KR100344925B1 - 필터, 안테나 공용기, 및 통신기 장치 - Google Patents

필터, 안테나 공용기, 및 통신기 장치 Download PDF

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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

본 발명의 트랩 커패시터 및 주파수 조정 커패시터는 하나의 커패시터 기판으로 구성된다. 다른 트랩 커패시터 및 다른 주파수 조정 커패시터는 다른 커패시터 기판으로 구성된다. 즉, 대역 저지 필터에 있어서, 트랩 커패시터 및 주파수 조정 커패시터는 각 공진 회로에 독립적으로 형성된 두 개의 커패시터 기판으로 구성된다.

Description

필터, 안테나 공용기, 및 통신기 장치{Filter, antenna sharing device, and communication device}
본 발명은 예를 들면 마이크로파 대역에 작동되는 필터, 안테나 공용기, 및 통신기 장치에 관한 것이다.
도 9는 대역 저지 필터의 회로 구성의 한 예를 도시한다. 대역 저지 필터 1은 공진 회로를 2단 결합시킨 것으로, 트랩 커패시터 C1, C2에 각각 전기적으로 직렬로 접속된 공진기 2, 3을 포함한다. 공진기 2, 3에 전기적으로 병렬로 접속된 커패시터 C3, C4는 각각 공진기 2, 3의 공진 주파수를 조정한다.
공진기 2, 트랩 커패시터 C1, 및 주파수 조정 커패시터 C3을 포함하는 공진회로는 공진기 3, 트랩 커패시터 C2, 및 주파수 조정 커패시터 C4를 포함하는 공진 회로에 결합 코일 L1을 개재하여 전기적으로 접속된다. 또한, 커패시터 C5, C6은 상기 두 개의 공진 회로에 각각 전기적으로 병렬로 접속된다. 도 9에 있어서, 참조 부호 5, 6은 각각 입출력 단자를 나타낸다.
도 10은 도 9의 회로 구성을 회로기판 20 위에 실현한 종래의 예를 도시한다. 공진기 2, 3으로는 각각 λ/4 동축 유전체 공진기가 사용된다. 결합 코일 L1으로는 권선형 코일이 사용된다. 커패시터 C5, C6으로는 각각 모놀리식 칩 커패시터가 사용된다.
트랩 커패시터 C1, C2 및 주파수 조정 커패시터 C3, C4로는 도 11에 도시된 바와 같이, 한 장의 결합 기판 11이 사용된다. 결합 기판 11은 유전체 기판 12및 유전체 기판 12의 앞뒷면에 형성된 커패시터 전극 13~18을 포함한다. 커패시터 전극 13, 16은 트랩 커패시터 C1을 형성한다. 커패시터 전극 14, 17은 트랩 커패시터 C2를 형성한다. 커패시터 전극 13, 15는 주파수 조정 커패시터 C3을 형성한다. 커패시터 전극 14, 18은 주파수 조정 커패시터 C4를 형성한다.
또한, 트랩 커패시터 C1, C2 및 주파수 조정 커패시터 C3, C4로는 독자적인 모놀리식 칩 커패시터가 사용되는 경우도 있다. 결합 기판 11의 커패시턴스 - 변동과 비교하여, 커패시터 C1~C4 사이의 커패시턴스의 변동이 크고, 필터 1의 특성이 매우 변한다는 문제점이 발생한다.
유전체 공진기 2, 3의 개방측 단면은 도체 10을 개재하여 각각 결합 기판 11의 커패시터 전극 13, 14에 접속된다. 즉, 공진기 2, 3은 커패시터 C1, C3 및 커패시터 C2, C4에 전기적으로 접속된다.
필터 1의 사용 주파수가 높아짐에 따라, 필요로 하는 커패시터 C1~C4의 커패시턴스는 작아진다. 예를 들어, 800㎒ 대역에서 사용되는 필터 1의 경우, 커패시터 C1~C4의 커패시턴스는 1.5~3.0 pF로 설정된다. 한편, 준마이크로파 대역인 1.5㎓ 대역에서 사용되는 필터 1의 경우, 커패시터 C1~C4의 커패시턴스는 1.0 pF 이하로 설정된다.
커패시터 C1~C4가 한 장의 결합 기판 11로 구성되는 경우, 커패시터 전극 13, 16과 커패시터 전극 14, 17사이에 불필요한 커패시턴스 Cs가 발생한다. 불필요한 커패시턴스 Cs는 필터 1이 800㎒ 대역에서 사용되는 경우, 커패시터 C1~C4의 커패시턴스와 비교하여 매우 작고, 필터 특성에 영향을 미치지 않는다.
그러나, 필터 1의 사용 주파수가 높아지면, 필요로 하는 커패시터 C1~C4의 커패시턴스는 작아진다. 따라서, 불필요한 커패시턴스 Cs는 필터 특성에 큰 영향을 미친다. 대역 저지 필터 1의 경우, 공진 회로 사이에 불필요한 결합이 발생한다. 따라서, 주파수 특성의 감쇠가 저하되는 등의 문제점이 발생한다.
따라서, 본 발명의 목적은 공진 회로 사이의 불필요한 커패시터의 발생을 억제한 필터, 안테나 공용기, 및 통신기 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시형태에 따른 필터의 실장 구조를 도시하는 평면도이다.
도 2는 커패시터 기판을 도시하는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시형태에 따른 안테나 공용기를 도시하는 전기회로도이다.
도 4는 도 3의 안테나 공용기의 실장 구조를 도시하는 평면도이다.
도 5는 공진기의 하나의 예를 도시하는 단면도이다.
도 6은 도 3의 안테나 공용기에 있어서, 전압 제어 단자 CONT1, CONT2에 양전압을 인가했을 때 얻어진 송신측 회로의 통과 및 반사 특성을 나타내는 그래프이다.
도 7은 도 3의 안테나 공용기에 있어서, 전압 제어 단자 CONT1, CONT2에 0Ｖ를 인가했을 때 얻어진 송신측 회로의 통과 및 반사 특성을 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 한 실시형태에 따른 통신기 장치를 도시하는 블럭도이다.
도 9는 필터의 하나의 예를 도시하는 전기회로도이다.
도 10은 도 9의 필터의 종래의 실장 구조를 도시하는 평면도이다.
도 11은 도 10에 도시된 결합 기판을 도시하는 정면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
21 필터 2,3 공진기
24,25 커패시터 기판 40 안테나 공용기
41~46 공진기 47 송신측 회로
48 수신측 회로 51,52,53 커패시터 기판
C1,C2,C41~C43 트랩 커패시터
C3,C4,C44~C46 주파수 조정 커패시터
D41~D46 PIN다이오드
120 휴대 전화 123 듀플렉서
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 필터는 공진기와 공진기에 전기적으로 접속된 트랩 커패시터 및 주파수 조정 커패시터를 각각 갖는 복수의 공진회로를 포함하고, 트랩 커패시터 및 주파수 조정 커패시터는 각 공진 회로에 독립적으로 형성된 커패시터 기판으로 구성된다. PIN 다이오드, 전계 효과 트랜지스터, 및 가변 커패시턴스 다이오드 등의 전압 제어가능한 리액턴스 소자는 주파수 조정 커패시터와 접지 사이에 전기적으로 접속되는 것이 바람직하다.
트랩 커패시터 및 주파수 조정 커패시터는 각 공진 회로에 독립적으로 형성된 하나의 커패시터 기판으로 구성된다. 따라서, 공진 회로 사이의 불필요한 커패시턴스는 억제되어, 공진 회로가 결합되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 안테나 공용기 및 통신기 장치는 상술한 특성을 갖는 필터를 포함한다. 따라서, 공진 회로 사이의 결합이 억제되어, 우수한 주파수 특성을 제공할 수 있다.
이하에 본 발명의 필터, 안테나 공용기, 및 통신기 장치의 실시형태를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
(제 1실시형태)
제 1실시형태는 도 9에 도시된 바와 같은 회로 구성을 갖는 대역 통과 필터가 본 발명에 적용된 것이다. 도 1은 회로 기판 30 위에 실장된 각 부품을 갖는 대역 저지 필터 21의 평면도이다.
공진기 2, 3으로는 λ/4 동축 유전체 공진기가 사용된다. 결합 코일 L1으로는 권선형 코일이 사용된다. 커패시터 C5, C6으로는 각각 모놀리식 칩 커패시터가 사용된다.
트랩 커패시터 C1 및 주파수 조정 커패시터 C3으로는 한 장의 커패시터 기판24가 사용된다. 커패시터 기판 24는 도 2에 도시된 바와 같이 유전체 기판 29의 앞뒷면에 형성된 커패시터 전극 26~28을 포함한다. 커패시터 전극 26 및 28은 트랩 커패시터 C1을 형성한다. 커패시터 전극 26 및 27은 주파수 조정 커패시터 C3을 형성한다. 트랩 커패시터 C2 및 주파수 조정 커패시터 C4로는 다른 한 장의 커패시터 기판 25가 사용된다. 커패시터 기판 25는 도 2의 커패시터 기판 24와 동일한 구성을 갖는다.
유전체 공진기 2의 개방측 단면은 도체 10을 개재하여 커패시터 기판 24의 커패시터 전극 26에 접속된다. 즉, 커패시터 C1, C3에 전기적으로 접속된다. 또한, 유전체 공진기 3의 개방측 단면은 커패시터 기판 25의 커패시터 전극 26에 접속된다. 즉, 커패시터 C2, C4에 전기적으로 접속된다.
상술한 바와 같이 구성된 대역 저지 필터 21에 있어서, 각 공진 회로에 독립적으로 형성된 커패시터 기판 24, 25에 트랩 커패시터 C1, C2 및 주파수 조정 커패시터 C3, C4를 형성한다. 따라서, 공진 회로 사이의 불필요한 커패시턴스는 억제될 수 있다. 그 결과, 공진 회로 사이의 결합이 억제된 대역 저지 필터 21을 얻을 수 있다.
(제 2실시형태)
도 3은 안테나 공용기 40의 회로 구성을 도시한다. 도 4는 회로 기판 60 위에 실장된 부품을 갖는 안테나 공용기 40의 평면도이다. 안테나 공용기 40에 있어서, 송신측 회로 47은 송신 단자 Tx와 안테나 단자 ANT사이에 전기적으로 접속되고, 수신측 회로 48은 수신 단자 Rx와 안테나 단자 ANT사이에 전기적으로 접속된다.
송신측 회로 47은 공진 회로를 3단 결합한 주파수 가변형 대역 저지 필터를 구성한다. 트랩 커패시터 C41은 공진기 41에 전기적으로 직렬로 접속되고, 주파수 조정 커패시터 C44는 공진기 41에 전기적으로 병렬로 접속된다. 트랩 커패시터 C42는 공진기 42에 전기적으로 직렬로 접속되고, 주파수 조정 커패시터 C45는 공진기 42에 전기적으로 병렬로 접속된다. 트랩 커패시터 C43은 공진기 43에 전기적으로 직렬로 접속되고, 주파수 조정 커패시터 C46은 공진기 43에 전기적으로 병렬로 접속된다.
공진기 41과 커패시터 C41, C44를 포함하는 공진회로, 공진기 42와 커패시터 C42, C45를 포함하는 공진회로, 및 공진기 43과 커패시터 C43, C46을 포함하는 공진회로는 결합 코일 L41, L42를 개재하여 서로 전기적으로 접속된다. 커패시터 C47, C48, 및 C49는 각각 이들 세개의 공진 회로에 전기적으로 병렬로 접속된다. 안테나 단자 ANT는 결합 코일 L43 및 커패시터 C50을 포함한 L형 LC 회로를 개재하여 공진기 43 및 커패시터 C43, C46을 포함하는 공진 회로에 전기적으로 접속된다. 트랩 커패시터 C41~C43은 각각 저지 대역에 있어서 감쇠의 정도를 결정한다.
공진기 41과 트랩 커패시터 C41사이의 중간 접속점에는 리액턴스 소자인 PIN다이오드 D41이 주파수 조정 커패시터 C44를 개재하여 음극을 접지한 상태로 전기적으로 접속된다. 공진기 42와 트랩 커패시터 C42사이의 중간 접속점에는 리액턴스 소자인 PIN다이오드 D42가 주파수 조정 커패시터 C45를 개재하여 음극을 접지한 상태로 전기적으로 접속된다. 게다가, 공진기 43과 트랩 커패시터 C43사이의 중간 접속점에는 리액턴스 소자인 PIN다이오드 D43이 주파수 조정 커패시터 C46을 개재하여 음극을 접지한 상태로 전기적으로 접속된다. 주파수 조정 커패시터 C44~C46은 송신측 회로 47의 감쇠 특성으로서의 두 개의 감쇠극 주파수를 변경한다. 커패시터 C64는 주파수 조정 커패시터 C46에 병렬로 접속된다.
수신측 회로 48은 공진 회로를 3단 결합한 주파수 가변형 대역 통과 필터를 구성한다.
공진 커패시터 C55는 공진기 44에 전기적으로 직렬로 접속되고, 주파수 조정 커패시터 C57은 공진기 44에 전기적으로 병렬로 접속된다. 주파수 조정 커패시터 C58, C59는 공진기 45에 전기적으로 병렬로 접속된다. 공진 커패시터 C56은 공진기 46에 전기적으로 직렬로 접속되고, 주파수 조정 커패시터 C60은 공진기 46에 전기적으로 병렬로 접속된다.
공진기 44와 커패시터 C55, C57을 포함하는 공진 회로, 공진기 45와 커패시터 C58, C59를 포함하는 공진 회로, 및 공진기 46과 커패시터 C56, C60을 포함하는 공진 회로는 결합 커패시터 C52, C53을 개재하여 서로 전기적으로 접속된다. 공진기 44 및 커패시터 C55, C57을 포함하는 공진 회로는 결합 커패시터 C51을 개재하여 안테나 단자 ANT에 전기적으로 접속된다. 공진기 46 및 커패시터 C56, C60을 포함하는 공진 회로는 결합 커패시터 C54를 개재하여 수신 단자 Rx에 전기적으로 접속된다.
공진기 44와 공진 커패시터 C55사이의 중간 접속점에는 주파수 조정 커패시터 C57 및 PIN다이오드 D44를 포함하는 직렬 회로가 공진기 44에 병렬로 접속된다.공진기 45와 주파수 조정 커패시터 C52, C53사이의 중간 접속점에는 주파수 조정 커패시터 C58, C59 및 PIN다이오드 D45를 포함하는 직렬 회로가 공진기 45에 전기적으로 병렬로 접속된다. 공진기 46과 공진 커패시터 C56사이의 중간 접속점에는 주파수 조정 커패시터 C60 및 PIN다이오드 D46을 포함하는 직렬 회로가 공진기 46에 전기적으로 병렬로 접속된다.
전압 제어 단자 CONT1은, 제어 전압 공급 저항 R41, 커패시터 C62, 및 초크(choke) 코일 L44를 개재하여 PIN다이오드 D41의 양극과 주파수 조정 커패시터 C44사이의 중간 접속점에 전기적으로 접속되고, 제어 전압 공급 저항 R41, 커패시터 C62, 및 초크 코일 L45를 개재하여 PIN다이오드 D42의 양극과 주파수 조정 커패시터 C45사이의 중간 접속점에 전기적으로 접속되고, 제어 전압 공급 저항 R41, 커패시터 C62, 및 초크 코일 L46을 개재하여 PIN다이오드 D43의 양극과 주파수 조정 커패시터 C46사이의 중간 접속점에 전기적으로 접속된다.
전압 제어 단자 CONT2는, 제어 전압 공급 저항 R42, 커패시터 C63, 및 초크 코일 L47을 개재하여 PIN다이오드 D44의 양극과 주파수 조정 커패시터 C57사이의 중간 접속점에 전기적으로 접속되고, 제어 전압 공급 저항 R42, 커패시터 C63, 및 초크 코일 L48을 개재하여 PIN다이오드 D45의 양극과 주파수 조정 커패시터 C59사이의 중간 접속점에 전기적으로 접속되고, 또한 제어 전압 공급 저항 R42, 커패시터 C63, 및 초크 코일 L49를 개재하여 PIN다이오드 D46의 양극과 주파수 조정 커패시터 C60사이의 중간 접속점에 전기적으로 접속된다.
공진기 41~46으로는 도 5에 도시된 바와 같이 유전체 공진기가 사용된다. 도5에 있어서 공진기 41이 대표적인 예로써 도시된다. 유전체 공진기 41~46은 각각 TiO2계 세라믹 등의 고유전율을 갖는 재료로 형성된 원통형 유전체 71, 원통형 유전체 71의 외주면에 형성된 외부 도체 72, 및 원통형 유전체 71의 내주면에 형성된 내부 도체 73을 포함하고 있다. 외부 도체 72는 유전체 71의 한쪽 개구 단면 71a(이하, 개방측 단면 71a라 한다)에서는 내부 도체 73으로부터 전기적으로 개방(분리)되고, 다른쪽 개구 단면 71b(이하, 단락측 단면 71b라 한다)에서는 내부 도체 73에 전기적으로 단락(도통)된다.
결합 코일 L41~L43으로는 권선형 코일이 사용된다. 초크 코일 L44~L49로는 모놀리식 칩 커패시터가 사용된다. 커패시터 C47~C50 및 결합 커패시터 C51 및 C54로는 모놀리식 칩 커패시터가 사용된다. 또한, 제어 전압 공급 저항 R41, R42 및 커패시터 C62, C63으로는 각각 칩 저항 및 모놀리식 칩 커패시터가 사용된다.
송신측 회로 47에 있어서, 트랩 커패시터 C41 및 주파수 조정 커패시터 C44로는 한 장의 커패시터 기판 51이 사용된다. 마찬가지로, 트랩 커패시터 C42 및 주파수 조정 커패시터 C45로는 커패시터 기판 52가 사용된다. 트랩 커패시터 C43 및 주파수 조정 커패시터 C46으로는 커패시터 기판 53이 사용된다. 이들 커패시터 기판 51~53은 도 2에 도시된 각각의 커패시터 기판 24와 동일한 구성을 갖는다.
수신측 회로 48에 있어서, 공진 커패시터 C55 및 C56, 결합 커패시터 C52 및 C53, 그리고 주파수 조정 커패시터 C57, C58, 및 C60으로는 한 장의 결합 기판 54가 사용된다. 결합 기판 54는 공지의 것이다. 기판 54의 앞뒷면에는 각각 복수의커패시터 전극이 형성된다.
유전체 공진기 41의 개방측 단면 71a는 도체 50을 개재하여 커패시터 기판 51에 형성된 커패시터 C41, C44에 전기적으로 접속된다. 유전체 공진기 42의 개방측 단면 71a는 도체 50을 개재하여 커패시터 기판 52에 형성된 커패시터 C42, C45에 전기적으로 접속된다. 또한, 유전체 공진기 43의 개방측 단면 71a는 도체 50을 개재하여 커패시터 기판 53에 형성된 커패시터 C43, C46에 전기적으로 접속된다.
유전체 공진기 44~46의 개방측 단면 71a는 각각 도체 50을 개재하여 커패시터 C55 및 C57, 커패시터 C52, C53 및 C58, 그리고 커패시터 C56 및 C60에 전기적으로 접속된다.
이하에, 상술한 바와 같이 구성된 안테나 공용기 40의 작용효과에 대해 설명한다. 안테나 공용기 40에 있어서, 송신 회로계로부터 송신 단자 Tx를 통하여 입력된 송신 신호가 안테나 단자 ANT를 통하여 송신측 회로 47로 출력된다. 안테나 단자 ANT를 통하여 수신측 회로 48에 입력된 수신 신호가 수신 단자 Rx를 통하여 수신 회로계로 출력된다.
송신측 회로 47의 트랩 주파수는 공진기 41 및 커패시터 C41, C44를 포함하는 공진 회로, 공진기 42 및 커패시터 C42, C45를 포함하는 공진 회로, 및 공진기 43 및 커패시터 C43, C46을 포함하는 공진 회로의 공진 주파수에 의해 결정된다. 제어 전압으로써 양전압이 전압 제어 단자 CONT1에 인가되면, PIN다이오드 D41~D43은 온(ON) 상태가 된다. 따라서, 주파수 조정 커패시터 C44~C46은 PIN다이오드 D41~D43을 개재하여 접지되어 두개의 감쇠극 주파수는 낮아지고, 송신측 회로 47의통과 대역은 로(LOW) 채널이 된다.
전압 제어 단자 CONT1에 전압이 인가되지 않으면, 즉 각 제어 전압은 0Ｖ가 되어, PIN다이오드 D41~D43은 오프(OFF) 상태가 된다. PIN다이오드 D41~D43은 제어 전압을 0Ｖ로 하는 대신에, 전압 제어 단자 CONT1에 음전압을 인가함으로써 오프 상태가 될 수 있다. 따라서, 주파수 조정 커패시터 C44~C46은 개방 상태가 되어, 두 개의 감쇠극 주파수는 높아지고, 송신측 회로 47의 통과 대역은 하이(HIGH) 채널이 된다. 상술한 바와 같이, 송신측 회로 47은 주파수 조정 커패시터 C44~C46을 접지하거나 개방하도록 전압을 조정함으로써 두개의 다른 통과 대역 특성을 제공할 수 있다.
수신측 회로 48의 통과 주파수는 공진기 44 및 커패시터 C55, C57을 포함하는 공진 회로, 공진기 45 및 커패시터 C58, C59를 포함하는 공진 회로, 및 공진기 46 및 커패시터 C56, C60을 포함하는 공진 회로의 공진 주파수에 의해 결정된다. 제어 전압으로써 양전압이 전압 제어 단자 CONT2에 인가되면, PIN다이오드 D44~D46은 온 상태가 된다. 따라서, 주파수 조정 커패시터 C57~C60은 PIN다이오드 D44~D46을 개재하여 접지되어 통과 주파수는 낮아지고, 수신측 회로 48의 통과 대역은 로 채널이 된다.
이와는 반대로, 전압 제어 단자 CONT2에 전압이 인가되지 않으면, 즉 제어 전압은 0Ｖ가 되어 PIN다이오드 D44~D46은 오프 상태가 된다. 따라서, 주파수 조정 커패시터 C57~C60은 개방 상태가 되어 통과 주파수는 높아지고, 수신측 회로 48의 통과 대역은 하이 채널이 된다. 상술한 바와 같이, 수신측 회로 48은 주파수 조정커패시터 C57~C60을 접지하거나 개방하도록 전압을 조정함으로써, 두 개의 다른 통과 대역 특성을 제공할 수 있다.
안테나 공용기 40은 다음과 같이 전압 제어된다. 송신측 회로 47의 하이, 로 두 개의 통과 대역이 서로 전환되어, 예를 들면 로 주파수 통과 대역이 송신 대역으로써 선택되는 경우, 수신측 회로 48의 통과 주파수는 감소하고, 하이 주파수 통과 대역이 수신 대역으로써 선택되는 경우, 수신측 회로 48의 통과 주파수는 증가한다. 따라서, 송신측 회로 47 및 수신측 회로 48의 위상 합성(phase combination)이 이상적으로 실행될 수 있다.
게다가, 주파수 가변형 대역 저지 필터를 구성하는 송신측 회로 47에 있어서, 각 공진 회로에 독립적으로 형성된 커패시터 기판 51~53에 트랩 커패시터 C41~C43 및 주파수 조정 커패시터 C44~C46을 각각 형성하고 있어, 공진 회로 사이의 불필요한 커패시턴스는 억제될 수 있다. 그 결과, 공진 회로의 결합이 억제된 안테나 공용기 40을 제공할 수 있다. 도 6은 양전압이 안테나 공용기 40의 전압 제어 단자 CONT1, CONT2에 인가되었을 때 얻어진 측정 결과인 송신측 회로 47의 통과 특성 S21 및 반사 특성 S11을 나타내는 그래프이다. 도 7은 0Ｖ가 안테나 공용기 40의 전압 제어 단자 CONT1, CONT2에 가해졌을 때 얻은 송신측 회로 47의 통과 특성 S21 및 반사 특성 S11을 측정한 결과를 나타내는 그래프이다. 비교를 위해, 송신측 회로에 결합 기판을 포함하는 종래의 안테나 공용기의 통과 특성 S21′ 및 반사 특성 S11′도 나타내고 있다. 도 6 및 도 7에서 알 수 있는 바와 같이, 송신측 회로 47의 감쇠 특성이 개선되었다.
(제 3실시형태)
본 발명의 제 3실시형태에 따른 통신기 장치는를 휴대 전화를 예로 들어 설명한다.
도 8은 안테나 소자 122, 듀플렉서 123, 송신측 아이솔레이터 131, 송신측 증폭기 132, 송신측 단간 대역 통과 필터 133, 송신측 믹서 134, 수신측 증폭기 135, 수신측 단간 대역 통과 필터 136, 수신측 믹서 137, 전압 제어 발진기(VCO) 138, 및 로컬 대역 통과 필터 139를 포함하는 휴대 전화 120의 RF부분의 전기 회로 블럭도이다.
RF부분의 듀플렉서 123으로는 상기 제 2실시형태의 안테나 공용기 40이 사용될 수 있다. 송신측 회로의 감쇠량이 개선된 휴대 전화는 안테나 공용기 40을 실장함으로써 실현될 수 있다.
(기타 실시형태)
본 발명의 필터, 안테나 공용기, 및 통신기 장치는 상술한 실시형태에 한정되지 않는다. 본 발명의 요지와 범위에서 벗어나지 않은 한도내에서 여러가지 변경 및 변형이 가능하다. 특히, 리액턴스 소자로는 PIN다이오드 이외에 가변 커패시턴스 다이오드, 전계 효과형 트랜지스터 등이 사용될 수 있다. 공진기로는 스트립-라인(strip-line) 공진기 등이 사용될 수 있다.
상기 실시형태에 있어서, 대역 저지 필터에 본 발명을 적용한 예에 대해 설명하였다. 물론, 본 발명은 트랩 커패시터 및 주파수 조정 커패시터를 갖는 공진 회로를 포함하는 대역 통과 필터에 적용할 수 있다.
상술한 설명으로 명백히 이해할 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따르면 트랩 커패시터 및 주파수 조정 커패시터는 각 공진 회로에 독립적으로 형성된 커패시터 기판으로 구성된다. 따라서, 공진 회로 사이의 불필요한 커패시턴스의 발생은 억제될 수 있다. 그 결과, 우수한 주파수 특성을 갖는 필터, 안테나 공용기, 및 통신기 장치를 제공할 수 있다.

Claims (5)

  1. 공진기, 상기 공진기에 전기적으로 접속된 트랩 커패시터 및 주파수 조정 커패시터를 각각 갖는 복수의 공진 회로를 포함하는 필터이며, 상기 트랩 커패시터 및 상기 주파수 조정 커패시터는 각 공진 회로에 대하여 독립적으로 형성된 커패시터 기판으로 구성되는 것을 특징으로 하는 필터.
  2. 제 1항에 있어서, 전압 제어가능한 리액턴스 소자가 상기 주파수 조정 커패시터와 접지 사이에 전기적으로 접속된 것을 특징으로 하는 필터.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 리액턴스 소자가 PIN다이오드인 것을 특징으로 하는 필터.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 따른 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나 공용기.
  5. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 따른 필터 및 제 4항에 따른 안테나 공용기 중의 적어도 하나를 포함하는 통신기 장치.
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