KR100311848B1 - N,n-이치환설폰아미드및이로부터제조한방사선민감성혼합물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 일반식 R1[-N(CO-OR2)-SO2-R3]n (Ⅰ) 및 R1[-SO2-N(CO-OR2)-R3]n (Ⅱ)의 N,N-이치환 설폰아미드 [여기서 R1은, n이 1인 경우, (C1-C20)알킬, (C3-C10)사이클로알킬, (C6-C14)아릴 또는 (C7-C20)아르알킬 라디칼이고, n > 1인 경우, (C1-C20)알칸 또는 (C5-C7) 사이클로알칸, 축합되지 않거나 축합된 일핵 또는 다핵 (C6-C18) 방향족 화합물의 2-, 3- 또는 4가 라디칼이며, R2는 (C3-C11)알킬, (C3-C11)알케닐 또는 (C7-C11)아르알킬 라디칼이고, R3은 치환되지 않거나 치환된 (C1-C6)알킬, (C3-C6)사이클로알킬, (C6-C14)아릴 또는 (C7-C20)아르알킬 라디칼이다]에 관한 것이다. 또한 본 발명은 화학선의 영향하에서 산을 형성하는 화합물(a) , 수성 알칼리 현상액 중에서의 분해 생성물이 출발 화합물보다 용해도가 더 큰 산~분해가능한 화합물(b)(여기서, 화합물(b)은 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 설폰아미드이다] 및 물에는 불용성이지만 수성 알칼리 용액에는 가용성이거나 적어도 팽윤성인 중합체성 결합제(c)를 함유하는 포지티브 방사선 민감성 혼합물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 혼합물은 특히 옵셋 인쇄판 및 감광성 내식막을 제조하는데 적합하다.

Description

N,N-이치환 설폰아미드 및 이로부터 제조한 방사선-민감성 혼합물
본 발명은 N,N-이치환 설폰아미드, 및
화학선의 영향하에서 산을 형성하는 화합물(a),
수성-알칼리 현상액중에서의 분해 생성물이 출발 화합물보다 용해도가 더 큰산-분해가능한 화합물(b) 및
물에는 불용성이지만 알칼리 수용액에는 가용성이거나 적어도 팽윤성인 중합체성 결합제(c)를 함유하는 포지티브 방사선-민감성(radiation-sensitive) 혼합물에 관한 것이다.
이는 기재(base), 및 옵셋 인쇄판(offset printing plates) 및 포토레지스트를 제조하기 위한 방사선-민감성 층을 포함하는 기록 물질용으로 특히 적합하다.
포지티브 방사선-민감성 기록층, 예를 들면, 층의 용해도가 조사되지 않은 영역보다 조사된 영역이 더 큰 포지티브 방사선-민감성 기록층은 공지되어 있다.
이러한 층 중의 감광성 성분으로서, 특히 오르토-나프토퀴논 디아지드는 일반적으로 수용되어 왔다. 그러나, 이들 층의 감광성은 일반적으로 만족스럽지 않다.
비교용의 일명 "화학적으로 향상된" 혼합물은 보다 큰 감광성을 나타낸다. 예를 들면, 양자 수득율이 1이상이다. 대개 포지티브 "화학적으로 향상된" 혼합물은 산-형성 성분 및 산-분해가능한 성분을 함유하고, 수성 알칼리 현상액 중에서 이들 성분의 분해 생성물은 용해도가 초기 화합물의 용해도보다 크다.
종래 사용된 산-분해가능한 화합물은 단량체성 및 중합체성 아세탈과 하이드록실 또는 아미노 성분으로서 방향족 화합물(US-A 제3 779 778호)과 오르토에스테르 및 아미드 아세탈 (DE-B 제26 10 842호)을 함유하는 O,N-아세탈이다. 중합체성 오르토에스테르(EP-B 제0 022 571호), 중합체성 지방족 아세탈 (DE-A 제27 18 254호), 엔올 에테르(EP-B 제0 006 627호) 및 N-아실 이미노카보네이트(EP-B 제0 006 626호)를 사용하면 방사선-민감성 포지티브 혼합물이 또한 수득된다. 이러한 종류의 혼합물은 분해 반응을 개시하기 위해 광화학적으로 생성된 산 뿐만 아니라 물이 필요한데, 이들로 인해 실제 적용시 문제점이 유발된다. 또한, 다수의 이들 화합물은 구입하기가 용이하지 않다.
조사하면 산이 생성되는 화합물을 함유하고 또한 펜던트 산-불안정한 3급-부톡시카보닐 또는 3급-부톡시카보닐 옥시 그룹을 갖는 중합체를 함유하는 포지티브방사선-민감성 혼합물은 EP-A 제0 102 450호 및 제0 366 590호에 기재되어 있다. 그러나, 상기 중합체 대신에, 산-불안정한 그룹을 갖는 저분자량의 화합물을 함유하는 유사한 혼합물이 EP-A 제0 249 139호에 기재되어 있다. 일반적으로 분자량이 1,000 이하인 저분자량의 화합물중에 존재하는 산-불안정한 그룹의 예에는 특히 3급-부톡시, 3급-부톡시 카보닐, 3급-부톡시카보닐옥시, 1-메틸-1-페닐에톡시카보닐및 트리메틸실라닐옥시 그룹이 있다. 이러한 시스템은 분해 반응을 개시하는데 물이 필요하지 않은 반면에, 이들은 약간의 결점을 갖는다: 예를 들면, 이들은 비교적 높은 "흑색 융식 (dark ablation)"을 나타낸다. 다시 말하면, 현상액중에서 방사선-민감성 층의 용해도가 노출되지 않은 영역에서 조차 비교적 높아, 노출된 영역과 노출되지 않은 영역의 구별이 거의 나타나지 않는다.
본 발명의 목적은 화학선, 특히 단파장의 화학선에 대해 민감성이 큰 포지티브 혼합물에 특히 적합한 동시에 간단하고 저렴하게 제조할 수 있는 산-분해가능한 화합물을 제공하는 것이다.
당해 목적은 본 발명에 따라 일반식 R1[-N(CO-OR2)-SO2-R3]n (I) 또는 R1[-SO2-N(CO-OR2)-R3]n (Ⅱ)의 N,N-이치환 설폰아미드[여기서, R1은 n이 1인 경우 (C1-C20)알킬, (C3-C10)사이클로알킬, (C6-C14) 아릴 또는 (C7-C20)아르알킬 라디칼(여기서, 알킬을 함유하는 라디칼중 개개의 메틸렌 그룹은 헤테로원자에 의해 임의로 치환된다)이고, n이 2, 3 또는 4인 경우 (C1-C20)알칸 또는 (C5-C7)사이클로알칸의 n가 라디칼(여기서, n가 (C3-C20)알칸 라디칼중 개개의 메틸렌 그룹은 헤테로원자, (C5-C7)사이클로알킬렌 라디칼 또는 페닐렌에 의해 임의로 치환된다) 또는 축합되지 않거나 축합된 일핵 또는 다핵 (C6-C18) 방향족 화합물의 n가 라디칼이며; R2는 (C3-C11)알킬, (C3-C11)알케닐 또는 (C7-C11) 아르알킬 라디칼이고; R3은 치환되지 않거나 치환된 (C1-C6)알킬, (C3-C6)사이클로알킬, (C6-C14)아릴 또는 (C7-C20)아르알킬 라디칼이며; n은 1 내지 4의 정수이다]를 제공함으로써 성취된다.
라디칼 R1에 있어서, 바람직하게는 3개 이하의 메틸렌 그룹이 헤테로원자, 사이클로알킬렌 및/또는 페닐렌에 의해 치환된다. 가능한 헤테로원자는 특히 산소이다. n이 1 또는 2인 화합물이 일반적으로 바람직하다. n이 2인 경우 라디칼 R1은 일반식 -A-X-B-(여기서, X는 C-C 단일 결합, 메틸렌 그룹 또는 산소원자이고, A 및 B는 각각 독립적으로, 아릴렌, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-페닐렌이거나 사이클로알칸디일, 특히 사이클로헥산디일이다)를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 화합물은 촉매량의 유기 염기(예: 4-디메틸아미노피리딘)의 존재하에서 N-일치환 설폰아미드를 알콜 성분으로서 그룹-OR2를 함유하는 활성화 카본산 에스테르와 반응시켜 제조할 수 있다.
N-일치환 설폰아미드는 공지된 방법에 따라 설폰산과 1급 아민으로부터 제조할 수 있다. n이 1인 일반식 (Ⅰ) 및 (Ⅱ)의 화합물을 제조하기 위해서는 모노아민을 사용한다. n이 2, 3 또는 4인 일반식(Ⅰ)의 화합물을 제조하기 위해서는 디아민, 트리아민 또는 테트라아민을 사용한다. 설폰산은 그자체로 반응에 사용되지 않고 반응성이 더욱 큰 일명 "활성화된" 형태로 사용된다. 특히, 이들은 설포닐 할라이드, 특히 설포닐 클로라이드를 함유한다.
모노아민은 탄소수 1 내지 12, 특히 바람직하게는 1 내지 6의 직쇄 또는 측쇄 알킬아민(예: 메틸아민, 에틸아민, 프로필아민, 이소프로필아민, 부틸아민, 2급-부틸아민, 이소부틸아민, 3급-부틸아민, 펜틸아민, 1-메틸부틸아민, 2-메틸부틸아민 및 헥실아민)이 바람직하다. 또한, 모노아민은 탄소수 3 내지 12, 특히 바람직하게는 5 내지 8의 사이클로알킬아민(예: 사이클로펜틸아민, 사이클로헥실아민, 사이클로헵틸아민 및 사이클로옥틸아민)이 바람직하다. 방향족 모노아민중에서는 탄소수 6 내지 15의 모노아민이 바람직하고, 이들 방향족 모노아민은 특히 할로겐 원자, 알킬 또는 알콕시 그룹을 사용하여 치환할 수 있다. 바람직한 방향족 아민의 예에는 아닐린, 4-메틸아닐린, 4-에틸아닐린, 4-메톡시아닐린, 3-메톡시아닐린, 4-에톡시아닐린, 4-페녹시아닐린, 나프틸아민, 비페닐아민, 1- 및 2-아미노안트라센 및 9-아미노페난트렌이 있다. 아르알칼아민 중에서, 탄소수 7 내지 20의 아르알킬아민이 바람직하다. 이들은 방향족 아민과 동일한 방법으로 치환될 수 있다. 이들의 예에는 벤질아민, 4-메톡시벤질아민, 2,2- 및 3,3-디페닐프로필아민이 있다.
디아민은 탄소수 2 내지 20의 직쇄 또는 측쇄 알킬렌 디아민이 바람직하고, 이들도 치환될 수 있다. 또한, 개개의 메틸렌 그룹은 헤테로원자, 특히 산소에 의해 치환될 수 있다. 이의 예에는 에틸렌디아민, 프로판-1,3-디아민, 부탄-1,3- 및 -1 ,4-디아민, 펜탄-1,5-디아민, 헥산-1,6-디아민, 4,9-디옥사도데센-1,12-디아민 및 4,7,10-트리옥사트리데칸-1,13-디아민이 포함된다. 또한, 탄소수 3 내지 13의 사이클로알킬렌-디아민(예: 사이클로펜탄-1,2- 및 -1,3-디아민, 사이클로헥산-1,2-, -1,3- 및 -1,4-디아민, 및 메틸렌-비스-사이클로헥산-4,4'-디일디아민)이 바람직하다. 방향족 디아민은 탄소수 6 내지 15의 방향족 디아민(예: 오르토-, 메타- 및 파라-페닐렌 디아민, 2-메틸-파라-페닐렌디아민, 벤지딘, 나프탈렌-1,2-, -1,3-, -1,4-, -1,5-, -2,3-, -2,4- 및 -2,5-디아민, 안트라센 디아민, 아크리딘-3,6-디아민 및 페난트렌-9,10-디아민)이 바람직하다.
테트라아민의 예에는 비페닐테트라아민이 있다.
본 발명에 따른 n이 1인 일반식(Ⅰ) 및 (Ⅱ)의 화합물을 제조하기 위해 바람직한 설폰산은 메탄설폰산, 트리플루오로 메탄설폰산, 에탄설폰산, 프로판설폰산, 퍼플루오로프로판설폰산, 퍼플루오로부탄설폰산, 헥산설폰산, 퍼플루오로옥산설폰산, 벤젠설폰산, 펜타플루오로벤젠설폰산, 펜타-톨루엔설폰산 및 나프탈렌설폰산이고, n이 2, 3 또는 4인 일반식(Ⅱ)의 화합물을 제조하기 위해 바람직한 설폰산은 특히 헥산디설폰산, 벤젠디설폰산, 나프탈렌디-, -트리- 및 -테트라설폰산, 비페닐디설폰산 및 4,4'-옥시-비스-벤젠설폰산이다.
일명 "활성화된 카본산 에스테르"는 -CO-OR2로 N-일치환 설폰아미드를 아실화시킬 수 있는 화합물이다. 이들은 특히 디알킬디카보네이트(=피로카본산 디알킬에스테르) 다. 디-3급-부틸 디카보네이트(=O[CO2-C(CH3)3]2)가 특히 바람직하다.
N-일치환 설폰아미드와 활성화된 카본산 에스테르의 반응은 바람직하게는 각각의 경우에 N-일치환 설폰아미드 몰량을 기준으로 유기 염기 0.01 내지 10㏖%, 바람직하게는 0.05 내지 2㏖%의 존재하에서 혼합물의 잔류 성분과 비가역적으로 반응하지 않는 용매에내에서 수행한다. 상기 염기는 바람직하게는 3급 아민, 예를들면, 디알킬아미노피리딘이다. 적합한 용매는 특히 테트라하이드로푸란, 에틸 아세테이트, 디에틸 에테르, 부타논(=메틸 에틸 케톤)이다. 초기 충전제로서 N-일치환 설폰아미드 및 유기 염기를 용해된 형태로 도입시킨 다음 당해 혼합물에 활성화된 카본 에스테르를 서서히 가하는데 적절한 것으로 밝혀졌다. 반응은 일반적으로 0 내지 80℃, 바람직하게는 10 내지 50℃ 온도에서 수행한다. 이어서 반응 생성물은 반응 혼합물을 물에 붓고, 침전물을 여과시킨 다음 건조시켜 충분한 순도로 분리하거나 휘발성 성분을 감압하에서 스티리핑시켜 제거하여 간단히 분리할 수 있다. 필요한 경우, 정제는 재결정, 재침전, 증류에 의하거나 예비 크로마토그래피 방법에 의해 추가로 수행할 수 있다.
본 발명에 따라, 화학선의 영향하에서 산을 형성하는 화합물(a),
수성-알칼리 현상액중에서의 분해 생성물이 출발 화합물 보다 용해도가 더 큰 산-분해가능한 화합물(b) 및
물에는 불용성이지만 수성 알칼리 용액에는 가용성이거나 적어도 팽윤성인 중합체성 유기 결합제(c)를 함유하는 방사선-민감성 혼합물이 추가로 제안되어 있다.
위에서 산-분해가능한 화합물(b)은 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 N,N-이치환 설폰아미드이다.
화학선의 영향하에서 바람직하게는 강산을 형성하는 화합물(a)로서 특히 디아조늄, 포스포늄, 설포늄 및 요오도늄 염, 할로겐 화합물, o-퀴논 디아지드설포클로라리드, 에스테르 및 아미드가 바람직하고 또한 유기 금속성/유기 할로겐 혼합물이 바람직하다. 상기 디아조늄, 포스포늄, 설포늄 및 요오도늄 화합물은 일반적으로 유기 용매에 가용성인 이들의 염 형태, 특히 설포네이트, 특히 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로포스페이트, 헥사플루오로안티모네이트 또는 헥사플루오로아르세네이트의 트리플루오로메탄설포네이트의 형태로 사용된다. 그러나, 할라이드, 에스테르 및 1,2-나프토퀴논- 2-디아지드 설폰산의 아미드를 사용할 수도 있다. 그러나, o-나프토퀴논 디아지드에 조사하면 생성되는 인덴 카복실산의 산도는 일반적으로 상당한 영상 차이에 대해서만 적합하다. 또한, 상기 그룹중에서, 조사하면 3개의 산 작용 그룹이 형성되어 비교적 큰 향상 지수(enhancement factor)가 수득되는 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-설포닐 클로라이드가 바람직하다. 최종적으로, 적합한 산 형성제는 또한 유기 할로겐 화합물, 예를 들면, 탄소원자 또는 방향족 환 상에 할로겐 원자가 하나 이상인 화합물이 포함된다. 상기 할로겐-함유 화합물의 스펙트럼 민감성은 문헌에 공지된 감광제에 의해 변화 및 증가시킬 수 있다. 특히 적합한 산 형성제의 예에는 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-설포닐 클로라이드; 4-디-프로필 아미노벤젠디아조늄 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로포스페이트 및 트리플루오로메탄설포네이트; 2,5-디-에톡시-4-p-톨릴머캅토벤젠디아조늄 테트라플루오로보레이트 헥사플루오로포스페이트 및 트리플루오로메탄설포네이트; 4-아닐리노벤젠디아조늄 설페이트 및 4-디에틸아미노벤젠디아조늄 트리플루오로메탄설포네이트 뿐만 아니라 예로서 언급된 화합물이 있다. 4-메틸-6-트리클로로메틸-2-피론; 4-(3,4,5-트리메톡시스티릴)-6-트리클로로메틸-2-피론; 4-(4-메톡시스티릴)-6-(3,3,3-트리클로로프로페닐)2-피론; 2-트리클로로메틸벤즈이미다졸; 2-트리브로모메틸퀴놀린-4-온; 2,4-디메틸-1-트리브로모아세틸벤젠; 3-니트로-1-트리브로모아세틸벤젠; 4-디브로모아세틸벤조산; 1,4-비스-디브로모메틸-벤젠; 치환된 4,6-비스-트리클로로메틸-s-트리아진[예: 2-(6-메톡시나프탈렌-2-일)-,2-나프탈렌-1-일-, 2-나프탈렌-2-일-, 2-[4-(2-에톡시에틸)-나프탈렌-1-일]-, 2-벤조피란-3-일, 2-페난트렌-9-일- 및 2-(4-메톡시안트라센-1-일)-4,6-비스- 트리클로로메틸-s-트리아진 및 트리스-디브로모메틸-s-트리아진]을 사용할 수도 있다.
혼합물중의 산-형성 성분(a)의 비율은 혼합물의 조성에 따라 변화될 수 있다. 각각의 경우에 혼합물중에 존재하는 고체의 총 중량을 기준으로 약 0.1 내지 20중량%, 바람직하게는 0.2 내지 10중량%이면 바람직한 결과가 수득된다. 특히 두께가 10㎛ 이상인 피복층의 경우에는 비교적 소량의 산 형성제를 사용하는 것이 바람직하다.
각각의 경우에 산-분해가능한 성분(b)의 비율은 일반적으로 혼합물중에 존재하는 고체의 총 중량을 기준으로 5 내지 50중량%, 바람직하게는 10 내지 30중량%이다.
혼합물에는 본 발명에 따른 산-분해가능한 화합물 이외에, 다른 성분이 존재할 수 있다. 특히, 3급-부톡시카보닐 그룹을 갖는 중합체가 있다. 그러나, 이러한 추가의 산-분해 가능한 화합물을 갖는 혼합물은 일반적으로 바람직하지 않다.
특히 적합한 중합체성 결합제(c)는 페놀 수지, 특히 크레졸-포름알데히드 노볼락(DIN 53181에 따른 용융 범위 105 내지 120℃) 및 페놀-포름알데히드노볼락(DIN 53181에 따른 융점 110 내지 120℃)이다.
결합제의 종류 및 비율은 적용 목적에 따라 좌우된다. 각각의 경우에 혼합물 중에 존재하는 고체의 총 중량을 기준으로, 30 내지 90중량%, 특히 바람직하게는 55 내지 85중량%의 비율이 바람직하다.
또한, 알칼리 용해도가 산 작용에 의해 증가되는 결합제는 본 발명에 따른 혼합물로 사용할 수 있다. 이러한 결합제는, 예를 들면, 페놀성 OH 그룹이 알칼리용해도를 감소시키는 산-불안정성 그룹으로 조성되는 폴리하이드록시 스티렌일 수 있다. 본 발명에 따른 화합물은 혼합물의 감광성에 역효과를 주지 않으며 흑색 융식을 뚜렷이 감소시킨다.
다른 알칼리 가용성 수지, 예를 들면, 메타크릴산 및 메틸 메타크릴레이트, 비닐 아세테이트 및 크로톤산, 뿐만 아니라 말레산 무수물 및 스티렌의 공중합체도 결합제로서 적합하다.
또한, 다수의 다른 수지, 바람직하게는 공단량체에 의해 개질될 수 있는 폴리(비닐아세테이트), 폴리아크릴레이트, 폴리(비닐 에테르) 및 폴리(비닐피롤리돈)과 같은 비닐 중합체를 동시에 사용할 수 있다. 이들 수지의 가장 유리한 비율은 적용 조건 및 현상 상태에 대한 효과에 좌우된다. 일반적으로, 이들의 비율은 결합제의 총 중량을 기준으로, 20중량% 이하이다.
특별한 조건(예: 유연성, 접착성 또는 광택)을 충족시키기 위해, 방사선-민감성 혼합물은 폴리글리콜, 셀룰로스 유도체(예: 에틸 셀룰로스), 습윤제, 염료 및 미분산 안료와 같은 물질을 추가로 함유할 수 있다. 특히 유용한 것으로 알려진 염료는 특히 이들의 카비놀 염기의 형태인 트리페닐메탄 염료이다. 성분들중 가장 유리한 정량 비율은 각각의 특정한 경우에 대한 실험에 의해 쉽게 알 수 있다.
최종적으로, 본 발명은 또한 기재와 본 발명에 따른 혼합물을 포함하는 방사선-민감성 층을 포함하는 기록 물질에 관한 것이다. 기록물질은 일반적으로 기재를 혼합물의 용액으로 피복시켜 제조한다.
본 발명에 따른 방사선-민감성 혼합물에 대한 적합한 용매는 케톤(예: 메틸 에틸 케톤), 염소화 탄화수소(예: 트리클로로에틸렌 및 1,1,1-트리클로로에탄), 알콜(예: n-프로판올), 에테르(예: 테트라하이드로푸란), 글리콜에테르(예: 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르) 및 에스테르(예: 부틸 아세테이트)이다. 또한, 특정의 목적을 위해, 용매(예: 아세토니트릴, 디옥산 또는 디메틸포름아미드)를 추가로 함유할 수 있는 혼합물을 사용할 수도 있다. 대체로, 층 성분과 비가역적으로 반응하지 않는 모든 용매는 사용할 수 있다. 그러나, 이들은 피복 방법, 층 두께 및 건조 장치에 따라 선택될 수 있다. 실험적 두께가 약 5㎛ 이하인 박층은 바람직하게는 스핀-피복에 의해 적용된다. 두께가 60㎛ 이상인 층은 고체 함량이 약 40% 이하인 용액을 스피닝 디스크(spinning disc)에 단일 적용시키거나 닥터 나이프(doctor knife)를 사용하여 성취할 수 있다. 양면 피복은 바람직하게는 침지 피복에 의해 수행되고, 여기서, 표면은 신속히 건조되는 것이 유리하고 이는 비점이 낮은 용매를 사용함으로써 성취된다. 스트립형 기재 물질은 시트 다이를 사용하여 피복 용액을 분무시키거나 롤러를 사용하여 적용시킴으로써 피복할 수 있고; 개개의 판(예: 아연판 및 다중 금속판)은 커튼 피복에 의해 피복할 수 있다.
다른 포지티브 층, 특히 o-나프토퀴논 디아지드계 포지티브 층에 비해 보다 두꺼운 층을 제조할 수도 있는데, 본 발명에 따른 혼합물의 감광성은 두께에 따라 비교적 약간 변화된다. 두께가 100㎛ 이상인 층을 노출 및 가공할 수도 있다.
두께가 10㎛ 이상인 층에 대한 기재는 플라스틱 시트가 바람직하고, 당해 시트는 전이층에 대한 임시 기재로서 역할을 한다. 상기 목적 및 착색 시트를 위해, 폴리에스테르 시트, 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트가 바람직하다. 그러나, 폴리프로필렌과 같은 폴리올레핀 시트도 적합하다. 층 두께가 10㎛ 이하인 경우, 사용되는 필름 기재는 통상 금속이다. 옵셋 인쇄판은 기계적 또는 전기화학적으로 조면화되고 임의로 양극산화된 알루미늄을 사용하여 제조할 수 있는데, 알루미늄은, 예를 들면, 폴리비닐포스폰산, 실리케이트 또는 포스페이트를 사용하여 화학적으로 예비처리할 수 있다. 최상층으로서는 Cu/Cr 또는 황동/Cr로 이루어진 다중 금속 판이 또한 적합하다. 양각 인쇄판을 제조하기 위해, 본 발명에 따른 층은 아연 또는 마그네슘 판, 또는 비분말성(powderless) 에칭을 위한 이들의 공업적 미세결정성 합금에 적용할 수 있고 또한 에칭가능한 플라스틱(예: 폴리옥시메틸렌)에도 적용할 수 있다. 그라비야 형태 또는 망판 형태에 대해, 이들 층은 구리 또는 니켈 표면에 대한 우수한 접착성 및 내식성 때문에 적합하다. 유사하게, 이들은 포토레지스트으로 사용할 수 있고 화학적 밀링에 사용할 수 있다.
최종적으로, 피복은, 필요한 경우, 접착을 촉진시키기 위해 예비처리한 유리 또는 세라믹 물질 상에, 및 그중에서도, 표면 층이, 필요한 경우, 니트라이드 또는 옥사이드 층일 수 있는 실리콘 웨이퍼에서 직접 수행하거나 실시 기재로부터 구리를 사용하여 한쪽면 또는 양면을 피복시킨 절연판으로 이루어진 인쇄 회로판 물질에 건조 층을 이동시켜 수행할 수 있다. 또한, 목재, 직물 및 바람직하게는 투광 (projection)에 의해 영상을 그릴 수 있고 알칼리 현상액의 영향에 대해 내성이 있는 다수의 물질 표면을 피복시킬 수 있다.
피막은 통상적인 조건하에서 통상적인 장치를 사용하여 건조시킬 수 있다. 피막은 100 ℃ 주위 온도에 견디며, 단기간을 토대로 120 ℃ 이상의 온도에서 조차방사선-민감성의 손실이 관찰되지 않는다.
조사는 통상적인 방사선 공급원(예: 관상 램프, 펄스 크세논 방전 램프, 금속 할라이드-침지된 고압 수은 증기 램프 및 탄소 아크 램프)을 사용하여 수행할 수 있다. 또한 통상적인 투광 및 확대 장치로 금속 필라멘트 램프의 빛을 조사할 수 있거나 통상적인 광 벌브를 사용하여 접촉 노출시킬 수 있다. 조사는 레이저의 간섭성 빛을 사용하여 교대로 수행할 수 있다. 상기 목적을 위해서는 고출력 단파레이저, 예를 들면, 아르곤 이온 레이저, 크립톤 이온 레이저, 다이 레이저, 헬륨-카드뮴 레이저 및 193 내지 633㎚ 사이에서 방출되는 엑시머 레이저가 적합하다. 레이저는 일반적으로 컴퓨터 조절하에 래스터형 또는 방전형 방법으로 기록층위에 통과시키며, 이때에 기록층을 영상 조사한다.
추가로 설명될 수 있는 것은 전자 빔으로 조사하는 형태이다. 전자 빔은 다수의 다른 유기물질과 마찬가지로 본 발명에 따른 혼합물을 완전히 분배시킨 다음 가교결합시켜, 조사되지 않은 부분이 용매에 의해 제거되거나 패턴 및 현상없이 노출되는 경우 네가티브 영상이 생성되도록 한다. 전자 빔의 세기가 낮고/거나 이의기록 속도(writing speed)가 보다 큰 경우, 전자 빔은, 콘트라스트에 있어서, 용해도가 보다 높은 방향으로 상이한 효과를 갖는다. 예를 들면, 조사된 층 부분이 현상액에 의해 제거될 수 있다. 선택될 가장 유용한 조건은 실험에 의해 쉽게 결정 된다.
상을 노출 또는 조사한 후 층은, 필요한 경우, 시판되는 나프토퀴논 디아지드 층 및 포토레지스트에 대한 것과 사실상 동일한 현상액을 사용하여 열적 2차 처리한 후 제거할 수 있고, 이들의 복사 조건에 관한 한, 새로운 층은 현상액 및 프로그래밍된 분무 현상 장치와 같은 통상적인 보조 장치에 의해 유리하게 만들 수 있다. 수성 현상 용액은, 예를 들면, 알칼리 금속 포스페이트, 실리케이트 또는 하이드록사이드를 함유할 수 있고 또한 습윤제 뿐만 아니라 소량의 유기 용매도 함유할 수 있다. 특정한 경우에 있어서, 현상액으로서 수성 알칼리 현상액 대신에 유기 용매 또는 유기 용매와 물과의 혼합물을 사용할 수 있다. 그러나, 바람직한 현상액은 수성 알칼리 용액이다.
가장 유리한 현상액은 특별한 경우에 층에 대한 실험에 의해 결정할 수 있다. 필요한 경우, 현상은 기계적으로 수행할 수 있다. 인쇄하는 동안의 강성 (robustness), 및 침출제, 보정제 및 UV광에 의해 경화가능한 잉크에 대한 내성이 증가하도록, 현상된 판은 승온으로 단시간 동안 가열할 수 있다.
이후, 실시예는 본 발명에 따른 바람직한 N,N-이치환 설폰아미드, 이들의 합성 방법 및 본 발명을 제한하지 않는 이들을 사용하여 수득가능한 바람직한 민감성혼합물을 제공한다. ppw는 중량부를 나타낸다.
실시예 1 내지 18
N-치환 설폰아미드 1㏖ 및 4-디메틸아미노피리딘 0.02㏖을 에틸 아세테이트 또는 테트라하이드로푸란 700ml에 용해시킨다. 에틸 아세테이트 또는 테트라하이드로푸란 300ml중의 디-3급-부틸디카보네이트 nmol의 용액을 실온에서 30분에 걸쳐 교반용액에 적가한다. 반응을 종결시킨 후, 생성물은 용매를 감압하에 스트립핑시켜 제거하거나 반응 용액을 물에 붓고, 침전된 생성물을 흡인 여과시켜 분리한 다음 건조시켜 분리한다. 당해 방법에 따라 표1에 기재된 N,N-이치환 설폰아미드를수득한다.
실시예 19
노볼락 6.50ppw, 각각의 경우에 표1에 기재된 N,N-이치환 설폰아미드 중의 하나 2.50ppw, 4-p-톨릴머캅토-2,5-디에톡시벤젠-디아조늄 헥사플루오로포스페이트 0.50ppw, 결정성 바이올렛 염기 0.08ppw 및 메틸 에틸 케톤 175ppw를 포함하는 피복 용액을 전기화학적으로 활성화되고 양극 산화된 알루미늄의 판상에 스핀 피복시킨 다음 건조 오븐내에 100 ℃ 에서 건조시키며, 건조시킨 후의 층 두께는 1.8 내지 2.0㎛ 이다. 판은 밀도 변화가 0.15인 13 단계의 제판 단계 웨지를 통해 방사선-민감성 층위에 110cm의 거리에서 5kW 금속 할라이드 램프를 사용하여 조사한 다음, 건조 오븐내에 100 ℃ 에서 1분 동안 가열하고 조성이 나트륨 메타실리케이트ㆍ9H2O 5.5ppw, 트리나트륨 포스페이트ㆍ12H2O 3.4ppw, 일나트륨포스 페이트 무수물 0.4ppw 및 탈이온수 90.7ppw로 이루어진 수성 알칼리 현상액으로 현상한다.
사진 마스터의 포지티브 상이 만족스럽게 수득된다. 화합물 8, 9, 12 또는 16을 사용하면, 상의 품질은 약간 더 불량하다.
실시예 20 내지 27
전기화학적으로 활성화되고 양극 산화된 알루미늄 판은 결합제(BM) 6.50ppw, H,N-이치환 설폰아미드 2.50ppw, 4-p-톨릴머캅토-2,5-디에톡시벤젠-디아조늄 헥사플루오로포스페이트 0.50ppw, 결정성 바이올렛 염기 0.08ppw 및 메틸 에틸 케톤 175ppw로 이루어진 용액을 사용하여 스핀 피복시키고 건조 오븐내에 100 ℃에서 가열하면 두께가 1.9㎛인 층이 생성된다. 판은 밀도 변화가 0.15인 13 단계의 제판 단계 웨지를 통해 110cm의 거리에서 5kW 금속 할라이드 램프하에 노출시키고, 100℃에서 1분 동안 가열한 다음 실시예 19에서 기재된 조성을 갖는 수성 알칼리 현상액으로 30초 동안 현상시킨다. 모든 경우에 있어서, 사진 마스터의 포지티브 상이 수득된다. 추가로, 표2는 어느 노출 시간에서 망판 웨지의 단계 4가 판상에 노출되어 복제되는지를 보여주며 따라서, 공지된 포토레지스트와 비교하여 본 발명에 따른 감광성 층이 현저히 높은 감광성을 나타내는 것으로 기재되어 있다.
*옵셋 인쇄판(R)오자솔(Ozasol) p61(헥스트 아크티엔게젤샤프트사 제품)을 사용한다.
실시예 28
당해 실시예는 포지티브 옵셋 인쇄판을 제조하기 위한 본 발명에 따른 혼합물의 용해도를 나타낸다.
전기화학적으로 활성화되고 양극 산화된 알루미늄 판을 노볼락 7.00ppw, N-3급-부톡시카보닐-N-페닐-나프탈렌-2-설폰 아미드(표1에 기재된 실시예 6) 2.00ppw, 4-p-톨릴머캅토-2,5- 디에톡시벤젠디아조늄 헥사플루오로포스페이트 0.50ppw, 결정성 바이올렛 염기 0.08ppw 및 메틸 에틸 케톤 175ppw로 이루어진 용액으로 스핀 피복시키고 건조 오븐내에 100 ℃에서 가열시키면 두께가 1.9㎛인 층을 형성한다. 층을 밀도 변화가 0.15인 13 단계의 망판 단계 웨지를 통해 110cm의 거리에서 5kW 금속 할라이드 램프에 20초 동안 노출시키고, 100 ℃에서 1분 동안 가열한 다음 실시예 19에 기재된 조성을 갖는 수성 알칼리 현상액으로 30초 동안 현상시킨다. 수득된 포지티브 인쇄 형태는 옵셋 인쇄기상에서 품질이 우수한 인쇄물을 90,000개 이상 제조한다.
실시예 29 내지 32
이들 실시예는 본 발명에 따른 화합물을 첨가한 결과, 변화되지 않은 감광성을 유지하는 동안 복사 층의 흑색 융식이 감소되는 것을 나타낸다.
전기화학적으로 활성화되고 양극 산화된 알루미늄 판을 폴리하이드록시스티렌(MW 4,500) 2ppw를 디-3급-부틸 디카보네이트 1ppw와 반응시켜 제조한 결합체 8.00ppw, N,N-이치환 설폰아미드 1.00ppw, 산 공여체 2,5-디에톡시-4-(p-톨릴-머캅토)-벤젠디아조늄 헥사플루오로포스페이트 0.50ppw, 결정성 바이올렛 염기 0.08ppw및 메틸 에틸 케톤 175ppw로 이루어진 용액으로 스핀 피복시키고 순환 건조 오븐내에 100 ℃에서 가열하여 두께가 1.9㎛인 층을 형성한다. 층을 밀도 변화가 0.15 인 13 단계의 망판 단계 웨지를 통해 110cm의 거리에서 5kW 금속 할라이드 램프에 노출시키고, 100 ℃에서 1분 동안 가열한 다음 실시예 19에 기재된 조성을 갖는 수성 알칼리 현상액으로 현상하고, 필요한 경우, 판을 현상액에 30초 동안 잔류시키고, 다른 기회에 270초 동안 잔류시킨다. 결과를 표 3에 기재하였다.
*당해 층(참고 층)에 있어서, 본 발명에 따른 화합물의 비율은 결합제의 상응하게 보다 높은 비율에 의해 대체된다.

Claims (8)

  1. 일반식 R1[-N(CO-OR2)-SO2-R3]n(Ⅰ) 또는 R1[-SO2-N(CO-OR2)-R3]n(Ⅱ)의 N,N-이치환 설폰아미드 [여기서, R1은 (C1-C20)알칸 또는 (C5-C7)사이클로알칸의 2가 라디칼(여기서, 2가 (C3-C20)알칸 라디칼중 개개의 메틸렌 그룹은 산소 원자, (C5-C7)사이클로알킬렌 라디칼 또는 페닐렌에 의해 치환되거나 치환되지 않는다) 또는 축합되지 않거나 축합된 일핵 또는 다핵 (C6-C18) 방향족 화합물의 2가 라디칼이며, R2는 이소프로필, 2급-부틸 또는 3급-부틸 라디칼이고, R3은 치환되지 않거나 치환된 (C1-C6)알킬, (C3-C6)사이클로알킬, (C6-C14)아릴 또는 (C7-C20)아르알킬 라디칼이며, n은 정수 2이다].
  2. 제1항에서, 라디칼 R1에 있어서 3개 이하의 메틸렌 그룹이 산소 원자, 사이클로알킬렌 또는 페닐렌에 의해 치환된 설폰아미드.
  3. 제1항에 있어서, 라디칼 R1의 일반식 -A-X-B- (여기서, X는 C-C 단일결합, 메틸렌 그룹 또는 산소 원자이고, A 및 B는 각각 독립적으로 아릴렌 또는 사이클로알칸디일이다)인 설폰아미드.
  4. 화학선의 영향하에서 산을 형성하는 형성물(a),
    수성-알칼리 현상액 중에서의 분해 생성물이 출발 화합물 보다 용해도가 더 큰 산-분해가능한 화합물(b){여기서, 산-분해가능한 화합물(b)는 일반식 R1[-N(CO-OR2)-SO2-R3]n(Ⅰ) 또는 R1{-SO2-N(CO-OR2)-R3]n(Ⅱ)의 N,N-이치환 설폰아미드[여기서, R1은, n이 1인 경우, (C1-C6)알킬, (C5-C8)사이클로알킬, (C6-C14)아릴 또는 벤질 라디칼(여기서, 알킬을 함유하는 라디칼중 개개의 메틸렌 그룹은 헤테로원자에 의해 치환되거나 치환되지 않는다)이고, n이 2인 경우, (C1-C20)알칸 또는 (C5-C7)사이클로알칸의 2가 라디칼(여기서, 2가 (C3-C20)알칸 라디칼중 개개의 메틸렌 그룹은 산소 원자, (C5-C7)사이클로알킬렌 라디칼 또는 페닐렌에 의해 치환되거나 치환되지 않는다) 또는 축합되지 않거나 축합된 일핵 또는 다핵 (C6-C18) 방향족 화합물의 2가 라디칼이며, R2는 이소프로필, 2급-부틸 또는 3급-부틸 라디칼이고, R3은 치환되지 않거나 치환된 (C1-C6)알킬, (C3-C6)사이클로알킬, (C6-C14)아릴 또는 (C7-C20)아르알킬 라디칼이며, n은 1 및 2이 정수이다]이다} 및
    물에는 불용성이지만 수성 알칼리 현상액에는 가용성이거나 적어도 팽윤성인중합체성 유기 결합제(c){여기서, 중합체성 유기 결합체(c)는 페놀 수지; 폴리하이드록시스티렌; 메타크릴산 및 메틸 메타크릴레이트, 비닐 아세테이트 및 크로톤산, 및 말레산 무수물 및 스티렌의 공중합체; 비닐 중합체로 이루어진 그룹으로부터 선택된다}를 포함하는 방사선-민감성 혼합물.
  5. 제4항에 있어서, 산-형성 성분(들)(a)의 비율이 각각의 경우에 혼합물 중의고체의 총 중량을 기준으로 0.1 내지 20중량%인 방사선-민감성 혼합물.
  6. 제4항에 있어서, 산-분해가능한 화합물(들)(b)의 비율이 각각의 경우에 혼합물 중의 고체의 총 중량을 기준으로 5 내지 50중량% 방사선-민감성 혼합물.
  7. 제4항에 있어서, 중합체성 결합체(c)의 비율이 각각의 경우에 혼합물 중의 고체의 총 중량을 기준으로 30 내지 90중량%인 방사선-민감성 혼합물.
  8. 기재, 및 제4항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 따른 방사선-민감성 혼합물을 포함하는 방사선-민감성 층을 포함하는 기록 물질.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0814381B1 (en) * 1996-06-20 2001-09-19 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive image forming composition
TWI269940B (en) * 1999-10-29 2007-01-01 Shinetsu Chemical Co Resist composition
JP4081677B2 (ja) 2003-05-21 2008-04-30 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP4009852B2 (ja) 2003-05-21 2007-11-21 信越化学工業株式会社 塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP4029288B2 (ja) 2003-05-21 2008-01-09 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
US7285368B2 (en) * 2003-06-12 2007-10-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable ester having sulfonamide structure, polymer, resist composition and patterning process
JP4355917B2 (ja) 2003-10-29 2009-11-04 信越化学工業株式会社 含窒素有機化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US7276324B2 (en) 2003-11-14 2007-10-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Nitrogen-containing organic compound, resist composition and patterning process
US7297318B2 (en) 2005-11-17 2007-11-20 J.M. Huber Corporation Method of removing heavy metals from silicate sources during silicate manufacturing
JP4784760B2 (ja) 2006-10-20 2011-10-05 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4304834A (en) * 1979-12-26 1981-12-08 Polaroid Corporation Novel xanthene compounds and photographic products and processes employing the same

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3933894A (en) * 1966-05-03 1976-01-20 Monsanto Company N-arylsulfonyl carbamates
US3779778A (en) * 1972-02-09 1973-12-18 Minnesota Mining & Mfg Photosolubilizable compositions and elements
US3971650A (en) * 1973-06-29 1976-07-27 Chevron Research Company Herbicidal N1 -methoxycarbonyl-N1 -alkyl-3,5-dinitro-N4 -N4 -dialkylsulfanilamide
JPS5343371B2 (ko) * 1973-12-11 1978-11-18
JPS5115321A (ja) * 1974-07-30 1976-02-06 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd Sosasochi
CH621416A5 (ko) * 1975-03-27 1981-01-30 Hoechst Ag
JPS5270020A (en) * 1975-12-10 1977-06-10 Hokko Chem Ind Co Ltd Fungicidal composition for agriculture and gardening use
DE2718254C3 (de) * 1977-04-25 1980-04-10 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Strahlungsempfindliche Kopiermasse
JPS5461148A (en) * 1977-10-20 1979-05-17 Nippon Soda Co Ltd Sulfamoylphenylcarbonates and miticide containing the same
IT1109386B (it) * 1977-11-08 1985-12-16 Nippon Soda Co Composizione acaricida
DE2829512A1 (de) * 1978-07-05 1980-01-17 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
DE2829511A1 (de) * 1978-07-05 1980-01-24 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
DE2928636A1 (de) * 1979-07-16 1981-02-12 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
JPS59204165A (ja) * 1983-04-28 1984-11-19 Sumitomo Chem Co Ltd Ｎ−フェニルカ−バメ−ト系化合物、その製造法およびそれを有効成分とする農園芸用殺菌剤
US4602263A (en) * 1984-09-04 1986-07-22 Polaroid Corporation Thermal imaging method
EP0249139B2 (en) * 1986-06-13 1998-03-11 MicroSi, Inc. (a Delaware corporation) Resist compositions and use
JPS643162A (en) * 1987-06-26 1989-01-06 Tokuyama Soda Co Ltd Sulfonamide compound
DE68926019T2 (de) * 1988-10-28 1996-10-02 Ibm Positiv arbeitende hochempfindliche Photolack-Zusammensetzung
IL94016A0 (en) * 1989-04-14 1991-01-31 Ciba Geigy Sulfenylated carbamic esters
EP0421388A3 (en) * 1989-10-03 1991-12-18 Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd. Positive-acting photoresist composition
DE4112966A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4242050A1 (de) * 1992-12-14 1994-06-16 Hoechst Ag Polymere mit N,N-disubstituierten Sulfonamid-Seitengruppen und deren Verwendung

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4304834A (en) * 1979-12-26 1981-12-08 Polaroid Corporation Novel xanthene compounds and photographic products and processes employing the same

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Tetrahedron Letters, vo. 30, 5709-5712, 1989 *
인용발명1(J. Org. Chem., vol 48, p 607-609, 1983): *

Also Published As

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