KR100324850B1 - 유기물 제거방법 및 그 방법을 이용하기 위한 유기물제거장치 - Google Patents

유기물 제거방법 및 그 방법을 이용하기 위한 유기물제거장치 Download PDF

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츠네카와스케요시
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후나츠게이스케
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가나이 쓰도무
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Abstract

반도체웨이퍼 표면의 패터닝된 포토레지스트층을 제거하기 위한 유기물 제거방법 및 그 방법을 이용하기 위한 유기물 제거장치에 관한 것으로서, 처리온도 등의 동일한 애싱조건하에서 수증기첨가의 오존가스 또는 오존함유가스를 사용하는 경우와 동등정도 이상의 애싱레이트를 가지며 또한 수증기첨가의 애싱의 경우에 비해 워터마크의 발생량을 저감할 수 있도록 하기 위해, 유기물층이 형성된 반도체웨이퍼에 알콜이 첨가된 오존을 함유하는 가스를 흐르게 하고, 가스에 의해 상기 유기물층을 제거하는 구성으로 하였다.
이와 같이 하는 것에 의해, 처리온도 등이 동일한 애싱조건하에서 수증기첨가의 오존가스 등을 사용하는 경우와 동등 정도 이상의 애싱레이트를 얻을 수 있으며 또한 수증기첨가의 애싱의 경우에 비해 워터마크의 발생량을 저감할 수 있다는 효과가 얻어진다.

Description

유기물 제거방법 및 그 방법을 이용하기 위한 유기물 제거장치{METHOD OF AND APPARATUS FOR REMOVING AN ORGANIC FILM}
본 발명은 반도체웨이퍼 표면의 패터닝된 포토레지스트층을 제거하기 위한 유기물 제거방법 및 그 방법을 이용하기 위한 유기물 제거장치에 관한 것이다.
포토레지스트(이하, 「레지스트」라고 한다)는 유기물질이다. 가열한 오존함유가스를 레지스트 표면에 공급하는 것에 의해 이 유기물질을 열분해해서 제거하는 방법(이것을 「오존애싱방법」이라 한다)은 공지이다. 자외선으로 레지스트의 화학결합을 절단함과 동시에 자외선으로 오존을 여기산소원자로 변화시키고, 이 여기산소원자를 화학결합이 절단된 레지스트에 작용시켜서 레지스트를 산화분해하고, 휘발성물질로 변화시켜서 레지스트를 제거하는 방법도 공지이다. 이 애싱방법은 자외선 오존방식 애싱방법 또는 광애싱방법이라 불린다. 어느 방법도 애싱분위기중에 하전입자가 실질적으로 존재하지 않으므로 반도체장치의 제조과정에 있는 반도체웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라 한다)의 소자영역에 하전입자에 의존한 손상을 주는 일이 적다는 이점이 있다.
애싱의 진행속도(애싱레이트)를 높이기 위해서는 레지스트의 온도를 높게 할 필요가 있다. 레지스트의 온도가 높은 것이 오존 및 자외선과 레지스트의 화학반응이 활발하게 되어 결과적으로 애싱레이트가 높아지기 때문이다. 레지스트의 온도를 높이는 방법으로서는 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지에 탑재하고, 이 스테이지에 내장된 전열히터로 웨이퍼를 가열하는 방법이나 램프로 레지스트 표면을 가열하는 방법이 있다. 어떤 방법으로 해도 레지스트와 웨이퍼는 일체적이기 때문에 양자는 실질적으로 동시에 가열되게 된다.
그러나, 애싱처리중에 웨이퍼가 고온에 노출되면 웨이퍼중의 소자영역에 결함이 생기는 문제점이 있다. 웨이퍼의 소자영역에는 불순물이 도핑되어 있다.고온에서 애싱처리를 하면 웨이퍼의 소자영역에 바람직하지 않은 열확산이 발생한다. 바람직하지 않은 열확산은 반도체장치의 소자결함(소자의 동작불량), 특히 반도체소자의 확산층의 치수변환에 따른 불량의 원인으로 된다. 따라서, 웨이퍼의 애싱처리중의 레지스트의 온도(이것을 이하 [처리온도]라 한다)는 소자결함이 실질적으로 발생하는 온도보다도 낮은 온도일 필요가 있다. 이 온도는 반도체장치의 집적도가 높아짐에 따라서 낮아지는 경향이 있다. 집적도가 높아질수록 약간의 바람직하지 않은 열확산이 소자결함의 원인으로 되기 때문이다. 처리온도의 상한은 1예로서 종래의 300℃정도에서 250℃정도, 200℃정도, 150℃정도와 같이 낮아지는 경향이 있다.
여기에서, 문제로 되는 것은 처리온도의 저하에 의존해서 애싱레이트가 대폭 저하한다는 것이다. 이 원인은 처리온도의 저하에 따라서 오존 및 자외선과 레지스트의 화학반응의 반응속도가 대폭으로 저하하는 점에 있다. 애싱레이트가 저하하면 반도체장치의 제조효율이 저하해서 반도체장치의 양산성이 저하한다.
처리온도의 저온화에 의한 애싱레이트의 저하의 정도를 경감하는 방법으로서 일본국 특허공개공보 평성4-302145호에는 오존가스에 수증기를 첨가하는 것이 기재되어 있다. 이 방법에 의하면, 처리온도 등의 동일한 애싱조건하에서 애싱레이트가 수증기를 첨가하지 않은 경우에 비해 약 1. 2배로 되는 것이 기재되어 있다. 수증기를 첨가하는 것에 의해 애싱레이트가 높아지는 원인은 다음과 같은 메카니즘에 따른 것으로 고려되고 있다. 오존은 자외선 중 주로 254㎚의 파장의 광을 흡수하는 것에 의해 분해되어 높은 에너지상태의 활성산소원자를 생성한다. 수증기에 따른 수분이 활성산소원자의 생성의 양자효율을 높게 하는 작용을 하는 것으로 고려된다.
그러나, 이 방법을 이용하면, 웨이퍼표면상에 이물이 존재한다는 문제점이 있다는 것을 본 발명자들은 발견하였다. 이하, 이 문제점을 도 1을 사용해서 설명한다.
도 1은 공지의 수증기 첨가의 애싱장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 웨이퍼(14)의 표면에는 마스크로서 사용하는 레지스트층이 패터닝되어 형성되어 있다. 여러개의 웨이퍼(14)는 웨이퍼홀더(15)에 1개씩 수납되어 있다. 웨이퍼(14)는 웨이퍼반송기구(16)에 의해 1개씩 처리실(1)내로 공급된다. 처리실(1)내로 공급된 웨이퍼(14)는 웨이퍼스테이지(2)에 탑재된다. 이 스테이지(2)에는 웨이퍼(14)를 1개만 탑재할 수 있다. 싱글 웨이퍼 처리용의 장치이기 때문이다. 스테이지(2)에는 전열히터(20)이 내장되어 있다. 스테이지(2) 표면의 온도가 필요한 온도를 유지하도록 전열히터(20)으로의 통전량이 온도제어장치(19)에 의해 제어된다. 스테이지(2)의 온도는 레지스트의 애싱레이트를 높이기 위해서는 높은 것이 바람직하지만, 웨이퍼(14)중의 소자에 손상을 주지 않도록 하기 위해서는 낮은 것이 바람직하다. 통상은 150℃∼250℃의 범위내의 적절한 온도로 되도록 제어한다. 웨이퍼의 열용량에 비해 스테이지(2)의 열용량은 통상 충분히 크기 때문에 웨이퍼(14)의 온도는 스테이지(2) 표면의 온도에 한 없이 가깝게 할 수 있다. 단, 예를 들면 실온정도의 웨이퍼를 스테이지(2) 표면에 탑재한 직후에는 웨이퍼(14)와 스테이지(2) 표면 사이에는 온도차가 있다. 웨이퍼(14)의 온도가 스테이지(2) 표면의 온도와 실질적으로 동일하게 될 때까지는 다소의 시간이 소요된다. 그러나, 전열히터(20)의 최대출력이 크면 클수록 그것에 필요한 시간은 짧게 된다.
처리실(1)과 자외선광원(3)을 분리하기 위한 것이고 또한 고순도의 석영재로 형성된 격벽판(21)에는 여러개의 노즐(5)가 고정되어 있다. 이들 노즐(5)에는 분기통(4)가 접속되어 있다. 자외선광원(3)은 격벽판(21)의 근방에 배치되어 있다. 이 광원(3)은 애싱레이트를 향상시킬 목적으로 점등시킨다. 점등시키지 않으면 애싱처리가 진행되지 않는다는 성질의 것은 아니다. 분기통(4)로는 접속관(6)을 경유해서 오존가스와 수증기를 갖는 혼합가스가 공급된다. 오존가스는 산소가스를 원료로 해서 오조나이저(8)에 의해 생성된다. 오조나이저(8)에는 매분 10리터 정도의 산소가스가 공급된다. 산소가스는 약 5%정도의 오존을 함유하고 있다. 오조나이저에서는 정량의 오존가스가 생성되어 접속관(6)으로 공급된다.
또한, 오존가스 대신에 오존함유가스를 사용해도 좋다. 물의 정량제어수단(12)로 정량의 유량의 물을 수증기 발생수단(10)으로 공급하는 것에 의해 정량화된 수증기를 발생시킨다. 즉, 정량화된 물과 동일 양의 수증기가 생성된다. 이 수증기는 접속관(6)으로 공급된다. 오존가스와 수증기는 이음매(7)의 부분에서 혼합되어 혼합가스로 되고, 혼합가스는 접속관(6), 분기통(4) 및 여러개의 노즐(5)를 경유해서 웨이퍼(14) 표면으로 공급되어 배기구(18)에서 처리실(1)의 외부로 배기된다.
정량화된 오존가스와 정량화된 수증기를 혼합하는 것에 의해 혼합가스를 생성하는 것이 바람직하다. 오존가스 또는 수증기 중 어느 하나가 정량화되어 있지 않으면 수증기의 첨가량이 과대하게 되거나 과소하게 될 가능성이 있다. 오존가스에 대한 수증기의 첨가량이 너무 적으면 애싱레이트 향상의 실질적인 효과를 기대할 수 없다. 첨가량이 너무 많으면 혼합가스의 웨이퍼(14) 표면으로의 수송경로(예를 들면 접속관(6))의 도중에 혼합가스 중의 수분이 결로하기 쉽다는 문제점이 있다.
상시 수증기의 첨가량이 거의 일정한 혼합가스를 웨이퍼 표면으로 공급하기 위해서는 이 유기물제거장치의 가동중에는 항상 혼합가스를 계속 흐르게 할 필요가 있다. 오조나이저(8)이 정상 운전상태로 되어 있지 않거나 수중기 발생수단(10)에서 필요한 양의 수증기가 발생하고 있지 않으면 결과적으로 수증기의 첨가량이 과대하게 되거나 과소하게 되기 때문이다. 따라서, 적어도 웨이퍼를 처리실내로 반입하기 직전부터 처리실내에서 웨이퍼상의 포토레지스트층의 제거가 끝날때까지의 동안은 혼합가스를 연속적으로 공급할 필요가 있다. 도 1의 장치 또는 후술하는 도 3의 장치는 싱글 웨이퍼처리에 적합하다. 즉, 웨이퍼의 반입→웨이퍼상의 레지스트 제거처리→웨이퍼반출이라는 처리공정(1개의 웨이퍼의 애싱처리의 공정)을 반복하는 싱글 웨이퍼의 처리를 실행하는 경우에는 제조효율을 향상시키기 위한 목적에서도 혼합가스는 상시 흐르게 해 두는 것이 바람직하다. 혼합가스의 온도는 혼합가스의 웨이퍼(14) 표면으로의 수송경로(예를 들면 접속관(6))의 도중에서 결로하지 않을 정도로 높은 온도인 것이 바람직하다.
그런데, 도 1의 장치에 있어서, 예를 들면 실온정도의 표면온도를 갖는 웨이퍼를 처리실(1)의 외부에서 처리실(1)내로 반입하면 패터닝된 레지스트층 표면이나 레지스트층이 마련되어 있지 않은 부분의 웨이퍼 표면에 혼합가스중의 수분이 응결한다. 이것은 마치 한겨울에 기온이 낮은 실외에서 난방된 실내로 사람이 들어온 순간에 안경에 서리가 생기는 현상과 동일하다. 이 현상은 웨이퍼표면 근방의 혼합가스가 국소적으로 냉각된 결과 혼합가스중의 수분의 일부가 석출하기 때문에 생기는 것이라 고려된다. 이 혼합가스에는 수증기가 첨가되어 있기 때문에 이 현상이 현저하게 발생한다. 처리실(1)내에는 혼합가스가 공급되어 있기 때문에 비교적 다습하며 또한 스테이지(2)가 가열되어 있으므로 비교적 고온이다. 따라서, 처리실(1)의 외부(유기물제거장치는 클린룸에서 사용되는 것이 통례이기 때문에 처리실(1)의 외부는 클린룸의 실내인 경우가 많다)에서 처리실(1)내로 반입되는 웨이퍼의 온도의 고저에 관계없이 웨이퍼표면에 응결이 생기는 일은 대부분의 경우에 있어서 불가피한 것으로 고려된다.
이 응결은 상술한 「결로」와는 구별해서 생각할 필요가 있다. 혼합가스의 수송경로중에서 결로가 생기지 않아도 웨이퍼표면상에서 응결이 생기는 일은 충분히 있을 수 있다. 일반적으로, 수송경로중에서의 결로보다 웨이퍼표면상에서의 응결이 발생하기 쉽다. 또, 수송경로중에서의 결로보다 웨이퍼표면상에서의 응결이 웨이퍼에 중대한 영향을 미친다. 예를 들면, 수증기발생수단에서 처리실까지의 배관길이를 극력 짧게 하거나 배관을 외부에서 히터로 가열하는 것에 의해 결로는 방지할 수 있다. 이에 대해, 응결을 방지하는 것은 곤란하다. 웨이퍼를 미리 건조한 분위기중에서 가열하고 나서 웨이퍼를 처리실(1)내로 반입하는 것도 고려된다. 그러나, 이 방법에서는 별개의 장치를 애싱장치에 접속할 필요가 있다. 이와 같이 하면, 새로운 설비비용이 필요하게 된다는 문제나 반도체의 처리공정이 하나 증가하기 때문에 제조효율이 나빠진다는 문제가 생긴다. 그리고, 응결한 물은 그 후 증발한다. 그러나, 웨이퍼표면에는 워터마크가 남는다. 워터마크라는 것은 건조한 물방울의 흔적을 말한다. 워터마크는 백색의 반투명의 흔적인 것이 일반적이다. 워터마크는 물(H2O)과 웨이퍼표면의 물질(예를 들면 Si)이 반응해서 형성된 산화물(예를 들면 SiO2)라 고려되고, 무기물질이기 때문에 애싱처리해도 제거할 수 없다. 애싱처리가 끝난 웨이퍼는 애싱장치에서 반출되어 개별의 반도체처리장치에서 필요한 처리가 실행된다. 이 처리에는 예를 들면 박막형성이나 알루미늄배선층의 형성을 위한 처리가 포함된다. 그러나, 웨이퍼표면에 워터마크가 남아 있으면 웨이퍼표면에 형성되어야 할 박막이나 알루미늄배선층은 부분적으로 워터마크상에 형성되게 된다. 소자영역은 매우 미세하기 때문에 어느 정도의 두께나 크기를 갖는 워터마크는 이물로 된다. 이 이물의 존재가 반도체장치의 소자결함의 원인으로 된다. 도 2는 웨이퍼(반도체기판)상에 워터마크가 남아 있는 상태에서 기판상에 박막을 형성한 상태를 도시하고 있다. 도 2(a)는 워터마크의 존재에 의해서 불완전한 박막층이 형성된 상태를 도시하고 있다. 도 2(b)는 워터마크상에도 박막이 형성된 상태를 도시하고 있다. 어느 상태도 박막층이 본래의 기능을 하지 못할 가능성이 있어 소자결함의 원인으로된다.
또, 처리온도의 저온화에 의한 애싱레이트의 저하의 정도를 경감하는 방법으로서 그 밖에도 일본국 특허공개공보 평성1-179327호에 오존가스에 산소, 수증기 및 과산화수소수(H2O2)를 첨가하는 것이 기재되어 있다. 이 방법에 의하면, 처리온도 등이 동일한 애싱조건하에서 오존가스만에 의한 애싱인 경우에 비해 애싱레이트가 수배로 되는 것이 기재되어 있다. 그러나, 과산화수소수는 인체에 대한 독성이 매우 강한 것은 주지이며, 애싱처리에 종사하는 작업자에 대한 안전성을 확보하는데 있어서 문제가 많다. 또, 과산화수소수는 산소원자를 방출해서 물로 환원되는 점 및 끓는점이 151. 4℃로 물의 끓는점보다도 높은 점 때문에 워터마크의 발생량은 수증기첨가의 경우보다도 훨씬 많다는 문제점이 있다. 이상의 이유로 인해 오존애싱의 첨가물로서 과산화수소수를 사용하는 것은 실용적이지 못하다.
본 발명의 제1 목적은 그의 표면에 패터닝된 레지스트층을 갖는 웨이퍼의 레지스트층을 오존가스 또는 오존함유가스를 사용해서 애싱하는 유기물제거방법에 있어서, 처리온도 등의 동일한 애싱조건하에서 수증기첨가의 오존가스 또는 오존함유가스를 사용하는 경우와 동등정도 이상의 애싱레이트를 가지며, 또한 수증기첨가의 애싱의 경우에 비해 워터마크의 발생량을 저감할 수 있는 유기물제거방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제2 목적은 제1 목적을 달성하는 유기물제거방법을 이용하기 위한 유기물제거장치를 제공하는 것이다.
도 1은 공지의 수증기첨가의 유기물제거장치의 장치구성을 개략적으로 도시한 도면,
도 2는 반도체기판상에 워터마크가 존재하고 있는 상태에서 기판상에 박막을 형성한 상태를 모식적으로 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 1실시예에 관한 도면으로서, 본 발명에 관한 유기물 제거방법을 실시하기 위해 사용할 수 있는 유기물 제거장치의 장치구성을 개략적으로 도시한 도면,
도 4는 본 발명에 관한 방법에 의해서 웨이퍼상의 레지스트를 애싱한 경우의 애싱레이트의 값과 워터마크의 발생의 정도를 종래의 방법에 의해서 애싱한 경우와 대비해서 도시한 도면.
제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기물 제거방법은 반도체웨이퍼 표면의 패터닝된 포토레지스트층을 제거하기 위한 처리공간을 갖는 처리실내에 상기 반도체웨이퍼를 지지하기 위한 지지수단 및 알콜을 오존가스 또는 오존함유가스에 첨가한 혼합가스를 상기 지지수단에 의해 지지된 상기 반도체웨이퍼의 표면으로 공급하는 수단을 갖는 유기물제거장치를 준비하고, 적어도 상기 반도체웨이퍼를 상기 처리실내로 반입하기 직전부터 상기 포토레지스트층의 제거가 끝날때까지의 동안은 상기 혼합가스를 상기 처리실내로 연속적으로 공급하고, 상기 반도체웨이퍼를 상기 처리실의 외부에서 상기 처리실내로 반입하고, 상기 처리실내로 반입한 상기 반도체웨이퍼를 상기 지지수단에 의해 지지하고, 상기 반도체웨이퍼중의 반도체소자의 소자결함이 실질적으로 발생하는 온도보다 낮은 온도범위내에서 상기 처리실내에서 지지된 상기 반도체웨이퍼의 표면에 형성된 상기 포토레지스트층을 가열하는 구성으로 한다.
수증기와 오존가스 또는 오존함유가스(이하, 이 양자를 합쳐서 「오존가스 이등」이라 한다)의 혼합가스를 레지스트의 애싱에 사용한 경우와 알콜을 오존가스 등에 첨가한 혼합가스를 그것에 사용한 경우를 비교하면, 일반적으로 후자인 경우의 애싱레이트는 전자인 경우의 애싱레이트와 동등정도이거나 그것보다 큰 값으로 된다. 그 이유는 수증기첨가의 경우와 동등정도 이상으로 알콜은 활성산소원자의 생성의 양자효율을 높게 하는 작용을 하기 때문이라 고려된다.
알콜도 끓는점 이하의 온도로 되면 응결한다. 그러나, 웨이퍼표면상에서응결한 알콜은 일반적으로 웨이퍼표면에 워터마크와 같은 이물을 발생시키는 일이 적다. 이것은 알콜이 웨이퍼표면의 물질(예를 들면 Si)과 반응해서 어떤 무기물을 생성하는 일이 적기 때문이라 고려된다. 수증기 대신에 가스상태의 알콜을 오존가스 등에 첨가하는 것은 결과적으로 혼합가스중의 수분을 대폭으로 저감하게 된다. 따라서, 이 점에서도 워터마크발생의 원인을 대폭으로 저감할 수 있다.
첨가하는 알콜은 그 끓는점이 낮은 것을 사용하는 것이 바람직하다. 알콜의 웨이퍼표면에서의 응결이 발생하기 어렵게 되기 때문에 웨이퍼표면에서의 이물발생의 원인을 감소시킬 수 있다. 적어도 물의 끓는점(100℃)보다 끓는점이 낮은 알콜을 사용하는 것이 바람직하다. 응결의 정도가 수증기첨가의 경우보다 작게 되기 때문에 이물발생의 가능성은 물보다도 작아진다.
첨가하는 알콜은 메탄올, 에탄올 또는 프로판올(propanol)인 것이 바람직하다. 이들 알콜의 끓는점은 물의 끓는점보다 낮다. 예를 들면, 메탄올의 끓는점은 64. 5℃이다. 오존가스 등에 메탄올, 에탄올 또는 프로판올을 첨가할 때 이들 중 적어도 하나를 첨가하면 좋다. 이들 중 적어도 하나만을 첨가해도 좋고, 이들 이외의 알콜도 동시에 첨가해도 좋다. 알콜과 함께 다소의 수증기를 첨가해도 좋다. 수증기만을 첨가하는 경우보다 워터마크의 발생을 저감할 수 있기 때문이다.
웨이퍼의 레지스트 제거처리를 싱글 웨이퍼 처리방식으로 실행하는 경우에 본 발명에 관한 유기물제거방법은 특히 적합하다. 싱글 웨이퍼 처리방식에 있어서 웨이퍼의 표면처리는 연속적으로 실행되기 때문에 이 방식에 의해서 본 발명에관한 방법을 실시하는 경우에는 유기물 제거장치의 가동중에는 혼합가스를 상시 처리실내로 공급해 두는 것이 바람직하다.
오존가스 등에 첨가하는 알콜의 첨가량은 실온, 대기압의 오존1리터당 실온, 액체의 알콜로 환산해서 0. 2g이상 4g이하인 것이 바람직하다. 0. 2g미만에서는 일반적으로 애싱레이트를 수증기첨가의 경우와 동등정도 이상으로 할 수 없다. 4g을 초과하면 일반적으로 첨가량이 과잉으로 된다. 과잉으로 첨가한 알콜은 불필요하게 된다. 애싱레이트는 알콜의 첨가량을 증가시킬수록 높아진다. 그러나, 첨가량을 증가시켜도 레이트는 결국 포화상태로 된다. 4g이라는 값은 레이트향상에 유효한 알콜첨가량의 실질적인 상한값이다.
애싱시에 웨이퍼표면상의 레지스트에 자외선을 조사하는 것이 바람직하다. 특히, 파장185㎚와 파장254㎚의 자외선을 조사하는 것이 유효하다. 이것에 의해, 자외선을 조사하지 않은 경우에 비해 애싱레이트를 향상시킬 수 있다.
액체알콜을 가열하는 것에 의해 가스화한 후에 오존가스 등과 혼합하는 것이 바람직하다. 이와 같은 알콜은 잠열을 갖기 때문에 결로나 응결을 거의 일으키지 않게 된다.
오존가스 등과 알콜의 혼합은 처리실 외부에서 실행해도 처리실내에서 실행해도 좋다. 결과적으로 혼합가스가 레지스트 표면에 공급되면 좋기 때문이다.
알콜증기의 캐리어가스로서 질소, 아르곤 또는 헬륨 등의 불활성가스를 사용해도 좋다. 캐리어가스를 함유하는 가스도 상술한 혼합가스의 범주에 포함된다.
처리실내는 처리실외부와 연통되어 있어도 좋다. 즉, 처리실내는 대기에개방되어도 좋다. 애싱처리는 감압분위기에서 실행할 필요성이 없기 때문이다. 처리실내를 대기에 개방시키면 애싱장치의 구조는 간소하게 된다. 처리실내를 기밀구조로 할 필요가 없기 때문이다. 기밀하지 않은 구조의 애싱장치는 공지이다.처리온도는 150℃이상 250℃이하의 범위내인 것이 바람직하다.
상기 제2 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기물 제거장치는 반도체웨이퍼 표면의 패터닝된 포토레지스트층을 제거하기 위한 처리공간을 갖는 처리실, 상기 처리실외부에서 상기 처리실내로 반입한 상기 반도체웨이퍼를 지지하기 위한 것으로서 상기 처리실내에 마련된 웨이퍼지지수단, 알콜을 오존가스 또는 오존함유가스에 첨가한 혼합가스를 상기 웨이퍼지지수단에 의해서 지지된 상기 반도체웨이퍼 표면상의 포토레지스트층 표면으로 공급하기 위한 혼합가스 공급수단 및 상기 웨이퍼 지지수단에 의해 지지된 상기 반도체웨이퍼의 표면상의 포토레지스트층을 가열하기 위한 가열수단을 포함한다.
도 3은 본 발명에 관한 유기물 제거방법을 실시하기 위해 사용할 수 있는 유기물 제거장치의 장치구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1의 물의 정량제어수단(12) 및 수중기 발생수단(10) 대신에 알콜의 정량제어수단(32) 및 알콜증기 발생수단(30)이 사용되고 있는 것 이외에 도 3의 구성은 도 1과 실질적으로 동일하다.
도 3중에서 동일한 부호를 사용하고 있는 기계요소는 도 1중의 그것과 실질적으로 동일한 기계요소이다. 이 기계요소에 관련된 설명 중 이미 설명한 것은 중복설명을 생략한다.
웨이퍼(14)는 웨이퍼반송기구(16)에 의해 1개씩 처리실(1)내로 공급된다. 처리실(1)내에 공급된 웨이퍼(14)는 웨이퍼 스테이지(2)에 탑재된다. 도 1의 설명에서는 생략했지만, 스테이지(2)는 상하 이동이 가능하다. 웨이퍼를 탑재할 때 스테이지(2)는 하강시킨다. 웨이퍼의 탑재를 용이하게 하기 위해서이다. 탑재후, 스테이지(2)를 상승시킨다. 레지스트의 애싱중에는 웨이퍼(14) 표면과 격벽판(21)의 간극(갭)(17)이 예를 들면 0. 2㎜정도로 되도록 스테이지(2)의 높이를 유지한다. 이 갭(17)의 값은 작은 것이 바람직하다, 오존가스는 라이프타임이 짧다. 활성인 오존가스를 되도록 많이 레지스트에 공급하기 위해 이 갭(17)을 좁게 할 필요가 있다. 갭은 좁으면 좁을수록 애싱레이트를 향상시킨다.
스테이지(2)에는 전열히터(20)이 내장되어 있다. 스테이지(2) 표면의 온도가 필요한 온도를 유지하도록 전열히터(20)으로의 통전량이 온도제어장치(19)에 의해 제어된다. 스테이지(2)의 온도는 통상 150℃∼250℃의 범위내의 적절한 온도로 되도록 제어한다. 웨이퍼의 열용량에 비해 스테이지(2)의 열용량은 통상 충분히 크기 때문에 웨이퍼(14)의 온도는 스테이지(2) 표면의 온도에 한없이 가깝게 할 수 있다.
광원(3)은 애싱레이트를 향상시킬 목적으로 필요에 따라서 점등시킨다. 광원(3)에는 수은램프의 일종인 자외선램프를 사용하는 것이 바람직하다. 분기통(4)에는 접속관(6)을 경유해서 오존가스 등과 알콜을 갖는 혼합가스가 공급된다. 오존가스는 산소가스를 원료로 해서 오조나이저(8)에 의해 생성된다. 오조나이저(8)에는 매분 10리터 정도의 산소가스가 공급된다. 산소가스는 약 5%정도의 오존을 함유하고 있다. 오조나이저에서는 정량의 오존가스가 생성되어 접속관(6)으로 공급된다. 알콜의 정량제어수단(32)로 정량의 유량의 액체알콜을 알콜증기 발생수단(30)으로 공급하는 것에 의해 정량화된 알콜증기(가스상태의 알콜)을 발생시킨다. 즉, 정량화된 액체알콜과 동등 량의 알콜증기가 생성된다. 이 알콜증기는 접속관(6)에 공급된다. 오존가스 등과 알콜증기는 이음매(7)의 부분에서 혼합되어 혼합가스로 되고, 혼합가스는 접속관(6), 분기통(4) 및 여러개의 노즐(5)를 경유해서 웨이퍼(14) 표면으로 공급되어 배기구(18)에서 처리실(1) 외부로 배기된다.
정량화된 오존가스와 정량화된 알콜증기를 혼합하는 것에 의해 혼합가스를 생성하는 것이 바람직하다. 오존가스에 대한 알콜증기의 첨가량을 너무 적게 하면 애싱레이트 향상의 실질적인 효과를 기대할 수 없다. 첨가량이 너무 많으면 혼합가스의 웨이퍼(14) 표면으로의 수송경로(예를 들면 접속관(6))의 도중에서 혼합가스중의 수분이 결로하기 쉽게 된다는 문제점이 있다.
상시 알콜증기의 첨가량이 거의 일정한 혼합가스를 웨이퍼표면으로 공급하기 위해서는 이 유기물제거장치의 가동중에 있어서는 상시 혼합가스를 계속 흐르게 할 필요가 있다. 오조나이저(8)이 정상운전상태로 되어 있지 않거나 알콜증기 발생수단(30)에서 필요한 양의 알콜증기가 발생하고 있지 않으면, 결과적으로 알콜증기의 첨가량이 과대하게 되거나 과소하게 되기 때문이다. 따라서, 적어도 웨이퍼를 처리실내로 반입하기 직전부터 처리실내에서 웨이퍼상의 포토레지스트층의 제거가 끝날때까지의 동안은 혼합가스를 연속적으로 공급할 필요가 있다. 도 3의 장치는 싱글 웨이퍼처리에 적합하다. 싱글 웨이퍼처리를 실행하는 경우에 혼합가스는 상시 흐르게 해 두는 것이 바람직하다. 혼합가스의 온도는 혼합가스의 웨이퍼(14) 표면으로의 수송경로(예를 들면 접속관(6))의 도중에서 결로하지 않을 정도로 높은 온도인 것이 바람직하다.
알콜증기 발생수단(30)은 고순도 석영제이다. 그의 내부에는 마찬가지로 고순도석영의 입자(13)이 충전되어 있다. 이 입자(13)은 알콜의 범핑을 방지하기 위해 충전되어 있다. 또, 알콜증기의 캐리어가스로서의 질소가스가 캐리어가스의 공급구(11)에서 필요에 따라서 공급된다. 알콜증기를 발생시키기 위한 히터(9)가 알콜증기 발생수단(30)의 바깥둘레에 마련되어 있다.
상술한 바와 같이, 오존가스 등에 첨가하는 알콜로는 메탄올, 에탄올 또는 프로판올을 사용하는 것이 적합하다.
도 3의 장치에 의해서 웨이퍼상의 패터닝된 레지스트를 애싱을 실행한 경우의 애싱레이트의 값과 웨이퍼상의 워터마크의 발생의 정도를 종래의 방법에 의해서 애싱한 경우와 대비한 예를 도 4에 도시한다. 이 예에서는 처리온도를 250℃, 첨가하는 알콜증기 또는 수증기의 첨가량(유량)을 0. 5g/min으로 하였다.
도 4에서 명확한 바와 같이, 수증기첨가인 경우의 애싱레이트가 12,500Å/min인 것에 대해 메탄올, 에탄올 및 프로판올 첨가의 애싱레이트는 수증기첨가인 경우보다 높게 되어 있다. 이 예에서는 대비의 명확화를 목적으로 해서 메탄올, 에탄올 및 프로판올은 각각 단독으로 첨가하고 있다. 참고로서 첨가물이 없는 경우(도 4중에 「NO」로 기재하고 있다)의 예를 표시하였다. 오존가스에 아무것도 첨가하지 않은 경우의 애싱레이트는 상대적으로 상당히 낮은 것을 알 수 있다.
도 4에는 웨이퍼표면상의 워터마크수의 상대값도 함께 도시하고 있다. 워터마크의 최대치수가 0. 3㎛이상인 크기의 것만을 워터마크로서 계수한다. 이것보다 치수가 작은 워터마크의 존재는 실용상 무시할 수 있는 것으로 고려할 수 있다. 워터마크의 수는 수증기첨가의 애싱에서 발생한 경우의 수를 기준으로 한 상대값으로 나타냈다. 도 4에서 명확한 바와 같이, 수증기첨가인 경우에 비해 메탄올, 에탄올 및 프로판올 첨가인 경우의 워터마크의 수는 상당히 작게 되어 있는 것을 알 수 있다. 오존가스에 아무것도 첨가하지 않은 경우의 워터마크의 수는 무시할 수 있는 수였다. 오존가스 단독인 경우에는 오존가스중에 수분은 별로 없으므로 이와 같은 결과로 되었다고 고려된다.
또한, 도 4에는 도시되어 있지 않지만, 메탄올, 에탄올 및 프로판올 첨가의 애싱에 있어서는 레지스트의 찌꺼기 수 및 양이 현저하게 작아지는 것을 알 수 있었다. 물첨가인 경우와 동일하였다. 이것에 대해, 오존가스 단독으로서의 애싱에서는 애싱을 실행해도 제거할 수 없는 레지스트 즉 찌꺼기가 다량 존재하는 것을 확인할 수 있었다.
본 발명에 의하면, 그의 표면에 패터닝된 레지스트층을 갖는 웨이퍼의 레지스트층을 오존가스 또는 오존함유가스를 사용해서 애싱하는 유기물 제거방법에 있어서, 처리온도 등이 동일한 애싱조건하에서 수증기첨가의 오존가스 등을 사용하는 경우와 동등 정도 이상의 애싱레이트를 얻을 수 있으며 또한 수증기첨가의 애싱의 경우에 비해 워터마크의 발생량을 저감할 수 있다.

Claims (8)

  1. 처리할 반도체 웨이퍼를 수납하는 처리실, 상기 처리실내에 마련되고 상기 반도체 웨이퍼를 탑재하는 웨이퍼 스테이지 및 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 가스를 공급하는 가스공급수단을 구비한 유기물 제거장치를 사용해서 유기물층이 형성된 상기 반도체 웨이퍼에서 상기 유기물층을 제거하는 유기물 제거방법으로서,
    상기 가스공급수단에서 상기 반도체 웨이퍼로 알콜이 첨가된 오존을 함유하는 혼합가스를 흐르게 하고, 상기 혼합가스에 의해 상기 유기물층을 제거하는 것을 특징으로 하는 유기물제거방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반도체웨이퍼는 가열되어 있는 것을 특징으로 하는 유기물제거방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 반도체를 설치하는 스테이지의 온도는 150℃이상, 250℃이하인 것을 특징으로 하는 유기물제거방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 알콜을 가열하여 기화시키고 난 후, 상기 오존을 함유하는 가스에 첨가하는 것을 특징으로 하는 유기물제거방법,
  5. 제1항에 있어서,
    상기 알콜은 메탄올, 에탄올, 프로판올 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물제거방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 반도체웨이퍼에는 자외선이 조사되어 있는 것을 특징으로 하는 유기물제거방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 오존에 첨가하는 상기 알콜의 양은 실온, 대기압에서 오존1리터당 실온, 액체의 알콜로 환산해서 0. 2g이상 4g이하인 것을 특징으로 하는 유기물제거방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 알콜의 끓는점은 물의 끓는점보다 낮은 것을 특징으로 하는 유기물제거방법.
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Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5913149A (en) * 1992-12-31 1999-06-15 Micron Technology, Inc. Method for fabricating stacked layer silicon nitride for low leakage and high capacitance
US5705468A (en) * 1996-11-18 1998-01-06 Quantum Technologies, Inc. Vehicle and method for storing ozone
EP0867924B1 (en) * 1997-02-14 2011-08-31 Imec Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface
US6551409B1 (en) 1997-02-14 2003-04-22 Interuniversitair Microelektronica Centrum, Vzw Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface
US6240933B1 (en) * 1997-05-09 2001-06-05 Semitool, Inc. Methods for cleaning semiconductor surfaces
US6701941B1 (en) 1997-05-09 2004-03-09 Semitool, Inc. Method for treating the surface of a workpiece
US7163588B2 (en) * 1997-05-09 2007-01-16 Semitool, Inc. Processing a workpiece using water, a base, and ozone
US6869487B1 (en) 1997-05-09 2005-03-22 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
US20020157686A1 (en) * 1997-05-09 2002-10-31 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
US7404863B2 (en) * 1997-05-09 2008-07-29 Semitool, Inc. Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone
US20050034745A1 (en) * 1997-05-09 2005-02-17 Semitool, Inc. Processing a workpiece with ozone and a halogenated additive
US7378355B2 (en) * 1997-05-09 2008-05-27 Semitool, Inc. System and methods for polishing a wafer
US7264680B2 (en) * 1997-05-09 2007-09-04 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece using ozone
US20050215063A1 (en) * 1997-05-09 2005-09-29 Bergman Eric J System and methods for etching a silicon wafer using HF and ozone
US7416611B2 (en) * 1997-05-09 2008-08-26 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece with gases
US5971368A (en) 1997-10-29 1999-10-26 Fsi International, Inc. System to increase the quantity of dissolved gas in a liquid and to maintain the increased quantity of dissolved gas in the liquid until utilized
US6319331B1 (en) * 1997-12-01 2001-11-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for processing semiconductor substrate
EP0940846A1 (en) * 1998-03-06 1999-09-08 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method for stripping ion implanted photoresist layer
KR100572295B1 (ko) * 1998-04-16 2006-04-24 세미툴 인코포레이티드 반도체 웨이퍼와 같은 작업편을 가공하는 공정 및 장치
US6218310B1 (en) * 1998-05-12 2001-04-17 Advanced Micro Devices, Inc. RTA methods for treating a deep-UV resist mask prior to gate formation etch to improve gate profile
US6178973B1 (en) * 1998-07-28 2001-01-30 International Business Machines Corporation Method and apparatus for ozone generation and surface treatment
TW449854B (en) * 1998-08-29 2001-08-11 United Microelectronics Corp Inspection method for water mark on wafer
JP3329441B2 (ja) * 1998-10-09 2002-09-30 ティーディーケイ株式会社 薄膜形成のための前処理方法
US6235641B1 (en) 1998-10-30 2001-05-22 Fsi International Inc. Method and system to control the concentration of dissolved gas in a liquid
US6715944B2 (en) * 1998-11-12 2004-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for removing photoresist film
JP3869566B2 (ja) * 1998-11-13 2007-01-17 三菱電機株式会社 フォトレジスト膜除去方法および装置
JP3671389B2 (ja) * 1999-12-03 2005-07-13 三菱電機株式会社 基板処理方法および装置
US6406551B1 (en) 1999-05-14 2002-06-18 Fsi International, Inc. Method for treating a substrate with heat sensitive agents
JP3348695B2 (ja) * 1999-06-04 2002-11-20 日本電気株式会社 半導体ウェーハ上のフォトレジスト除去方法及び除去装置
EP1212151A4 (en) * 1999-07-23 2005-08-17 Semitool Inc METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING A WORKPIECE, FOR EXAMPLE A SEMICONDUCTOR WAFER
JP2001118817A (ja) * 1999-08-12 2001-04-27 Uct Kk 表面浄化装置及び表面浄化方法
TW480612B (en) 1999-10-19 2002-03-21 Steag Micro Tech Gmbh Device and method for cleaning substrates
US6982006B1 (en) * 1999-10-19 2006-01-03 Boyers David G Method and apparatus for treating a substrate with an ozone-solvent solution
DE10007439C2 (de) * 1999-10-19 2002-01-10 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Substraten
US6588437B1 (en) 1999-11-15 2003-07-08 Agere Systems Inc. System and method for removal of material
DE19959558A1 (de) * 1999-12-10 2001-06-21 Messer Griesheim Gmbh Reinigung von Materialoberflächen mit Gasen
JP2001176833A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US6743301B2 (en) * 1999-12-24 2004-06-01 mFSI Ltd. Substrate treatment process and apparatus
US6387602B1 (en) 2000-02-15 2002-05-14 Silicon Valley Group, Inc. Apparatus and method of cleaning reticles for use in a lithography tool
AU2001245664A1 (en) 2000-03-13 2001-09-24 Cfmt, Inc. Processes and apparatus for treating electronic components
WO2002027775A1 (fr) * 2000-09-28 2002-04-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Procede et appareil de traitement de plaquettes
JP4014127B2 (ja) * 2000-10-04 2007-11-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US20030127425A1 (en) * 2002-01-07 2003-07-10 Hirohiko Nishiki System and method for etching resin with an ozone wet etching process
US20030136429A1 (en) * 2002-01-22 2003-07-24 Semitool, Inc. Vapor cleaning and liquid rinsing process vessel
US20050130066A1 (en) * 2003-12-10 2005-06-16 Chin-Te Kuo Method of forming single sided conductor and semiconductor device having the same
US20050279453A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Uvtech Systems, Inc. System and methods for surface cleaning
US20060021634A1 (en) * 2004-07-08 2006-02-02 Liu Zhi Lewis Method and apparatus for creating ozonated process solutions having high ozone concentration
US20060011214A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-19 Zhi Liu System and method for pre-gate cleaning of substrates
US20060128160A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Yoo Woo S Photoresist strip using solvent vapor
US20080296258A1 (en) * 2007-02-08 2008-12-04 Elliott David J Plenum reactor system
US20110123932A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Yimin Guan Method for forming a fluid ejection device
US9460959B1 (en) * 2015-10-02 2016-10-04 Applied Materials, Inc. Methods for pre-cleaning conductive interconnect structures
US11355362B2 (en) * 2017-04-25 2022-06-07 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Washing method, washing device, storage medium, and washing composition

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5298112A (en) * 1987-08-28 1994-03-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for removing composite attached to material by dry etching
JPH01179327A (ja) * 1988-01-06 1989-07-17 Hitachi Ltd 灰化方法
JPH04302145A (ja) * 1991-03-29 1992-10-26 Hitachi Ltd 洗浄方法
US5234540A (en) * 1992-04-30 1993-08-10 Submicron Systems, Inc. Process for etching oxide films in a sealed photochemical reactor

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