JPH0999265A - 回転塗布装置および回転塗布方法 - Google Patents
回転塗布装置および回転塗布方法Info
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- JPH0999265A JPH0999265A JP25993395A JP25993395A JPH0999265A JP H0999265 A JPH0999265 A JP H0999265A JP 25993395 A JP25993395 A JP 25993395A JP 25993395 A JP25993395 A JP 25993395A JP H0999265 A JPH0999265 A JP H0999265A
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- JP
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- nozzle
- substrate
- coating liquid
- flow rate
- coating
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 少量の塗布液で基板の表面に均一な膜厚を有
する薄膜を形成することができる回転塗布方法および回
転塗布装置を提供する。 【解決手段】 ノズル３０にノズル駆動部４０が連結さ
れて、ノズル３０を基板Ｗの上方位置で、その中央部と
周辺部との間で基板Ｗの表面に沿って移動させる。この
ノズル３０には、相互に並列配置された圧送ユニット６
０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃを介してフォトレジスト液を貯溜
したタンク７０に連結されている。これらの圧送ユニッ
ト６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃは、ノズル３０の位置に応じ
て、それぞれ独立して制御され、ノズル３０の位置が基
板Ｗの周辺部から中央部に向かうにしたがってノズル３
０へのフォトレジスト液の流量が少なくなるように制御
される。
する薄膜を形成することができる回転塗布方法および回
転塗布装置を提供する。 【解決手段】 ノズル３０にノズル駆動部４０が連結さ
れて、ノズル３０を基板Ｗの上方位置で、その中央部と
周辺部との間で基板Ｗの表面に沿って移動させる。この
ノズル３０には、相互に並列配置された圧送ユニット６
０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃを介してフォトレジスト液を貯溜
したタンク７０に連結されている。これらの圧送ユニッ
ト６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃは、ノズル３０の位置に応じ
て、それぞれ独立して制御され、ノズル３０の位置が基
板Ｗの周辺部から中央部に向かうにしたがってノズル３
０へのフォトレジスト液の流量が少なくなるように制御
される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ、液
晶表示パネル用のガラス基板、半導体製造用のマスク基
板などの基板（以下、単に「基板」という）を水平に支
持しつつ回転させて、基板の表面にフォトレジスト液な
どの塗布液を塗布する回転塗布装置および回転塗布方法
に関する。
晶表示パネル用のガラス基板、半導体製造用のマスク基
板などの基板（以下、単に「基板」という）を水平に支
持しつつ回転させて、基板の表面にフォトレジスト液な
どの塗布液を塗布する回転塗布装置および回転塗布方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の回転塗布装置では、水平なスピン
チャック上に基板を載置し、さらにその基板の表面にフ
ォトレジスト液などの塗布液を供給した後、あるいは供
給しながら、その基板を搭載した状態のままでスピンチ
ャックを回転させることによって塗布液を拡張離散させ
て、薄膜を基板表面に形成していた。
チャック上に基板を載置し、さらにその基板の表面にフ
ォトレジスト液などの塗布液を供給した後、あるいは供
給しながら、その基板を搭載した状態のままでスピンチ
ャックを回転させることによって塗布液を拡張離散させ
て、薄膜を基板表面に形成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
回転塗布装置では、所望の薄膜を形成するために必要な
最小限程度の量の塗布液を基板表面に供給しただけで
は、基板の表面全体に渡って均一に薄膜を形成すること
ができなかった。
回転塗布装置では、所望の薄膜を形成するために必要な
最小限程度の量の塗布液を基板表面に供給しただけで
は、基板の表面全体に渡って均一に薄膜を形成すること
ができなかった。
【０００４】一方、従来例においても、多量の塗布液を
基板表面に供給すれば、均一な薄膜を形成することがで
きるが、多量の塗布液の使用により薄膜形成にかかるコ
ストが増大するという問題が生じる。
基板表面に供給すれば、均一な薄膜を形成することがで
きるが、多量の塗布液の使用により薄膜形成にかかるコ
ストが増大するという問題が生じる。
【０００５】本発明は、上記課題に鑑み、少量の塗布液
で基板の表面に均一な膜厚を有する薄膜を形成すること
ができる回転塗布装置および回転塗布方法を提供するこ
とを目的とする。
で基板の表面に均一な膜厚を有する薄膜を形成すること
ができる回転塗布装置および回転塗布方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
を回転させて塗布液を塗布する回転塗布装置であって、
上記目的を達成するため、基板を水平に支持しつつ鉛直
軸周りに回転させる回転支持手段と、前記回転支持手段
により水平に支持された基板の上方位置で、前記基板の
表面に沿って移動自在に設けられたノズルと、前記基板
の中央部と周辺部との間で前記基板の表面に沿って前記
ノズルを移動させるノズル駆動手段と、前記ノズルの位
置が前記基板の周辺部から中央部に向かうにしたがって
前記ノズルへの塗布液の流量が少なくなるように、前記
ノズルの移動に応じて前記ノズルへの塗布液の流量を変
化させながら、前記ノズルに塗布液を供給して前記ノズ
ルから前記基板の表面に向けて塗布液を吐出させる流量
制御手段と、を備えている。
を回転させて塗布液を塗布する回転塗布装置であって、
上記目的を達成するため、基板を水平に支持しつつ鉛直
軸周りに回転させる回転支持手段と、前記回転支持手段
により水平に支持された基板の上方位置で、前記基板の
表面に沿って移動自在に設けられたノズルと、前記基板
の中央部と周辺部との間で前記基板の表面に沿って前記
ノズルを移動させるノズル駆動手段と、前記ノズルの位
置が前記基板の周辺部から中央部に向かうにしたがって
前記ノズルへの塗布液の流量が少なくなるように、前記
ノズルの移動に応じて前記ノズルへの塗布液の流量を変
化させながら、前記ノズルに塗布液を供給して前記ノズ
ルから前記基板の表面に向けて塗布液を吐出させる流量
制御手段と、を備えている。
【０００７】請求項２の発明は、前記流量制御手段を、
並列配置され、それぞれが前記ノズルに向けて塗布液を
圧送する複数の圧送手段と、前記ノズルの移動に応じて
前記複数の圧送手段を選択的に駆動して、前記ノズルに
供給される塗布液の流量を調整する調整手段と、で構成
している。
並列配置され、それぞれが前記ノズルに向けて塗布液を
圧送する複数の圧送手段と、前記ノズルの移動に応じて
前記複数の圧送手段を選択的に駆動して、前記ノズルに
供給される塗布液の流量を調整する調整手段と、で構成
している。
【０００８】請求項３の発明は、基板を回転させて塗布
液を塗布する回転塗布方法であって、上記目的を達成す
るため、基板の表面に向けて塗布液を吐出するノズルを
前記基板の上方位置で、前記基板の中央部と周辺部との
間を前記基板の表面に沿って移動させるとともに、前記
ノズルの位置が前記基板の周辺部から中央部に向かうに
したがって前記ノズルへの塗布液の流量が少なくなるよ
うに、前記ノズルの移動に応じて前記ノズルへの塗布液
の流量を変化させながら、前記ノズルに塗布液を供給し
て前記ノズルから前記基板の表面に向けて塗布液を吐出
している。
液を塗布する回転塗布方法であって、上記目的を達成す
るため、基板の表面に向けて塗布液を吐出するノズルを
前記基板の上方位置で、前記基板の中央部と周辺部との
間を前記基板の表面に沿って移動させるとともに、前記
ノズルの位置が前記基板の周辺部から中央部に向かうに
したがって前記ノズルへの塗布液の流量が少なくなるよ
うに、前記ノズルの移動に応じて前記ノズルへの塗布液
の流量を変化させながら、前記ノズルに塗布液を供給し
て前記ノズルから前記基板の表面に向けて塗布液を吐出
している。
【０００９】この発明では、上記のように、ノズルの位
置（塗布液の供給位置）に応じてノズルへの塗布液の流
量を変化させているが、その理由は基板各部における塗
布液の必要量が相違することに起因する。すなわち、基
板の周辺部では塗布液を供給すべき面積が比較的広いの
に対して、その中央部では比較的狭いため、これに対応
して基板の周辺部に比較的多くの塗布液を供給するとと
もに、基板の中央部に比較的少ない塗布液を供給してい
る。このように塗布液を基板に供給することで、基板全
体に渡って薄膜を均一に形成するために必要な塗布液が
各部に応じて適量供給される。
置（塗布液の供給位置）に応じてノズルへの塗布液の流
量を変化させているが、その理由は基板各部における塗
布液の必要量が相違することに起因する。すなわち、基
板の周辺部では塗布液を供給すべき面積が比較的広いの
に対して、その中央部では比較的狭いため、これに対応
して基板の周辺部に比較的多くの塗布液を供給するとと
もに、基板の中央部に比較的少ない塗布液を供給してい
る。このように塗布液を基板に供給することで、基板全
体に渡って薄膜を均一に形成するために必要な塗布液が
各部に応じて適量供給される。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、この発明にかかる回転塗
布装置の一の実施の形態を示す図である。この回転塗布
装置は、同図に示すように、スピンチャック１１を備え
ており、このスピンチャック１１の上面で基板Ｗを水平
に吸着保持することができるようになっている。また、
スピンチャック１１の回転軸１２はモータ１３に連結さ
れている。このため、モータ１３を作動させると、スピ
ンチャック１１上に支持された基板Ｗがスピンチャック
１１と一体的に回転軸１２を中心として鉛直軸回りに回
転する。このように、この実施の形態では、スピンチャ
ック１１およびモータ１３により、基板Ｗを水平に支持
しつつ鉛直軸周りに回転させる回転支持手段１０が構成
されている。
布装置の一の実施の形態を示す図である。この回転塗布
装置は、同図に示すように、スピンチャック１１を備え
ており、このスピンチャック１１の上面で基板Ｗを水平
に吸着保持することができるようになっている。また、
スピンチャック１１の回転軸１２はモータ１３に連結さ
れている。このため、モータ１３を作動させると、スピ
ンチャック１１上に支持された基板Ｗがスピンチャック
１１と一体的に回転軸１２を中心として鉛直軸回りに回
転する。このように、この実施の形態では、スピンチャ
ック１１およびモータ１３により、基板Ｗを水平に支持
しつつ鉛直軸周りに回転させる回転支持手段１０が構成
されている。
【００１１】このスピンチャック１１の周囲には、カッ
プ２０が配置されており、後述するようにしてスピンチ
ャック１１上の基板Ｗにフォトレジスト液（塗布液）を
回転塗布する際に飛散する余分のフォトレジスト液を補
集し、所定のドレンタンク（図示省略）に回収する。
プ２０が配置されており、後述するようにしてスピンチ
ャック１１上の基板Ｗにフォトレジスト液（塗布液）を
回転塗布する際に飛散する余分のフォトレジスト液を補
集し、所定のドレンタンク（図示省略）に回収する。
【００１２】この回転塗布装置では、スピンチャック１
１により水平支持された基板Ｗの上方位置で、基板Ｗの
表面に沿って移動自在にノズル３０が設けられている。
このノズル３０には、ノズル駆動部４０が連結されてお
り、装置全体を制御する制御部５０からの指令にしたが
ってノズル駆動部４０を作動させることで、ノズル３０
が基板Ｗの中央部と周辺部との間で基板Ｗの表面に沿っ
て移動するとともに、必要に応じてカップ２０外の退避
位置にも移動できるように構成されている。
１により水平支持された基板Ｗの上方位置で、基板Ｗの
表面に沿って移動自在にノズル３０が設けられている。
このノズル３０には、ノズル駆動部４０が連結されてお
り、装置全体を制御する制御部５０からの指令にしたが
ってノズル駆動部４０を作動させることで、ノズル３０
が基板Ｗの中央部と周辺部との間で基板Ｗの表面に沿っ
て移動するとともに、必要に応じてカップ２０外の退避
位置にも移動できるように構成されている。
【００１３】また、この回転塗布装置では、弁６１と圧
送部６２とを直列接続してなる圧送ユニットが３組並列
配置されており、これらの圧送ユニット６０Ａ，６０
Ｂ，６０Ｃを介してノズル３０がフォトレジスト液を貯
溜したタンク７０に連結されている。
送部６２とを直列接続してなる圧送ユニットが３組並列
配置されており、これらの圧送ユニット６０Ａ，６０
Ｂ，６０Ｃを介してノズル３０がフォトレジスト液を貯
溜したタンク７０に連結されている。
【００１４】図２は圧送部６２を示す図である。この圧
送部６２は、同図に示すように、伸縮自在なベローズ６
３を備えている。このベローズ６３の一方端には、フォ
トレジスト液の通路となるパイプ部６４が連結されると
ともに、その他方端にはＸ方向に伸びた長尺プレート６
５が接続されている。この長尺プレート６５からＸ方向
と直交するＹ方向にガイドロッド６６が伸びており、装
置本体（図示省略）に固定されたガイド６７に支持され
ながら長尺プレート６５とともに一体的にＹ方向に移動
自在となっている。また、長尺プレート６５には、Ｘ方
向に伸びる長孔６５ａが形成されている。そして、この
長孔６５ａにリンク６８の一方端６８ａが遊挿されてお
り、長孔６５ａに沿ってＸ方向に摺動自在となってい
る。このリンク６８の他方端６８ｂは正逆回転可能のモ
ータ６９の回転軸に連結されている。このため、制御部
５０からの指令にしたがってモータ６９をＺ方向に所定
の角度範囲で正逆回転駆動すると、それに応じてリンク
６８の一方端６８ａが長孔６５ａに沿って往復摺動し、
それに応じて長尺プレート６５がＹ方向に往復運動す
る。その結果、ベローズ６３が伸縮してフォトレジスト
液をタンク７０からノズル３０側に圧送する。
送部６２は、同図に示すように、伸縮自在なベローズ６
３を備えている。このベローズ６３の一方端には、フォ
トレジスト液の通路となるパイプ部６４が連結されると
ともに、その他方端にはＸ方向に伸びた長尺プレート６
５が接続されている。この長尺プレート６５からＸ方向
と直交するＹ方向にガイドロッド６６が伸びており、装
置本体（図示省略）に固定されたガイド６７に支持され
ながら長尺プレート６５とともに一体的にＹ方向に移動
自在となっている。また、長尺プレート６５には、Ｘ方
向に伸びる長孔６５ａが形成されている。そして、この
長孔６５ａにリンク６８の一方端６８ａが遊挿されてお
り、長孔６５ａに沿ってＸ方向に摺動自在となってい
る。このリンク６８の他方端６８ｂは正逆回転可能のモ
ータ６９の回転軸に連結されている。このため、制御部
５０からの指令にしたがってモータ６９をＺ方向に所定
の角度範囲で正逆回転駆動すると、それに応じてリンク
６８の一方端６８ａが長孔６５ａに沿って往復摺動し、
それに応じて長尺プレート６５がＹ方向に往復運動す
る。その結果、ベローズ６３が伸縮してフォトレジスト
液をタンク７０からノズル３０側に圧送する。
【００１５】各圧送ユニット６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃの
圧送部６２は、同一構成を有しており、制御部５０に設
けられた調整部（図示省略）からの指令信号によりそれ
ぞれを独立して駆動することができるようになってい
る。このため、これらの圧送ユニット６０Ａ，６０Ｂ，
６０Ｃの圧送部６２を選択的に駆動することにより、ノ
ズル３０へのフォトレジスト液の流量を調整することが
できる。なお、その選択駆動については後で詳述する。
圧送部６２は、同一構成を有しており、制御部５０に設
けられた調整部（図示省略）からの指令信号によりそれ
ぞれを独立して駆動することができるようになってい
る。このため、これらの圧送ユニット６０Ａ，６０Ｂ，
６０Ｃの圧送部６２を選択的に駆動することにより、ノ
ズル３０へのフォトレジスト液の流量を調整することが
できる。なお、その選択駆動については後で詳述する。
【００１６】このように、この実施の形態では、圧送ユ
ニット６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃと制御部５０の一部（調
整部）とで流量制御手段が構成されている。なお、圧送
ユニットの個数やノズル３０へのフォトレジスト液の流
量制御手段については、これに限定されるものではな
く、例えばタンク７０とノズル３０との間に流量制御弁
を設け、当該弁の開閉度合を制御することで流量を連続
的に制御するようにしてもよい。
ニット６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃと制御部５０の一部（調
整部）とで流量制御手段が構成されている。なお、圧送
ユニットの個数やノズル３０へのフォトレジスト液の流
量制御手段については、これに限定されるものではな
く、例えばタンク７０とノズル３０との間に流量制御弁
を設け、当該弁の開閉度合を制御することで流量を連続
的に制御するようにしてもよい。
【００１７】次に、上記のように構成された回転塗布装
置の動作について図３を参照しつつ説明する。
置の動作について図３を参照しつつ説明する。
【００１８】まず、スピンチャック１１上に基板（例え
ばφ８インチの半導体ウエハ）Ｗを載置した後、図示を
省略する吸引源からの吸引により基板Ｗを吸着保持す
る。このとき、すべての圧送ユニット６０Ａ，６０Ｂ，
６０Ｃを停止状態（弁６１を閉じるとともに、モータ６
９を停止させた状態）に維持しておく。
ばφ８インチの半導体ウエハ）Ｗを載置した後、図示を
省略する吸引源からの吸引により基板Ｗを吸着保持す
る。このとき、すべての圧送ユニット６０Ａ，６０Ｂ，
６０Ｃを停止状態（弁６１を閉じるとともに、モータ６
９を停止させた状態）に維持しておく。
【００１９】そして、ノズル３０を基板Ｗの上方位置
で、しかも基板Ｗの周辺部に対応する位置に位置決めし
た（同図(a)）後、ノズル３０を基板Ｗの中央部に向け
て移動を開始する。これと同時に、制御部５０からすべ
ての圧送ユニット６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃに動作指令を
与えて動作状態（弁６１を開くとともに、モータ６９を
駆動させた状態）にする。これにより、各圧送ユニット
６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃからフォトレジスト液がノズル
３０に供給され、ノズル３０から比較的多量のフォトレ
ジスト液が基板Ｗの表面の周辺部に向けて吐出される。
で、しかも基板Ｗの周辺部に対応する位置に位置決めし
た（同図(a)）後、ノズル３０を基板Ｗの中央部に向け
て移動を開始する。これと同時に、制御部５０からすべ
ての圧送ユニット６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃに動作指令を
与えて動作状態（弁６１を開くとともに、モータ６９を
駆動させた状態）にする。これにより、各圧送ユニット
６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃからフォトレジスト液がノズル
３０に供給され、ノズル３０から比較的多量のフォトレ
ジスト液が基板Ｗの表面の周辺部に向けて吐出される。
【００２０】同図（ａ）の破線で示すように、ノズル３
０が中心部側にある程度移動すると、制御部５０からの
停止指令にしたがって圧送ユニット６０Ｃが動作状態か
ら停止状態となり、圧送ユニット６０Ｃが停止した分だ
け、ノズル３０へのフォトレジスト液の流量が減少す
る。
０が中心部側にある程度移動すると、制御部５０からの
停止指令にしたがって圧送ユニット６０Ｃが動作状態か
ら停止状態となり、圧送ユニット６０Ｃが停止した分だ
け、ノズル３０へのフォトレジスト液の流量が減少す
る。
【００２１】また、同図（ａ）の１点鎖線で示すよう
に、ノズル３０が移動して基板Ｗの中央部に近づくと、
圧送ユニット６０Ｂも停止して、圧送ユニット６０Ａか
らのみフォトレジスト液がノズル３０側に圧送されるこ
ととなり、ノズル３０へのフォトレジスト液の流量は比
較的少なくなる。
に、ノズル３０が移動して基板Ｗの中央部に近づくと、
圧送ユニット６０Ｂも停止して、圧送ユニット６０Ａか
らのみフォトレジスト液がノズル３０側に圧送されるこ
ととなり、ノズル３０へのフォトレジスト液の流量は比
較的少なくなる。
【００２２】さらに、同図（ａ）の２点鎖線に示すよう
に、ノズル３０が移動して中央部を通過すると、圧送ユ
ニット６０Ａも停止状態となり、ノズル３０へのフォト
レジスト液の供給が停止される。
に、ノズル３０が移動して中央部を通過すると、圧送ユ
ニット６０Ａも停止状態となり、ノズル３０へのフォト
レジスト液の供給が停止される。
【００２３】このように、この実施の態様では、ノズル
３０の位置（フォトレジスト液の供給位置）に応じてノ
ズル３０へのフォトレジスト液の流量を変化させて、フ
ォトレジスト液を供給すべき面積が比較的広い基板の周
辺部には、フォトレジスト液を比較的多く吐出するとと
もに、フォトレジスト液を供給すべき面積が比較的狭い
基板の中央部には、フォトレジスト液を比較的少なく吐
出しており、基板全体に渡って薄膜を均一に形成するた
めに必要なフォトレジスト液が各部に応じて適量供給さ
れる。
３０の位置（フォトレジスト液の供給位置）に応じてノ
ズル３０へのフォトレジスト液の流量を変化させて、フ
ォトレジスト液を供給すべき面積が比較的広い基板の周
辺部には、フォトレジスト液を比較的多く吐出するとと
もに、フォトレジスト液を供給すべき面積が比較的狭い
基板の中央部には、フォトレジスト液を比較的少なく吐
出しており、基板全体に渡って薄膜を均一に形成するた
めに必要なフォトレジスト液が各部に応じて適量供給さ
れる。
【００２４】こうして基板Ｗの表面へのフォトレジスト
液の供給が完了すると、ノズル３０をカップ２０外の退
避位置に退避させた後、基板Ｗを回転させてフォトレジ
スト液を基板Ｗの表面全体に広げ、均一な薄膜を形成す
る。
液の供給が完了すると、ノズル３０をカップ２０外の退
避位置に退避させた後、基板Ｗを回転させてフォトレジ
スト液を基板Ｗの表面全体に広げ、均一な薄膜を形成す
る。
【００２５】このように基板の各部に応じてフォトレジ
スト液の量を調整しているので、中心部に過剰のフォト
レジスト液を供給することなく、しかも各部に均一な膜
厚の薄膜を形成するのに必要なフォトレジスト液が供給
される。その結果、少量のフォトレジスト液で基板の表
面に均一な膜厚を有する薄膜を形成することができる。
スト液の量を調整しているので、中心部に過剰のフォト
レジスト液を供給することなく、しかも各部に均一な膜
厚の薄膜を形成するのに必要なフォトレジスト液が供給
される。その結果、少量のフォトレジスト液で基板の表
面に均一な膜厚を有する薄膜を形成することができる。
【００２６】なお、上記実施の形態では、ノズル３０を
基板Ｗの周辺部から中央部側に移動させながらフォトレ
ジスト液を基板Ｗの表面に向けて吐出しているが、ノズ
ル３０の移動方向を逆にしてもよく、この場合ノズル３
０が中央部に位置しているときに１つの圧送ユニット６
０Ａのみを動作状態にしておき、ノズル３０の移動とと
もに残りの圧送ユニット６０Ｂ，６０Ｃを順次動作させ
る。
基板Ｗの周辺部から中央部側に移動させながらフォトレ
ジスト液を基板Ｗの表面に向けて吐出しているが、ノズ
ル３０の移動方向を逆にしてもよく、この場合ノズル３
０が中央部に位置しているときに１つの圧送ユニット６
０Ａのみを動作状態にしておき、ノズル３０の移動とと
もに残りの圧送ユニット６０Ｂ，６０Ｃを順次動作させ
る。
【００２７】また、上記実施の形態では、図３(c)に示
すように、流量をノズル３０の移動に伴ってステップ状
に変化させているが、連続的に変化させるようにしても
よい。
すように、流量をノズル３０の移動に伴ってステップ状
に変化させているが、連続的に変化させるようにしても
よい。
【００２８】さらに、上記実施の形態では、基板Ｗを停
止させた状態でフォトレジスト液を供給させているが、
基板Ｗを回転させながらフォトレジスト液を供給するよ
うにしてもよいことはいうまでもない。
止させた状態でフォトレジスト液を供給させているが、
基板Ｗを回転させながらフォトレジスト液を供給するよ
うにしてもよいことはいうまでもない。
【００２９】
【実施例】上記実施の形態にかかる回転塗布装置（回転
塗布方法）により、基板Ｗの１枚当たりのフォトレジス
ト液の塗布において、例えば２ｃｃのフォトレジスト液
が節約できる。ここで、現在における当該分野の平均的
条件を勘案すると、フォトレジスト液の価格が１ｃｃ当
たり２０円程度であり、基板（φ８インチの半導体ウエ
ハ）Ｗの一日当たりの平均処理枚数が１４４０枚であ
り、しかも１年間の平均稼動日数が３５０日であるの
で、１年間に節約されるのは、２０（円／ｃｃ）×２
（ｃｃ／枚数）×１４４０（枚数／日）×３５０（日）
＝２０１６万円にもなる。
塗布方法）により、基板Ｗの１枚当たりのフォトレジス
ト液の塗布において、例えば２ｃｃのフォトレジスト液
が節約できる。ここで、現在における当該分野の平均的
条件を勘案すると、フォトレジスト液の価格が１ｃｃ当
たり２０円程度であり、基板（φ８インチの半導体ウエ
ハ）Ｗの一日当たりの平均処理枚数が１４４０枚であ
り、しかも１年間の平均稼動日数が３５０日であるの
で、１年間に節約されるのは、２０（円／ｃｃ）×２
（ｃｃ／枚数）×１４４０（枚数／日）×３５０（日）
＝２０１６万円にもなる。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、基板
の表面に向けて塗布液を吐出するノズルを前記基板の上
方位置で、前記基板の中央部と周辺部との間を前記基板
の表面に沿って移動させるとともに、前記ノズルの位置
が前記基板の周辺部から中央部に向かうにしたがって前
記ノズルへの塗布液の流量が少なくなるように、前記ノ
ズルの移動に応じて前記ノズルへの塗布液の流量を変化
させているので、基板全体に渡って薄膜を均一に形成す
るために必要な塗布液を各部に応じて適量供給すること
ができ、その結果、少量の塗布液で基板の表面に均一な
膜厚を有する薄膜を形成することができる。
の表面に向けて塗布液を吐出するノズルを前記基板の上
方位置で、前記基板の中央部と周辺部との間を前記基板
の表面に沿って移動させるとともに、前記ノズルの位置
が前記基板の周辺部から中央部に向かうにしたがって前
記ノズルへの塗布液の流量が少なくなるように、前記ノ
ズルの移動に応じて前記ノズルへの塗布液の流量を変化
させているので、基板全体に渡って薄膜を均一に形成す
るために必要な塗布液を各部に応じて適量供給すること
ができ、その結果、少量の塗布液で基板の表面に均一な
膜厚を有する薄膜を形成することができる。
【図１】この発明にかかる回転塗布装置の一の実施の形
態を示す図である。
態を示す図である。
【図２】圧送部を示す図である。
【図３】図１の回転塗布装置の動作を示す図である。
１０ 回転支持手段 １１ スピンチャック １３ モータ ３０ ノズル ４０ ノズル駆動部 ５０ 制御部 ６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃ 圧送ユニット ６２ 圧送部 Ｗ 基板
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｄ
Claims (3)
- 【請求項１】 基板を回転させて塗布液を塗布する回転
塗布装置において、 基板を水平に支持しつつ鉛直軸周りに回転させる回転支
持手段と、 前記回転支持手段により水平に支持された基板の上方位
置で、前記基板の表面に沿って移動自在に設けられたノ
ズルと、 前記基板の中央部と周辺部との間で前記基板の表面に沿
って前記ノズルを移動させるノズル駆動手段と、 前記ノズルの位置が前記基板の周辺部から中央部に向か
うにしたがって前記ノズルへの塗布液の流量が少なくな
るように、前記ノズルの移動に応じて前記ノズルへの塗
布液の流量を変化させながら、前記ノズルに塗布液を供
給して前記ノズルから前記基板の表面に向けて塗布液を
吐出させる流量制御手段と、を備えたことを特徴とする
回転塗布装置。 - 【請求項２】 前記流量制御手段が、 並列配置され、それぞれが前記ノズルに向けて塗布液を
圧送する複数の圧送手段と、 前記ノズルの移動に応じて前記複数の圧送手段を選択的
に駆動して、前記ノズルに供給される塗布液の流量を調
整する調整手段と、を備える請求項１記載の回転塗布装
置。 - 【請求項３】 基板を回転させて塗布液を塗布する回転
塗布方法において、 基板の表面に向けて塗布液を吐出するノズルを前記基板
の上方位置で、前記基板の中央部と周辺部との間を前記
基板の表面に沿って移動させるとともに、前記ノズルの
位置が前記基板の周辺部から中央部に向かうにしたがっ
て前記ノズルへの塗布液の流量が少なくなるように、前
記ノズルの移動に応じて前記ノズルへの塗布液の流量を
変化させながら、前記ノズルに塗布液を供給して前記ノ
ズルから前記基板の表面に向けて塗布液を吐出すること
を特徴とする回転塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25993395A JPH0999265A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 回転塗布装置および回転塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25993395A JPH0999265A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 回転塗布装置および回転塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0999265A true JPH0999265A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=17340949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25993395A Abandoned JPH0999265A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 回転塗布装置および回転塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0999265A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002015984A (ja) * | 2000-04-27 | 2002-01-18 | Toshiba Corp | 成膜方法 |
| JP2003117477A (ja) * | 2001-10-18 | 2003-04-22 | Ckd Corp | 液膜形成方法 |
| KR100519539B1 (ko) * | 1998-03-26 | 2005-12-21 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 코팅 장치 및 방법 |
| JP2010272682A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 電子部品の製造装置及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-10-06 JP JP25993395A patent/JPH0999265A/ja not_active Abandoned
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100519539B1 (ko) * | 1998-03-26 | 2005-12-21 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 코팅 장치 및 방법 |
| JP2002015984A (ja) * | 2000-04-27 | 2002-01-18 | Toshiba Corp | 成膜方法 |
| JP2003117477A (ja) * | 2001-10-18 | 2003-04-22 | Ckd Corp | 液膜形成方法 |
| JP2010272682A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 電子部品の製造装置及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040217 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20040322 |