JP2000101380A - 共振回路、フィルタ、送受共用器および通信装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 全体を大型化せず且つ大きく離れた２つの周
波数帯域に対応した共振回路、フィルタ、送受共用器お
よびそれらを用いた通信装置を提供する。 【解決手段】 両端開放の共振素子Ｒｅの一方端と接地
との間にダイオードＤおよびコンデンサＣを接続し、ダ
イオードＤに対する印加電圧によって、オン／オフし、
Ｄのオン状態で、１／４波長共振器として作用させ、Ｄ
のオフ状態で１／２波長共振器として作用させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電圧制御により
周波数特性を変化させるようにした共振回路、フィル
タ、送受共用器および通信装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】たとえば携帯電話システムにおいて、１
つの携帯電話端末機で２つの携帯電話システムに対応す
る機能を持ったものが実用化されている。代表的なもの
では、ＧＳＭ(Global System for Mobile)とＤＣＳ(Dig
ital Communication System)のデュアルバンドシステム
がある。このような機能をもった携帯電話端末機には２
つの周波数帯域に対応したアンテナ共用器が備えられて
いる。

【０００３】ここで、上記の２つの周波数帯域に対応し
たアンテナ共用器の構成を図１９に示す。図１９におい
て、ＧＳＭ送信フィルタとＧＳＭ受信フィルタとによっ
てＧＳＭにおけるアンテナ共用器を構成し、ＤＣＳ送信
フィルタとＤＣＳ受信フィルタとによってＤＣＳ用のア
ンテナ共用器を構成している。そして、この２つのアン
テナ共用器を伝送線路で位相合成することによって、２
つの周波数帯域に対応したアンテナ共用器を構成してい
る。

【０００４】一方、共振器や共振器を用いた回路の周波
数特性を変化させるものとして、図２０に示すような回
路も一般に用いられている。図２０において、Ｒｅは一
端を接地し、他端を開放した伝送線路等からなる共振器
であり、コンデンサＣとダイオードＤから成る回路を共
振器Ｒｅに並列に接続している。ダイオードＤに印加す
る制御電圧に応じて、ダイオードＤがオンすれば、共振
器に対してコンデンサＣの容量分が付加されることにな
り、共振器周波数が低下する。逆に、ダイオードＤがオ
フすれば、コンデンサＣとダイオードＤとの静電容量に
よる直列合成容量が共振器に付加される状態となり、共
振周波数が上昇する。したがって、この周波数可変共振
器を複数段設ければ、周波数特性の切替が可能なフィル
タを構成することができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】２つの周波数帯域に対
応するために、図１９に示したように、それぞれの周波
数帯域に対応する回路を組み合わせたものでは、２つ分
の回路とその両者の位相合成を行うための移相回路も必
要となり、全体に非常に大型となっていた。

【０００６】図２０に示したように、共振器に付加する
コンデンサ等のリアクタンス素子の変化によって共振周
波数を変化させるようにしたもので、たとえば９００Ｍ
Ｈｚ帯のＧＳＭと１．８ＧＨｚのＤＳＣに対応するため
には、周波数可変量が約１ＧＨｚとなるようにコンデン
サの値を設定することになる。また、２つの周波数帯域
で同じ結合係数とするために、共振回路のアドミタンス
スロープを最適に合わせる必要がある。しかし、従来技
術では、１／４波長の共振器を用いており、片方を短絡
させていることから、共振回路のアドミタンススロープ
を最適に合わせることは難しかった。そのため、大きく
離れた２つの周波数帯域で共に最適なフィルタ特性を得
ることは困難であった。たとえば図２１に示すように、
ｆ１で示す帯域で、通過特性Ａおよび反射特性Ｃが最適
となっても、ｆ２で示す周波数帯域ではＢに示すように
通過帯域幅がとれずに、また、Ｄに示すように反射損失
が大きくなる。

【０００７】この発明の目的は、全体を大型化せず且つ
大きく離れた２つの周波数帯域に対応した共振回路、フ
ィルタ、送受共用器およびそれらを用いた通信装置を提
供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明は、両端が開放
された線路から成る共振素子の一方の開放端とアース間
に少なくとも１つの電圧制御可能なリアクタンス素子を
備え、当該リアクタンス素子に対する制御電圧によって
前記共振素子の共振周波数を変化させるようにする。こ
の構造によれば、上記リアクタンス素子がオフ状態のと
き、両端開放の１／２波長共振器として作用し、上記リ
アクタンス素子がオン状態のとき、一端開放他端短絡の
１／４波長の共振器として作用する。したがって、１つ
の共振素子を用いてリアクタンス素子を電圧制御するこ
とによって、共振素子の共振周波数を切り替えることが
できる。

【０００９】また、この発明では、上記電圧制御可能な
リアクタンス素子に対して、他のリアクタンス素子を並
列または直列に接続する。これにより、電圧制御可能な
リアクタンス素子のオン／オフの状態に応じた共振素子
の共振周波数を上記他のリアクタンス素子によって変え
ることができ、２つの周波数帯域の周波数比が１対２に
限られない。そのため、設計上の自由度が高まる。

【００１０】また、この発明では、上記共振素子を構成
する線路として、その特性インピーダンスを、一方の開
放端側と他方の開放端側とで異ならせる。

【００１１】上記共振素子としては、たとえば同軸誘電
体共振器、誘電体ブロックを用いた誘電体共振器、また
はマイクロストリップライン共振器とする。

【００１２】上記電圧制御可能なリアクタンス素子とし
ては、たとえばＰＩＮダイオードまたは電界効果トラン
ジスタとする。

【００１３】また、この発明では上記共振回路とその共
振回路に結合した信号の入出力を行う回路とによってフ
ィルタを構成する。複数の共振素子同士を結合させる場
合、両端開放の共振素子を用いることにより、共振回路
のアドミタンススロープを最適に合わせることができ、
２つの周波数帯域におけるフィルタ特性を揃えることが
できる。

【００１４】また、この発明は送信信号入力ポートと入
出力ポートとの間および受信信号出力ポートと入出力ポ
ートとの間にそれぞれ上記フィルタを設けて、送受共用
器を構成する。

【００１５】さらにこの発明はフィルタまたは送受共用
器を高周波回路部に設けて、通信装置を構成する。

【００１６】

【発明の実施の形態】この発明の第１の実施形態に係る
共振回路の構成を図１に示す。図１において、Ｒｅはそ
れ自体では両端が開放された共振素子であり、一方の端
部と接地との間にＰＩＮダイオードＤを接続している。
また、共振素子ＲｅとダイオードＤとの接続部に対して
ＲＦＣで示す高周波遮断回路を接続し、このＲＦＣを介
して制御電圧信号をダイオードＤに印加するようにして
いる。

【００１７】図１において、制御端子ＣＮＴに０Ｖまた
は負電圧を印加した場合、ダイオードＤはオフ状態とな
り、ハイインピーダンスになるので、図１の（Ｂ）のよ
うにダイオードＤのオフ時の容量成分が接続されるのみ
となり、共振素子Ｒｅは両端開放の１／２波長共振器と
して作用する。このときの共振器周波数はｆ２となり、
挿入損失は図２の（Ｂ）に示すような特性となる。

【００１８】図１に示した制御端子ＣＮＴに正電圧を印
加した場合、Ｄがオンし、図１の（Ｃ）に示すように、
共振素子Ｒｅの一方端が低インピーダンスで接地され
て、１／４波長共振器として作用する。このときの共振
器周波数はｆ１となり、挿入損失は図２の（Ａ）に示す
ような特性となる。

【００１９】次に第２の実施形態に係る共振回路を図３
に示す。図３の（Ａ）において、ＣはダイオードＤに対
して並列に接続したコンデンサであり、その他の構成は
図１に示したものと同様である。図４は図３のダイオー
ドＤがオン／オフした時の共振素子Ｒｅの共振周波数の
変化を示している。破線は上記コンデンサＣを設けない
場合、実線はコンデンサＣを設けた場合である。このよ
うにダイオードＤがオフして１／２波長共振器として作
用するとき、コンデンサＣの影響により共振周波数がｆ
２からｆ２′へ低下する。ダイオードＤがオン状態であ
れば、図３の（Ｃ）に示すようになり、コンデンサＣに
よる影響は殆どない。そのため、図４に示すように共振
周波数ｆ１とｆ１′には殆ど差がない。この関係を利用
して、付加するコンデンサＣの容量によって、ダイオー
ドのオン・オフによる共振周波数の変化幅を適宜設定で
きるようになる。

【００２０】次に第３の実施形態に係る共振回路を図５
に示す。この例では、図５の（Ａ）に示すように、共振
素子Ｒｅの一方端とダイオードＤとの間にコンデンサＣ
を直列に接続している。これにより、ダイオードＤがオ
フのとき、（Ｂ）のように共振素子Ｒｅは両端開放の１
／２波長共振器として作用し、コンデンサＣは共振周波
数に殆ど影響を与えない。ダイオードＤがオン状態で
は、図５の（Ｃ）に示すように、共振素子Ｒｅの一方端
がコンデンサＣを介して低インピーダンスで接地される
ため、１／４波長共振器として作用するが、共振素子Ｒ
ｅの容量成分が減少するため、純粋な１／４波長共振器
の場合より共振周波数は高くなる。

【００２１】図６は第４の実施形態に係る共振回路であ
り、（Ａ）に示すように、共振器Ｒｅの一方端とダイオ
ードＤとの間にインダクタンス素子Ｌを挿入している。
この場合、ダイオードＤがオフすれば、（Ｂ）に示す状
態となって、インダクタンス素子Ｌは共振周波数に殆ど
影響を与えない。ダイオードＤがオン状態では、図６の
（Ｃ）に示すように、共振素子Ｒｅの一方端がインダク
タンス素子Ｌを介して低インピーダンスで接地されるた
め、１／４波長共振器として作用するが、共振素子Ｒｅ
の容量成分が減少するため、純粋な１／４波長共振器の
場合より共振周波数は低くなる。

【００２２】以上に示した例では電圧制御可能なリアク
タンス素子として、ダイオードを用いたが、図７に示す
ようにＦＥＴを用いてもよい。この場合、共振素子Ｒｅ
の一方端と接地との間にＦＥＴのドレインとソースを接
続し、ゲートに制御電圧を印加するように回路を構成す
ればよい。ＦＥＴのオン／オフによる共振動作の変化は
ダイオードの場合と同様である。

【００２３】次に第６の実施形態に係る帯域阻止フィル
タの構成例を図８に示す。図８の（Ａ）に示す例では、
２つの共振素子Ｒｅの一方端と接地との間にダイオード
ＤおよびコンデンサＣを接続し、このダイオードＤに対
して制御電圧を印加するインダクタンス素子Ｌｆ、コン
デンサＣｆおよび抵抗Ｒｆから成る高周波遮断回路（Ｒ
ＦＣ）を設けている。また、共振素子Ｒｅの他方端と接
地との間にコンデンサＣａ，Ｃｂを接続するとともに、
共振器間をインダクタンス素子Ｌａｂを介して接続して
いる。図８の（Ｂ）は（Ａ）におけるダイオードＤをＦ
ＥＴに置き換えたものである。

【００２４】図９は図８に示したフィルタの減衰特性を
示している。図８に示したダイオードＤまたはＦＥＴが
オフ状態であれば、共振素子Ｒｅの共振器周波数はｆ２
となって、ｆ２に減衰域が生じる。ダイオードＤまたは
ＦＥＴがオン状態となれば、共振素子Ｒｅの共振周波数
はｆ１となり、ｆ１に減衰域が生じる。これにより制御
電圧によって２つの周波数帯に対応する帯域阻止フィル
タとして用いることができる。

【００２５】図１０は第７の実施形態に係るフィルタの
回路図である。図１０の（Ａ）に示す例では、各共振素
子Ｒｅの一方端と接地との間にダイオードＤおよびコン
デンサＣを接続し、隣接する共振素子の他方端同士をコ
ンデンサＣａｂで接続している。また、それぞれコンデ
ンサＣｅを介して入力端子ＩＮおよび出力端子ＯＵＴを
設けている。この構成により帯域通過フィルタ回路を構
成する。図１０の（Ｂ）は（Ａ）におけるダイオードＤ
をＦＥＴに置き替えたものである。

【００２６】図１１は図１０に示したフィルタの通過特
性を示す図である。上記ダイオードＤまたはＦＥＴが全
てオフ状態であれば、各共振素子の周波数はｆ２となっ
て、ｆ２を中心周波数とする所定帯域を通過する特性が
得られる。また、上記ダイオードＤまたはＦＥＴが全て
オン状態であれば、各共振素子の周波数はｆ１となっ
て、ｆ１を中心周波数とする所定帯域を通過する特性が
得られる。

【００２７】上記共振素子の幾つかの構成例を図１２〜
図１６を参照して順に説明する。図１２は同軸誘電体共
振器を用いた例であり、円筒状の誘電体１の内導体形成
孔の内面に内導体３を形成し、外面に外導体４を形成し
ている。両端面は開放端としている。この内導体形成孔
には端子１１を挿入し、その端部を基板上に設けた電極
１２に半田付けなどにより接続している。また、基板上
の電極１２と接地電極１３との間にダイオードＤを実装
している。なお、ダイオードＤに対して制御電圧を印加
する回路部分は図では省略している。

【００２８】図１３は上記同軸誘電体共振器の断面構造
とダイオードの接続位置関係について示している。この
例では、内導体形成孔２をその軸方向で内径をステップ
状に異ならせて、内導体３の特性インピーダンスを一方
の開放端側と他方の開放端側とで異ならせている。
（Ａ）の例では、内径の狭い側の端部にダイオードＤを
接続し、（Ｂ）の例では、内径の広い側の端部にダイオ
ードＤを接続している。いずれの場合でも、ダイオード
Ｄがオン状態のとき、内径の広い側が開放、内径の狭い
側が短絡となるので、１／４波長共振器として動作する
が、開放端側の内径を短絡端側の内径より広くした場
合、内径が一定（ストレート孔）である場合に比べて共
振器長が短くできる。言い換えれば、ストレート孔の場
合に比べて、共振周波数は低下する。そのため、ダイオ
ードＤのオン／オフによって、共振周波数を２倍以上に
変化させることができる。逆に、図１３の（Ｂ）に示す
ように、ダイオードＤがオン状態のとき、内径の狭い側
が開放、内径の広い側が短絡となって１／４波長共振器
として動作するので、ストレート孔の場合に比べて、共
振周波数は上昇する。そのため、ダイオードＤのオン／
オフによって、共振周波数を２倍までの範囲で変化させ
ることができる。

【００２９】このように内導体形成孔をステップ孔とし
た同軸誘電体共振器を用いることによって、１／２波長
共振器と１／４波長共振器の周波数間隔設定の自由度が
得られる。

【００３０】図１４は誘電体ブロックを用いた例であ
り、直方体状の誘電体ブロック１０に３つの内導体形成
孔２ａ，２ｂ，２ｃを設けていて、その内面に内導体を
形成し、外面の四面に外導体４を形成している。誘電体
ブロック１０の一方の端面には（Ａ）に示すように、内
導体から延びる電極５ａ，５ｂ，５ｃを形成している。
また、誘電体ブロック１０の外面には、端子電極６，７
を形成している。図１４の（Ｂ）は（Ａ）における状態
から誘電体ブロックを裏返した、実装状態での斜視図で
ある。内導体形成孔には端子１１ａ，１１ｂ，１１ｃを
それぞれ挿入していて、これらの端子の端部を基板上の
電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃにそれぞれ半田付けなどに
より接続している。基板上の電極１２ａ，１２ｂ，１２
ｃと接地電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃとの間にはダイオ
ードＤａ，Ｄｂ，Ｄｃをそれぞれ実装している。

【００３１】図１４に示した構造では、内導体と外導体
による３つの共振素子は電極５ａ，５ｂ，５ｃにより生
じる静電容量により順次結合し、内導体形成孔２ａの内
面の内導体と端子電極６とが容量結合し、内導体形成孔
２ｃの内面の内導体と端子電極７とが容量結合する。こ
れにより図１０の（Ａ）に示した回路構成の帯域通過フ
ィルタが得られる。但し、図１４においては、ダイオー
ドに並列接続するコンデンサや制御電圧印加のための回
路は省略している。

【００３２】図１５は誘電体ブロック内部の構造とダイ
オードＤの接続位置との関係を示す図である。このよう
に誘電体ブロックを用いる場合も、内導体形成孔２ａ，
２ｂ，２ｃをステップ孔とし、どちらの開放端側にダイ
オードを接続するかによって、ダイオードＤａ，Ｄｂ，
Ｄｃのオン／オフによる共振周波数の変化幅を定めるこ
とができる。すなわち１／２波長共振器と１／４波長共
振器の周波数間隔設定の自由度が得られる。しかも共振
回路のアドミタンススロープの自由度が広がるため、２
つの周波数帯域で略同一の結合係数を得ることができ、
その２つの周波数帯域におけるフィルタ特性を揃えるこ
とができる。

【００３３】図１６はマイクロストリップライン共振器
により構成した例である。図１６において１４ａ，１４
ｂがマイクロストリップライン共振器であり、その途中
で線路幅を変化させている。これにより、線路の特性イ
ンピーダンスを、一方の開放端側と他方の開放端側とで
異ならせている。一方の開放端にはダイオードＤおよび
コンデンサＣを接地電極１３との間に接続している。他
方の開放端にはコンデンサＣａ，Ｃｂおよびインダクタ
ンス素子Ｌａｂから成る回路を構成している。このフィ
ルタの等価回路は図８の（Ａ）に示したものと等しい。

【００３４】次に送受共用器の例を図１７に示す。図に
おける送信フィルタは図８に示した帯域阻止形フィルタ
を構成し、受信周波数帯域を阻止する。また、受信フィ
ルタは図１０に示した帯域通過形フィルタを構成し、受
信周波数帯域を通過させる。図中の移相回路は共通のア
ンテナ端子ＡＮＴを用いて、送信信号と受信信号が互い
に干渉を与えない位相関係となるように位相調整を行
う。ＣＮＴ−ＴＸ端子には送信フィルタの周波数帯域を
切り替えるための制御電圧信号を入力し、ＣＮＴ−ＲＸ
端子には受信フィルタの周波数帯域を切り替えるための
制御電圧信号を入力する。両者を同時に切り替える場合
には、上記２つの端子を共通の端子として取り出しても
よい。

【００３５】次に上記誘電体フィルタまたはデュプレク
サを用いた通信装置の構成を図１８を参照して説明す
る。同図においてＡＮＴは送受信アンテナ、ＤＰＸはデ
ュプレクサ、ＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰＦｃはそれぞれ
帯域通過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂはそれぞれ増幅
回路、ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣは
オシレータ、ＤＩＶは分周器（シンセサイザー）であ
る。ＭＩＸａはＤＩＶから出力される周波数信号を変調
信号で変調し、ＢＰＦａは送信周波数の帯域のみを通過
させ、ＡＭＰａはこれを電力増幅してＤＰＸを介しＡＮ
Ｔより送信する。ＢＰＦｂはＤＰＸから出力される信号
のうち受信周波数帯域のみを通過させ、ＡＭＰｂはそれ
を増幅する。ＭＩＸｂはＢＰＦｃより出力される周波数
信号と受信信号とをミキシングして中間周波信号ＩＦを
出力する。

【００３６】図１８に示したデュプレクサＤＰＸ部分は
図１７に示した構造のデュプレクサを用いることができ
る。また帯域通過フィルタＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰＦ
ｃは図１０に示した構造の誘電体フィルタを用いること
ができる。このようにして全体に小型の通信装置を構成
することができる。

【００３７】

【発明の効果】請求項１〜７に係る発明によれば、１つ
の共振素子を用いながらリアクタンス素子を電圧制御す
ることによって、共振素子の共振周波数を切り替えるこ
とができ、小型化を図ることができる。

【００３８】特に請求項２に係る発明によれば、電圧制
御可能なリアクタンス素子のオン／オフの状態に応じた
共振素子の共振周波数を上記他のリアクタンス素子によ
って変えることができ、２つの周波数帯域の周波数比が
１対２に限られず、設計上の自由度が高まる。

【００３９】請求項８に係る発明によれば、共振回路の
アドミタンススロープを最適に合わせることができ、２
つの周波数帯域におけるフィルタ特性を揃えることがで
きる。

【００４０】また、請求項９に係る発明によれば、用い
る周波数帯域毎に送受共用器を構成する必要がなく、ま
た、２つの送受共用器を位相合成するための移相回路も
不要となり、全体に大幅に小型化できる。

【００４１】請求項１０に係る発明によれば、より小型
の通信装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態に係る共振回路とその動作状態
を示す図

【図２】同共振回路の特性変化の例を示す図

【図３】第２の実施形態に係る共振回路とその動作状態
を示す図

【図４】同共振回路の特性変化の例を示す図

【図５】第３の実施形態に係る共振回路とその動作状態
を示す図

【図６】第４の実施形態に係る共振回路とその動作状態
を示す図

【図７】第５の実施形態に係る共振回路とその動作状態
を示す図

【図８】第６の実施形態に係るフィルタの構成を示す図

【図９】同フィルタの減衰特性の変化を示す図

【図１０】第７の実施形態に係るフィルタの構成を示す
図

【図１１】同フィルタの通過特性の変化を示す図

【図１２】第８の実施形態に係る同軸誘電体共振器を用
いた共振回路の主要部の斜視図

【図１３】第９の実施形態に係る同軸誘電体共振器の断
面構造とダイオードの接続位置の関係を示す図

【図１４】第１０の実施形態に係る誘電体ブロックを用
いた共振回路の主要部の斜視図

【図１５】第１１の実施形態に係る誘電体ブロックの断
面構造とダイオードの接続位置の関係を示す図

【図１６】第１２の実施形態に係るマイクロストリップ
ライン共振器を用いた共振回路の主要部の斜視図

【図１７】第１３の実施形態に係る送受共用器の構成を
示す図

【図１８】第１４の実施形態に係る通信装置の構成を示
すブロック図

【図１９】従来のアンテナ共用器の構成を示す図

【図２０】従来技術による共振周波数可変共振回路の構
成を示す図

【図２１】同共振回路の特性を示す図

【符号の説明】

１−誘電体 ２−内導体形成孔 ３−内導体 ４−外導体 ５−電極 ６，７−端子電極 １０−誘電体ブロック １１−端子 １２−電極 １３−接地電極 １４−マイクロストリップライン共振器 Ｄ−ダイオードＤ ＲＦＣ−高周波遮断回路 Ｒｅ−共振器 ＣＮＴ−制御端子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 1/16 Ｈ０４Ｂ 1/16 Ａ Ｆターム(参考） 5J006 HA03 HA04 HA11 HA12 HA14 HA15 HA34 HB03 HB12 HB17 HB21 JA01 JA31 KA02 KA11 KA23 KA24 LA11 LA21 MA07 MA12 NA04 NB07 NC02 NC03 5J024 AA03 AA10 BA02 CA01 CA08 CA09 CA17 CA20 DA05 DA28 DA29 DA35 FA03 KA02 KA03 5K060 CC04 CC12 DD04 EE05 HH11 JJ02 JJ03 JJ04 JJ07 JJ20 LL15 5K061 AA01 BB12 CC08 CD08 JJ04 JJ09 JJ11 JJ14

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 両端が開放された線路から成る共振素子
   の一方の開放端とアース間に少なくとも１つの電圧制御
   可能なリアクタンス素子を備え、当該リアクタンス素子
   に対する制御電圧によって前記共振素子の共振周波数を
   変化させるようにした共振回路。
2. 【請求項２】 前記電圧制御可能なリアクタンス素子に
   他のリアクタンス素子を並列または直列に接続した請求
   項１に記載の共振回路。
3. 【請求項３】 前記線路の特性インピーダンスを、前記
   一方の開放端側と他方の開放端側とで異ならせた請求項
   １または２に記載の共振回路。
4. 【請求項４】 前記共振素子を同軸誘電体共振器とした
   請求項１、２または３に記載の共振回路。
5. 【請求項５】 前記共振素子を、誘電体ブロックの内部
   に内導体、外部に外導体を形成して成る誘電体共振器と
   した請求項１、２または３に記載の共振回路。
6. 【請求項６】 前記共振素子をマイクロストリップライ
   ン共振器とした請求項１、２または３に記載の共振回
   路。
7. 【請求項７】 前記電圧制御可能なリアクタンス素子を
   ＰＩＮダイオードとした請求項１〜６のうちいずれかに
   記載の共振回路。
8. 【請求項８】 前記電圧制御可能なリアクタンス素子を
   電界効果トランジスタとした請求項１〜６のうちいずれ
   かに記載の共振回路。
9. 【請求項９】 請求項１〜８のうちいずれかに記載の共
   振回路と、当該共振回路に結合して信号の入出力を行う
   回路を備えたフィルタ。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載のフィルタを送信信号
    入力ポートと入出力ポートとの間および受信信号出力ポ
    ートと前記入出力ポートとの間にそれぞれ設けて成る送
    受共用器。
11. 【請求項１１】 請求項９に記載のフィルタまたは請求
    項１０に記載の送受共用器を高周波回路部に設けて成る
    通信装置。