JP2000265042A - 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JP2000265042A JP2000265042A JP7190599A JP7190599A JP2000265042A JP 2000265042 A JP2000265042 A JP 2000265042A JP 7190599 A JP7190599 A JP 7190599A JP 7190599 A JP7190599 A JP 7190599A JP 2000265042 A JP2000265042 A JP 2000265042A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 成形性に優れ、耐湿信頼性及び炭酸ガスレー
ザーマーキング性に優れた半導体封止用樹脂組成物を提
供すること。 【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促
進剤、平均粒径４０μｍ以下の溶融シリカ及び一般式
（Ａ）で示される金属錯塩染料からなることを特徴とす
る半導体封止用樹脂組成物。 【化１】
ザーマーキング性に優れた半導体封止用樹脂組成物を提
供すること。 【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促
進剤、平均粒径４０μｍ以下の溶融シリカ及び一般式
（Ａ）で示される金属錯塩染料からなることを特徴とす
る半導体封止用樹脂組成物。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐湿信頼性及び炭
酸ガスレーザーマーキング性に優れた半導体封止用樹脂
組成物に関するものである。
酸ガスレーザーマーキング性に優れた半導体封止用樹脂
組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】トランジスター、コンデンサー、ダイオ
ード、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体封止用樹脂組成物の着色
剤成分としては、カーボンブラックが広く採用され、更
に半導体装置への印字方法としてはインクによる捺印が
広く用いられてきたが、近年はインク捺印に代わり炭酸
ガスレーザーやＹＡＧレーザーによる半導体装置への印
字も導入され始めてきている。しかし、従来のカーボン
ブラックを含む樹脂組成物で封止された半導体装置の印
字に、炭酸ガスレーザーを用いた場合、発色性が悪く、
鮮明な印字を得ることが困難であった。これを解決する
ために有機アジン系染料を使用することが行われてきた
が、結晶系シリカや平均粒径３０μｍを越える溶融シリ
カでは良好であったが、平均粒径が３０μｍ以下の溶融
シリカではいまだ不十分であった。
ード、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体封止用樹脂組成物の着色
剤成分としては、カーボンブラックが広く採用され、更
に半導体装置への印字方法としてはインクによる捺印が
広く用いられてきたが、近年はインク捺印に代わり炭酸
ガスレーザーやＹＡＧレーザーによる半導体装置への印
字も導入され始めてきている。しかし、従来のカーボン
ブラックを含む樹脂組成物で封止された半導体装置の印
字に、炭酸ガスレーザーを用いた場合、発色性が悪く、
鮮明な印字を得ることが困難であった。これを解決する
ために有機アジン系染料を使用することが行われてきた
が、結晶系シリカや平均粒径３０μｍを越える溶融シリ
カでは良好であったが、平均粒径が３０μｍ以下の溶融
シリカではいまだ不十分であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体封止用樹脂組成
物の炭酸ガスレーザー発色性につき、種々の検討を行っ
た結果、特定の平均粒径以下の溶融シリカと式（Ａ）で
示される金属錯塩染料を用いることにより、成形性、耐
湿信頼性及び炭酸ガスレーザーマーキング性に優れた樹
脂組成物を見いだし、本発明に至ったものである。
物の炭酸ガスレーザー発色性につき、種々の検討を行っ
た結果、特定の平均粒径以下の溶融シリカと式（Ａ）で
示される金属錯塩染料を用いることにより、成形性、耐
湿信頼性及び炭酸ガスレーザーマーキング性に優れた樹
脂組成物を見いだし、本発明に至ったものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、硬化促進剤、平均粒径が４０μｍ
以下の溶融シリカ及び一般式（Ａ）で示される金属錯塩
染料からなることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物
で、より好ましくは平均粒径が３０μｍ以下の溶融シリ
カ、金属錯塩染料（Ａ）を全樹脂組成物中に０．２〜
２．０重量％含む半導体封止用樹脂組成物、及びこれを
用いて半導体素子を封止してなる半導体装置である。
脂、フェノール樹脂、硬化促進剤、平均粒径が４０μｍ
以下の溶融シリカ及び一般式（Ａ）で示される金属錯塩
染料からなることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物
で、より好ましくは平均粒径が３０μｍ以下の溶融シリ
カ、金属錯塩染料（Ａ）を全樹脂組成物中に０．２〜
２．０重量％含む半導体封止用樹脂組成物、及びこれを
用いて半導体素子を封止してなる半導体装置である。
【化２】 （式（Ａ）中のｎは２〜６の整数）
【０００５】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
本発明に用いるエポキシ樹脂は、１分子中に少なくとも
２個以上のエポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、
ポリマー全般を指し、その分子量、分子構造は、特に限
定するものではない。例えばビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル
型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、トリフェノールメ
タン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、
ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等
が挙げられるが、これらに限定されるものではなく、
又、これらエポキシ樹脂は単独もしくは併用しても差し
支えない。本発明に用いるフェノール樹脂は、上記エポ
キシ樹脂と硬化反応を行い、架橋構造を形成することが
できる１分子中に少なくとも２個以上のフェノール性水
酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指
し、その分子量、分子構造は、特に限定するものではな
い。例えばフェノールノボラック樹脂、フェノールアラ
ルキル樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペ
ンタジエン変性フェノール樹脂、ビスフェノールＡ、ト
リフェノールエタン等が挙げられるが、これらに限定さ
れるものではない。これらのフェノール樹脂は単独もし
くは併用しても差し支えない。本発明に用いるエポキシ
樹脂とフェノール樹脂硬化剤の配合割合は、特には限定
しないが、総エポキシ基数／総フェノール性水酸基数で
０．８〜１．３が好ましい。
本発明に用いるエポキシ樹脂は、１分子中に少なくとも
２個以上のエポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、
ポリマー全般を指し、その分子量、分子構造は、特に限
定するものではない。例えばビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル
型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、トリフェノールメ
タン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、
ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等
が挙げられるが、これらに限定されるものではなく、
又、これらエポキシ樹脂は単独もしくは併用しても差し
支えない。本発明に用いるフェノール樹脂は、上記エポ
キシ樹脂と硬化反応を行い、架橋構造を形成することが
できる１分子中に少なくとも２個以上のフェノール性水
酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指
し、その分子量、分子構造は、特に限定するものではな
い。例えばフェノールノボラック樹脂、フェノールアラ
ルキル樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペ
ンタジエン変性フェノール樹脂、ビスフェノールＡ、ト
リフェノールエタン等が挙げられるが、これらに限定さ
れるものではない。これらのフェノール樹脂は単独もし
くは併用しても差し支えない。本発明に用いるエポキシ
樹脂とフェノール樹脂硬化剤の配合割合は、特には限定
しないが、総エポキシ基数／総フェノール性水酸基数で
０．８〜１．３が好ましい。
【０００６】硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェ
ノール樹脂との架橋反応を促進するものであり、例え
ば、トリフェニルホスフィン等の有機リン化合物、１，
８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等の
アミン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾ
ール化合物等が挙げられる。これらの硬化促進剤は単独
もしくは併用しても差し支えない。半導体封止用樹脂組
成物に用いられる無機質充填材としては、一般に溶融シ
リカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素等があり、破砕
状、球状のものがある。本発明に用いる無機充填材とし
ては、溶融シリカの平均粒径４０μｍ以下のもので、よ
り好ましくは、平均粒径３０μｍ以下のものである。こ
れは、着色剤として有機アジン系染料と平均粒径３０μ
ｍ以下の溶融シリカを含む樹脂組成物を用いて封止した
半導体装置に炭酸ガスレーザーマーキングをした場合、
発色性が不十分となる欠点があり、この欠点を解決する
のに最適であることによる。溶融シリカの平均粒径が、
４０μｍを越えると流動性が劣り、未充填不良が発生す
るので好ましくない。本発明の溶融シリカの最大粒径と
しは、流動性、充填性等から１５０μｍ以下、より好ま
しくは１００μｍ以下である。溶融シリカの配合量は、
成形性と信頼性とのバランスから全樹脂組成物中に６５
〜９０重量％が好ましい。特に溶融シリカの多い配合で
は、球状溶融シリカを用いるのが好ましい。平均粒径
が、４０μｍを越えると炭酸ガスレーザーマーキング性
は良好であるが、流動性は乏しく未充填が発生する。
ノール樹脂との架橋反応を促進するものであり、例え
ば、トリフェニルホスフィン等の有機リン化合物、１，
８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等の
アミン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾ
ール化合物等が挙げられる。これらの硬化促進剤は単独
もしくは併用しても差し支えない。半導体封止用樹脂組
成物に用いられる無機質充填材としては、一般に溶融シ
リカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素等があり、破砕
状、球状のものがある。本発明に用いる無機充填材とし
ては、溶融シリカの平均粒径４０μｍ以下のもので、よ
り好ましくは、平均粒径３０μｍ以下のものである。こ
れは、着色剤として有機アジン系染料と平均粒径３０μ
ｍ以下の溶融シリカを含む樹脂組成物を用いて封止した
半導体装置に炭酸ガスレーザーマーキングをした場合、
発色性が不十分となる欠点があり、この欠点を解決する
のに最適であることによる。溶融シリカの平均粒径が、
４０μｍを越えると流動性が劣り、未充填不良が発生す
るので好ましくない。本発明の溶融シリカの最大粒径と
しは、流動性、充填性等から１５０μｍ以下、より好ま
しくは１００μｍ以下である。溶融シリカの配合量は、
成形性と信頼性とのバランスから全樹脂組成物中に６５
〜９０重量％が好ましい。特に溶融シリカの多い配合で
は、球状溶融シリカを用いるのが好ましい。平均粒径
が、４０μｍを越えると炭酸ガスレーザーマーキング性
は良好であるが、流動性は乏しく未充填が発生する。
【０００７】本発明に用いる金属錯塩染料について以下
に説明する。本発明で用いる金属錯塩は、式（Ａ）で示
したクロム原子のまわりに４個の酸素原子が配列された
構造の化合物である。本発明に用いる金属錯塩染料とし
ては、例えば、中央合成化学（株）・製のＳｏｌｖｅｎ
ｔ Ｂｌａｃｋ ２７（式（Ａ）のｎ＝２の化合物）が
挙げられる。金属錯塩染料の配合量は、全樹脂組成物中
に０．２〜２．０重量％の範囲であり、好ましくは０．
３〜１．５重量％である。０．２重量％未満だと炭酸ガ
スレーザー印字後の発色性が悪く、又、樹脂組成物の硬
化物の色が淡青色となり良好なコントラストを得ること
ができないおそれがある。２．０重量％を越えると炭酸
ガスレーザーを照射した部分の染料の一部が発色せずに
そのまま残り、良好な発色性を得ることができないおそ
れがある。又、本発明の金属錯塩染料の特性を損なわな
い範囲で、コントラスト調整用に各種各色の着色剤等を
併用することも可能である。
に説明する。本発明で用いる金属錯塩は、式（Ａ）で示
したクロム原子のまわりに４個の酸素原子が配列された
構造の化合物である。本発明に用いる金属錯塩染料とし
ては、例えば、中央合成化学（株）・製のＳｏｌｖｅｎ
ｔ Ｂｌａｃｋ ２７（式（Ａ）のｎ＝２の化合物）が
挙げられる。金属錯塩染料の配合量は、全樹脂組成物中
に０．２〜２．０重量％の範囲であり、好ましくは０．
３〜１．５重量％である。０．２重量％未満だと炭酸ガ
スレーザー印字後の発色性が悪く、又、樹脂組成物の硬
化物の色が淡青色となり良好なコントラストを得ること
ができないおそれがある。２．０重量％を越えると炭酸
ガスレーザーを照射した部分の染料の一部が発色せずに
そのまま残り、良好な発色性を得ることができないおそ
れがある。又、本発明の金属錯塩染料の特性を損なわな
い範囲で、コントラスト調整用に各種各色の着色剤等を
併用することも可能である。
【０００８】本発明の樹脂組成物は、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、硬化促進剤、平均粒径が４０μｍ以下の
溶融シリカ及び一般式（Ａ）で示される金属錯塩染料か
らなるが、これ以外にも必要に応じて、シランカップリ
ング剤に代表される各種カップリング剤、天然ワックス
及び合成ワックス等の離型剤、シリコーンオイル、シリ
コーンゴム、合成ゴム等の低応力添加剤を適宜配合して
も差し支えない。成形材料化するに際しては、加熱ニー
ダーや熱ロールにより全成分を加熱混練し、続いて冷
却、粉砕することで目的とする半導体封止用エポキシ樹
脂組成物が得られる。
ェノール樹脂、硬化促進剤、平均粒径が４０μｍ以下の
溶融シリカ及び一般式（Ａ）で示される金属錯塩染料か
らなるが、これ以外にも必要に応じて、シランカップリ
ング剤に代表される各種カップリング剤、天然ワックス
及び合成ワックス等の離型剤、シリコーンオイル、シリ
コーンゴム、合成ゴム等の低応力添加剤を適宜配合して
も差し支えない。成形材料化するに際しては、加熱ニー
ダーや熱ロールにより全成分を加熱混練し、続いて冷
却、粉砕することで目的とする半導体封止用エポキシ樹
脂組成物が得られる。
【０００９】以下本発明を実施例で具体的に説明する。 実施例１ オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点６０℃、エポキシ当量２ ００） １４．９重量部 フェノールノボラック樹脂（軟化点１１０℃、水酸基当量１０４） ８．３重量部 ブロム化エポキシ樹脂（軟化点８０℃、エポキシ当量２７３） ２．０重量部 三酸化アンチモン ２．０重量部 １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという ） ０．１８重量部 γーアミノプロピルトリエトキシシラン ０．５重量部 カルナバワックス ０．５重量部 破砕溶融シリカ粉末 （平均粒径２０μｍ） ７１．４２重量部 金属錯塩染料１（式（Ａ）において、ｎ＝２） ０．２重量部 をミキサーにより十分に混合した後、バレル温度１００
℃で、ニーダー、ロールで加熱混練し、更に冷却後粉砕
して、封止材料とした。この材料を用いて、以下の項目
の評価を行った。スパイラルフロー、ゲル化時間、難燃
性、耐湿性を評価した。評価結果を表１に示す。
℃で、ニーダー、ロールで加熱混練し、更に冷却後粉砕
して、封止材料とした。この材料を用いて、以下の項目
の評価を行った。スパイラルフロー、ゲル化時間、難燃
性、耐湿性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００１０】評価方法 ・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じた金型
を用い、１７５℃、実効圧７０ｋｇｆ／ｃｍ2、１２０
秒の条件でトランスファー成形した時の金型内で樹脂組
成物が流動した長さ。 ・ゲル化時間：１７５℃の熱板上に樹脂組成物を２ｇ乗
せ、スパチュラを用いて約２５ｍｍ角の大きさに広げて
熱板にこすりつけた後、樹脂組成物が硬化して熱板より
剥がれるまでの時間。 ・難燃性：ＵＬ−９４垂直法。厚さ１．０ｍｍの試験片
を使用。 ・耐湿信頼性：圧力７６ｋｇｆ／ｃｍ2、金型温度１７
５℃、硬化１２０秒の条件で８０ｐＱＦＰパッケージを
成形し、ポストキュアー後、８５℃、相対湿度８５％の
環境下で２４時間放置し、その後２６０℃の半田槽に１
０秒間浸漬した。次にこのパッケージを１２５℃、２．
３気圧のＰＣＴ処理を行い、不良率が５０％となるまで
のＰＣＴ処理時間を耐湿信頼性として表現した。 ・炭酸ガスレーザー印字：圧力７６ｋｇｆ／ｃｍ2、金
型温度１７５℃、硬化１２０秒の条件で１０ｍｍφ、３
ｍｍ厚の円板を成形し、ポストキュアーを１７５℃で４
時間行った後に印字を行い、目視により発色性、コント
ラストを評価（印字装置：ユニマークＡＧＨ６１０（ウ
シオ電機・製）、レーザー波長は１０．６μｍ、印加電
圧は４０ｋＶ）。 実施例２〜４ 表１の配合に従い、実施例１と同様にして封止材料を得
た。実施例４に用いた金属錯塩染料２は式（Ａ）におけ
るｎ＝３の化合物である。評価結果を表１に示す。
を用い、１７５℃、実効圧７０ｋｇｆ／ｃｍ2、１２０
秒の条件でトランスファー成形した時の金型内で樹脂組
成物が流動した長さ。 ・ゲル化時間：１７５℃の熱板上に樹脂組成物を２ｇ乗
せ、スパチュラを用いて約２５ｍｍ角の大きさに広げて
熱板にこすりつけた後、樹脂組成物が硬化して熱板より
剥がれるまでの時間。 ・難燃性：ＵＬ−９４垂直法。厚さ１．０ｍｍの試験片
を使用。 ・耐湿信頼性：圧力７６ｋｇｆ／ｃｍ2、金型温度１７
５℃、硬化１２０秒の条件で８０ｐＱＦＰパッケージを
成形し、ポストキュアー後、８５℃、相対湿度８５％の
環境下で２４時間放置し、その後２６０℃の半田槽に１
０秒間浸漬した。次にこのパッケージを１２５℃、２．
３気圧のＰＣＴ処理を行い、不良率が５０％となるまで
のＰＣＴ処理時間を耐湿信頼性として表現した。 ・炭酸ガスレーザー印字：圧力７６ｋｇｆ／ｃｍ2、金
型温度１７５℃、硬化１２０秒の条件で１０ｍｍφ、３
ｍｍ厚の円板を成形し、ポストキュアーを１７５℃で４
時間行った後に印字を行い、目視により発色性、コント
ラストを評価（印字装置：ユニマークＡＧＨ６１０（ウ
シオ電機・製）、レーザー波長は１０．６μｍ、印加電
圧は４０ｋＶ）。 実施例２〜４ 表１の配合に従い、実施例１と同様にして封止材料を得
た。実施例４に用いた金属錯塩染料２は式（Ａ）におけ
るｎ＝３の化合物である。評価結果を表１に示す。
【００１１】比較例１、２ 表１の配合に従い、実施例１と同様にして封止材料を得
た。比較例２に用いた破砕溶融シリカ粉末は、平均粒径
４３μｍである。比較例２は、炭酸ガスレーザー印字発
色性は優れているが、スパイラルフローが短く、充填不
良が発生したため、総合評価は×である。
た。比較例２に用いた破砕溶融シリカ粉末は、平均粒径
４３μｍである。比較例２は、炭酸ガスレーザー印字発
色性は優れているが、スパイラルフローが短く、充填不
良が発生したため、総合評価は×である。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【発明の効果】本発明は、成形性に優れ、この樹脂組成
物で封止された半導体装置は耐湿信頼性及び炭酸ガスレ
ーザーマーキング性に優れている。
物で封止された半導体装置は耐湿信頼性及び炭酸ガスレ
ーザーマーキング性に優れている。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J002 CC042 CC072 CD001 CD041 CD051 CD061 CD071 CE002 DE148 DF018 DJ018 EJ036 EJ046 ES009 EU117 EU207 EW147 FD018 FD099 FD142 FD146 FD157 GQ05 4M109 EA02 EB03 EB04 EB06 EB07 EB08 EB09 EB13 EB19 EC01 EC03 EC13 EC20 GA08
Claims (3)
- 【請求項１】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促
進剤、平均粒径４０μｍ以下の溶融シリカ及び一般式
（Ａ）で示される金属錯塩染料からなることを特徴とす
る半導体封止用樹脂組成物。 【化１】 （式（Ａ）中のｎは２〜６の整数） - 【請求項２】 溶融シリカの平均粒径が３０μｍ以下
で、金属錯塩染料（Ａ）を全樹脂組成物中に０．２〜
２．０重量％含む請求項１記載の半導体封止用樹脂組成
物。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の樹脂組成物を用い
て半導体素子を封止してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7190599A JP2000265042A (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7190599A JP2000265042A (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000265042A true JP2000265042A (ja) | 2000-09-26 |
Family
ID=13474033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7190599A Pending JP2000265042A (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000265042A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003012895A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| KR100383248B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2003-05-12 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
| WO2013099111A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | 東レ株式会社 | 熱可塑性樹脂組成物およびその成形品 |
-
1999
- 1999-03-17 JP JP7190599A patent/JP2000265042A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100383248B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2003-05-12 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
| JP2003012895A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| WO2013099111A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | 東レ株式会社 | 熱可塑性樹脂組成物およびその成形品 |
| JP5240420B1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-17 | 東レ株式会社 | 熱可塑性樹脂組成物およびその成形品 |
| TWI450818B (zh) * | 2011-12-27 | 2014-09-01 | Toray Industries | 熱塑性樹脂組成物及其成形品 |
| US9574065B2 (en) | 2011-12-27 | 2017-02-21 | Toray Industries, Inc. | Thermoplastic resin composition and its molded product |
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