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 상기 기판을 회전시키면서, 상기 적하부를 상기 기판의 내주부에서 상기 기판의 외주부를 향하여 상대적으로 이동시키는 것으로, 상기 액체가 상기 반도체 기판 상에 나선형으로 적하되는 것이고,
    상기 반도체 기판의 내주부에서 외주부를 향한 상기 적하부의 상대적인 이동에 따라, 적하된 액막에 걸리는 원심력에 의해 적하된 상기 액막이 이동하지 않도록 상기 기판의 회전수 w를 저하시킴과 동시에, 상기 적하부로부터의 상기 액체의공급 속도 v를 증가시켜 상기 반도체 기판 상에 액막을 형성하거나, 또는
    상기 반도체 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 상기 기판을 회전시키면서, 상기 적하부를 상기 기판의 외주에서 상기 기판의 상기 내주를 향하여 상대적으로 이동시키는 것이고,
    상기 반도체 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 상기 기판을 회전시키면서, 상기 적하부를 상기 기판의 외주부에서 상기 기판의 내주부를 향하여 상대적으로 이동시키는 것으로, 상기 액체가 상기 반도체 기판 상에 나선형으로 적하되는 것이고,
    상기 반도체 기판의 외주부에서 내주부를 향한 상기 적하부의 상대적인 이동에 따라, 적하된 액막에 걸리는 원심력에 의해 적하된 상기 액막이 이동하지 않도록 상기 기판의 회전수 w를 증가시킴과 동시에, 상기 적하부로부터의 상기 액체의 공급 속도 v를 저하시켜 상기 반도체 기판 상에 액막을 형성한 후,
    상기 액막이 형성된 상기 반도체 기판을 상기 액막 중의 용제의 처리 온도에 있어서의 증기압 이하의 압력 하에 노출시켜 상기 용제를 건조 제거하여 상기 고체층을 형성하거나, 또는
    상기 액막이 형성된 상기 반도체 기판을 기류 속에 노출시켜 상기 액막 중의 용제를 건조 제거하여 상기 고체층을 형성하여 이루어지는 것이고,
    상기 고체층이 노광 공정에 이용되는 반사 방지, 감광성을 포함하는 막, 저유전체막, 층간 절연막, 강유전체막, 전극, 패턴 전사막 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  20. 액체를 적하하는 적하부와, 상기 적하부의 연직하에 있는 피처리 기판과, 상기 적하부로부터 상기 기판 상에 적하된 액체를 상기 피처리 기판에 잔류시키면서, 상기 피처리 기판 혹은 상기 적하부를 상대적으로 이동시켜 피처리 기판 상에 자성 재료를 포함하는 용액 또는 광 흡수 반응 재료를 포함하는 용액의 액막을 형성한 후, 상기 액막을 건조하여 자성체막 또는 광 흡수 반응막의 고체층을 형성하는 도우넛형 기억 매체의 제조 방법에 있어서,
    상기 피처리 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 상기 기판을 회전시키면서, 상기 적하부를 상기 기판의 내주부에서 상기 기판의 외주부를 향하여 상대적으로 이동시키는 것이고,
    상기 피처리 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 상기 기판을 회전시키면서, 상기 적하부를 상기 기판의 내주부에서 상기 기판의 외주부를 향하여 상대적으로 이동시키는 것으로, 상기 액체가 상기 처리 기판 상에 나선형으로 적하되는 것이고,
    상기 피처리 기판의 내주부에서 외주부를 향한 상기 적하부의 상대적인 이동에 따라, 적하된 액막에 걸리는 원심력에 의해 적하된 상기 액막이 이동하지 않도록 상기 기판의 회전수 w를 저하시킴과 동시에, 상기 적하부로부터의 상기 액체의 공급 속도 v를 증가시켜 상기 피처리 기판 상에 액막을 형성하거나, 또는
    상기 피처리 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 상기 기판을 회전시키면서, 상기 적하부를 상기 기판의 외주에서 상기 기판의 상기 내주를 향하여 상대적으로 이동시키는 것이고, 상기 피처리 기판과 상기 적하부와의 상대적인 이동은 상기 기판을 회전시키면서, 상기 적하부를 상기 기판의 외주부에서 상기 기판의 내주부를 향하여 상대적으로 이동시키는 것으로, 상기 액체가 상기 피처리 기판 상에 나선형으로 적하되는 것이고,
    상기 피처리 기판의 외주부에서 내주부를 향한 상기 적하부의 상대적인 이동에 따라, 적하된 액막에 걸리는 원심력에 의해 적하된 상기 액막이 이동하지 않도록 상기 기판의 회전수 w를 증가시킴과 동시에, 상기 적하부로부터의 상기 액체의 공급 속도 v를 저하시켜 상기 피처리 기판 상에 액막을 형성한 후,
    상기 액막이 형성된 상기 피처리 기판을 상기 액막 중의 용제의 처리 온도에 있어서의 증기압 이하의 압력 하에 노출시켜 상기 용제를 건조 제거하여 상기 반도체를 형성하거나, 또는
    상기 액막이 형성된 상기 처리 기판을 기류 속에 노출시켜 상기 액막 중의 용제를 건조 제거하여 상기 고체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 도우넛형 기억 매체의 제조 방법.
KR10-2001-0022691A 2000-04-27 2001-04-26 성막 방법, 반도체 소자, 반도체 소자의 제조 방법,도우넛형 기억 매체의 제조 방법 KR100384806B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-127953 2000-04-27
JP2000127953 2000-04-27
JP2000-311124 2000-10-11
JP2000311124A JP2002015984A (ja) 2000-04-27 2000-10-11 成膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010098911A KR20010098911A (ko) 2001-11-08
KR100384806B1 true KR100384806B1 (ko) 2003-05-23

Family

ID=26590993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0022691A KR100384806B1 (ko) 2000-04-27 2001-04-26 성막 방법, 반도체 소자, 반도체 소자의 제조 방법,도우넛형 기억 매체의 제조 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6960540B2 (ko)
EP (1) EP1150168B1 (ko)
JP (1) JP2002015984A (ko)
KR (1) KR100384806B1 (ko)
CN (1) CN1282991C (ko)
DE (1) DE60142421D1 (ko)
TW (1) TWI238455B (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6884294B2 (en) * 2001-04-16 2005-04-26 Tokyo Electron Limited Coating film forming method and apparatus
JP3754322B2 (ja) * 2001-05-24 2006-03-08 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法及びその装置
JP3655576B2 (ja) * 2001-07-26 2005-06-02 株式会社東芝 液膜形成方法及び半導体装置の製造方法
JP4253305B2 (ja) * 2001-07-26 2009-04-08 株式会社東芝 液膜形成方法及び固体膜の形成方法
JP4041301B2 (ja) * 2001-10-18 2008-01-30 シーケーディ株式会社 液膜形成方法
US6645880B1 (en) * 2002-06-10 2003-11-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Treating solution applying method
JP4859463B2 (ja) * 2004-02-06 2012-01-25 Ｈｏｙａ株式会社 塗布方法及び調光レンズの製造方法
US7384878B2 (en) * 2004-05-20 2008-06-10 International Business Machines Corporation Method for applying a layer to a hydrophobic surface
JP2007220956A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Toshiba Corp 基板処理方法及び基板処理装置
JP2009049339A (ja) * 2007-08-23 2009-03-05 Denso Corp 半導体装置の製造方法
JP5449239B2 (ja) * 2010-05-12 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体
CN102043340B (zh) * 2010-10-29 2012-10-03 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种均匀喷涂光刻胶的方法
JP2014050803A (ja) * 2012-09-07 2014-03-20 Toshiba Corp 回転塗布装置および回転塗布方法
US9104107B1 (en) 2013-04-03 2015-08-11 Western Digital (Fremont), Llc DUV photoresist process
JP2014236042A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 株式会社東芝 成膜装置、および成膜方法
JP6027523B2 (ja) * 2013-12-05 2016-11-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録した記録媒体
JP5994804B2 (ja) * 2014-03-17 2016-09-21 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法
JP6352824B2 (ja) * 2015-01-23 2018-07-04 東芝メモリ株式会社 基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法
CN112024285A (zh) * 2020-08-24 2020-12-04 广东紫晶信息存储技术股份有限公司 一种多段式点胶方法及点胶装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1270984A (en) 1969-01-24 1972-04-19 Memorex Corp Method and apparatus for spray coating magnetic memory discs
JPS6251221A (ja) * 1985-08-30 1987-03-05 Nec Kyushu Ltd 塗布装置
JPH02220428A (ja) 1989-02-22 1990-09-03 Hitachi Ltd ホトレジストの塗布方法及び装置
US5658387A (en) * 1991-03-06 1997-08-19 Semitool, Inc. Semiconductor processing spray coating apparatus
JPH06151295A (ja) 1992-11-13 1994-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法及びその製造装置
JP3429849B2 (ja) 1994-05-20 2003-07-28 ワイエイシイ株式会社 レジスト塗布装置
JP3257340B2 (ja) 1995-05-24 2002-02-18 松下電器産業株式会社 液体塗布方法、液体塗布装置およびスリットノズル
US5843527A (en) * 1995-06-15 1998-12-01 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Coating solution applying method and apparatus
US5902399A (en) * 1995-07-27 1999-05-11 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improved coating of a semiconductor wafer
JPH0999265A (ja) * 1995-10-06 1997-04-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転塗布装置および回転塗布方法
JPH09320950A (ja) * 1996-05-27 1997-12-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH10137667A (ja) * 1996-11-14 1998-05-26 Miyazaki Oki Electric Co Ltd スピンコータ
US5925410A (en) * 1997-05-06 1999-07-20 Micron Technology, Inc. Vibration-enhanced spin-on film techniques for semiconductor device processing
WO1998057757A1 (en) 1997-06-16 1998-12-23 Massachusetts Institute Of Technology High efficiency photoresist coating
KR100271759B1 (ko) 1997-07-25 2000-12-01 윤종용 포토레지스트코팅장치및방법
JP3260117B2 (ja) * 1998-05-19 2002-02-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP4053690B2 (ja) * 1998-06-19 2008-02-27 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP3819604B2 (ja) 1998-08-31 2006-09-13 株式会社東芝 成膜方法
US6407009B1 (en) * 1998-11-12 2002-06-18 Advanced Micro Devices, Inc. Methods of manufacture of uniform spin-on films
US6387825B2 (en) * 1998-11-12 2002-05-14 Advanced Micro Devices, Inc. Solution flow-in for uniform deposition of spin-on films
JP2000150352A (ja) * 1998-11-16 2000-05-30 Nippon Inter Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP3782279B2 (ja) * 1999-04-08 2006-06-07 東京エレクトロン株式会社 膜形成方法及び膜形成装置
US6461983B1 (en) * 1999-08-11 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Method for pretreating a substrate prior to application of a polymeric coat

Also Published As

Publication number Publication date
EP1150168A3 (en) 2003-01-02
EP1150168A2 (en) 2001-10-31
EP1150168B1 (en) 2010-06-23
CN1324106A (zh) 2001-11-28
US20010039117A1 (en) 2001-11-08
US6960540B2 (en) 2005-11-01
DE60142421D1 (de) 2010-08-05
CN1282991C (zh) 2006-11-01
KR20010098911A (ko) 2001-11-08
JP2002015984A (ja) 2002-01-18
TWI238455B (en) 2005-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100384806B1 (ko) 성막 방법, 반도체 소자, 반도체 소자의 제조 방법,도우넛형 기억 매체의 제조 방법
JP3655576B2 (ja) 液膜形成方法及び半導体装置の製造方法
US6599571B2 (en) Spin coating methods
JP2892476B2 (ja) 帯状液体ノズル及び液処理装置及び液処理方法
US5861061A (en) Spin coating bowl
US6221157B1 (en) Spin coating bowl exhaust system
JP4641964B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US20120034792A1 (en) Coating treatment method
US20060257561A1 (en) Method and apparatus for coating a wafer
JP4053690B2 (ja) 成膜装置
KR20030065412A (ko) 성막 방법, 성막 장치, 패턴 형성 방법, 및 반도체 장치의제조 방법
JP2012196609A (ja) 塗布処理方法および塗布処理装置
JP2000188251A (ja) 成膜装置及び成膜方法
US7435692B2 (en) Gas jet reduction of iso-dense field thickness bias for gapfill process
US20110027727A1 (en) Substrate developing method, substrate processing method and developing solution supply nozzle
US6716285B1 (en) Spin coating of substrate with chemical
KR101094679B1 (ko) 기판 프로세싱 장치 및 방법
JPS61125017A (ja) 塗布装置
JPH0555133A (ja) 液体供給ノズル
JP2007511897A (ja) マイクロリトグラフィ用のフォトレジストコーティングプロセス
JP2005229115A (ja) 液膜形成方法及び固体膜の形成方法
JP4868404B2 (ja) 処理方法および処理装置
JP2005111349A (ja) 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法
JP2008171875A (ja) 板体処理装置および表面処理方法
KR20090012471A (ko) 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110330

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee