JP2001274604A - 誘電体フィルタ、アンテナ共用器及び通信機装置 - Google Patents
誘電体フィルタ、アンテナ共用器及び通信機装置Info
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Abstract
品点数が少なく小型の誘電体フィルタ、アンテナ共用器
及び通信機装置を提供する。 【解決手段】 誘電体ブロック12の外面には、外導体
17と、入力端子電極21と、出力端子電極22と、電
圧制御端子電極23と、二つの浮き電極24,25が形
成されている。さらに、誘電体ブロック12の上面12
cに、電圧制御可能なリアクタンス素子であるPINダ
イオードD11,D12と、PINダイオードD11,
D12を電圧制御するためのインダクタL11,L12
と、結合調整用コンデンサC11を搭載する。周波数シ
フト用コンデンサCs1,Cs2はそれぞれ、浮き電極
24,25と共振孔13,14の内導体16との間に静
電容量が発生することにより、形成されている。
Description
波帯で使用される誘電体フィルタ、アンテナ共用器及び
通信機装置に関する。
ンサなどを介してPINダイオードもしくは可変容量ダ
イオードなどのリアクタンス素子を接続し、このリアク
タンス素子を電圧制御することで共振周波数を可変させ
る帯域通過フィルタや帯域阻止フィルタが知られてい
る。
タ1の構成を示す平面図、図19はその電気回路図であ
る。このフィルタ1は、共振回路を2段結合させたもの
で、誘電体共振器2,3と、結合コンデンサC5〜C7
と、減衰極を作るための有極用コンデンサC1,C2
と、周波数シフト用コンデンサC3,C4と、リアクタ
ンス素子であるPINダイオードD1,D2と、チョー
クコイルとして機能するインダクタL1,L2と、制御
電圧供給用抵抗R1,R2及びコンデンサC8,C9
と、これらの部品を搭載するための回路基板5にて構成
されている。また、P1は入力端子電極、P2は出力端
子電極、CONT1,CONT2は電圧制御端子電極で
あり、G1,G2はグランドパターンである。
周波数可変帯域通過フィルタ1は、部品点数が多いため
小型化が困難であった。特に、PINダイオードD1,
D2等の回路素子が回路基板5上に占めるスペースは、
誘電体共振器2,3が占めるスペースと略同等である。
る場合には、周波数シフト用コンデンサC3,C4の静
電容量を大きくしていた。ところが、周波数シフト用コ
ンデンサC3,C4の静電容量が大きくなると、PIN
ダイオードD1,D2がON状態のときの共振回路のイ
ンピーダンスと、OFF状態のときの共振回路のインピ
ーダンスが異なるという問題があった。このため、PI
NダイオードD1,D2がON状態のとき(つまり、フ
ィルタ1の通過周波数が低いとき)の通過帯域幅が、O
FF状態のとき(つまり、フィルタ1の通過周波数が高
いとき)の通過帯域幅より狭くなってしまう。従って、
周波数のシフト量に制限があり、設計の自由度が小さか
った。
の自由度が大きく、かつ、部品点数が少なく小型の誘電
体フィルタ、アンテナ共用器及び通信機装置を提供する
ことにある。
するため、本発明に係る誘電体フィルタは、少なくとも
一つの共振孔を設けた誘電体ブロックと、外部回路と接
続するための入出力端子電極と、前記誘電体ブロックの
外面に設けた、前記入出力端子及びグランドに接続され
ていない浮き電極とを備えたことを特徴とする。浮き電
極や入出力端子電極は、誘電体ブロックの外面や回路基
板の表面に設けられる。
た共振孔は共振器を形成する。一方、浮き電極は周波数
シフト用コンデンサを形成し、従来の周波数シフト用コ
ンデンサ素子が不要となる。
リアクタンス素子及び該リアクタンス素子を制御するた
めの回路素子が電気的に接続される。これにより、リア
クタンス素子を電圧制御してスイッチング動作させ、浮
き電極にて形成された周波数シフト用コンデンサを接地
したり、開放したりすることによって、フィルタの周波
数特性が可変される。ここに、誘電体ブロックとリアク
タンス素子と回路素子を回路基板に搭載し、リアクタン
ス素子及び回路素子が回路基板に設けた回路パターンを
介して浮き電極に電気的に接続するようにしてもよい。
また、電圧制御可能なリアクタンス素子としては、例え
ば、PINダイオード、電界効果型トランジスタ、ある
いは、可変容量ダイオードが用いられる。
整用素子を介して電気的に接続することにより、電圧制
御可能なリアクタンス素子がON状態のときのフィルタ
帯域幅とOFF状態のときのフィルタ帯域幅を独立して
設定することができる。結合調整用素子としては、例え
ば、コンデンサやインダクタ等のリアクタンス素子や可
変容量コンデンサ等の電圧制御可能なリアクタンス素子
が用いられる。
なくとも一つの共振孔を設けた誘電体ブロックと、前記
共振孔の内導体とは電気的に絶縁された状態で、前記共
振孔に挿入された導体と、前記導体に電気的に接続され
た電圧制御可能なリアクタンス素子と、前記誘電体ブロ
ックの底面以外の外面に配設される、前記リアクタンス
素子を搭載するための回路基板とを備えたことを特徴と
する。これにより、共振孔の内導体と共振孔に挿入され
た導体とが周波数シフト用コンデンサを形成し、従来の
周波数シフト用コンデンサ素子が不要となる。
なくとも一つの共振孔を設けた誘電体ブロックと、前記
共振孔の内導体に電気的に接続された導体と、前記導体
に電気的に接続された電圧制御可能なリアクタンス素子
と、前記誘電体ブロックの底面以外の外面に配設され
る、前記リアクタンス素子を搭載するための回路基板と
を備えたことを特徴とする。回路基板にはリアクタンス
素子の他に、周波数シフト用コンデンサ素子やリアクタ
ンス素子を制御するための回路素子等が搭載される。
なくともいずれか一つを設け、該段差及び凹部に前記浮
き電極を設けることにより、リアクタンス素子や回路素
子が段差や凹部内に搭載され、誘電体フィルタが小型に
なる。
機装置は、前述の特徴を有する誘電体フィルタの少なく
ともいずれか一つを備えることにより、設計の自由度を
大きくかつ小型にすることができる。
ルタ、アンテナ共用器及び通信機装置の実施の形態につ
いて添付の図面を参照して説明する。各実施形態におい
て、同一部品及び同一部分には同じ符号を付し、重複し
た説明は省略する。
ように、周波数可変帯域通過の誘電体フィルタ11は、
略直方体形状を有する単一の誘電体ブロック12を備え
ている。該誘電体ブロック12には、互いに対向する端
面12a,12bを貫通する二つの共振孔13,14が
形成されている。共振孔13,14は、その軸が互いに
平行になるように誘電体ブロック12に並置されてい
る。共振孔13,14は、それぞれ横断面が円形であ
り、その内壁面には内導体16が形成されている。共振
孔13,14は電磁界結合している。
18が形成されており、低い方の段に浮き電極24,2
5が設けられ、PINダイオードD11,D12等のチ
ップ部品(後述)が搭載される。これにより、誘電体ブ
ロック12の上面12cにチップ部品を搭載しても全体
の高さ寸法を低く抑えることができる。ただし、必ずし
も誘電体ブロック12の上面12cに段差18を形成す
る必要がないことは言うまでもない。
7と、入力端子電極21と、出力端子電極22と、電圧
制御端子電極23と、二つの浮き電極24,25が形成
されている。外導体17は、電極21〜25の形成領域
と共振孔13,14の一方の開口端面12a(以下、開
放側端面12aと記す)を残して、誘電体ブロック12
の外面に形成されている。
ぞれ誘電体ブロック12の左右の側面12d,12eか
ら底面12fに跨って形成されている。電圧制御端子電
極23は、誘電体ブロック12の上面12cから側面1
2eを介して底面12fにまで延在している。この底面
12fは誘電体フィルタ11の実装面とされ、誘電体フ
ィルタ11は底面12fを下にして通信機装置のプリン
ト基板等に実装される。浮き電極24,25はそれぞれ
誘電体ブロック12の上面12cに、外導体17や他の
電極21〜23に非導通の状態で形成されている。
端面12aでは外導体17から電気的に開放(分離)さ
れ、他方の開口端面12b(以下、短絡側端面12bと
記す)では外導体17に電気的に短絡(導通)されてい
る。こうして、誘電体ブロック12内に、共振孔13,
14とその内導体16とで1/4波長型誘電体共振器R
1,R2が形成される。
に、電圧制御可能なリアクタンス素子であるPINダイ
オードD11,D12と、PINダイオードD11,D
12を電圧制御するためのインダクタL11,L12
と、結合調整用コンデンサC11を搭載する。PINダ
イオードD11は外導体17と浮き電極24の間に、は
んだや導電性ペーストを用いて電気的に接続される。P
INダイオードD12は外導体17と浮き電極25の間
に電気的に接続される。インダクタL11と結合調整用
コンデンサC11は、浮き電極24と25の間に電気的
に並列に接続される。インダクタL12は浮き電極25
と電圧制御端子電極23の間に電気的に接続される。
るため、上面12cにははんだレジスト膜を印刷しても
よい。また、インダクタL11,L12や結合調整用コ
ンデンサC11は、例えばユーザのセットメーカが通信
機装置のプリント基板等に実装する場合もあるため、必
ずしも搭載する必要はない。さらに、誘電体ブロック1
2の開放側端面12aに金属板等を被せ、フィルタ11
の電磁シールド性を向上させてもよい。
電気等価回路図を図2に示す。誘電体フィルタ11は、
共振回路を2段結合させたもので、誘電体共振器R1が
結合コンデンサC13を介して入力端子電極21に電気
的に接続し、誘電体共振器R2が結合コンデンサC14
を介して出力端子電極22に電気的に接続している。
1と共振孔13の内導体16との間に静電容量が発生す
ることにより、形成されている。結合コンデンサC14
は、出力端子電極22と共振孔14の内導体16との間
に静電容量が発生することにより、形成されている。誘
電体共振器R1とR2は、共振孔13,14の内導体1
6同士が所定の間隔で対向することにより、電磁界結合
(図2において符号Kにて表示)している。さらに、入
出力端子電極21,22は、それぞれ外導体17との間
に静電容量が発生しており、これにより一端が接地され
たコンデンサC12,C15を形成している。
電極24と共振孔13の内導体16との間に静電容量が
発生することにより、形成されている。同様に、周波数
シフト用コンデンサCs2は、浮き電極25と共振孔1
4の内導体16との間に静電容量が発生することによ
り、形成されている。周波数シフト用コンデンサCs1
の一端は誘電体共振器R1の開放端に電気的に接続さ
れ、他端はPINダイオードD11のアノードに電気的
に接続されている。周波数シフト用コンデンサCs2の
一端は誘電体共振器R2の開放端に電気的に接続され、
他端はPINダイオードD12のアノードに電気的に接
続されている。PINダイオードD11,D12のカソ
ードは接地している。
数シフト用コンデンサCs1との中間接続点と、PIN
ダイオードD12のアノードと周波数シフト用コンデン
サCs2との中間接続点との間には、チョークコイルと
して機能するインダクタL11と、結合調整用コンデン
サC11との並列回路が電気的に接続している。
として機能するインダクタL12を介してPINダイオ
ードD12のアノードに電気的に接続するとともに、イ
ンダクタL11,L12を介してPINダイオードD1
1のアノードに電気的に接続している。
数シフト用コンデンサCs1,Cs2をそれぞれ、誘電
体ブロック12の上面に設けた浮き電極24,25と共
振孔13,14の内導体16とで構成するとともに、誘
電体共振器R1,R2間の結合は、共振孔13,14の
内導体16間の電磁界結合Kを利用している。つまり、
従来、誘電体共振器とは別の部品であった周波数シフト
用コンデンサや共振器間結合コンデンサを省略すること
ができ、小型の誘電体フィルタ11を得ることができ
る。
等のチップ部品を、誘電体ブロック12に直接搭載する
ことにより、その分だけ通信機装置のプリント基板等の
占有面積を小さくすることができる。そして、誘電体ブ
ロック12を適宜所定の形状にすることにより、減衰極
をもつフィルタ11も得ることができるので、従来の有
極用コンデンサも不要となる。従って、より一層の小型
化を図ることができる。
について説明する。フィルタ11の通過周波数は、周波
数シフト用コンデンサCs1と誘電体共振器R1にて構
成される共振系と、周波数シフト用コンデンサCs2と
誘電体共振器R2にて構成される共振系のそれぞれの共
振周波数によって決まる。つまり、電圧制御端子電極2
3に制御電圧として正の電圧を印加すると、PINダイ
オードD11,D12はON状態となる。従って、図3
に示すように、周波数シフト用コンデンサCs1,Cs
2はPINダイオードD11,D12を経てそれぞれ接
地され、通過周波数は低くなる。このとき、結合調整用
コンデンサC11は両端が接地されているため影響せ
ず、誘電体共振器R1とR2は電磁界結合Kのみで結合
され、フィルタ11の通過帯域幅が設定される。
して負の電圧を印加すると、PINダイオードD11,
D12はOFF状態となる。これにより、図4に示すよ
うに、周波数シフト用コンデンサCs1,Cs2は開放
状態となり、通過周波数は高くなる。このとき、誘電体
共振器R1とR2は、電磁界結合Kと、周波数シフト用
コンデンサCs1,Cs2及び結合調整用コンデンサC
11による容量結合とで結合されることになる。従っ
て、PINダイオードD11,D12がOFF状態のと
きの通過帯域幅と、PINダイオードD11,D12が
ON状態のときの通過帯域幅とを少ない部品点数で、か
つ、少ない消費電流で、独立して設定することができ
る。
制御によって周波数シフト用コンデンサCs1,Cs2
を接地したり、開放したりすることによって、二つの相
異なる通過周波数特性をもつとともに、それぞれの通過
帯域幅を独立して設定することができる。なお、本第1
実施形態では、共振器R1とR2の間の結合調整のため
にコンデンサC11を用いているが、場合によってはイ
ンダクタを用いてもよいし、可変容量コンデンサ等の電
圧制御可能なリアクタンス素子を用いてもよい。
に、周波数可変誘電体フィルタ31は誘電体ブロック1
2の外面に、外導体17と、入力端子電極21と、出力
端子電極22と、二つの浮き電極34,35が形成され
ている。
ロック12の開放側端面12aに、外導体17や入出力
端子電極21,22に非導通の状態で形成されている。
浮き電極35は開放側端面12aから底面12fに跨っ
ている。浮き電極34,35の一部は、共振孔13,1
4内に延在している。共振孔13,14の内導体16は
それぞれ、開放側端面12aの近傍において、非導体形
成部32を挟んで、共振孔13,14内に延在している
浮き電極34,35と対向している。
12aに、PINダイオードD11,D12と結合調整
用コンデンサC11が搭載される。PINダイオードD
11は外導体17と浮き電極34の間に電気的に接続さ
れる。PINダイオードD12は外導体17と浮き電極
35の間に電気的に接続される。結合調整用コンデンサ
C11は、浮き電極34と35の間に電気的に接続され
る。
おいて、周波数シフト用コンデンサCs1は、浮き電極
34と共振孔13の内導体16とが非導体形成部32を
挟んで対向することにより、形成されている。同様に、
周波数シフト用コンデンサCs2は、浮き電極35と共
振孔14の内導体16とが非導体形成部32を挟んで対
向することにより、形成されている。この結果、誘電体
フィルタ31も小型化を図ることができ、前記第1実施
形態のフィルタ11と比較して、より一層の低背化が可
能である。
に、周波数可変誘電体フィルタ41は誘電体ブロック1
2の外面に、外導体17と、入力端子電極21と、出力
端子電極22と、電圧制御端子電極23と、二つの浮き
電極44,45が形成されている。
ロック12の開放側端面12aに、外導体17や他の電
極21〜23に非導通の状態で形成されている。浮き電
極44は開放側端面12aから側面12eに跨ってい
る。浮き電極45は開放側端面12aから側面12dに
跨っている。浮き電極44,45の一部は共振孔13,
14内に延在している。共振孔13,14の内導体16
はそれぞれ、開放側端面12aの近傍において、非導体
形成部32を挟んで、共振孔13,14内に延在してい
る浮き電極44,45と対向している。
e,12dにそれぞれPINダイオードD11,D12
が搭載され、開放側端面12aにインダクタL11,L
12が搭載される。PINダイオードD11は外導体と
浮き電極44の間に電気的に接続される。PINダイオ
ードD12は外導体17と浮き電極45の間に電気的に
接続される。インダクタL11は浮き電極44と45の
間に電気的に接続される。インダクタL12は浮き電極
45と電圧制御端子電極23の間に電気的に接続され
る。
おいて、周波数シフト用コンデンサCs1は、浮き電極
44と共振孔13の内導体16とが非導体形成部32を
挟んで対向することにより、形成されている。同様に、
周波数シフト用コンデンサCs2は、浮き電極45と共
振孔14の内導体16とが非導体形成部32を挟んで対
向することにより、形成されている。この結果、誘電体
フィルタ41も小型化を図ることができる。
に、周波数可変誘電体フィルタ51は、PINダイオー
ドD11,D12やインダクタL11,L12を実装し
た回路基板60に、誘電体ブロック12を搭載したもの
である。
ン61、出力電極パターン62,電圧制御電極パターン
63、中継電極パターン65,66および広面積のグラ
ンドパターン64が形成されている。PINダイオード
D11はグランドパターン64と中継電極パターン65
の間に電気的に接続される。PINダイオードD12は
グランドパターン64と中継電極パターン66の間に電
気的に接続される。インダクタL11は中継電極パター
ン65と66の間に電気的に接続される。インダクタL
12は中継電極パターン66と電圧制御電極パターン6
3の間に電気的に接続される。
導体17と、入力端子電極21と、出力端子電極22
と、二つの浮き電極54,55が形成されている。浮き
電極54,55は、それぞれ誘電体ブロック12の底面
12fに、外導体17や入出力端子電極21,22に非
導通の状態で形成されている。
性ペースト等を用いて回路基板60に実装される。これ
により、誘電体ブロック12の入力端子電極21は、回
路基板60の入力電極パターン61に電気的に接続され
る。同様に、出力端子電極22は出力電極パターン62
に電気的に接続され、浮き電極54,55はそれぞれ中
継電極パターン65,66に電気的に接続され、外導体
17はグランドパターン64に電気的に接続される。
おいて、周波数シフト用コンデンサCs1は、浮き電極
54と共振孔13の内導体16との間に静電容量が発生
することにより、形成されている。同様に、周波数シフ
ト用コンデンサCs2は、浮き電極55と共振孔14の
内導体16との間に静電容量が発生することにより、形
成されている。従って、誘電体フィルタ51は、図2に
示した電気回路において結合調整用コンデンサC11を
外したものと略同様の等価回路を有することになる。こ
の結果、小型の誘電体フィルタ51を得ることができ
る。
に、周波数可変誘電体フィルタ71は、PINダイオー
ドD11,D12やインダクタL11,L12を実装し
た回路基板80を、誘電体ブロック12の開放側端面1
2aに接合したものである。
ン81,82、グランドパターン85および電圧制御電
極パターン86が形成されている。中継電極パターン8
1,82は、それぞれ回路基板80に設けたスルーホー
ル83を介して回路基板80の裏面に形成されている中
継電極パターン81a,82aに接続している。PIN
ダイオードD11はグランドパターン85と中継電極パ
ターン82の間に電気的に接続される。PINダイオー
ドD12はグランドパターン85と中継電極パターン8
1の間に電気的に接続される。インダクタL11は中継
電極パターン81と82の間に電気的に接続される。イ
ンダクタL12は中継電極パターン81と電圧制御電極
パターン86の間に電気的に接続される。
導体17と、入力端子電極21と、出力端子電極22
と、二つの浮き電極74,75が形成されている。浮き
電極74,75は、それぞれ誘電体ブロック12の開放
側端面12aに、外導体17や入出力端子電極21,2
2に非導通の状態で形成されている。共振孔13,14
の内導体はそれぞれ、開放側端面12aの近傍におい
て、非導体形成部32を挟んで、共振孔13,14内に
延在している浮き電極74,75と対向している。
aに回路基板80を接合すると、回路基板80の中継電
極パターン81a,82aは、誘電体ブロック12の浮
き電極74,75に電気的に接続される。
おいて、周波数シフト用コンデンサCs1は、浮き電極
75と共振孔13の内導体16とが非導体形成部32を
挟んで対向することにより形成されている。同様に、周
波数シフト用コンデンサCs2は、浮き電極74と共振
孔14の内導体16とが非導体形成部32を挟んで対向
することにより形成されている。
した電気回路において結合調整用コンデンサC11を外
したものと略同様の等価回路を有することになる。この
結果、誘電体フィルタ71も小型化を図ることができ、
前記第4実施形態のフィルタ51と比較して、より一層
の低背化が可能である。
施形態は、誘電体ブロックの表面に形成した浮き電極に
より、周波数シフト用コンデンサを誘電体ブロック内に
構成する誘電体フィルタについて説明した。しかしなが
ら、浮き電極にも形状的な制約があるため、浮き電極で
は充分な静電容量が得られない場合がある。そこで、本
第6実施形態では、より大きい静電容量を有する周波数
シフト用コンデンサを内蔵した誘電体フィルタについて
説明する。
ルタ91は、誘電体ブロック12と、PINダイオード
D11,D12等を実装した回路基板80と、所望の誘
電率を有した絶縁部材92,93および金属ピン94,
95にて構成されている。円柱状の絶縁部材92,93
は、それぞれ中心軸部に金属ピン94,95が圧入され
た状態で、共振孔14,13に挿入される。回路基板8
0は誘電体ブロック12の開放側端面12aに臨むよう
に配置され、絶縁部材92,93から突出している金属
ピン94,95の頭部が、それぞれ回路基板80のスル
ーホール83に挿通され、はんだ付けされる。
おいて、周波数シフト用コンデンサCs1は、金属ピン
95と共振孔13の内導体16との間に静電容量が発生
することにより、形成されている。同様に、周波数シフ
ト用コンデンサCs2は、金属ピン94と共振孔14の
内導体16との間に静電容量が発生することにより、形
成されている。このように、周波数シフト用コンデンサ
Cs1,Cs2は、いわゆる同軸コンデンサの構造を有
するので大きな静電容量を有することができる。誘電体
フィルタ91は、図2に示した電気回路において結合調
整用コンデンサC11を外したものと略同様の等価回路
を有している。
力端子電極21,22を誘電体ブロック12の表面に設
ける替わりに、回路基板80に設けてもよい。さらに、
共振孔13,14の内導体16に図5に示すような非導
体形成部32を設け、誘電体ブロック12の開放側端面
12aを外導体17で覆うようにして電磁シールド性を
向上させてもよい。
は、浮き電極では充分な静電容量が得られない場合に、
チップコンデンサで周波数シフト用コンデンサCs1,
Cs2を形成するようにしたものである。図10に示す
ように、周波数可変誘電体フィルタ101は、誘電体ブ
ロック12と、PINダイオードD11,D12等を実
装した回路基板80と、接続部材102,103とを備
えている。接続部材102,103は、ばね性を有する
金属板を打ち抜き、曲げ加工して形成されたものであ
る。接続部材102,103は、ばね性を有する足部1
04を共振孔14,13に挿入することにより、内導体
16と電気的に接続するとともに、堅固に誘電体ブロッ
ク12に固定される。
側端面12aに臨むように配置され、接続部材102,
103の頭部がそれぞれ回路基板80の裏面に設けた中
継電極パターン81a,82aにはんだ付けされる。こ
の回路基板80の表面には、中継電極パターン81,8
2,88a,88b、電圧制御電極パターン86および
グランドパターン89a,89bが設けられている。こ
の回路基板80には、PINダイオードD11,D12
およびインダクタL11,L12の他に、周波数シフト
用コンデンサとしてのチップコンデンサCs1,Cs2
が実装されている。
は、前記第1実施形態の誘電体フィルタ11の段差18
の替わりに、凹部112を設けたものである。図11に
示すように、周波数可変誘電体フィルタ111は、誘電
体ブロック12の上面12cに凹部112を設けてい
る。
や電圧制御端子電極23の一部と共に、それぞれ誘電体
ブロック12の上面12cの凹部112内に形成され、
外導体17や他の電極21〜23に非導通の状態で形成
されている。そして、その凹部112内にPINダイオ
ードD11,D12と、インダクタL11,L12を搭
載する。PINダイオードD11は外導体17と浮き電
極24の間に電気的に接続される。PINダイオードD
12は外導体17と浮き電極25の間に電気的に接続さ
れる。インダクタL11は、浮き電極24と25の間に
電気的に並列に接続される。インダクタL12は浮き電
極25と電圧制御端子電極23の間に電気的に接続され
る。
は、周波数シフト用コンデンサCs1,Cs2をそれぞ
れ、誘電体ブロック12の上面に設けた浮き電極24,
25と共振孔13,14の内導体16とで形成されてい
る。また、PINダイオードD11,D12とインダク
タL11,L12を誘電体ブロック12の上面12cの
凹部112内に搭載しているので、誘電体フィルタ11
1の小型化を図ることがでる。
は、本発明に係る誘電体フィルタの第9実施形態を示す
分解斜視図を示す。図13は、図12のPINダイオー
ド搭載前のXIII−XIII断面図を、図14は、図
12のPINダイオード搭載前のXIV−XIV断面図
を示す。
の誘電体フィルタ121は、前記第1実施形態の誘電体
フィルタ11において、PINダイオードD11,D1
2をそれぞれ共振孔13,14内に搭載したものであ
る。具体的には、略直方体形状を有する単一の誘電体ブ
ロック12の外面に、外導体17と、入力端子電極21
と、出力端子電極22と、二つの浮き電極24,25が
形成されている。そして、誘電体ブロック12の上面1
2cには段差18が形成されており、低い方の段にイン
ダクタL11,L12が搭載される。また、共振孔1
3,14内にはPINダイオードD11,D12が搭載
される。共振孔13,14の開放側端面12a側の孔径
は、PINダイオードD11,D12の搭載のため、短
絡側端面12b側より大きい。
ロック12の上面12cの段差18の低い方の段に、外
導体17や電圧制御端子電極23に非導通の状態で形成
されている。図13に示すように、浮き電極24,25
は、上面12cから開放側端面12a、共振孔13,1
4内の上部内壁面を経由して共振孔13,14の略中央
の位置まで延在している。この浮き電極24,25は、
共振孔13,14の略中央の位置において、共振孔1
3,14の内壁面を1周している。共振孔13,14の
内導体16はそれぞれ、非導体形成部32を挟んで、共
振孔13,14内に延在している浮き電極24,25と
対向している。さらに、図14に示すように、開放側端
面12aの近傍において、外導体17が共振孔13,1
4内の下部内壁面に延在している。
の外導体17と浮き電極24の間に電気的に接続され
る。PINダイオードD12は、共振孔14内の外導体
17と浮き電極25の間に電気的に接続される。インダ
クタL11は浮き電極24と25の間に電気的に接続さ
れる。インダクタL12は浮き電極25と電圧制御端子
電極23の間に電気的に接続される。
において、周波数シフト用コンデンサCs1は、浮き電
極24と共振孔13の内導体16とが非導体形成部32
を挟んで対向することにより、形成されている。同様
に、周波数シフト用コンデンサCs2は、浮き電極25
と共振孔14の内導体16とが非導体形成部32を挟ん
で対向することにより、形成されている。また、インダ
クタL11,L12を段差18の低い方の段に搭載する
と共に、PINダイオードD11,D12をそれぞれ共
振孔13,14内に搭載しているので、誘電体フィルタ
121の小型化を図ることができる。
ように、第10実施形態は、前記第2実施形態の誘電体
フィルタ31の誘電体ブロック12の開放側端面12a
に凹部132を設けたものである。
と共に、それぞれ誘電体ブロック12の開放側端面12
aの凹部132内に、外導体17や入出力端子電極2
1,22に非導通の状態で形成されている。浮き電極3
5は開放側端面12aから底面12fに跨っている。浮
き電極34,35の一部は、共振孔13,14内に延在
している。共振孔13,14の内導体16はそれぞれ、
開放側端面12aの近傍において、非導体形成部32を
挟んで、共振孔13,14内に延在している浮き電極3
4,35と対向している。
12aの凹部132内に、PINダイオードD11,D
12と結合調整用コンデンサC11が搭載される。PI
NダイオードD11は外導体17と浮き電極34の間に
電気的に接続される。PINダイオードD12は外導体
17と浮き電極35の間に電気的に接続される。結合調
整用コンデンサC11は、浮き電極34と35の間に電
気的に接続される。
において、周波数シフト用コンデンサCs1は、浮き電
極34と共振孔13の内導体16とが非導体形成部32
を挟んで対向することにより、形成されている。同様
に、周波数シフト用コンデンサCs2は、浮き電極35
と共振孔14の内導体16とが非導体形成部32を挟ん
で対向することにより、形成されている。また、PIN
ダイオードD11,D12と結合調整用コンデンサC1
1を誘電体ブロック12の開放側端面12aの凹部13
2内に搭載しているので、誘電体フィルタ131の小型
化を図ることができる。
態は、本発明に係るアンテナ共用器の一実施形態を示す
ものである。図16に示すように、アンテナ共用器14
1は、送信端子Txとアンテナ端子ANTの間に送信フ
ィルタ142が電気的に接続し、受信端子Rxとアンテ
ナ端子ANTの間に受信フィルタ143が電気的に接続
している。ここに、送信フィルタ142や受信フィルタ
143として、前記第1〜第10実施形態のフィルタ1
1,31,41,51,71,91,101,111,
121,131を使用することができる。これらのフィ
ルタ11等を実装することにより、設計の自由度が大き
くかつ小型化を図ることができるアンテナ共用器141
を実現することができる。
態は、本発明に係る通信機装置の一実施形態を示すもの
で、携帯電話を例にして説明する。
回路ブロック図である。図17において、152はアン
テナ素子、153はデュプレクサ、161は送信側アイ
ソレータ、162は送信側増幅器、163は送信側段間
用バンドパスフィルタ、164は送信側ミキサ、165
は受信側増幅器、166は受信側段間用バンドパスフィ
ルタ、167は受信側ミキサ、168は電圧制御発振装
置(VCO)、169はローカル用バンドパスフィルタ
である。
ば前記第11実施形態のアンテナ共用器141を使用す
ることができる。また、送信及び受信側段間用バンドパ
スフィルタ163,166並びにローカル用バンドパス
フィルタ169として、例えば第1〜第10実施形態の
誘電体フィルタ11,31,41,51,71,91,
101,111,121,131を使用することができ
る。アンテナ共用器141や誘電体フィルタ11等を実
装することにより、RF部分の設計の自由度を向上させ
るとともに、小型の携帯電話を実現することができる。
体フィルタ、アンテナ共用器及び通信機装置は前記実施
形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々
に変更することができる。電圧制御可能なリアクタンス
素子として、PINダイオードの他に、電界効果型トラ
ンジスタや可変容量ダイオード等を用いてもよい。ま
た、誘電体ブロックは少なくとも一つの共振孔を有して
いればよい。
よれば、浮き電極が周波数シフト用コンデンサを形成す
るので、従来の周波数シフト用コンデンサ素子を省略す
ることができる。そして、この浮き電極に、電圧制御可
能なリアクタンス素子及び該リアクタンス素子を制御す
るための回路素子が電気的に接続される。これにより、
リアクタンス素子を電圧制御してスイッチング動作さ
せ、浮き電極にて形成された周波数シフト用コンデンサ
を接地したり、開放したりすることによって、フィルタ
の周波数特性を可変することができる。
整用素子を介して電気的に接続することにより、電圧制
御可能なリアクタンス素子がON状態のときの共振器間
の結合度合とOFF状態のときの共振器間の結合度合
を、少ない部品点数で、かつ、少ない消費電流で、独立
して設定することができる。この結果、設計の自由度が
大きくかつ小型のアンテナ共用器や通信機装置を得るこ
とができる。
なくとも一つの共振孔を設けた誘電体ブロックと、前記
共振孔の内導体とは電気的に絶縁された状態で、前記共
振孔に挿入された導体と、前記導体に電気的に接続され
た電圧制御可能なリアクタンス素子と、前記誘電体ブロ
ックの底面以外の外面に配設される、前記リアクタンス
素子を搭載するための回路基板とを備えることにより、
共振孔の内導体と共振孔に挿入された導体とが周波数シ
フト用コンデンサを形成し、従来の周波数シフト用コン
デンサ素子を不要にすることができる。
なくとも一つの共振孔を設けた誘電体ブロックと、前記
共振孔の内導体に電気的に接続された導体と、前記導体
に電気的に接続された電圧制御可能なリアクタンス素子
と、前記誘電体ブロックの底面以外の外面に配設され
る、前記リアクタンス素子を搭載するための回路基板と
を備えることにより、回路基板にはリアクタンス素子の
他に、周波数シフト用コンデンサ素子やリアクタンス素
子を制御するための回路素子等を搭載することができ、
小型化を図ることができる。
なくともいずれか一つを設け、該段差及び凹部に前記浮
き電極を設けることにより、リアクタンス素子や回路素
子が段差や凹部内に搭載され、誘電体フィルタを小型化
することができる。
示す分解斜視図。
図。
明するための電気回路図。
説明するための電気回路図。
示す分解斜視図。
示す分解斜視図。
示す分解斜視図。
示す分解斜視図。
示す分解斜視図。
を示す分解斜視図。
を示す分解斜視図。
を示す分解斜視図。
−XIII断面図。
XIV断面図。
態を示す分解斜視図。
示す電気回路ブロック図。
電気回路ブロック図。
図。
1,121,131…誘電体フィルタ 12…誘電体ブロック 12f…底面 13,14…共振孔 16…内導体 17…外導体 18…段差 21…入力端子電極 22…出力端子電極 24,25…浮き電極 60,80…回路基板 92,93…絶縁部材 94,95…金属ピン 102,103…接続部材 112,132…凹部 141…アンテナ共用器 150…携帯電話 153…デュプレクサ C11…コンデンサ(結合調整用素子) D11,D12…PINダイオード(電圧制御可能なリ
アクタンス素子) L11,L12…インダクタ(リアクタンス素子を制御
するための回路素子)
Claims (12)
- 【請求項1】 少なくとも一つの共振孔を設けた誘電体
ブロックと、 外部回路と接続するための入出力端子電極と、 前記誘電体ブロックの外面に設けた、前記入出力端子及
びグランドに接続されていない浮き電極と、 を備えたことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項2】 前記浮き電極に、電圧制御可能なリアク
タンス素子及び該リアクタンス素子を制御するための回
路素子が電気的に接続されていることを特徴とする請求
項1記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項3】 前記誘電体ブロックに段差及び凹部の少
なくともいずれか一つを設け、該段差及び凹部に前記浮
き電極を設けたことを特徴とする請求項1又は請求項2
記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項4】 前記誘電体ブロックと前記リアクタンス
素子と前記回路素子が回路基板に搭載され、該リアクタ
ンス素子及び回路素子が前記回路基板に設けた回路パタ
ーンを介して前記浮き電極に電気的に接続されているこ
とを特徴とする請求項2又は請求項3記載の誘電体フィ
ルタ。 - 【請求項5】 前記浮き電極及び前記入出力端子電極
が、前記誘電体ブロックの少なくとも二つの外面に跨っ
て設けられていることを特徴とする請求項1ないし請求
項4記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項6】 前記浮き電極及び前記入出力端子電極
が、前記誘電体ブロックの少なくとも底面に設けられて
いることを特徴とする請求項1ないし請求項5記載の誘
電体フィルタ。 - 【請求項7】 前記浮き電極が二つ以上あり、少なくと
も二つの浮き電極を結合調整用素子を介して電気的に接
続したことを特徴とする請求項1ないし請求項6記載の
誘電体フィルタ。 - 【請求項8】 少なくとも一つの共振孔を設けた誘電体
ブロックと、 前記共振孔の内導体とは電気的に絶縁された状態で、前
記共振孔に挿入された導体と、 前記導体に電気的に接続された電圧制御可能なリアクタ
ンス素子と、 前記誘電体ブロックの底面以外の外面に配設される、前
記リアクタンス素子を搭載するための回路基板と、 を備えたことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項9】 少なくとも一つの共振孔を設けた誘電体
ブロックと、 前記共振孔の内導体に電気的に接続された導体と、 前記導体に電気的に接続された電圧制御可能なリアクタ
ンス素子と、 前記誘電体ブロックの底面以外の外面に配設される、前
記リアクタンス素子を搭載するための回路基板と、 を備えたことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項10】 前記電圧制御可能なリアクタンス素子
が、PINダイオード、電界効果型トランジスタおよび
可変容量ダイオードのいずれか一つであることを特徴と
する請求項2ないし請求項9記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項11】 請求項1ないし請求項10記載の誘電
体フィルタを備えたことを特徴とするアンテナ共用器。 - 【請求項12】 請求項1ないし請求項10記載の誘電
体フィルタ又は請求項11記載のアンテナ共用器の少な
くともいずれか一つを備えたことを特徴とする通信機装
置。
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