KR100370636B1 - 회전 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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KR100370636B1
KR100370636B1 KR10-1998-0001901A KR19980001901A KR100370636B1 KR 100370636 B1 KR100370636 B1 KR 100370636B1 KR 19980001901 A KR19980001901 A KR 19980001901A KR 100370636 B1 KR100370636 B1 KR 100370636B1
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미치아키 마쓰시타
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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
회전처리장치 및 방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
회전대의 회전이 시동한 직후나 회전정지 직전 등에 있어서, 회전대가 소정 회전속도에 달하지 못하는 상태에 있어서도, 웨이퍼 등의 피처리기판을 확실하게 유지할 수 있는 회전처리장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
피처리기판이 배치되는 회전가능한 회전대와, 이 회전대를 회전구동하는 회전구동체와, 이 회전대와 함께 회전하고, 회전대 위쪽에 있어서 피처리기판 가장자리부를 유지하기 위해 회전대 가장자리부 근방에 회동지지점을 가지고, 이 회동지지점을 중심으로 하여 회전대에 대하여 반지름방향으로 회동이 자유롭고, 피처리기판을 유지하는 유지부 및 피가압부를 각각 가지는 복수의 유지부재와, 유지부재 각각의 유지부를 회전대의 중심측에 힘을 가하는 힘을 가하는부재와, 회전대 아래쪽에 배치되고, 힘을 가하는부재의 힘을 가하는방향과는 역방향으로 상기 피가압부를 가압하는 가압부재와, 이 가압부재를 상하방향으로 구동하는 구동기구에 의해 구성되는 회전처리장치.
4. 발명의 중요한 용도
레지스트 도포현상장치에 사용됨.

Description

회전처리장치 및 방법
본 발명은, 회전대의 회전에 의해 피처리기판을 회전시키면서, 이 피처리기판에 대하여 소정 처리를 하는 회전처리장치에 관한 것이다.
예를들면, 반도체제조 프로세스에서의 이른바 포토리소그래피 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라 함)등의 피처리기판이 세정되고, 그 표면에 레지스트액을 도포함으로써 레지스트막이 기판에 형성되고, 이 레지스트막이 소정 패턴으로 노광된 후에 현상액으로 현상처리된다. 이와 같은 일련의 처리를 행함에 있어서는, 종래로부터 회전대의 회전에 의해 웨이퍼를 회전시키면서, 이 웨이퍼에 대하여 소정 처리를 행하는 회전처리장치가 사용되고 있다.
이와 같은 회전처리장치에 있어서, 모터등의 회전구동원에 의해 회전되는 회전대에서 웨이퍼를 회전시킬 경우, 웨이퍼를 회전대에 확실하게 유지하여 회전대와 일체로 회전시킬 필요가 있고, 그 때문에 종래로부터 예를 들어 미케니컬 척(mechanical chuck)이라 불리고 있는 기계식의 유지기구가 이용되고 있다. 이런 종래의 기계식 유지기구는, 갈고리나 링 등의 클램프부재를 이용하여 웨이퍼 바깥 가장자리를 외측에서 유지함으로써 웨이퍼를 유지한다. 이 경우, 필요한 유지력은, 예를들면 회전대의 회전에 의해 발생하는 원심력을 이용하여 얻었다.
그러나 종래기술에서는, 회전대가 충분한 회전속도에 달하지 않으면, 웨이퍼를 유지하기에 충분한 유지력을 얻을 수 없다. 예를 들면 회전대의 시동 직후에 있어서는, 아직 회전대가 소정 회전속도에 달하지 못하기 때문에 필요한 원심력을 얻을 수 없고, 웨이퍼가 회전대 위에서 위치어긋남을 할 우려가 있다. 또 역으로 회전대의 회전이 정지하기 직전에 있어서도, 회전대의 회전속도가 소정 회전속도에 달하지 못하기 때문에, 마찬가지로 웨이퍼가 위치어긋남을 할 우려가 있다.
본 발명은, 회전대의 회전이 시동한 직후나 회전정지 직전 등에 있어서, 회전대가 소정 회전속도에 달하지 못하는 상태에 있어서도, 웨이퍼 등의 피처리기판을 확실하게 유지할 수 있는 회전처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도1은 본 발명의 일실시예에 관한 회전세정장치를 끼워 넣은 레지스트도포·현상처리시스템의 외관을 나타낸 사시도,
도2는 동실시예에 관한 회전세정장치의 부분적 종단면도,
도3은 동실시예에 관한 회전세정장치의 평면도,
도4는 동실시예에 관한 회전세정장치의 회전테이블중심부분의 확대종단면도,
도5는 동실시예에 관한 회전세정장치에 있어서, 유지부재가 유지상태에 있을 때의 회전테이블 가장자리부의 측면도,
도6은 동실시예에 관한 회전세정장치에 이용한 유지부재의 평면도,
도7은 동실시예에 관한 회전세정장치에 이용한 유지부재의 사시도,
도8은 동실시예에 관한 회전세정장치에 이용한 가압지지재의 사시도,
도9는 본 발명의 실시예에 관한 회전세정장치에 있어서, 유지부재가 유지해제상태에 있을 때의 회전테이블 가장자리부의 측면도,
도10은 동실시예에 관한 회전세정장치에 이용한 다른 유지부재의 사시도,
도11은 동실시예에 관한 회전세정장치의 다른 회전테이블 중심부분의 확대종단면도이다.
《도면의 주요부분에 대한 부호의 설명》
1 : 레지스트 도포·현상처리시스템 2 : 재치부
3, 6 : 메인 반송아암 4 : 반송기구
5 : 반송로 7, 8 : 반송로
11 : 회전세정장치 13 : 어드히전 처리장치
14 : 냉각처리장치 15 : 레지스트 도포장치
16 : 가열처리장치 17 : 현상처리장치
21 : 케이싱 21a : 출입구
22 : 컵 23 : 회전구동체
23a : 샤프트 23b : 가스유로
23c : 개구부 24 : 모터
25 : 회전테이블 25a : 원추형 돌기부
25b : 뻗침부 26 : 고정부재
27 : 지지리브 28 : 지지플레이트
29 : 가이드핀 31 : 유지부재
32 : 회동지지점 33 : 유지부
34 : 피가압부 34a : 가이드부재
34b : 접시나사 35 : 위쪽걸림부
36 : 힘을 가하는 부재 41 : 에어실린더
42 : 가압지지재 43 : 브래킷
44 : 가압부재 50 : 불활성가스 공급원
125 : 회전테이블
본 발명에 의하면, 피처리기판이 배치되는 회전기능한 회전대와, 이 회전대를 회전구동하는 회전구동체와, 이 회전대와 함께 회전하고, 회전대 위쪽에 있어서 피처리기판의 가장자리부를 유지하기 위한 회전대의 가장자리부 근방에 회동지지점을 가지며, 이 회동지지점을 중심으로 하여 회전대에 대하여 반지름방향으로 회동이 자유롭고, 피처리기판을 유지하는 유지부를 가지는 일끝단부와 피가압부를 가지는 다른 끝단부를 각각 가지는 복수의 유지부재와, 회전대에 설치되고 유지부재 각각의 상기 유지부를 상기 회전대 중심측으로 힘을 가하는 부재와, 회전대 아래쪽에 배치되고 힘을 가하는 부재의 힘을 가하는 방향과는 역방향으로 상기 피가압부를 가압하는, 상하방향으로 이동가능한 가압부재와, 가압부재를 상하방향으로 구동하는 구동기구에 의해 구성되는 회전처리장치가 제공된다.
본 발명에 의하면, 상기 구동기구는, 불활성가스의 도입, 배출에 의해 상기 가압부재를 상하방향으로 구동하는 에어실린더에 의해 구성된다.
또, 본 발명에 의하면, 회전대 위쪽에 유지된 피처리기판의 내면방향으로 불활성가스를 공급할 수 있는 가스유로가 설치되어 있다.
본 발명에 의하면, 정지한 피처리기판의 둘레가장자리부를 추(錘) 수단에 의해 물리적으로 가압하여 유지하는 공정과, 상기 피처리기판을 회전시켜, 오염방지를 위하여 가스유로를 통하여 또한 회전테이블과 회전구동체와의 간격을 통하여 상기 피처리기판의 이면의 중심부측에서 둘레가장자리부측을 향하여 불활성 기체가 흐르게 하는 공정과, 상기 피처리 기판의 회전개시 후에 상기 피처리기판의 둘레가장자리부에 원심력에 의해 상기 추수단에 의한 가압력을 증가시키는 공정과, 상기 피처리기판의 처리면에 처리액을 공급하여 상기 피처리기판을 세정처리하는 공정과, 상기 피처리기판의 회전을 정지한 후, 상기 피처리기판의 둘레 가장자리부를 물리적으로 가압하여 유지하는 가압력을 제거하는 공정으로 이루어지는 회전처리방법이 제공된다.
또 본 발명에 의하면, 상기 기체의 흐름은, 상기 피처리기판과 평행하게 하고, 상기 기체는 불활성가스로 한다.
본 발명의 회전처리장치에 의하면, 각 유지부재의 유지부를 회전대 중심측으로 힘을 가하는 부재가 회전대에 설치되어 있으므로, 통상의 상태로에서의 유지부재는 피처리기판의 가장자리부를 유지하는 구성이다. 이 피처리기판의 유지상태를 해제하려면, 유지부재의 다른 끝단부에 있는 피가압부를 이 가압부재에 의해 가압하면, 상기 힘을 가하는 부재의 가해진 힘에 저항하여 유지부재의 유지가 해제된다. 피처리기판을 유지하는 경우에는, 가압부재에 의한 가압을 해제하면, 힘을 가하는 부재의 가해진 힘에 의해 피처리기판은 유지부재에 의해 유지된다. 따라서 정지상태에 있을 때부터 이미 피처리기판이 유지되어 있으므로, 회전대의 회전속도가 소정의 회전속도에 달하지 못해도 피처리기판이 위치어긋남을 할 우려는 없다. 물론 회전대가 정지하기 직전에 있어서도 마찬가지로 웨이퍼가 위치어긋남을 할 우려는 없다.
또한 회전대가 회전하면, 회동지지점보다도 아래쪽에 위치하는 무게추가 원심력에 의해 바깥쪽으로 밀리기 때문에, 그에 따라 유지부재의 일끝단부에는 회전대 중심측으로 밀리게 된다. 따라서, 회전대가 회전하고 있는 동안에는, 힘을 가하는 부재의 가해진 힘에 의한 유지에 더하여, 이 무체추에 작용하는 원심력에 의해서도 유지되므로, 피처리기판의 유지는 극히 안정되어 있다.
가압부재를 하나의 구동기구에 의해 구동되는 대략 고리형상의 가압지지재상에 설치하면, 복수의 유지부재의 유지해제를 하나의 구동기구에 의해 실시할 수 있다. 여기서 말하는 대략 고리형상이라는 것은, 반드시 원형상인 것만을 지칭하는 것은 아니고, 일부가 절결된 형태, 예컨대 평면형태가 대략 C형인 것도 포함한다.
그리고, 구동기구로서, 불활성가스의 도입, 배출에 의해 가압부재를 상하방향으로 구동하는 에어실린더를 이용하면, 적절한 가압력의 확보가 용이하고, 또한 질소가스 또는 그 밖의 불활성가스를 이용하는 것으로, 장치가 놓여 있는 분위기를 오염하는 것이 억제된다.
예컨대 에어실린더에 도입되는 불활성가스를 이용하여, 회전대 위쪽에 유지된 피처리기판의 내면을 향하여, 상기 불활성가스를 공급이 자유롭도록 구성하면, 피처리기판 내면측에 오염분위기가 침입하는 것을 방지할 수 있다.
(실시예)
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
도1에 나타낸 본 실시예에 관한 회전처리장치인 회전세정장치를 조립해 넣은 레지스트도포·현상처리시스템(1)에 있어서는, 복수의 웨이퍼를 수납하는 수납체인 복수의 카세트(C)가 정렬하여 재치되는 재치부(2)와, 이 재치부(2)에 재치된 카세트(C)내의 웨이퍼(W)를 꺼내어, 프로세스부에 있는 메인반송아암(3)으로 반송하는 반송기구(4)를 구비하고 있다. 반송기구(4)는, 카세트(C)의 정렬방향(X방향)을 따라 설치되어 있는 반송로(5) 위를 자유롭게 이동한다.
프로세스부에는 웨이퍼(W)에 대하여 소정처리를 1매마다 행하는 각종 낱장식 처리장치가, 메인반송아암(3)과 다른 메인반송아암의 반송로(7 및 8)를 사이에 둔 양측에 각각 배치되어 있다.
본 실시예에 관한 회전처리장치인 회전세정장치(11,11)도, 반송로(7)의 일측에 배치되어 있다. 그 밖의 웨이퍼(W) 표면을 소수화처리하여 레지스트의 정착성을 향상시키는 어드히전처리장치(13), 웨이퍼(W)를 소정온도로 냉각하는 냉각처리장치(14), 회전하는 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액을 도포하는 레지스트도포장치(15,15), 레지스트액도포후의 웨이퍼(W)를 가열하거나 노광후의 웨이퍼(W)를 가열하는 가열처리장치(16), 노광후의 웨이퍼(W)를 회전시키면서 그 표면에 현상액을 공급하여 현상처리하는 현상처리장치(17,17)가 반송로(7,8)를 사이에 두고 정연하게 배치되고, 어느 정도 집합화시킨 것으로 처리효율의 향상이 도모되고 있다. 또한, 이들 각 처리장치에 대한 웨이퍼 반입출은, 메인반송아암(3,6)에 의해 행해진다.
본 실시예의 회전세정장치(11)는, 도2, 도3에 나타낸 바와 같이, 한쪽에 메인반송아암(3)의 출입구(21a)가 형성된 사각형 케이싱(21)내에, 상면이 개구한 대략 원통형상의 컵(22)이 설치되어 있다. 이 컵(22)은, 케이싱(21)내에 있어서 도면중의 파선으로 나타낸 위치까지 상하이동이 자유롭다. 이 경우, 후술하는 회전테이블(25)측을 상하이동시키는 구성으로 해도 좋다.
케이싱(21)의 중심위치에는, 회전구동체(23)가 배치되어 있다. 이 회전구동체(23)는 케이싱(21) 밖에 설치되어 있는 모터(24)의 구동에 의해 소정 회전수로 회전한다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 이 회전구동체(23) 위에, 소정간격을 두고 회전테이블(25)이 적절한 고정부재(26)에 의해 이 회전구동체(23)에 고정되어 있다.
도 2 및 4에 나타낸 바와 같이, 회전구동체(23)의 샤프트(23a) 내부에는, 가스유로(23b)가 형성되어 있고, 불활성가스공급원(50)에서 공급되는 불활성가스, 예를들면 질소가스가 회전테이블(25)의 내면중심에 형성된 역원추형 돌기부(25a)를 향하여 개구하고 있는 개구부(23c)에서 내뿜어진다. 내뿜어진 불활성가스는, 이 돌기부(25a)에 의해 방사상으로, 즉 뒷방향으로 분산되어, 회전테이블(25)의 내면을 따라 회전테이블(25)의 가장자리부로 흐른다. 따라서, 이 회전테이블(25)은, 가스확산판으로서의 기능도 아울러 가지고 있다.
회전구동체(23)에는, 지름방향의 3개소에 방사상(평면에서 보아 중심각 120°간격)으로 지지리브(27)를 구비한 지지플레이트(28)가 부착되어 있다. 이 지지플레이트(28)는, 회전테이블(25)에 대하여 고정되는 것이라도 좋고, 요컨대 회전구동체(23) 및 회전테이블(25)과 일체로 회전하도록 구성된 것이라면 좋다.
한편, 회전테이블(25)의 가장자리부에는, 3개의 뻗침부(25b)가 형성되어 있고, 각 뻗침부(25b) 상면에는 웨이퍼(W) 가장자리부를 소정위치에 안내하여 지지하기 위한 가이드핀(29)이, 각 뻗침부(25b) 양끝단부 근방에 각각 하나씩 설치되어 있다. 따라서 이들 합계 6개의 가이드핀(29)에 의해, 웨이퍼(W)는 회전테이블(25)에서는 뜬 상태로 지지된다.
각 지지리브(27)에는, 도5, 도6에 나타낸 바와 같이, 유지부재(31)가 각각 회전테이블(25)의 후방향으로 회동이 자유롭게 설치되어 있다. 이 유지부재(31)는, 측면형태가 대략 앵글형상으로, 일끝단부, 즉 절곡부로 설정된 회동지지점(32)보다 위에 위치하는 끝단부에, 웨이퍼(W)의 가장자리부를 유지하기가 자유롭게 된 유지부(33)가 설치되어 있다. 또 다른 끝단부에는, 피가압부(34)가 설치되어 있다. 이 피가압부(34) 하면측에는, 도7에 나타낸 바와 같이 가이드부재(34a)가 접시나사(belleville screw)(34b) 등으로 부착된다. 즉, 피가압부(34)만으로는 유지부재(31)에 충분한 원심력을 얻을 수 없을 때, 가이드부재(34a)가 추로서 기능하고, 원심력을 증가시키는 일을 한다.
유지부재(31)의 회동지지점(32)으로부터 다른끝단부보다 상면에는, 구멍형상의 위쪽걸림부(35)가 형성되어 있고, 이 위쪽걸림부(35)와 지지리브(27,27)사이에서의 지지플레이트(28) 하면의 소정위치와의 사이에는, 힘을 가하는 부재(36)가 삽입, 배설되어 있다. 이 힘을 가하는 부재(36)는 예컨대 스프링부재등의 탄성체를 내부에 수납하고 있으며, 도5에 나타낸 바와 같이, 유지부재(31)에서의 회동지지점(32)의 다른끝단부측, 즉 피가압부(34)측을 아래쪽으로 밀어 내리도록 힘이 가해지고 있고, 그 결과, 상태에 있어서는, 유지부재(31)의 일끝단부측, 즉 유지부(33)측을 회전테이블(25)의 중심측으로 힘이 가해지고 있다. 유지부재(31)에서의 유지부(33)는, 도2, 도3, 도5에서도 알 수 있듯이, 회전테이블(25)에 형성된 절결부를 통하여, 회전테이블(25)의 상면에 돌출하도록 되어 있고, 가이드핀(29)에 의해 안내되어 지지되어 있는 웨이퍼(W)이 가장자리부를 유지하는 것이 가능하다.
컵(22)내에는, 구동기구가 되는 에어실린더(41)가 설치되어 있고, 이 에어실린더(41) 상면측 슬라이딩부에는, 도8에 나타낸 가압지지재(42)가 브래킷(43)을 개재하여 고정되고 있다. 이 에어실린더(41)는, 불활성가스, 예컨대 질소가스가 실린더내에 도입되면 슬라이딩부가 상승하고, 그에 따라 가압지지재(42)가 상승하고, 역으로 실린더내의 불활성가스를 배기수단에 의해 배기하면 슬라이딩부가 하강하고, 그에 따라 가압지지재(42)가 하강하는 구성을 가지고 있다. 이 경우, 솔레노이드 절환밸브 등을 설치하고, 항상 저압으로 되어 있는 배기유로측으로 절환하는 것으로, 신속한 상승, 하강의 절환동작을 행할 수 있다.
가압지지재(42)는, 평면형태가 대략 C형으로, 그 상면에는, 가압부재(44)가 3개소에 설치되어 있다. 보다 상세하게 설명하면, 3개의 유지부재(31)의 각 피가압부(34)에 대응하는 위치, 즉 평면에서 보아 중심각 120°간격으로, 3개의가압부재(44)가 설치되어 있다. 이들 각 가압부재(44)는, 내부에 예를들면 스프링부재등의 탄성부재를 수납하고 있으며, 가압지지재(42)에 대하여 충격완화성을 확보하고 있다.
에어실린더(41)의 구동에 의해 가압지지재(42)가 상승하면, 각 가압부재(44)가, 각 유지부재(31)의 피가압부(34)의 가이드부재(34a)에 맞닿고, 그대로 가압지지재(42)를 계속해서 상승시킴으로써, 도9에 나타낸 바와 같이 유지부재(31)에서의 피가압부(34)측은, 힘을 가하는 부재(36)의 가해진 힘에 저항하여 밀어 올려지고, 그 결과 유지부(33)가 바깥쪽으로 열린다.
본 실시예에 관한 회전세정장치(11)의 주요부는 이상과 같이 구성되어 있고, 다음에 그 작용효과등에 대하여 설명한다.
우선, 레지스트도포·현상처리시스템(1)에 있어서, 반송기구(4)에 의해 카세트(C)에서 꺼내진 웨이퍼(W)는, 메인반송아암(3)에 의해 케이싱(21)의 출입구(21a)에서 장치내로 반송되고, 회전테이블(25)의 가장자리부에 배치되어 있는 가이드핀(29)상에 재치된다. 이 때, 컵(22)은 도2에 나타낸 바와 같이 하강하고 있다. 또 가압지지재(42)가 상승하고, 도9와 같이 가압부재(44)가 유지부재(31)의 피가압부(34)를 가압하고, 유지부재(31)의 유지부(33)는 바깥쪽으로 열려져 있다.
웨이퍼(W)가 가이드핀(29)에 의해 지지되면, 메인반송아암(3)이 출입구(21a)에서 케이싱(21)밖으로 빠져나온다. 그것과 동시에 에어실린더(41)내의 불활성가스가 배기되고, 그에 따라 가압지지재(42)가 하강한다. 가압지지재(42)가 하강하면, 가압부재(44)의 피가압부(34)로의 가압이 해제되고, 유지부재(31)는 힘을 가하는부재(36)의 가해진 힘에 의해 회동하고, 도5에 나타낸 바와 같이 유지부(33)가 웨이퍼(W) 가장자리부를 유지한다.
그 후, 모터(24)에 의해 회전구동체(23)가 회전하고, 그에 따라 회전테이블(25)이 회전하며, 유지부재(31)에 의해 유지되어 있는 웨이퍼(W)도 회전한다. 이 때, 회전구동체(23)의 샤프트(23a)에 형성되어 있는 가스유로(23b)의 개구부(23c)에서, 예컨대 질소가스가 뿜어지고, 회전테이블(25) 하면을 따라 가장자리부에 확산하여, 웨이퍼(W) 가장자리부에서 위로 뿜어진다.
그 후, 도2에 나타낸 바와 같이, 장치내에 설치되어 있는 세정수를 토출시키는 노즐(51)이 웨이퍼(W) 위쪽의 소정위치까지 이동하고, 물 등의 세정수가 웨이퍼(W)에 대하여 토출되고, 이 웨이퍼(W)는 소정의 세정처리에 따르게 되는 것이다.
이러한 세정처리 동안, 웨이퍼(W)는 고속회전, 예를들면 3000rpm∼4000rpm의 속도로 회전하고 있으므로, 웨이퍼(W)를 안정하게 유지할 필요가 있지만, 이 실시예에 관한 회전세정장치(11)에 있어서는, 우선 힘을 가하는 부재(36)에 의한 가해진 힘에 의해 유지부재(31)의 유지부(33)가 웨이퍼(W) 가장자리부를 유지하고 있고, 그와 같이 하여 유지부재(31)의 유지부(33)가 웨이퍼(W)의 가장자리부를 유지하고 있을 때는, 무게추(34a)를 부착하고 있는 피가압부(34) 근방이 회동지지점(32)보다도 아래쪽에 위치하고 있다.
따라서, 피가압부(34)측에 작용하는 원심력에 의해, 유지부재(31)의 피가압부(34)측은 바깥쪽으로 이동하려고 한다. 그 결과, 유지부재(31)의 유지부(33)측은회전테이블(25)의 중심측으로 밀리고, 결국 웨이퍼(W)는 강하고 견고하게 유지된다. 따라서, 적합한 세정처리를 실시할 수 있다.
또 회전처리중, 즉 웨이퍼(W)에 대하여 세정처리를 행하고 있는 동안은, 회전테이블(25) 하면중심에서 바깥쪽으로 불활성가스가 뿜어지고, 회전테이블(25) 가장자리부, 즉 웨이퍼(W) 가장자리부에서 바깥쪽으로 배기되므로, 웨이퍼(W) 내면으로의 파티클등의 침입을 방지할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W) 내면의 오염을 방지할 수 있다.
회전테이블(25)이 소정 회전속도에 달하지 못했을 때라도, 웨이퍼(W)는 힘을 가하는 부재(36)에 의해 힘이 가해진 유지부재(31)의 유지부(33)에 의해 유지되고 있기 때문에, 회전테이블(25)의 시동직후나 정지직전이라도 웨이퍼(W)가 위치어긋남 되는 일은 없다.
세정처리나 그에 계속되는 건조처리가 종료하고, 회전테이블(25)을 정지시키고, 힘을 가하는 부재(36)에 의해 힘이 가해진 유지부재(31)의 유지부(33)에 의한 웨이퍼(W)의 유지를 해제하는 경우에는, 에어실린더(41)를 구동시켜 가압지지재(42)를 상승시키고, 그에 따라 가압부재(44)로 유지부재(31)의 피가압부(34)를 가압하면, 유지부(33)에 의한 웨이퍼(W) 유지가 해제된다. 이러한 경우, 하나의 가압지지재(42)의 상승에 의해 모든 유지부재(31)의 유지를 동시에 해제할 수 있다. 따라서 회전테이블(25)과 회전구동체(23) 주변의 구성이 간소화되고 모터(24)의 부담도 경감되고 있다.
또한, 가압부재(44)는 내부에 탄성체등을 수납하고, 충격완화성을 구비하고있으므로, 유지부재(31)의 가해진 힘에 의한 유지의 해제를 극히 원활하게 행할 수 있다. 유지부재(31)에서의 피가압부(34)에는, 무게추로서도 기능하는 가이드(34a)가 설치되어 있기 때문에, 가압부재(44)가 피가압부(34)를 가압할 때, 다소 위치어금남이 있어도, 가압부재(44)는 확실하게 피가압부(34)를 가압할 수 있다. 따라서, 유지부재(31)의 해제를 안정하게 행 할 수 있다.
본 실시예와 같이 복수의 가압부재(44)를 설치하는 구성에 대신하여, 가압부재 자체를 도10에 나타낸 바와 같이 대략 고리형상으로 구성해 놓으면, 회전테이블(25)의 정지위치가 어느 위치에 있더라도, 즉 각 유지부재(31)의 위치가 어느 위치에 있더라도, 항상 동시에 각 유지부재(31)의 유지를 해제할 수 있다.
또, 회전테이블(25)은 도11에 나타낸 바와 같이 회전구동체(23)의 중앙부에 설치하는 작은 회전테이블(125)에 의해 구성해도 좋다. 이 경우, 회전구동체(23)의 가스유로(23b)를 통하여 공급되는 불활성가스는 회전테이블(125)의 내면 및 웨이퍼(W)의 내면을 따라 흐른다. 이 때, 회전테이블(125)은 불활성가스를 웨이퍼 내면을 따라 흐르게 하기 위한 정류판으로서의 기능을 한다.
본 실시예에 있어서는, 에어실린더(41)를 구동시키는 가스로서 질소가스등의 불활성가스를 이용하고 있지만, 회전구동체(23)의 중심부에서 내뿜도록 하는 불활성가스와, 그 공급원이나 공급경로를 공유하도록 하면 장치주변이 간소화된다. 물론 이와 같은 구성에 대신하여, 에어실린더(41)를 구동시키는 가스로서, 일반 공기나 보다 바람직하게는 청정화된 공기를 이용해도 좋다.
상기 실시예는, 웨이퍼에 대하여 물등의 세정수를 토출시켜, 웨이퍼(W)에 대하여 세정처리를 실시하는 회전세정장치로서 구성되어 있었지만, 물론 이에 한정되지 않고, 본 발명은 웨이퍼를 유지하여 회전시키면서, 이 웨이퍼에 대하여 다른 처리액을 공급하여 처리를 행하는, 다른 회전처리장치에 대해서도 적용가능하다. 또 피처리기판도 웨이퍼와 같은 대략 원형인 것에 한정되지 않고 예를들면 LCD기판과 같은 사각형 기판이라도 본 발명은 적용가능하다.
상술한 본 발명의 회전처리장치에 의하면, 회전대의 회전속도가 소정 회전속도에 달하지 못해도 피처리기판이 위치어긋남을 할 우려는 없고, 항상 소정위치에서 유지하는 것이 가능하다. 더구나 회전대가 회전하고 있는 동안은, 힘을 가하는 부재의 가해진 힘에 의한 유지에 더하여, 무게추에 걸리는 원심력에 의해서도 유지되므로, 피처리기판의 유지는 극히 안정하다. 특히, 복수의 유지부재의 유지해제를 하나의 구동기구에 의해 실시할 수 있고, 장치가 간소화된다. 또, 질소가스 그 밖의 불활성가스를 이용하면, 장치가 놓여져 있는 분위기의 오염방지를 도모할 수 있다. 그리고 회전대 위쪽에 유지된 피처리기판의 내면을 향하여 불활성가스가 공급이 자유롭게 구성되므로, 피처리기판 내면측 분위기의 오염을 효과적으로 방지할 수 있다.

Claims (26)

  1. 피처리기판이 배치되는 회전가능한 회전대와,
    상기 회전대를 회전구동하는 회전구동체와,
    상기 회전대와 함께 회전하고, 상기 회전대 위쪽에서 상기 피처리기판 가장자리부를 유지하기 위하여 상기 회전대의 가장자리부 근방에 회동지지점을 가지고, 이 회동지지점을 중심으로 하여 상기 회전대에 대하여 반지름방향으로 회동이 자유롭고, 상기 피처리기판을 유지하는 유지부를 가지는 한끝단부와 피가압부를 가지는 다른끝단부를 각각 가지는 복수의 유지부재와,
    상기 회전대에 설치되고, 상기 유지부재 각각의 상기 유지부에 대하여 상기 회전대의 중심측으로 힘을 가하는 부재와,
    상기 회전대 아래쪽에 배치되고, 상기 힘을 가하는 부재가 힘을 가하는 방향과는 역방향으로 상기 피가압부를 가압하며 상하방향으로 이동가능한 가압부재와,
    상기 가압부재를 상하방향으로 구동하는 구동기구에 의해 구성되는 회전처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 가압부재는 충격완화를 위한 탄성부재를 수납하고 있는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 가압부재는, 위쪽으로의 이동에 의해 상기 가압부재를 가압하는 고리형상부재로 구성되는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 회동지지점보다도 아래쪽 위치에서 상기 피가압부에 설치된 무게추를 가지는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 가압부재를 지지하고, 상기 구동기구에 의해 상하방향으로 구동되는 대략 고리형상의 가압지지재를 포함하는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 가압부재는 충격완화를 위한 탄성부재를 수납하고 있는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 가압지지재는 원주방향으로 등간격으로 배치되는 적어도 3개의 가압부재를 지지하는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 가압부재는, 위쪽으로의 이동에 의해 상기 가압부재를 가압하는 고리형상부재로 구성되는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  9. 제 5 항에 있어서, 상기 가압지지재가 상기 구동기구에 의해 상승되면, 상기 가압부재가 상기 유지부재의 상기 피가압부에 맞닿고, 상기 피가압부를 밀어올림으로써 상기 유지부재는 상기 피처리체의 유지를 해방하는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  10. 제 5 항에 있어서, 상기 가압지지재가 상기 구동기구에 의해 하강되면, 상기 가압부재에 의한 상기 피가압부로의 가압이 해제되고, 상기 유지부재는 상기 힘을 가하는 부재가 가하는 힘에 의해 회동하고, 상기 유지부가 피처리체 가장자리부를 유지하는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  11. 제 5 항에 있어서, 상기 회전대가 상기 회전구동체에 의해 회전됨으로써 발생하는 원심력이 상기 피가압부를 반지름방향 바깥쪽으로 이동시키도록 상기 피가압부에 작용하고, 이에 따라 상기 유지부재의 유지부가 상기 피처리체 가장자리부를 상기 회전대의 중심으로 누르고, 상기 피처리체의 유지를 확실하게 하는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  12. 제 5 항에 있어서, 상기 회동지지점보다도 아래쪽 위치에서 상기 피가압부에 설치된 무게추를 가지는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 구동기구는, 불활성가스의 도입, 배출에 의해 상기 가압부재를 상하방향으로 구동하는 에어실린더에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 회동지지점보다도 아래쪽 위치에서 상기 피가압부에 설치된 무게추를 가지는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 가압부재는 충격완화를 위한 탄성부재를 수납하고 있는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  16. 제 13 항에 있어서, 상기 가압부재는, 위쪽으로의 이동에 의해 상기 가압부재를 가압하는 고리형상부재로 구성되는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  17. 제 1 항에 있어서, 상기 회전대 위쪽에 유지된 피처리기판의 뒷면방향으로 불활성가스를 공급할 수 있는 가스유로를 가지는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 피처리기판의 뒷면을 따라 불활성가스를 인도하는 정류판을 가지는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 회전구동체는, 상기 회전대에 결합되고, 내부에 상기 가스유로가 형성된 중공샤프트를 가지는 모터에 의해 구성되고, 상기 가스유로를 통하여 상기 회전대의 뒷면중심을 향하여 상기 불활성가스를 공급하는 가스공급부를 가지는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 회동지지점보다도 아래쪽 위치에서 상기 피가압부에 설치된 무게추를 가지는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  21. 제 19 항에 있어서, 상기 가압부재는 충격완화를 위한 탄성부재를 수납하고 있는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  22. 제 19 항에 있어서, 상기 가압부재는, 위쪽으로의 이동에 의해 상기 가압부재를 가압하는 고리형상부재로 구성되는 것을 특징으로 하는 회전처리장치.
  23. 피처리기판이 배치되는 회전가능한 회전대와,
    상기 회전대를 회전구동하는 회전구동체와,
    상기 회전대와 함께 회전하고, 상기 회전대의 위쪽에서 상기 피처리기판의 가장자리부를 유지하기 위해 상기 회전대의 가장자리부 근방에 회동지지점을 가지며, 이 회동지지점을 중심으로 하여 상기 회전대에 대하여 반지름방향으로 회동이 자유롭고, 상기 피처리기판을 유지하는 유지부를 가지는 한끝단부와 피가압부를 가지는 다른 끝단부를 각각 가지는 복수의 유지부재와,
    상기 회전대에 설치되고, 상기 유지부재 각각의 상기 유지부에 대하여 상기 회전대의 중심측으로 힘을 가하는 부재와,
    상기 회전대 아래쪽에 배치되고, 상기 힘을 가하는 부재가 힘을 가하는 방향과는 역방향으로 상기 피가압부를 가압하는 가압부재와,
    상기 피가압부를 상기 가압부재에 의해 가압 및 비가압하기 위해 상기 가압부재 및 상기 회전대를 상대적으로 상하방향으로 구동하는 구동기구에 의해 구성되는 회전처리장치.
  24. 정지한 피처리기판의 둘레가장자리부를 추(錘) 수단에 의해 물리적으로 가압하여 유지하는 공정과,
    상기 피처리기판을 회전시켜, 오염방지를 위하여 가스유로를 통하여 또한 회전테이블과 회전구동체와의 간격을 통하여 상기 피처리기판의 이면의 중심부측에서 둘레가장자리부측을 향하여 불활성 기체가 흐르게 하는 공정과,
    상기 피처리 기판의 회전개시 후에 상기 피처리기판의 둘레가장자리부에 원심력에 의해 상기 추수단에 의한 가압력을 증가시키는 공정과,
    상기 피처리기판의 처리면에 처리액을 공급하여 상기 피처리기판을 세정처리하는 공정과,
    상기 피처리기판의 회전을 정지한 후, 상기 피처리기판의 둘레 가장자리부를 물리적으로 가압하여 유지하는 가압력을 제거하는 공정으로 이루어지는 회전처리방법.
  25. 제 24 항에 있어서, 상기 기체의 흐름은, 상기 피처리기판과 평행인 회전처리방법.
  26. 제 25 항에 있어서, 상기 기체는 불활성가스인 회전처리방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8714169B2 (en) 2008-11-26 2014-05-06 Semes Co. Ltd. Spin head, apparatus for treating substrate, and method for treating substrate

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994012972A1 (en) * 1992-11-30 1994-06-09 Digital Voice Systems, Inc. Method and apparatus for quantization of harmonic amplitudes
EP1084001B1 (en) * 1998-02-14 2003-06-04 Lam Research Corporation Wafer loading apparatus
US6095582A (en) * 1998-03-11 2000-08-01 Trusi Technologies, Llc Article holders and holding methods
US6167893B1 (en) * 1999-02-09 2001-01-02 Novellus Systems, Inc. Dynamic chuck for semiconductor wafer or other substrate
JP4255091B2 (ja) * 1999-04-07 2009-04-15 株式会社日立国際電気 半導体製造方法
US6261635B1 (en) * 1999-08-27 2001-07-17 Micron Technology, Inc. Method for controlling air over a spinning microelectronic substrate
TW504776B (en) * 1999-09-09 2002-10-01 Mimasu Semiconductor Ind Co Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism
TW452917B (en) * 1999-10-29 2001-09-01 Winbond Electronics Corp Holder
KR100340154B1 (ko) * 1999-12-06 2002-06-10 김광교 웨이퍼를 스피닝하기 위한 웨이퍼 척
US6398823B1 (en) 1999-12-07 2002-06-04 Tru-Si Technologies, Inc. Dynamic break for non-contact wafer holder
KR100603269B1 (ko) * 1999-12-22 2006-07-20 삼성에스디아이 주식회사 정전기 발생장치를 채용한 스핀코팅장치
WO2001088965A1 (en) * 2000-05-15 2001-11-22 Westwind Air Bearings Ltd. Wafer and optical path modifying disc holders
GB0011714D0 (en) * 2000-05-15 2000-07-05 Westwind Air Bearings Ltd Data storage disc carrier
US6363623B1 (en) * 2000-06-02 2002-04-02 Speedfam-Ipec Corporation Apparatus and method for spinning a work piece
KR100665833B1 (ko) * 2000-09-01 2007-01-09 삼성전자주식회사 베이크 장치
US7172497B2 (en) * 2001-01-05 2007-02-06 Asm Nutool, Inc. Fabrication of semiconductor interconnect structures
US7204743B2 (en) * 2001-02-27 2007-04-17 Novellus Systems, Inc. Integrated circuit interconnect fabrication systems
US20040259348A1 (en) * 2001-02-27 2004-12-23 Basol Bulent M. Method of reducing post-CMP defectivity
TWI222154B (en) * 2001-02-27 2004-10-11 Asm Nutool Inc Integrated system for processing semiconductor wafers
JP4488646B2 (ja) 2001-04-23 2010-06-23 株式会社トプコン ウェーハ保持装置
US6752442B2 (en) * 2001-11-09 2004-06-22 Speedfam-Ipec Corporation Workpiece handling end-effector and a method for processing workpieces using a workpiece handling end-effector
US6992023B2 (en) * 2001-12-28 2006-01-31 Texas Instruments Incorporated Method and system for drying semiconductor wafers in a spin coating process
US6824343B2 (en) * 2002-02-22 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Substrate support
DE10217028C1 (de) * 2002-04-11 2003-11-20 Nanophotonics Ag Meßmodul für Waferfertigungsanlagen
US6827093B2 (en) * 2002-11-14 2004-12-07 Lens Technology I, Llc Optical lens steam cleaning apparatus and method of using the same
JP4121413B2 (ja) * 2003-03-31 2008-07-23 株式会社神戸製鋼所 板状被処理品の高圧処理装置
US20040206373A1 (en) * 2003-04-18 2004-10-21 Applied Materials, Inc. Spin rinse dry cell
DE102004036435B4 (de) * 2003-08-07 2007-08-30 Nanophotonics Ag Haltevorrichtung für scheibenförmige Objekte
US20070000527A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Aegerter Brian K Workpiece support for use in a process vessel and system for treating microelectronic workpieces
US7703823B2 (en) * 2004-07-12 2010-04-27 Rudolph Technologies, Inc. Wafer holding mechanism
DE102005001292B4 (de) * 2005-01-11 2006-10-19 Steag Hamatech Ag Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von scheibenförmigen ein Innenloch aufweisenden Substraten
KR100829923B1 (ko) * 2006-08-30 2008-05-16 세메스 주식회사 스핀헤드 및 이를 이용하는 기판처리방법
JP2008108991A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Daihen Corp ワーク保持機構
JP4871096B2 (ja) * 2006-11-15 2012-02-08 株式会社ディスコ 樹脂被覆装置及びレーザー加工装置
JP5175743B2 (ja) * 2006-12-14 2013-04-03 アイエス・テクノロジー・ジャパン株式会社 円板保持装置および欠陥異物検出装置
JP5076602B2 (ja) * 2007-03-30 2012-11-21 日本電気株式会社 基板洗浄装置、スピン洗浄装置、基板洗浄方法及びスピン洗浄方法
US9732416B1 (en) 2007-04-18 2017-08-15 Novellus Systems, Inc. Wafer chuck with aerodynamic design for turbulence reduction
CN101689492B (zh) * 2007-07-12 2012-04-04 应用材料公司 处理基板边缘区域的装置与方法
US8197636B2 (en) * 2007-07-12 2012-06-12 Applied Materials, Inc. Systems for plasma enhanced chemical vapor deposition and bevel edge etching
JP2009026859A (ja) * 2007-07-18 2009-02-05 Olympus Corp 基板検査装置
JP5015870B2 (ja) * 2008-07-08 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、保持部材および基板処理方法
US8419964B2 (en) 2008-08-27 2013-04-16 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for edge bevel removal of copper from silicon wafers
KR101145775B1 (ko) * 2009-04-24 2012-05-17 세메스 주식회사 스핀 헤드, 기판 처리 장치, 그리고 상기 스핀 헤드에서 기판을 지지하는 방법
US8172646B2 (en) * 2009-02-27 2012-05-08 Novellus Systems, Inc. Magnetically actuated chuck for edge bevel removal
CN101587851B (zh) * 2009-06-23 2010-11-03 北京七星华创电子股份有限公司 一种用于夹持盘状物的装置
KR101681897B1 (ko) 2009-08-07 2016-12-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 이중 온도 히터
JP5327144B2 (ja) * 2010-06-16 2013-10-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US9421617B2 (en) 2011-06-22 2016-08-23 Tel Nexx, Inc. Substrate holder
US8613474B2 (en) 2011-07-06 2013-12-24 Tel Nexx, Inc. Substrate loader and unloader having a Bernoulli support
JP5726686B2 (ja) * 2011-09-08 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、及び液処理装置の制御方法
US9431282B2 (en) * 2011-12-27 2016-08-30 Rudolph Technologies, Inc. Wafer inversion mechanism
US9038262B2 (en) * 2012-02-23 2015-05-26 Beijing Sevenstar Electronics Co., Ltd. Device for holding disk-shaped articles and method thereof
JP5646528B2 (ja) 2012-03-09 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6068975B2 (ja) * 2012-12-27 2017-01-25 株式会社ディスコ 洗浄装置
WO2014107351A1 (en) * 2013-01-04 2014-07-10 Rudolph Technologies, Inc. Edge grip substrate handler
CN104576493B (zh) * 2013-10-29 2017-10-03 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种夹持晶圆的承片台装置
JP5970102B2 (ja) * 2015-03-31 2016-08-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
KR101650398B1 (ko) * 2015-09-11 2016-08-24 (주)코맷 계측기용 웨이퍼 센터링 디바이스
JP2022104056A (ja) * 2020-12-28 2022-07-08 東京エレクトロン株式会社 搬送装置
KR102561219B1 (ko) * 2021-08-24 2023-07-28 (주)디바이스이엔지 기판 처리장치용 기판 지지 조립체
KR102609248B1 (ko) * 2021-10-13 2023-12-05 한국수력원자력 주식회사 원심력을 이용한 배관의 내주면 연마장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5421056A (en) * 1993-04-19 1995-06-06 Tokyo Electron Limited Spin chuck and treatment apparatus using same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3111893A1 (de) * 1981-03-26 1982-10-14 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Duese zum aufbringen von fluessigkeit auf den zwischenbildtraeger eines elektrophoretischen druckers
FR2591324B1 (fr) * 1985-12-10 1989-02-17 Recif Sa Appareil pour le sechage unitaire des plaquettes de silicium par centrifugation
US4788994A (en) * 1986-08-13 1988-12-06 Dainippon Screen Mfg. Co. Wafer holding mechanism
US5100502A (en) * 1990-03-19 1992-03-31 Applied Materials, Inc. Semiconductor wafer transfer in processing systems
US5222310A (en) * 1990-05-18 1993-06-29 Semitool, Inc. Single wafer processor with a frame
US5863348A (en) * 1993-12-22 1999-01-26 International Business Machines Corporation Programmable method for cleaning semiconductor elements
US5566466A (en) * 1994-07-01 1996-10-22 Ontrak Systems, Inc. Spindle assembly with improved wafer holder
US5830272A (en) * 1995-11-07 1998-11-03 Sputtered Films, Inc. System for and method of providing a controlled deposition on wafers
US5851041A (en) * 1996-06-26 1998-12-22 Ontrak Systems, Inc. Wafer holder with spindle assembly and wafer holder actuator

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5421056A (en) * 1993-04-19 1995-06-06 Tokyo Electron Limited Spin chuck and treatment apparatus using same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8714169B2 (en) 2008-11-26 2014-05-06 Semes Co. Ltd. Spin head, apparatus for treating substrate, and method for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
TW475218B (en) 2002-02-01
JPH10209254A (ja) 1998-08-07
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US5954072A (en) 1999-09-21
JP3831043B2 (ja) 2006-10-11
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