KR100384113B1 - 고주파 저항-커패시터 복합 칩 및 그 제조 방법 - Google Patents
고주파 저항-커패시터 복합 칩 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100384113B1 KR100384113B1 KR10-2000-0066176A KR20000066176A KR100384113B1 KR 100384113 B1 KR100384113 B1 KR 100384113B1 KR 20000066176 A KR20000066176 A KR 20000066176A KR 100384113 B1 KR100384113 B1 KR 100384113B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resistance
- parallel
- capacitor
- sheet
- resistive
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 49
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 22
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 claims 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 abstract description 6
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0641—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type
- H01L27/0676—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type comprising combinations of diodes, or capacitors or resistors
- H01L27/0682—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type comprising combinations of diodes, or capacitors or resistors comprising combinations of capacitors and resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5386—Geometry or layout of the interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Geometry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
Description
Claims (20)
- 병렬 RC 결합 칩 소자에 있어서,전류 흐름의 방향이 소정 각도로 꺾이도록 소정 각도로 꺾인 저항 패턴이 설계된 저항 성분을 복수층 적층하되, 적층된 상하부층의 저항 성분에서 전류 흐름이 동일 위치에서 소정 각도로 꺾이도록 상하부층의 저항 패턴이 반대 방향으로 소정 각도로 꺾인 저항 패턴으로 설계된 저항 성분층과 적층 커패시터 성분을 단일 칩으로 설계한 병렬 RC 결합 칩 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 저항 패턴은 연속하여 180도 또는 90도로 꺾여 설계된 것을 특징으로 하는 병렬 RC 결합 칩 소자.
- 원하는 특성을 가지는 소자용 세라믹 시트를 적어도 두 층 이상 적층한 소체, 저항 패턴을 복수층 적층한 저항 성분층, 세라믹 시트 위에 내부 도전 전극을 형성하되 인접한 층의 내부 전극의 전류 흐름이 반대가 되도록 형성한 커패시터층, 상기의 저항 성분층과 커패시터층이 적층된 소체의 끝단에 형성되어 저항 패턴 및 커패시터 내부전극과 연결되는 외부 전극으로 구성되는 병렬 RC 결합 칩 소자에 있어서,상기 저항 성분층은 상기 세라믹 시트 위에 전류 흐름의 방향이 소정 각도로 꺾이도록 소정 각도로 꺾인 저항 패턴을 형성한 것을 적층하되, 적층된 상하부층의 저항 성분에서 전류 흐름이 동일 위치에서 소정 각도로 꺾이도록 상하부층의 저항 패턴이 반대 방향으로 소정 각도로 꺾인 저항 패턴으로 설계된 것을 특징으로 하는 병렬 RC 결합 칩 소자.
- 제 3항에 있어서, 상기의 커패시터층의 내부전극은 교호로 배치되어 한쪽의 외부 전극과 연결됨을 특징으로 하는 병렬 RC 결합 칩 소자.
- 제 3항에 있어서, 상기의 커패시터층의 내부 전극은 관통홀을 통해 일방 외부 단자와 연결되는 두 개층이 연결되고 이 두 층 사이에 타방 외부 단자와 연결되는 내부 전극이 형성되어 인접한 층의 내부 전극의 전류 흐름이 반대가 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 병렬 RC 결합 칩 소자.
- 제 3항에 있어서, 상기의 저항 패턴은 연속하여 180도 또는 90도로 꺾여 설계된 것을 특징으로 하는 병렬 RC 결합 칩 소자.
- 제 1 항, 제 3 항 중 한 항에 있어서, 상기의 저항 패턴은 저항성 페이스트를 인쇄하여 제조된 것을 특징으로 하는 병렬 RC 결합 칩 소자.
- 제 1 항, 제 3 항 중 한 항에 있어서, 상기의 저항 성분의 저항값을 조절하기 위해 저항성 페이스트의 저항을 조절하거나, 저항 성분의 면적을 조절하는 것을 특징으로 하는 병렬 RC 결합 칩 소자.
- 제 1 항, 제 3 항 중 한 항에 있어서, 상기의 병렬 RC 결합 칩을 두 층 이상 적층하여 복수 개의 칩이 반복된 에레이 형태의 병렬 RC 결합 칩 소자.
- 제 1항, 제 3항 중 한항에 있어서 상기의 병렬 RC 결합칩 혹은 단일저항(R)의 구조가 내장된 다중칩모듈(MCM)소자.
- 소정 조성의 슬러리를 이용하여 세라믹 시트를 제조하는 단계, 상기의 세라믹 시트 위에 저항 패턴을 인쇄하는 단계, 상기의 세라믹 시트 위에 전극 페이스트를 인쇄하여 커패시터용 내부전극을 형성하는 단계, 상기의 저항 성분이 인쇄된 시트와 커패시터 내부전극이 인쇄된 성형 시트를 각각 두층 이상 적층하여 저항 성분과 커패시터 성분이 병렬로 배치된 적층물을 형성하는 단계, 상기의 적층물을 열처리하여 소성하는 단계, 상기 적층물의 양끝단부에 저항 패턴 및 커패시터 내부전극과 연결되는 외부전극을 형성하는 단계로 이루어지는 병렬 RC 결합 칩 소자의 제조 방법에 있어서,상기 저항 패턴을 인쇄하는 단계는 세라믹 시트 위에 전류 흐름의 방향이 소정 각도로 꺾이도록 소정 각도로 꺾인 제1 저항 패턴을 인쇄하는 단계와, 세라믹 시트 위에 제1저항 패턴과 반대 방향으로 소정 각도로 꺾인 제 2 저항 패턴을 인쇄하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 병렬 RC 결합 칩 소자의 제조 방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 커패시터용 내부전극을 형성하는 단계는 세라믹 시트 위에 전극 페이스트를 교호로 인쇄하는 것을 특징으로 하는 병렬 RC 결합 칩 소자의 제조 방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 커패시터용 내부전극을 인쇄하는 단계는 상기 세라믹 시트를 관통하는 복수개의 관통홀을 형성하는 단계와 전극 페이스트를 원하는 형태로 관통홀과 시트 위에 인쇄하여 시트 위 또는 관통홀 내에 커패시터용 내부전극을 형성하는 단계로 구성되며, 적층물을 형성하는 단계에서 상기의 저항 성분이 인쇄된 시트와 커패시터 내부전극이 인쇄된 성형 시트를 각각 두층 이상 적층한 후 적층된 커패시터용 시트의 내부전극을 관통홀을 통해 연결시켜 인접한 층의 내부전극의 전류 흐름이 반대가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 병렬 RC 결합 칩 소자의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기의 저항 패턴은 연속하여 180도 또는 90도로 꺾여 인쇄되는 것을 특징으로 하는 병렬 RC 결합 칩 소자의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기의 저항 패턴은 저항성 페이스트를 인쇄하여 제조된 것을 특징으로 하는 병렬 RC 결합 칩 소자의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기의 칩 저항 소자를 2개 이상 반복하여 적층하여 제조한 것을 특징으로 하는 어레이형 병렬 RC 결합 칩 소자의 제조 방법.
- 제 15항에 있어서, 상기의 저항 성분의 저항값을 조절하기 위해 저항성 페이스트의 저항을 조절하는 것을 특징으로 하는 병렬 RC 결합 칩 소자의 제조 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2000-0066176A KR100384113B1 (ko) | 2000-11-08 | 2000-11-08 | 고주파 저항-커패시터 복합 칩 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2000-0066176A KR100384113B1 (ko) | 2000-11-08 | 2000-11-08 | 고주파 저항-커패시터 복합 칩 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010016121A KR20010016121A (ko) | 2001-03-05 |
KR100384113B1 true KR100384113B1 (ko) | 2003-05-14 |
Family
ID=19697896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2000-0066176A KR100384113B1 (ko) | 2000-11-08 | 2000-11-08 | 고주파 저항-커패시터 복합 칩 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100384113B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100714608B1 (ko) * | 2004-12-03 | 2007-05-07 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07200079A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Murata Mfg Co Ltd | 高電圧発生装置 |
JPH1167508A (ja) * | 1997-08-19 | 1999-03-09 | Mitsubishi Materials Corp | 複合素子及びその製造方法 |
JP2000082605A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Mitsubishi Materials Corp | 温度補償回路 |
KR20000024339A (ko) * | 2000-02-09 | 2000-05-06 | 박호근 | 고주파 저인덕턴스형 적층 칩 부품 및 그 제조 방법 |
JP2000151325A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 積層チップ型ノイズフィルタ及びその製造方法 |
KR20000049951A (ko) * | 2000-05-09 | 2000-08-05 | 박호근 | 고주파 저항-커패시터 복합 칩 및 그 제조 방법 |
-
2000
- 2000-11-08 KR KR10-2000-0066176A patent/KR100384113B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07200079A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Murata Mfg Co Ltd | 高電圧発生装置 |
JPH1167508A (ja) * | 1997-08-19 | 1999-03-09 | Mitsubishi Materials Corp | 複合素子及びその製造方法 |
JP2000082605A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Mitsubishi Materials Corp | 温度補償回路 |
JP2000151325A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 積層チップ型ノイズフィルタ及びその製造方法 |
KR20000024339A (ko) * | 2000-02-09 | 2000-05-06 | 박호근 | 고주파 저인덕턴스형 적층 칩 부품 및 그 제조 방법 |
KR20000049951A (ko) * | 2000-05-09 | 2000-08-05 | 박호근 | 고주파 저항-커패시터 복합 칩 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010016121A (ko) | 2001-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7542264B2 (en) | Capacitor block and laminated board | |
EP0980576A1 (en) | Integrated dual frequency noise attenuator | |
US6038134A (en) | Modular capacitor/inductor structure | |
JP2002025851A (ja) | 低インダクタンス型積層チップおよびその製造方法 | |
KR100384112B1 (ko) | 병렬형 저항-커패시터 복합 칩 및 그 제조 방법 | |
KR100384113B1 (ko) | 고주파 저항-커패시터 복합 칩 및 그 제조 방법 | |
JP4243443B2 (ja) | バラントランス | |
KR100470114B1 (ko) | 저항-커패시터 복합 칩 및 그 제조 방법 | |
KR100368494B1 (ko) | 고주파 저항-커패시터 복합 칩 및 그 제조 방법 | |
JP4525223B2 (ja) | Lc複合フィルタ部品 | |
JP4009178B2 (ja) | ローパスフィルタ | |
WO2002011160A1 (en) | Integrated dual frequency noise attenuator and transient suppressor | |
KR100419241B1 (ko) | 고주파 칩 저항 소자 및 그 제조 방법 | |
KR20000059248A (ko) | 적층형 저항-인덕터 복합 칩 및 그 제조 방법 | |
WO1994022281A1 (en) | Laminated circuit board | |
JP2004350143A (ja) | バラントランス | |
JPH09260144A (ja) | コイル部品およびその製造方法 | |
KR100374506B1 (ko) | 고주파 적층 칩 부품 및 그 제조 방법 | |
KR100372848B1 (ko) | 고주파 저인덕턴스형 적층 칩 부품 및 그 제조 방법 | |
KR20010008321A (ko) | 고주파 적층 칩 부품 및 그 제조 방법 | |
JP2004296927A (ja) | 電子部品収納用配線基板 | |
KR100673537B1 (ko) | 금속상 저온 동시 소성 세라믹 기판 및 그 제작방법 | |
JPH0410674Y2 (ko) | ||
JP2006093996A (ja) | ダイプレクサ | |
KR100848133B1 (ko) | 표면실장형 이엠아이 필터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130430 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140430 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150430 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170428 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180430 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190502 Year of fee payment: 17 |