KR940014322A - N, n-이치환 설폰아미드 및 이로부터 제조한 방사선 민감성 혼합물 - Google Patents

N, n-이치환 설폰아미드 및 이로부터 제조한 방사선 민감성 혼합물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 일반식 R1[-N(CO-OR2)-SO2-R3]n(I) 및 R1[-SO2-N(CO-OR2)-R3]n(Ⅱ)의 N,N-이치환 실폰아미드[여기서, R1은, n이 1인 경우, (C1-C20)알킬, (C3-C10)사이클로알킬, (C6-C14)아릴 또는 (C7-C20)아르알킬 라디칼이고, n＞1인 경우, (C1-C20)알칸 또는 (C5-C7)사이클로알칸, 축합되지 않거나 축합된 일핵 또는 다핵 (C6-C18) 방향족 화합물의 2-, 3- 또는 4가 라디칼이며, R2는 (C3-C11)알킬, (C3-C11)알케닐 또는 (C7-C11)아르알킬 라디칼이고, R3은 치환되지 않거나 치환된 (C1-C6)알킬, (C3-C6)사이클로알킬, (C6-C14)아릴 또는 (C7-C20)아르알킬 라디칼이다]에 관한 것이다. 또한 본 발명은 화학선의 영향하에서 산을 형성하는 화합물(a), 수성 알칼리 현상액 중에서 분해 생성물이 출발 화합물 보다 용해도가 더 큰 산-분해가능한 화합물(b)(여기서, 화합물(b)은 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 설폰아미드이다) 및 물에는 불용성이지만 수성 알칼리 용액는 가용성이거나 적어도 팽윤성이 중합체성 결합제(c)를 함유하는 포지티브 방사선 민감성 혼합물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 혼합물은 특히 옵셋 인쇄판 및 감광성 내식막을 제조하는데 적합하다.

Description

N, N-이치환 설폰아미드 및 이로부터 제조한 방사선 민감성 혼합물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 일반식 R1[-N(CO-OR2)-SO2-R3]n(I) 또는 R1[-SO2-N(CO-OR2)-R3]n(Ⅱ)의 N,N-이치환 실폰아미드[여기서, R1은, n이 1인 경우, (C1-C20)알킬, (C3-C10)사이클로알킬, (C3-C14)아릴 또는 (C7-C20)아르알킬 라디칼(여기서, 알킬을 함유하는 라디칼중 개개의 메틸렌 그룹은 헤테로원자에 의해 임의로 치환된다)이고, n이 2, 3 또는 4인 경우, (C1-C20)알칸 또는 (C5-C7)사이클로알칸의 n가 라디칼(여기서, n가 (C3-C20)알칸 라디칼중 개개의 메틸렌 그룹은 헤테로원자, (C5-C7)사이클로알칸 라디칼 또는 페닐렌에 의해 임의로 치환된다) 또는 축합되지 않거나 축합된 일핵 또는 다핵 (C6-C18) 방향족 화합물의 n가 라디칼이며, R2는 (C3-C11)알킬, (C3-C11)알케닐 또는 (C7-C11)아르알킬 라디칼이고, R3은 치환되지 않거나 치환된 (C1-C6)알킬, (C3-C6)사이클로알칸, (C6-C14)아릴 또는 (C7-C20)아르알킬 라디칼이며, n가 1내지 4의 정수이다].
  2. 제 1 항에 있어서, 라디칼 R1에 있어서 3개 이하의 메틸렌 그룹이 헤테로원자, 특히 산소원자, 사이클로알킬렌 및/또는 페닐렌에 의해 치환된 설폰아미드.
  3. 제 1항 또는 제 2 항에 있어서, n이 1 또는 2인 설폰아미드.
  4. 제 1 항에 있어서, n이 2인 경우, 라디칼 R1의 일반식 -A-X-B-(여기서, X는 C-C 단일결합, 메틸렌 그룹 또는 산소원자이고, A 및 B는 각각 독립적으로 아릴렌, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-페닐렌, 또는 사이클로알칸디일, 특히 사이클로헥산디일이다)인 설폰아미드.
  5. 제 1 항에 있어서, R2가 이소프로필, 2급--부틸 또는 3급-부틸 라디칼인 설폰아미드.
  6. 화학선의 영향하에서 산을 형성하는 화합물(a), 수성-알칼리 현상액 중에서의 분해 생성물이 출발 화합물보다 용해도가 더 큰 산-분해가능한 화합물(b)(여기서, 산-분해가능한 화합물(b)는 제 1 항 내지 제 5 항중의 어느 한 항에 따른 이치환 설폰아미드이다) 및 물에는 불용성이지만 수성 알칼리 현상액에는 가용성이거나 적어도 팽윤성인 중합체성 유기 결합체(c)를 포함하는 방사선 민감성 혼합물.
  7. 제 6 항에 있어서, 산-형성 성분(들)(a)의 비율이 각각의 경우에 혼합물중의 고체의 총 중량을 기준으로 0.1 내지 20%, 바람직하게는 0.2 내지 10중량%인 방사선 민감성 혼합물.
  8. 제 6 항에 있어서, 산-형성 화합물(들)(a)의 비율이 각각의 경우에 혼합물중의 고체의 총 중량을 기준으로 5 내지 50%, 바람직하게는 10 내지 30중량%인 방사선 민감성 혼합물.
  9. 제 6 항에 있어서, 중합체성 결합체(c)의 비율이 각각의 경우에 혼합물중의 고체의 총 중량을 기준으로 30 내지 90중량%, 바람직하게는 55 내지 85중량%인 방사선 민감성 혼합물.
  10. 기재 및 방사선 민감성 층(여기서, 방사선 민감성 층은 제 6 항 내지 제 9 항중의 어느 한 항에 따른 방사선 민감성 혼합물을 포함한다)을 포함하는 기록물질.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930027408A 1992-12-14 1993-12-13 N,n-이치환설폰아미드및이로부터제조한방사선민감성혼합물 KR100311848B1 (ko)

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