KR100310402B1 - 전류소비를감소시킬수있는송신전력제어장치 - Google Patents
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Abstract
송신 전력 제어 장치는 무선 통신 장치에서 사용하기 위한 것이다. 송신 전력 제어 장치는 제어 신호에 따라 입력 송신 신호를 처리된 송신 신호로 처리하는 처리 섹션을 포함한다. 전력 증폭기 회로는 처리된 송신 신호를 전력 증폭된 송신 신호로 증폭하는 제1 트랜지스터를 갖는다. 송신 전력 제어 장치는 제1 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 검출하여 전류 검출 신호를 생성하는 검출 회로를 더 포함한다. 변환 회로는 제어 신호를 처리된 송신 신호의 레벨에 대응하는 기준값 신호로 변환한다. 바이어스 전류 섹션은 전류 검출 신호를 기준값 신호와 비교하여 비교 결과 신호를 생성한다. 바이어스 전류 수단은 비교 결과 신호에 따라 증폭기 회로에 대해 바이어스 전류를 제어한다.
Description
[발명의 배경]
본 발명은 휴대용 전화 등의 무선 통신 장치에서 송신 전력을 제어하는 송신 전력 제어 장치에 관한 것이다.
통상적으로, 휴대용 전화는 전원으로서 사용되는 전지 없이 작동될 수 없다. 휴대용 전화의 통화 시간을 연장하기 위해서는, 휴대용 전화에서 가능한 한 소비 전류를 보다 적게 할 필요가 있다. 송신 중(대화 중)에, 소비 전류는 휴대용 전화의 송신 전력 증폭기(고주파 파워 IC)에서 대부분 소비된다. 따라서, 송신 전력 증폭기에서 소비 전류를 가능한 한 적게 하는 것이 필요하다. 휴대용 전화는 이동 단말기로 일컬어질 수 있다.
휴대용 전화에서 소비 전류를 감소시키기 위해서, 휴대용 전화가, 송신 전력을 제어하는 종래의 송신 전력 제어 장치를 갖는 것은 공지되어 있다.
한편, IS 95 등의 CDMA 이동 통신 시스템에서의 휴대용 전화와 기지국과의 거리에 의해 야기된 문제를 피하기 위해서 휴대용 전화에서 80dB 범위 이상으로 송신 전력을 변경하는 것이 필요하다. 휴대용 전화가 기지국으로부터 멀리 있는 경우, 휴대용 전화는 기지국 부근에 위치한 또 다른 휴대용 전화에 의해 당연히 방해를 받는다.
종래의 송신 전력 제어 장치가 CDMA 시스템의 휴대용 전화에 사용되는 경우에는, 송신 전력을 광범위하게 변경하는 것이 불가능하다. 그 결과, 후술하게 되는 휴대용 전화의 통화 시간을 연장하는 것이 불가능하다.
[발명의 요약]
따라서, 본 발명의 목적은 휴대용 전화의 통화 시간을 연장하기 위해서, CDMA 시스템의 휴대용 전화에서 송신 전력을 광범위하게 변경할 수 있는 송신 전력 제어 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 설명이 계속됨에 따라 분명해 진다.
본 발명의 요지는 기술하는 중에, 송신 전력 제어 장치가 무선 통신 장치에서 사용된다는 것을 이해할 수 있다.
본 발명에 따르면, 송신 전력 제어 장치는, (A) 제어 신호에 따라 입력 송신 신호를 처리된 송신 신호로 처리하는 처리 수단과, (B) 처리된 송신 신호를 전력 증폭 송신 신호로 증폭하는 제1 트랜지스터를 갖는 전력 증폭 수단과, (C) 제1 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 검출하여 전류 검출 신호를 생성하는 검출 수단과, (D) 상기 제어 신호를 처리된 송신 신호의 레벨에 대응하는 기준값 신호로 변환하는 변환 수단과, (E) 전류 검출 신호와 상기 기준값 신호를 비교하여 비교 결과 신호를 생성하는 바이어스 전류 수단을 포함하고, 바이어스 전류 수단은 상기 비교 결과 신호에 따라 상기 증폭 수단에 대해 바이어스 전류를 제어한다.
도 1은 휴대용 전화에서의 종래의 송신 전력 제어 장치의 블록도.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 송신 전력 제어 장치의 블록도.
도 3은 전력 증폭기의 특성을 기술하는 도면.
도 4는 도 2에 도시된 송신 전력 제어 장치의 전력 증폭기 및 바이어스 전류 검출 회로를 설명하는 회로도.
도 5는 도 2에 도시된 송신 전력 제어 장치의 전력 증폭기 및 바이어스 전류 검출 회로를 설명하는 또 다른 회로도.
도 6은 도 2에 도시된 송신 전력 제어 장치의 변환 회로를 설명하는 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
11 : 가변 이득 중간 주파수 증폭기 12 : 믹서
13 : 국부 발진기 14 : 대역 필터
15 : 스텝 감쇠기 16 : 전력 증폭기
17 : 바이어스 전류 검출 회로 18 : 변환 회로
19 : 감산기 20 : 적분기
[바람직한 실시예의 설명]
우선, 본 발명을 용이하게 이해하기 위해서, 도 1을 참조하여 종래의 송신 전력 제어 장치를 설명한다. 설명될 예에서, 도시된 송신 전력 제어 장치는 휴대용 전화 등의 단말기나 이동국에서 사용하기 위한 것이다. 송신 전력 제어 장치는 도 1에서 HPA 포화 출력 제어 회로(3)를 포함한다. 휴대용 전화는 16-값 QAM 등의 다중값 디지털 변조를 사용한다. 입력 송신 신호로서 동위상(I) 및 직각 위상(Q) 성분을 갖는 아날로그 멀티 레벨 신호가 인가된, 다중값 QAM 변조기(1)는 입력 송신 신호를 변조 송신 신호로 변조한다. 변조 송신 신호는 전력 증폭기(HPA)(2)에 의해 증폭 신호로 증폭되어 송신 전력에 의해 안테나(ANT)를 통해 출력 송신 전력으로서 송신된다.
입력 송신 신호가 HPA 포화 출력 제어 회로(3)에 더 인가된다. HPA 포화 출력 제어 회로(3)는 인식 회로(3a) 및 바이어스 제어 회로(3b)를 포함한다. 입력 송신 신호가 제공된 인식 회로(3a), 입력 부호의 위치를 나타내는 인식 신호를 생성하기 위해서, 입력 송신 신호의 입력 부호가 위상면(phase plane)에 어디에 위치되는지를 확인한다. 인식 신호에 따라, 인식 회로(3a)는 각 입력 부호의 피크(peak) 레벨 또는 피크값을 결정하여 각 입력 부호의 피크 레벨을 나타내는 피크 레벨 신호를 바이어스 제어 회로(3b)에 인가한다. 피크 신호에 기초하여, 바이어스 제어 회로(3b)는 전력 증폭기(2)에 최적 바어어스값을 인가한다.
전술한 바로부터 쉽게 이해하듯이, HPA 포화 출력 제어 회로(3)는 입력 송신 신호에 따라 전력 증폭기(2)의 바이어스를 제어한다. 그 결과, 멀티 레벨 디지털 신호를 송신함에 있어서 전력 증폭기(2)내에서의 평균 소비 전류가 감소된다.
그러나, 송신 전력 제어 장치가 각 입력 부호의 피크 레벨에 따라 전력 증폭기(2)의 바이어스를 제어하는 한은, CDMA 시스템에서 휴대용 전화의 송신 전력을 80dB 이상 광범위하게 변경하는 것이 불가능하다. 그 결과, 휴대용 전화가 도 1에 도시된 송신 전력 제어 장치를 갖는 경우에 휴대용 전화의 통화 시간을 연장하는 것이 용이하지 않다.
도 2를 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 송신 전력 제어 장치를 설명한다.
도시된 송신 전력 제어 장치는 가변 이득 중간 주파수(IF) 증폭기(11)를 포함한다. 가변 이득 IF 증폭기(11)에는 이득 제어 신호(Sb)에 따라 증폭 IF 신호로 입력 IF 신호(Sa)를 가변 증폭하기 위해 입력 IF 신호(Sa)가 인가된다. 증폭 IF 신호는 믹서(12)에 인가된다. 믹서(12)는 국부 발진 신호가 인가될 국부 발진기(13)에 접속되어 있다. 믹서(12)는 증폭 IF 신호에 국부 발진 신호를 혼합하여 소정의 주파수를 갖는 고주파 신호를 생성한다.
고주파 신호는 대역 필터(BPF)(14)에 인가된다. BPF(14)는 고주파 신호로부터 원하는 주파수를 제거하기 위해 고주파 신호를 여파(filtered) 신호로 여파한다. 여파 신호는 스텝 감쇠기(ATT)(15)에 전달된다. 스텝 감쇠기(ATT)(15)는 감쇠기 제어 신호(Sc)에 기초하여 감쇠(attenuated) 신호로 여파 신호를 감쇠한다. 특히, 스텝 감쇠기(15)는 감쇠 신호를 생성하기 위해 감쇠기 제어 신호(Sc)에 따라 온(on) 상태 또는 오프(off) 상태를 만든다. 감쇠 신호는 후술하는 바의 바이어스 전압(Sn)에 따라 송신 전력(Se)을 출력하는 전력 증폭기(16)에 입력된다.
전력 증폭기(16)는 바이어스 전류 검출 회로(17)를 통해 전원(Vcc)에 접속되어 있다. 후술하는 바와 같이, 바이어스 전류는 바이어스 전류 검출 회로(17)를 통해 전력 증폭기(16)에 인가된다. 또한, 바이어스 전류 검출 회로(17)는 바이어스 전류값을 나타내는 바이어스 전류 검출 신호(Sd)를 생성하기 위해 전원(Vcc)에 기초한 바이어스 전류를 검출한다.
이득 제어 신호(Sb) 및 감쇠기 제어 신호(Sc)는 변환 회로(18)에 인가된다. 이득 제어 신호(Sb) 및 감쇠기 제어 신호(Sc)에 응답하여, 변환 회로(18)는 IF 신호(Sa)의 레벨을 나타내는 기준값 신호(Sv)를 생성한다. 즉, 기준값 신호(Sv)는 각 시간 송신 전력이 변경되는 바이어스 전류의 기준을 나타낸다. 기준값 신호는 감산기(19)에 인가된다. 감산기(19)에는 전술한 바어어스 전류 검출 신호(Sd)가 더 인가된다. 감산기(19)는 기준값 신호(Sv)에서 바이어스 전류 검출 신호(Sd)를 감산하여, 적분기(20)에 인가되는 감산 신호를 생성한다. 적분기(20)는 소정의 지속 시간 동안 감산 신호를 적분하여 바이어스 전압(Sn)으로서 적분 신호를 전력 증폭기(16)에 인가한다. 적분 신호는 도 3에 도시된 바이어스 전압(Sn)으로서 전력 증폭기(16)에 인가된다. 전력 증폭기(16)는 도 3에 도시된 특성으로 동작하게 된다.
도 4를 참조하여, 도 2에 도시된 전력 증폭기(16) 및 바이어스 전류 검출 회로(17)의 예를 설명한다. 바이어스 전류 검출 회로(17)는 저항기(R1)와 제1 캐패시터(C1)를 포함한다. 전력 증폭기(16)는 제1 및 제2 매칭 회로(24, 25), 제1 및 제2 코일 또는 인덕터(L1, L2), 제2 캐패시터(C2), 전계 효과 트랜지스터(FET)(Q1)를 포함한다. 특히, 매칭 회로(24)는 감쇠 신호를 증폭 신호로 증폭하는 FET(Q1)의 게이트에 감쇠 신호를 인가하기 위한 동조 회로(LC)로 구성된다. 매칭 회로(24)는 입력 임피던스를 매칭하기 위한 것이다. 매칭 회로(25)는 출력 임피던스를 매칭하기 위해 FET(Q1)의 드레인에 접속되어 있다. FET(Q1)의 소스는 접지되어 있다. FET(Q1)의 드레인은 감쇠 신호가 바이어스 전류 검출 회로(17)로 누설되는 것을 방지하기 위한 코일(L1)에 접속되어 있다. 코일(L1)은 바이어스 전류 검출 회로(17)내에 제공될 수 있다. FET(Q1)의 게이트는 코일(L2)과 캐패시터(C2)에 접속되어 있다. 코일(L2)은 감쇠 신호가 바이어스 전압 라인으로 누설되는 것을 방지하기 위한 것이다. 캐패시터(C2)는 감쇠 신호를 바이패스(bypass)하기 위한 것이다.
바이어스 전류 검출 회로(17)내에는, 저항기(R1)가 전원(Vcc)과 코일(L1)에 접속되어 있다. 캐패시터(C1)는 바이패스 캐패시터이며, 저항기(R1)와 코일(L1) 사이의 접점에 접속되어 있다. 또한, 캐패시터(C1)는 접지되어 있다. 저항기(R1)에 기초한 전압 강하(voltage drop)는 도 2에 도시된 감산기(19)에 바이어스 전류 검출 신호(Sd)로서 인가된다.
도 2에 부가하여 도 4를 참조하면, 감쇠 신호는 전력 증폭기(16)에 인가된다. 전력 증폭기(16)에서, 감쇠 신호는 매칭 회로(24)를 통해 FET(Q1)의 게이트에 인가된다. 또한, FET(Q1)의 게이트에는 코일(L2)과 캐패시터(C2)를 통해 바이어스 전압(Sn)이 인가된다. FET(Q1)는 바이어스 전압(Sn)에 따라 감쇠 신호를 증폭 신호로 증폭하여, 매칭 회로(25)를 통해 송신 전력(Se)으로서의 증폭 신호를 출력한다.
상기한 바와 같이, 바이어스 전류 검출 회로(17)는 저항기(R1)의 강하 전압(drop voltage)을 나타내는 바이어스 전류 검출 신호(Sd)를 감산기(19)에 인가한다. 감산기(19)는 기준값 신호(Sv)에서 바이어스 전류 검출 신호(Sd)를 감산하여 감산 신호를 생성한다. 적분기(20)는 감산 신호에 기초하여 바이어스 전압(Sn)을 생성하고 FET(Q1)의 게이트에 바이어스 전압(Sn)을 인가한다.
도 4에서, 다량의 전류가 FET(Q1)로부터 저항기(R1)에 흐른다. 그 결과, 저항기(R1)의 저항을 매우 작게 할 필요가 있다. 저항기(R1)의 저항이 매우 작게 되는 경우, 전력 증폭기(16) 및 바이어스 전류 검출 회로(17)에서의 배선(wiring) 저항을 무시하는 것이 어렵게 된다. 그 결과, 바이어스 전류 검출 신호(Sd)는 에러를 가질 수 있다. 또한, 소스 전압(Vcc)이 저항기(R1)의 강하 전압에 기초하여 감소되는 한은, 증폭의 선형성 등의 특성은 전력 증폭기(16)에서 저하될 수 있다.
도 5를 참조하여, 도 2에 도시된 전력 증폭기(16) 및 바이어스 전류 검출 회로(17)의 또 다른 예를 설명한다.
도 5에서, 전력 증폭기 및 바이어스 전류 검출 회로는 각각 참조 숫자 16A, 17A로 나타낸다. 전력 증폭기(16A)와 바이어스 전류 검출 회로(17A)는 같은 참조 숫자로 나타내어지는 유사한 부분을 포함한다. 전력 증폭기(16A)는 전력 증폭에 사용하기 위한 제1 트랜지스터(Q11)를 포함한다. 제1 트랜지스터(Q11)는 예를 들면 FET일 수 있다. 바이어스 전류 검출 회로(17A)는 보조 트랜지스터로서 사용되는 제2 트랜지스터(Q12)를 포함한다. 제2 트랜지스터(Q12)는 예를 들면 FET일 수 있다. 설명될 예에서, 제2 트랜지스터(Q12)의 게이트 폭은 제1 트랜지스터(FET)(Q11)의 게이트 폭과 비례하여 작게된다. 제2 트랜지스터(Q12)의 게이트 폭은 제1 트랜지스터(Q11)의 게이트 폭의 1/10로 규정된다. 제1 및 제2 트랜지스터(Q11, Q12) 사이의 정확한 비례 관계를 유지하기 위해서, 제2 트랜지스터(Q12)와 제1 트랜지스터(Q11)는 동일한 반도체 칩(26)상에 형성된다. 즉, 제2 트랜지스터(Q12)의 직류(DC) 바이어싱 조건이 제1 트랜지스터(Q11)의 직류 바이어싱 조건과 동일한 경우는, 제2 트랜지스터(Q12)에 흐르는 직류 바이어스 전류는 제1 트랜지스터(Q11)에 흐르는 직류 바이어스 전류의 1/10이 된다.
전력 증폭기(16A)는 입력측에 매칭 회로(24), 출력측에 매칭 회로(25), 제1 트랜지스터(Q11), 코일(L1), 코일(L2), 캐패시터(C2)를 포함하고 있다. 전력 증폭기(16A)에서, 제1 트랜지스터(Q11)의 소스는 접지되어 있고, 제1 트랜지스터(Q11)의 드레인은 코일(L1)을 통해 전원 라인(Vcc)에 접속되어 있다. 전력 증폭기(16A)는 고주파 신호용 바이패스 캐패시터로서 사용되는 캐패시터(C4)를 포함한다. 바이어스 전류 검출 회로(17A)에서, 제2 트랜지스터(Q12)의 소스는 접지되어 있다. 저항기(R1)와 캐패시터(C1)는 제2 트랜지스터(Q12)의 드레인과 전원 라인(Vcc) 사이에 위치한다. 캐패시터(C1)는 고주파 신호용 바이패스 캐패시터로서 사용된다. 저항기(R1)의 강하 전압은 바이어스 전류 검출 신호(Sd)로서 도 2에 도시된 감산기(19)에 인가된다.
도 2에 부가하여 도 5를 참조하면, 전력 증폭기(16A)에는 감쇠 신호가 인가된다. 전력 증폭기(16A)에서, 감쇠 신호는 매칭 회로(24)를 통해 제1 트랜지스터(Q11)의 게이트에 인가된다. 또한, 바이어스 전압(Sn)은 코일(L2)과 캐패시터(C2)를 통해 제1 트랜지스터(Q11)의 게이트에 인가된다. 제1 트랜지스터(Q11)는 바이어스 전압(Sn)에 따라 감쇠 신호를 증폭 신호로 증폭하여 매칭 회로(25)를 통해 송신 전력(Se)으로서의 증폭 신호를 출력한다.
상기한 바와 같이, 제2 트랜지스터(Q12)의 게이트 폭은 FET(Q11)의 1/10로 규정된다. 그 결과, 제2 트랜지스터(Q12)내의 직류 바이어싱 조건이 제1 트랜지스터(Q11)내의 직류 바이어싱 조건과 유사한 경우, 제2 트랜지스터(Q12)를 흐르는 직류 바이어스 전류는 제1 트랜지스터(Q11)를 흐르는 직류 바이어스 전류의 약 1/10이 된다.
바이어스 전압(Sn)에 따라, 전류는 저항기(R1)를 통해 제2 트랜지스터(Q12)의 드레인으로 흐른다. 전압 강하는 저항기(R1)에서 발생된다. 강하 전압은 바이어스 전류 검출 신호(Sd)로서 도 2에 도시된 감산기(19)에 인가된다. 상기한 바와 같이, 감산기(19)는 기준값 신호(Sv)에서 바이어스 전류 검출 신호(Sd)를 감산하여 감산 신호를 생성한다. 적분기(20)는 감산 신호에 따라 제1 트랜지스터(Q11)의 게이트에 바이어스 전압(Sn)을 인가한다.
도 5에서, 전류는 제2 트랜지스터(Q12)에서 저항기(R1)로 흐른다. 상기한 바와 같이, 제2 트랜지스터(Q12)의 전류 흐름은 제1 트랜지스터(Q11)에서의 전류 흐름의 1/10과 같다. 그 결과, 저항기(R1)의 저항을 크게 만드는 것이 가능하게 된다. 전력 증폭기(16A)와 바이어스 전류 검출 회로(17A)의 배선 저항을 무시하는 것이 가능해진다. 바이어스 전류 검출 신호는 좀처럼 에러를 갖지 않는다. 또한, 증폭의 선형성 등의 특성은 저항기(R1)가 제1 트랜지스터(Q11)의 드레인에 접속되지 않으므로 전력 증폭기(16A)내에서 저하되지 않는다.
도 6을 참조하여, 도 2에 도시된 변환 회로(18)의 예를 설명한다. 변환 회로(18)는 판독 전용 메모리(ROM)(27)와 디지털-아날로그(D/A) 컨버터(28)를 포함한다. 변환 회로(18)에는 어드레스(address)로서 이득 제어 신호(Sb)와 감쇠기 제어 신호(Sc)가 인가된다. 설명될 예에서, 이득 제어 신호(Sb)와 감쇠기 제어 신호(Sc) 각각은 디지털 신호 형태를 갖는다. ROM(17)은 이득 제어 신호(Sb)와 감쇠기 제어 신호(Sc)에 응답하여 기준값 신호(Sv)를 생성하기 위한 변환표를 갖는다. 바이어스 전류점은 입력 IF 신호의 레벨을 나타낸다. 변환표내의 기준 데이터는 도 3에 도시되는 전력 증폭기(16)의 특성과 일치한다. 상기한 바와 같이, 기준값 신호(Sv)는 FET(Q1)(Q11)의 바이어스 전류의 기준값을 나타낸다. D/A 컨버터(28)는 기준값 신호(Sv)를 도 2에 도시된 감산기(19)에 인가되는 아날로그 기준값 신호로 변환한다.
상기한 설명으로부터 용이하게 이해한 바와 같이, 전력 증폭기(16)(16A)의 바이어스 전류점은 감쇠 신호에 따라 변화한다. 따라서, 전력 증폭기 내에서의 소비 전류는 송신 전력(Se)을 감소시키는 중에 바이어스 전류점에 따라 감소된다. 그 결과, 전력 증폭기(16)(16A)는 항상 송신 출력 전력(Se)에 가장 적절한 바이어스 전압(Sn)을 가지고 동작한다.
증폭 IF 신호(Sa)가 전술한 실시예에서 믹서(12)와 국부 발진기(13)에 의해 고주파 신호로 변환될지라도, 믹서(12)와 국부 발진기(13)는 불필요할 수 있다. 또한, 가변 이득 증폭기(11)와 감쇠기(15) 중 하나는 불필요할 수 있다. 가변 이득 증폭기(11)가 불필요한 경우, 변환 회로(18)는 감쇠기 제어 신호(Sc)만에 따라 기준값 신호(Sv)를 생성한다. 감쇠기(15)가 불필요한 경우, 변환 회로(18)는 이득 제어 신호(Sb)만에 따라 기준값 신호(Sv)를 생성한다.
송신 전력 제어 장치가 상기한 실시예에서 기준값 신호에서 바이어스 전류 검출 신호를 감산하는 감산기(19)를 가질지라도, 송신 전력 제어 장치는 FET(Q1)(Q11)에 따라 기준값 신호를 보상하기 위해서, 감산기(19) 대신에, 바이어스 전류 검출 신호와 기준값 신호와의 합을 만드는 가산기를 가질 수 있다. 또한, 송신 전력 제어 장치는 감산기(19) 대신에 전압 가변 증폭기와 비교기 회로를 가질 수 있다. 비교기 회로는 기준값 신호와 바이어스 전류 검출 신호를 비교하여 비교 결과를 생성한다. 전압 가변 증폭기는 비교 결과에 따라 기준값 신호를 증폭한다. 또한, EEPROM이 ROM 대신에 사용된다.
본 발명을 바람직한 실시예와 관련하여 설명하였지만, 종래 기술에 숙련된 당업자라면 각종 다른 방법으로 본 발명을 실행하는 것이 가능할 것이다.
이상과 같이, 본 발명에 다른 송신 전력 제어 장치는 증폭 수단에서의 바이어스 전류 소비를 감소시켜 통화시간을 연장 할 수 있다.
Claims (19)
- 무선 통신 기기에서 사용하기 위한 송신 전력 제어 장치에 있어서,제어 신호에 따라 입력 송신 신호를 처리된 송신 신호로 처리하는 처리 수단과,상기 처리된 송신 신호를 전력 증폭 송신 신호로 증폭하는 제1 트랜지스터를 갖는 전력 증폭 수단과,상기 제1 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 검출하여 전류 검출 신호를 생성하는 검출 수단과,상기 제어 신호를 상기 처리된 송신 신호의 레벨에 대응하는 기준값 신호로 변환하는 변환 수단과,상기 전류 검출 신호와 상기 기준값 신호를 비교하여 비교 결과 신호를 생성하는 바이어스 전류 수단으로서, 상기 비교 결과 신호에 따라 상기 증폭 수단의 바이어스 전류를 제어하는 상기 바이어스 전류 수단을 포함하는 송신 전력 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 검출 수단은 전원으로부터 상기 제1 트랜지스터로 흐르는 소스(source) 전류의 경로에 삽입된 검출 저항기를 포함하고, 상기 검출 저항기는 그 강하 전압을 검출하여 상기 전류 검출 신호로서 상기 강하 전압을 생성하는 송신 전력 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 검출 수단은,상기 제1 트랜지스터의 것과 유사한 직류 바이어스 전류 조건에서 동작하는 제2 트랜지스터와,전원으로부터 상기 제2 트랜지스터로 흐르는 소스 전류의 경로에 삽입된 검출 저항기로서, 그 강하 전압을 검출하여 상기 전류 검출 신호로서 상기 강하 전압을 생성하는 상기 검출 저항기를 포함하는 송신 전력 제어 장치.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터는 동일한 반도체 칩상에 형성되는 송신 전력 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 변환 수단은,상기 처리된 송신 신호의 레벨에 대응하는 기준값 데이터로서의 상기 기준값 신호를, 어드레스로서 상기 제어 신호의 각 레벨에 기억하는 메모리 수단으로서,상기 기준값 데이터를 아날로그 신호로 변환하여 상기 아날로그 신호를 상기 기준값 신호로서 생성하는 D/A 컨버터 수단을 포함하는 송신 전력 제어 장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 메모리 수단은 재기록 가능 메모리(rewritable memory)로 구성된 송신 전력 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 바이어스 전류 수단은,상기 전류 검출 신호를 상기 기준값 신호와 비교하여 상기 기준 결과 신호를 생성하는 비교기 수단과,상기 비교 결과 신호에 따라 상기 증폭 수단에 바이어스 전압을 인가하는 인가 수단을 포함하는 송신 전력 제어 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 인가 수단은 소정의 시간 기간 동안 상기 비교 결과 신호를 적분하여 상기 바이어스 전압을 상기 증폭 수단에 인가하는 적분기 회로로 구성되는 송신 전력 제어 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 비교기 수단은 상기 기준값 신호에서 상기 전류 검출 신호를 감산하여 감산 신호를 상기 비교 결과 신호로서 생성하는 감산기 수단을 포함하는 송신 전력 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제어 신호는 이득 제어 신호와 감쇠기 제어 신호를 가지며,상기 처리 수단은,상기 이득 제어 신호에 기초하여 상기 입력 송신 신호를 증폭 신호로 증폭하는 증폭 수단과,상기 감쇠기 제어 신호에 기초하여 상기 증폭 신호를 감쇠 신호로 감쇠시켜 상기 처리된 신호로서의 상기 감쇠 신호를 상기 전력 증폭 수단에 인가하는 감쇠기 수단을 포함하는 송신 전력 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제어 신호는 이득 제어 신호와 감쇠기 제어 신호를 가지며,상기 처리 수단은,상기 이득 제어 신호에 기초하여 상기 입력 송신 신호를 증폭 신호로 증폭하는 증폭 수단과,상기 증폭 신호를 주파수 변환된 신호로 주파수 변환하는 주파수 변환 수단과,상기 감쇠기 제어 신호에 기초하여 상기 주파수 변환된 신호를 감쇠 신호로 감쇠시켜 상기 처리된 신호로서의 상기 감쇠 신호를 상기 전력 증폭 수단에 인가하는 감쇠기 수단을 포함하는 송신 전력 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제어 신호는 이득 제어 신호와 감쇠기 제어 신호를 가지며,상기 처리 수단은,상기 이득 제어 신호에 기초하여 상기 입력 송신 신호를 증폭 신호로 증폭하는 증폭 수단과,상기 증폭 신호를 주파수 변환된 신호로 주파수 변환하는 주파수 변환 수단과,상기 주파수 변환된 신호를 여파 신호로 여파하는 대역 필터 수단과,상기 감쇠기 제어 신호에 기초하여 상기 여파된 신호를 감쇠 신호로 감쇠시켜 상기 처리된 신호로서의 상기 감쇠 신호를 상기 전력 증폭 수단에 인가하는 감쇠기 수단을 포함하는 송신 전력 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제어 신호는 이득 제어 신호이고,상기 처리 수단은 상기 이득 제어 신호에 기초하여 상기 입력 송신 신호를 증폭 신호로 증폭하여 상기 처리된 신호로서의 상기 증폭 신호를 상기 전력 증폭 수단에 인가하는 증폭 수단을 포함하는 송신 전력 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제어 신호는 이득 제어 신호이고,상기 처리 수단은,상기 이득 제어 신호에 기초하여 상기 입력 송신 신호를 증폭 신호로 증폭하는 증폭 수단과,상기 증폭 신호를 주파수 변환된 신호로 주파수 변환하여 상기 처리된 신호로서의 상기 주파수 변환된 신호를 상기 전력 증폭 수단에 인가하는 주파수 변환 수단을 포함하는 송신 전력 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제어 신호는 이득 제어 신호이고,상기 처리 수단은,상기 이득 제어 신호에 기초하여 상기 입력 송신 신호를 증폭 신호로 증폭하는 증폭 수단과,상기 증폭 신호를 주파수 변환된 신호로 주파수 변환하는 주파수 변환 수단과,상기 주파수 변환된 신호를 여파된 신호로 여파하여 상기 여파된 신호를 상기 전력 증폭 수단에 인가하는 대역 필터를 포함하는 송신 전력 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제어 신호는 감쇠기 제어 신호이고,상기 처리 수단은, 상기 감쇠기 제어 신호에 기초하여 상기 입력 송신 신호를 감쇠 신호로 감쇠시켜 상기 처리된 신호로서의 상기 감쇠 신호를 상기 전력 증폭기에 인가하는 감쇠기 수단을 포함하는 송신 전력 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제어 신호는 감쇠기 제어 신호이고,상기 처리 수단은,상기 입력 송신 신호를 주파수 변화된 신호로 주파수 변환하는 주파수 변환 수단과,상기 감쇠기 제어 신호에 기초하여 상기 주파수 변환된 신호를 감쇠 신호로 감쇠시켜 상기 처리된 신호로서의 상기 감쇠 신호를 상기 전력 증폭 수단에 인가하는 감쇠기 수단을 포함하는 송신 전력 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제어 신호는 감쇠기 제어 신호이고,상기 처리 수단은,상기 입력 송신 신호를 주파수 변환된 신호로 주파수 변환하는 주파수 변환 수단과,상기 주파수 변환된 신호를 여파된 신호로 여파하는 대역 필터와,상기 감쇠기 제어 신호에 기초하여 상기 여파 신호를 감쇠 신호로 감쇠시켜 상기 처리된 신호로서의 상기 감쇠 신호를 상기 전력 증폭 수단에 인가하는 감쇠기 수단을 포함하는 송신 전력 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 무선 통신 기기는 CDMA 시스템에서 사용하기 위한 것인 송신 전력 제어 장치.
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---|---|---|---|
JP97-211092 | 1997-08-06 | ||
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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---|---|---|---|
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DE (1) | DE69829138T2 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101160654B1 (ko) * | 2008-03-21 | 2012-06-28 | 콸콤 인코포레이티드 | 적응형 선형성 통신 디바이스 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000151317A (ja) * | 1998-11-10 | 2000-05-30 | Hitachi Ltd | 送信機および電力増幅器 |
WO2000077925A1 (de) * | 1999-06-16 | 2000-12-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Regelung der hf-leistung von mobilfunkgeräten |
US6556814B1 (en) | 1999-07-22 | 2003-04-29 | Motorola, Inc. | Memory-based amplifier load adjust system |
JP2001094349A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-04-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 携帯電話端末用電力増幅器 |
DE10005440B4 (de) * | 2000-02-08 | 2004-06-03 | Siemens Ag | Verfahren zum energiesparenden Betrieb eines Mobilfunkgerätes und Mobilfunkgerät zum Durchführen des Verfahrens |
EP1137173A1 (en) * | 2000-03-06 | 2001-09-26 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | RF- FET bias and switching circuit based on a quasi-open loop regulation |
KR20020001167A (ko) * | 2000-06-26 | 2002-01-09 | 서평원 | 휴대형 이동단말기의 출력제어 장치 |
US7471935B2 (en) * | 2000-10-23 | 2008-12-30 | Intel Corporation | Automatic level control |
ATE415736T1 (de) * | 2000-11-03 | 2008-12-15 | Qualcomm Inc | Vorspannungseinstellung eines datenübertragungs- und empfangssystems anhand der übertragungsverstärkung |
US6628165B1 (en) * | 2000-11-07 | 2003-09-30 | Linear Technology Corporation | Power controllers for amplitude modulation |
WO2002065652A1 (de) | 2001-02-09 | 2002-08-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum energiesparenden betrieb eines mobilfunkgerätes und mobilfunkgerät |
TW503345B (en) * | 2001-03-26 | 2002-09-21 | Mediatec Inc | Power controller |
DE60130099T2 (de) * | 2001-04-02 | 2008-05-15 | Stmicroelectronics N.V. | Verfahren zur Sendeleistungsregelung |
DE10120514A1 (de) * | 2001-04-26 | 2002-10-31 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung und Verfahren zur Arbeitspunkteinstellung eines Leistungsverstärkers |
WO2003001662A1 (en) | 2001-06-22 | 2003-01-03 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Gain control of a power amplifier |
GB2376822B (en) * | 2001-06-22 | 2005-06-22 | Ericsson Telefon Ab L M | Telecommunications systems |
US7031677B2 (en) | 2001-06-29 | 2006-04-18 | Infineon Technologies Ag | Optimization of the operating point of power amplifiers in mobile stations |
DE50207805D1 (de) * | 2001-06-29 | 2006-09-21 | Infineon Technologies Ag | Arbeitspunktoptimierung von sendeleistungsverstärkern in mobilstationen |
US6614309B1 (en) * | 2002-02-21 | 2003-09-02 | Ericsson Inc. | Dynamic bias controller for power amplifier circuits |
JP3977339B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2007-09-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 高周波電力増幅回路および通信用電子部品 |
FI20020990A (fi) * | 2002-05-27 | 2003-11-28 | Nokia Corp | Menetelmä signaalin tehon säätämiseksi radiojärjestelmän lähettimessä ja radiojärjestelmän lähetin |
US6653902B1 (en) | 2002-09-03 | 2003-11-25 | Triquint Semiconductor, Inc. | Amplifier power control circuit |
US20040070454A1 (en) * | 2002-10-15 | 2004-04-15 | Triquint Semiconductor, Inc. | Continuous bias circuit and method for an amplifier |
US20040072554A1 (en) * | 2002-10-15 | 2004-04-15 | Triquint Semiconductor, Inc. | Automatic-bias amplifier circuit |
JP2004140518A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Renesas Technology Corp | 高周波電力増幅用電子部品および無線通信システム |
US7342955B2 (en) * | 2003-04-23 | 2008-03-11 | Motorola Inc | Apparatus and method for mobile communication device transmission |
US7310381B2 (en) * | 2003-06-16 | 2007-12-18 | Intel Corporation | Power amplifier pre-distortion device and method for orthogonal frequency division multiplexing |
DE602005000685T2 (de) | 2004-01-21 | 2008-01-24 | Nec Corp. | Einrichtung und Verfahren zur Sendeleistungsregelung, Computerprogramm für Sendeleistungsregelungseinrichtung und Funksender |
JP2007043444A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路 |
US7835718B2 (en) * | 2006-12-06 | 2010-11-16 | Panasonic Corporation | Semiconductor circuit for wireless receiving provided with controller circuit for controlling bias current |
US8103226B2 (en) | 2008-10-28 | 2012-01-24 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplifier saturation detection |
JP5280576B1 (ja) * | 2012-10-30 | 2013-09-04 | パナソニック株式会社 | 無線通信装置及び無線通信用回路 |
CN104316760B (zh) * | 2014-10-10 | 2017-07-11 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种应用于微波频率计的主频信号判定电路及判定方法 |
CN110792433B (zh) * | 2018-07-16 | 2023-03-10 | 中国石油化工股份有限公司 | 用于随钻测量系统的信号发射装置和跨螺杆数据传输方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5107225A (en) * | 1990-11-30 | 1992-04-21 | Qualcomm Incorporated | High dynamic range closed loop automatic gain control circuit |
US5307512A (en) * | 1991-06-03 | 1994-04-26 | Motorola, Inc. | Power control circuitry for achieving wide dynamic range in a transmitter |
US5426641A (en) * | 1994-01-28 | 1995-06-20 | Bell Communications Research, Inc. | Adaptive class AB amplifier for TDMA wireless communications systems |
US5452473A (en) * | 1994-02-28 | 1995-09-19 | Qualcomm Incorporated | Reverse link, transmit power correction and limitation in a radiotelephone system |
JPH08154022A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Nec Corp | 過電流保護回路付き増幅回路 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4380089A (en) * | 1980-06-16 | 1983-04-12 | Gte Products Corporation | Battery-powered transmitter including current control circuit |
JPH04278705A (ja) | 1991-03-07 | 1992-10-05 | Nec Corp | 高周波電力増幅器 |
JPH0565112A (ja) | 1991-09-10 | 1993-03-19 | Tokyo Autom Mach Works Ltd | シート送り装置 |
JP3180424B2 (ja) * | 1992-03-11 | 2001-06-25 | ソニー株式会社 | 出力制御回路 |
JPH05300029A (ja) | 1992-04-21 | 1993-11-12 | Kokusai Electric Co Ltd | 自動送信電力制御回路の電力増幅器バイアス回路 |
JP3075635B2 (ja) | 1992-07-07 | 2000-08-14 | アルプス電気株式会社 | 温度補償型増幅器 |
JPH06338729A (ja) | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Japan Radio Co Ltd | バイアス回路 |
JPH07212257A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Uniden Corp | 送信機の異常送信停止回路 |
KR970007602B1 (ko) * | 1994-05-31 | 1997-05-13 | 삼성전자 주식회사 | 전송기의 출력전력을 제어 및 측정하기 위한 장치 및 그에 따른 방법 |
KR0164408B1 (ko) * | 1995-12-23 | 1999-02-01 | 김광호 | 파워 앰프 모듈 보호장치 |
US5708681A (en) * | 1996-04-23 | 1998-01-13 | Bell Communications Research, Inc. | Hybrid analog/digital method and apparatus for controlling the transmission power level of a radio transceiver |
US5724005A (en) * | 1996-04-25 | 1998-03-03 | Lucent Technologies Inc. | Linear power amplifier with automatic gate/base bias control for optimum efficiency |
SE506842C2 (sv) * | 1996-06-28 | 1998-02-16 | Ericsson Telefon Ab L M | Anordning och förfarande vid radiosändare för styrning av effektförstärkare |
JPH1022756A (ja) * | 1996-07-04 | 1998-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | 無線送信機およびその送信制御方法 |
JP3022364B2 (ja) | 1996-12-24 | 2000-03-21 | 松下電器産業株式会社 | 送信出力制御回路 |
US6122491A (en) * | 1996-12-27 | 2000-09-19 | Lucent Technologies Inc. | Communications system using power amplifier with dynamic biasing |
-
1997
- 1997-08-06 JP JP9211092A patent/JPH1155131A/ja active Pending
-
1998
- 1998-08-03 DE DE69829138T patent/DE69829138T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-03 EP EP98114573A patent/EP0896439B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-03 US US09/128,205 patent/US6434373B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-05 KR KR1019980031832A patent/KR100310402B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-08-06 CN CN98103496A patent/CN1103173C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5107225A (en) * | 1990-11-30 | 1992-04-21 | Qualcomm Incorporated | High dynamic range closed loop automatic gain control circuit |
US5307512A (en) * | 1991-06-03 | 1994-04-26 | Motorola, Inc. | Power control circuitry for achieving wide dynamic range in a transmitter |
US5426641A (en) * | 1994-01-28 | 1995-06-20 | Bell Communications Research, Inc. | Adaptive class AB amplifier for TDMA wireless communications systems |
US5452473A (en) * | 1994-02-28 | 1995-09-19 | Qualcomm Incorporated | Reverse link, transmit power correction and limitation in a radiotelephone system |
JPH08154022A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Nec Corp | 過電流保護回路付き増幅回路 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101160654B1 (ko) * | 2008-03-21 | 2012-06-28 | 콸콤 인코포레이티드 | 적응형 선형성 통신 디바이스 |
US8588727B2 (en) | 2008-03-21 | 2013-11-19 | Qualcomm Incorporated | Adaptive linearity communication device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0896439A2 (en) | 1999-02-10 |
US6434373B2 (en) | 2002-08-13 |
JPH1155131A (ja) | 1999-02-26 |
US20010014587A1 (en) | 2001-08-16 |
EP0896439B1 (en) | 2005-03-02 |
CN1212596A (zh) | 1999-03-31 |
KR19990023367A (ko) | 1999-03-25 |
DE69829138D1 (de) | 2005-04-07 |
CN1103173C (zh) | 2003-03-12 |
DE69829138T2 (de) | 2005-08-18 |
EP0896439A3 (en) | 1999-02-24 |
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KR100310402B1 (ko) | 전류소비를감소시킬수있는송신전력제어장치 | |
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