KR100383248B1 - 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에폭시 수지, 페놀 수지, 경화 촉진제, 커플링제, 무기 충전제, 고무성분 개질제, 난연제, 착색제 및 이형제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 고무성분 개질제로 코어-쉘 구조를 갖는 실리콘과 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체의 그라프트 중합체(SSA)를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이며, 본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 내크랙성과 박리 및 오염에 대한 저항성이 우수하므로, 크랙발생에 의한 반도체 소자의 불량을 해결할 수 있다.

Description

반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물{Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device}
본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에폭시 수지, 페놀 수지, 경화 촉진제, 커플링제, 무기 충전제, 고무성분 개질제, 난연제, 착색제 및 이형제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 고무성분 개질제로 코어-쉘 구조를 갖는 실리콘과 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체의 그라프트 중합체(SSA)를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 반도체의 조립 공정과 운송 및 사용에 있어서 외부 환경에 대한 반도체의 신뢰성을 보장할 수 있어야 한다. 반도체는 그 신뢰성이 매우 중요시되는 제품으로서 솔더도금이나 PCB 상에 실장을 하는 경우에 발생하는 열충격에 대한 내크랙성이 요구되고 있다. 반도체의 내크랙성은 반도체 소자가 점차 소형·박형화되는 추세에 따라 더욱 중요시 되고 있다. 특히, 흡습 후의 내크랙성을 보증하기 위하여 사전조정(preconditioning) 후의 IR 리플로우(reflow)에 대한 내크랙성과 온도 사이클링(temparature cycling) 후의 신뢰성에 대한 보증 데이터를 최종 사용자(end-user)로부터 요구받고 있는 상황이다.
일반적으로 반도체 소자의 내크랙성을 향상시키는 데에는 봉지재의 강도를 높이거나 탄성률을 낮추는 것이 효과적인 것으로 알려져 있다. 봉지재의 강도를 높이고 흡습률을 낮추기 위해서는 무기 충전재의 양을 늘리며, 탄성률을 낮추기 위해서는 무기 충전재의 양을 줄이거나 고무 성분을 첨가한다.
현재는 반도체의 내크랙성을 확보하기 위한 고무 성분으로서 실리콘과 같은 반응성 실록산(functional group terminated siloxane) 화합물을 통상적으로 사용하고 있으나, 내크랙성 확보에 충분한 양으로 실록산 화합물을 첨가할 시에는 패키지의 오염을 초래하는 것으로 알려져 있다. 뿐만 아니라, 실록산의 미반응 관능기가 반도체 소자의 전기적 특성에 예상치 못한 영향을 가져올 수 있고, 봉지재의 주요 성분인 에폭시 수지 또는 페놀 수지와의 상용성이 좋지 않아 균일한 특성을 연속적으로 재현하지 못한다는 단점이 있다.
한편, 반도체의 내크랙성을 확보하기 위한 대안으로서 페놀 수지를 변성시키는 방법(참조: 대한민국 특허공개 제 2000-0020867호) 및 실리콘 오일을 분자량 별로 혼합한 뒤 저분자 에폭시 수지와 선반응 시키는 방법(참조: 대한민국 특허공개 제 1998-057177호) 등이 소개되고 있으나, 아직까지 크랙에 의한 반도체의 불량은 완전히 해결되지 않고 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래기술의 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 일반적인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 고무성분의 개질제로서 코어-쉘 구조를 가지는 실리콘과 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체의 그라프트 중합체(이하, "SSA"라 함)를 첨가하여 봉지재의 탄성율을 낮춤으로써 내크랙성이 향상된 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
즉, 본 발명은 에폭시 수지, 페놀 수지, 경화 촉진제, 커플링제, 무기 충전제, 고무성분 개질제, 난연제, 착색제 및 이형제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 고무성분 개질제로 코어-쉘 구조를 갖는 실리콘과 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체의 그라프트 중합체(SSA)를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공한다.
이하에서 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명은 에폭시 수지, 페놀 수지, 경화 촉진제, 커플링제, 무기 충전제, 고무성분 개질제, 난연제, 착색제 및 이형제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 고무성분 개질제로 코어-쉘 구조를 갖는 실리콘과 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체의 그라프트 중합체(이하, "SSA"라 함)를 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 각각의 구성 성분에 대하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에서 결착제로 사용된 에폭시 수지는 300∼1500의 분자량을 가지며,가장 바람직하게는 고순도의 오르쏘 크레졸 노볼락 수지를 사용한다. 상기 에폭시 수지의 함량은 전체 조성물에 대하여 5.0∼20.0 중량%인 것이 바람직하다. 만일 상기 함량이 5.0 중량% 미만이면 본 발명에서 요구하는 정도의 물성을 얻을 수 없고, 만일 상기 함량이 20.0 중량%를 초과하면 미반응 에폭시기가 다량 발생하고 비경제적이므로 좋지 않다.
본 발명에서 경화제로 사용된 페놀 수지는 200∼1000의 분자량을 가지며, 가장 바람직하게는 페놀 노볼락 수지를 사용한다. 상기 페놀 수지의 함량은 전체 조성물에 대하여 2.5∼10.00 중량%인 것이 바람직하다. 만일 상기 함량이 2.5 중량% 미만이면 경화반응이 충분히 이루어지지 않으며, 만일 상기 함량이 10.0 중량%를 초과하면 봉지재 내에 잔류물이 형성되어 신뢰성이 저하되고 비경제적이므로 좋지 않다.
본 발명에서 사용된 경화촉진제는 상기 에폭시 수지 및 페놀 수지의 경화 반응을 촉진하기 위해서 사용되는 성분으로서, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 트리에틸렌디아민, 디메틸아미노에탄올, 트리(디메틸아미노메틸)페놀 등의 아민계 경화촉진제; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸 등의 이미다졸계 경화촉진제; 및 트리페닐포스핀, 디페닐포스핀, 페닐포스핀 등의 유기 포스핀계 경화촉진제로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 단독으로 또는 혼합하여 사용한다. 상기 경화촉진제의 함량은 전체 조성물에 대하여 0.1∼1.0 중량%인 것이 바람직하다. 만일 상기 함량이 0.1 중량% 미만이면 경화 속도가 느려져서 생산성이 떨어져 좋지 않고, 만일 상기 함량이 1.0 중량%를 초과하면 원하는 경화 특성을 얻을 수 없을 뿐만 아니라 보관 안정성이 나빠져서 좋지 않다.
본 발명에서 사용된 커플링제는 본 발명의 수지 조성물 중의 유, 무기 성분 간의 접착성을 향상시키고자 사용되는 성분으로서, 에폭시 실란, 아미노 실란, 알킬 실란 등의 통상의 커플링제 중 1종 또는 2종 이상을 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 커플링제의 함량은 전체 조성물에 대하여 0.1∼1.0 중량%인 것이 바람직하며, 상기 범위를 벗어나면 본 발명의 목적을 달성할 수 없다.
본 발명에서 사용된 무기 충전제는 봉지재의 강도, 열 전도도 및 열 팽창 계수를 향상시키고자 사용되는 성분으로서, 바람직하게는 평균 입도가 0.1∼35.0㎛인 용융 실리카이다. 상기 무기 충전제의 함량은 전체 조성물에 대하여 70.0∼88.0 중량%인 것이 바람직하다. 만일 상기 함량이 70.0 중량% 미만이면 충분한 강도와 고온에 대한 수치 안정성을 얻을 수 없을 뿐만 아니라, 수분의 침투가 용이해져 고온 솔더 공정에서 팝콘 크랙(popcorn crack)이 발생되어 좋지 않다. 만일 상기 함량이 88.0 중량%를 초과하면 수지 조성물의 유동성이 저하되어 성형성이 나빠질 우려가 있어서 좋지 않다.
본 발명에서 열충격을 완화시키는 개질제로 사용된 SSA는 코어부에 고무의 성질을 가지는 실리콘 고분자가 위치하고, 쉘부에 에폭시 수지와 상용성 또는 반응성을 가지는 스티렌과 아크릴로니트릴의 공중합체가 위치하는, 실리콘과 스티렌-아크로니크릴 공중합체의 그라프트 중합체로서, 이의 일례로는 시판되는 메다프린(삼양로이엔, 일본)을 들 수 있다. 상기 SSA의 함량은 전체 조성물에 대하여 0.1∼5.0 중량%인 것이 바람직하고, 1.0∼3.0 중량%인 것이 보다 바람직하다. 만일 상기 함량이 0.1% 미만이면 적용 효과가 미미하고, 만일 상기 함량이 5.0 중량%를 초과하면 패키지의 오염이 발생하므로 좋지 않다.
상기 SSA와 통상의 실리콘 오일을 병용할 수도 있는데, 이때 SSA의 함량은 전체 조성물에 대하여 0.1∼4.5 중량%인 것이 바람직하고, 실리콘 오일의 함량은 전체 조성물에 대하여 0.1∼0.5 중량%인 것이 바람직하다. 만일, 실리콘 오일의 함량이 0.5 중량%를 초과하면 패키지의 오염이 발생하므로 좋지 않다.
본 발명에서 사용된 난연제는 통상의 유기 난연제, 무기 난연제, 또는 그들의 혼합물이며, 가장 바람직하게는 브로모 에폭시이다. 상기 난연제의 함량은 전체 조성물에 대하여 0.1∼5.0 중량%인 것이 바람직하다. 만일 상기 함량이 0.1 중량% 미만이면 본 발명에서 요구하는 정도의 물성을 얻을 수 없고, 만일 상기 함량이 5.0 중량%를 초과하면 비경제적이므로 좋지 않다.
본 발명에서 사용된 착색제로는 카본블랙, 유기 염료, 무기염료 등의 통상의 착색제 중 1종 또는 2종 이상을 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 착색제의 함량은 전체 조성물에 대하여 0.1∼1.0 중량%인 것이 바람직하다. 만일 상기 함량이 0.1 중량% 미만이면 본 발명에서 요구하는 정도의 물성을 얻을 수 없고, 만일 상기 함량이 1.0 중량%를 초과하면 비경제적이므로 좋지 않다.
본 발명에서 사용된 이형제는 고급 지방산, 고급 지방산 금속염, 에스테르계 왁스 등의 통상의 이형제 중 1종 또는 2종 이상을 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 이형제의 함량은 전체 조성물에 대하여 0.1∼1.0 중량%인 것이 바람직하다. 만일 상기 함량이 0.1 중량% 미만이면 본 발명에서 요구하는 정도의 물성을 얻을 수 없고, 만일 상기 함량이 1.0 중량%를 초과하면 비경제적이므로 좋지 않다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 상술한 성분들을 통상의 헨셀(Hanssel) 믹서 또는 뢰디게(Loedige) 믹서를 이용하여 균일하게 충분히 혼합한 후, 롤밀(roll mill) 또는 니이더(kneader)로 용융혼련하고, 냉각 및 분쇄하는 공정을 거쳐 최종 분말 제품으로서 제조된다.
이와 같이 제조된 에폭시 수지 조성물을 사용하여 반도체 소자를 밀봉하는 방법으로는 저압 트랜스퍼 성형법이 가장 일반적으로 사용되나, 인젝션(injection) 또는 캐스팅(casting) 등의 방법으로도 성형 가능하다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 하나, 이러한 실시예들은 단지 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다.
실시예 및 비교예
하기 표 1에 나타낸 성분들을 공통으로 하고, SSA, 실리콘 오일 및 난연제를 하기 표 2에 나타낸 바와 같이 평량한 후, 모든 성분을 헨셀 믹서로 균일하게 혼합하여 분말 상태의 1차 조성물을 제조하고, 믹싱 2-롤밀을 이용하여 100℃에서 7분간 용융혼련한 다음, 냉각 및 분쇄공정을 거쳐 최종 에폭시 수지 조성물을 제조하였다. 이렇게 하여 얻어진 각각의 에폭시 수지 조성물을 이용하여 44TSOP(thinsmall outline package)를 트랜스퍼 몰딩하고, JEDEC MSL Level 1으로 사전조정(preconditioning)한 후 IR 리플로우 시의 크랙 발생을 확인하였으며, 크랙 발생의 시발점이 되는 박리정도를 측정하였다. 또한, 오염발생 여부를 확인하기 위하여 간이 금형을 이용하여 각각 100 회씩의 트랜스퍼 몰딩을 수행하여, 오염이 발생하기 시작하는 횟수를 측정하였다. 각 에폭시 수지 조성물의 물성평가 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
(단위: 중량%)
오르쏘 크레졸 노볼락 수지 6.68
페놀 노볼락 수지 5.0
경화촉진제 0.12
커플링제 0.1
용융 실리카 82
착색제 0.1
이형제 0.7
SSA(중량%) 실리콘 오일(중량%) 난연제(중량%) 크랙발생 최대박리정도(%) 오염발생시작횟수
실시예 1 0.3 0.3 4.7 0/10 20.7 발생않음
실시예 2 1.0 - 4.3 0/10 6.4 발생않음
실시예 3 2.0 - 3.3 0/10 2.1 발생않음
실시예 4 3.0 - 2.3 0/10 0.8 발생않음
실시예 5 1.0 0.1 4.2 0/10 0.7 발생않음
실시예 6 1.0 0.2 4.1 0/10 0.9 발생않음
실시예 7 1.0 0.3 4.0 0/10 1.0 90
비교예 1 - 0.3 5.0 6/10 49.7 94
비교예 2 - 0.7 4.6 1/10 20.3 51
비교예 3 - 1.1 4.2 0/10 13.1 33
상기 표 2의 결과로부터 알 수 있듯이, SSA를 포함하는 본 발명의 에폭시 수지 조성물을 사용한 경우 크랙이 전혀 발생하지 않았으며, 박리정도가 매우 낮고 오염에 대한 저항성 또한 우수하였다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 내크랙성과 박리 및 오염에 대한 저항성이 우수하므로, 크랙발생에 의한 반도체 소자의 불량을 해결할 수 있다.

Claims (4)

  1. 에폭시 수지, 페놀 수지, 경화 촉진제, 커플링제, 무기 충전제, 고무성분 개질제, 난연제, 착색제 및 이형제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 고무성분 개질제로 코어-쉘 구조를 갖는 실리콘과 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체의 그라프트 중합체(SSA)를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 고무성분 개질제의 함량이 전체 조성물에 대해서 0.1~5.0 중량%인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  3. 제 1항에 있어서,
    실리콘 오일을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 실리콘과 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체의 그라프트 중합체(SSA)의 함량이 0.1∼4.5 중량%이고, 상기 실리콘 오일의 함량이 0.1∼0.5 중량%인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080051524A1 (en) * 2006-08-28 2008-02-28 Henkel Corporation Epoxy-Based Compositions Having Improved Impact Resistance

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR910004645A (ko) * 1989-08-24 1991-03-29 손정삼 신규 안트라사이클린 글리코사이드 유도체
JPH0827252A (ja) * 1994-07-15 1996-01-30 Toshiba Chem Corp エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
KR970008209A (ko) * 1995-07-18 1997-02-24 김광호 반도체 메모리 장치의 퓨즈소거 유무를 확인하기 위한 회로
KR0160161B1 (ko) * 1994-12-30 1999-01-15 김충세 수지밀봉형 반도체장치용 속경화형 에폭시수지 조성물
JPH11100488A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Nitto Denko Corp 半導体装置およびそれに用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物
KR20000046309A (ko) * 1998-12-31 2000-07-25 김충세 신뢰성이 향상된 반도체 봉지용 에폭시 수지조성물
JP2000265042A (ja) * 1999-03-17 2000-09-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR910004645A (ko) * 1989-08-24 1991-03-29 손정삼 신규 안트라사이클린 글리코사이드 유도체
JPH0827252A (ja) * 1994-07-15 1996-01-30 Toshiba Chem Corp エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
KR0160161B1 (ko) * 1994-12-30 1999-01-15 김충세 수지밀봉형 반도체장치용 속경화형 에폭시수지 조성물
KR970008209A (ko) * 1995-07-18 1997-02-24 김광호 반도체 메모리 장치의 퓨즈소거 유무를 확인하기 위한 회로
JPH11100488A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Nitto Denko Corp 半導体装置およびそれに用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物
KR20000046309A (ko) * 1998-12-31 2000-07-25 김충세 신뢰성이 향상된 반도체 봉지용 에폭시 수지조성물
JP2000265042A (ja) * 1999-03-17 2000-09-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置

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