KR100272277B1 - 성형성 개선을 위한 실험용 몰드 다이 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 패키지의 성형성 개선을 위하여 몰딩 실험을 행하는 몰드 다이에 관한 것으로, 특히 칩의 소형화 및 패키지의 크기 변화에 따라 캐비티의 크기를 전후, 좌우 및 상하 방향으로 확대 및 축소하면서 실험을 하여 칩의 소형화 및 패키지의 크기 변화에 따라 발생되는 성형성 관련 문제인 워피지나 보이드가 발생되지 않는 정확한 패키지 디멘젼을 사전에 결정할 수 있도록 하는 성형성 개선을 위한 실험용 몰드 다이를 제공한다. 이러한 본 발명은 캐비티를 이루는 4개의 측면부재 중 게이트가 형성된 제 1 부재를 다이 몸체에 대하여 고정함과 아울러 장축 방향으로 이동 가능하게 지지하는 조정볼트와, 4개의 측면부재 중 가스 벤트가 형성된 제 2 부재를 다이 몸체에 대하여 고정함과 아울러 장축과 단축 방향으로 이동 가능하게 지지하는 슬라이더와 조정 볼트와, 4개의 측면부재 중 제 3 부재를 다이 몸체에 대하여 고정함과 아울러 단축 방향으로 이동 가능하게 지지하는 조정볼트, 4개의 측면부재 중 제 4 부재를 다이 몸체에 대하여 고정함과 아울러 장축과 단축 방향으로 이동 가능하게 지지하는 슬라이더와 조정볼트, 및 캐비티를 이루는 베이스판을 다이 몸체에 대하여 고정함과 아울러 상하 방향으로 이동 가능하게 지지하는 조정볼트를 포함하여, 패키지의 폭, 길이 및 높이를 변경 가능하도록 구성된다.

Description

성형성 개선을 위한 실험용 몰드 다이
본 발명은 반도체 패키지의 성형성(moldability) 개선을 위하여 몰딩 실험을 행하는 몰드 다이에 관한 것으로, 특히 칩의 소형화 및 패키지의 크기 변화에 따라 캐비티의 크기를 전후, 좌우 및 상하 방향으로 확대 및 축소하면서 실험을 하여 칩의 소형화 및 패키지의 크기 변화에 따라 발생되는 성형성 관련 문제인 워피지(Warpage)나 보이드(Void)가 발생되지 않는 정확한 패키지 디멘젼(Dimension)을 사전에 결정할 수 있도록 하는 성형성 개선을 위한 실험용 몰드 다이에 관한 것이다.
일반적인 플라스틱 반도체 패키지의 제조방법은 소잉공정, 다이 어태치 공정, 와이어 본딩 공정 및 몰딩 공정을 포함하고 있다. 여기서 몰딩 공정은 와이어 본딩된 칩과 리드 프레임의 인너리드를 포함하는 일정 면적을 에폭시 몰딩 컴파운드 등과 같은 수지로 밀봉함으로써 칩을 외부 환경으로부터 보호하기 위한 것으로, 통상 트랜스퍼 몰딩법으로 진행된다.
상기와 같은 몰딩 공정을 진행하여 완성된 패키지의 한 예가 도 1에 나타나 있다. 도시된 바와 같이, 칩(1)은 리드 프레임의 인너 리드(2)에 부착되어 있고, 칩(1)과 인너리드(2)는 골드 와이어(3)에 의해 전기적으로 연결되어 있다. 칩(1)과 인너 리드(2)는 에폭시 몰딩 컴파운드로 성형된 패키지 몸체(4)에 의해 밀봉되어 있으며, 이 패키지 몸체(4)의 양측으로 아웃리드(5)가 돌출되어 기판에 실장할 수 있도록 되어 있다.
여기서, 상기한 패키지 몸체(4)를 형성하기 위한 몰딩 공정은 트랜스퍼 몰드 다이를 이용하는 바, 상,하 몰드 다이 사이의 캐비티에 칩이 부착된 리드 프레임을 위치시키고, 캐비티에 수지를 압입, 충진시켜 소정 형상의 패키지 몸체를 형성한다. 이 때 성형 불량, 예컨대 워피지나 보이드가 발생되지 않는 패키지의 디멘젼을 설정해 줄 필요가 있다.
패키지의 디멘젼이 잘못 설정되면, 패키지의 상,하부 두께 차이에 의한 열팽창계수의 차이로 패키지 몸체가 도 2에 나타낸 바와 같이, 휘어지는 현상이 발생하거나 또는 도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 패키지 몸체에 보이드가 발생하기 때문이다.
상기와 같은 워피지는 리드의 평탄도에 영향을 끼침으로써, 도 3에 도시한 바와 같이, 모듈(6)에의 실장시 양측의 리드(5)가 모듈(6)에 솔더링되지 않는 문제를 발생시키고, 보이드는 패키지의 크랙을 유발시킬뿐만 아니라 표면 프린트시 번짐 현상을 유발시킨다. 따라서 몰딩시 칩의 소형화 및 패키지의 크기 변화에 따른 디멘젼 결정은 매우 중요하게 다루어져야 한다. 종래에는 칩의 소형화 및 패키지의 크기 변화에 따라 패키지의 디멘젼을 예상하여 몰드 다이를 제작하거나 수정하고 있었다.
도 4 및 도 5에서 미설명 부호 7은 상부 몰드 다이, 8은 하부 몰드 다이 이며, 9는 보이드이다. 또한 10은 게이트이고, 11은 가스 벤트이며, 화살표는 몰딩 수지의 흐름을 각각 나타낸다.
그러나, 상기한 바와 같은 종래의 방법은, 패키지의 크기가 변할 때마다 워피지의 발생 정도 및 현상이 달라지므로 몰드 다이를 재제작하거나 수정하여야 하고, 더욱이 새로운 패키지에 대한 워피지 및 보이드 발생 변수를 정확히 예상하지 못함에 따라 여러번의 몰드 다이 수정을 거쳐야 하므로, 이에 따른 시간 낭비 및 과다 비용이 발생되는 문제가 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해소하기 위하여 안출한 것으로, 패키지의 폭, 길이 및 높이를 변경할 수 있도록 함으로써 칩의 소형화 및 패키지의 크기 변화에 따른 패키지의 성형성을 실험할 수 있는 성형성 개선을 위한 실험용 몰드 다이를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은, 패키지의 크기 변화에 따른 적정 패키지 사이즈, 즉 워피지나 보이드가 발생되지 않는 패키지 디멘젼을 사전에 설정하여 양산용 몰드 다이에 적용함으로서 양산용 몰드 다이의 조기 제작을 유도할 수 있는 성형성 개선을 위한 실험용 몰드 다이를 제공하는데 있다.
도 1은 일반적인 반도체 패키지의 한 예를 보인 단면도
도 2는 일반적인 반도체 패키지의 워피지 불량 상태를 보인 단면도
도 3은 일반적인 반도체 패키지의 워피지 불량에 따른 실장 불량을 나타낸 단면도
도 4는 일반적인 몰드 다이를 이용한 몰딩시 캐비티내에서의 수지 흐름 상태를 보인 개략도
도 5는 일반적인 몰드 다이를 이용한 몰딩시 나타나는 보이드 발생 예를 보인 도면
도 6 내지 도 8은 본 발명에 의한 성형성 개선을 위한 실험용 몰드 다이의 기술적 원리를 설명하기 위한 개략도
도 9 및 10은 본 발명에 의한 실험용 몰드 다이의 모의 실험에 따라 발생된 문제를 해결한 예를 보인 도면
도 11은 본 발명에 의한 성형성 개선을 위한 실험용 몰드 다이의 구조를 보인 사시도
도 12는 도 11에 나타낸 몰드 다이의 캐비티를 이루는 벤트측 다이의 이동 구조를 나타낸 단면도
도 13은 도 12에 나타낸 다이 이동 구조의 조정 볼트부에 대한 상세도
- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 -
20 - 캐비티 21,22,23,24 - 측면부재
25 - 베이스판 30 - 다이 몸체
40 - 조정볼트 50 - 슬라이더
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 성형성 개선을 위한 실험용 몰드 다이는, 4개의 측면부재와 베이스판으로 이루어지는 캐비티를 갖는 상,하 몰드 다이; 캐비티를 이루는 4개의 측면부재 중 게이트가 형성된 제 1 부재를 다이 몸체에 대하여 고정함과 아울러 장축 방향으로 이동 가능하게 지지하는 수단; 4개의 측면부재 중 가스 벤트가 형성된 제 2 부재를 다이 몸체에 대하여 고정함과 아울러 장축과 단축 방향으로 이동 가능하게 지지하는 수단; 4개의 측면부재 중 제 3 부재를 다이 몸체에 대하여 고정함과 아울러 단축 방향으로 이동 가능하게 지지하는 수단; 4개의 측면부재 중 제 4 부재를 다이 몸체에 대하여 고정함과 아울러 장축과 단축 방향으로 이동 가능하게 지지하는 수단; 및 캐비티를 이루는 베이스판을 다이 몸체에 대하여 고정함과 아울러 상하 방향으로 이동 가능하게 지지하는 수단을 포함하여, 패키지의 폭과 길이 및 높이를 변경 가능토록 한 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거하여 설명한다.
첨부한 도 6 내지 도 8은 본 발명에 의한 성형성 개선을 위한 실험용 몰드 다이의 기술적 원리를 설명하기 위한 개략도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 성형성 개선을 위한 실험용 몰드 다이의 기술적 원리는 상,하 몰드 다이에 형성되는 캐비티의 크기를 수시로 변경할 수 있도록 하는데 있다.
이를 위하여 캐비티(20)를 4개의 측면부재(21,22,23,24)와, 하나의 베이스판(25)으로 구성하고, 이들을 다이 몸체에 이동 가능하게 고정하여 각각의 측면부재(21,22,23,24)와 베이스판(25)을 이동시킬 수 있도록 하고 있다.
즉, 도 6 및 도 7에서와 같이, 도 6의 큰 패키지의 사이즈에서 도 7의 작은 패키지 사이즈로의 변환을 위해, 제 1 측면부재(21)를 길이 방향, 도면에서 위로, 제 3 측면부재(23)를 아래로, 제 2 측면부재(22)를 좌측과 아래로, 그리고 제 4 측면부재(24)를 좌측과 위로 이동시키게 되면 패키지의 폭과 길이가 작아지게 된다. 또한, 패키지의 높이는 상기한 4개의 측면부재(21,22,23,24)에 의해 이루어지는 캐비티의 하부, 즉 다이 몸체에 베이스판(25)을 상하로 이동시킬 수 있도록 설치하여, 높이를 조절할 수 있도록 하고 있다.
부연하면, 도 8에 나타낸 바와 같이, 베이스판(25)은 그 위치를 상,하 방향으로 가변시킬 수 있도록 다이 몸체(30)에 조정볼트(40)로 지지되어 있다. 따라서 조정볼트(40)를 별도의 공구, 즉 드라이버(100)로 정,역 회전시키게 되면 베이스판(25)이 상,하로 움직이게 된다.
조정볼트(40)는 다이 몸체(30)의 저면으로부터 연직 상방을 향해 체결된다. 베이스판(25)의 밑면에는 홈부(25a)가 형성되고, 이 홈부(25a)는 베이스판(25)의 밑면에 고정된 고정판(41)으로 차폐된다. 고정판(41)에는 나사공이 형성되어서, 조정볼트(40)의 상단이 고정판(41)의 나사공에 체결되어서 홈부(25a)내로 진입된다. 특히, 조정볼트(40)는 다이 몸체(30)에 회전은 가능하지만 상하 이동을 불가능하게 지지되어 있는 상태이다. 따라서, 조정볼트(40)를 회전시키면, 조정볼트(40)는 정위치에서 회전만 하게 되고, 이 회전력에 의해 고정판(41)이 승강되므로써, 베이스판(25)의 높이를 조정할 수가 있게 된다. 즉, 베이스판(25)의 승강 동작은 리드 스크류의 작동 원리와 동일하다. 한편, 베이스판(25)의 승강 동작을 지지하는 2개의 안내핀(42)이 조정볼트(40)의 양측에 배치되어서, 그의 상단이 베이스판(25)에 고정되고, 하단은 다이 몸체(30)에 형성된 안내공(34)에 이동가능하게 삽입된다.
이러한 원리는, 도 11에 도시된 바대로, 베이스판(25)뿐만 아니라 4개의 측면부재(21,22,23,24)에도 동일하게 적용되어, 캐비티(20)의 좌우 길이 및 높이를 임의로 조정하는 것이 가능하다. 여기서, 패키지의 면적에 따라 4개의 측면부재(21,22,23,24)가 조정되어 캐비티(20)의 표면적이 결정되고, 이에 따라 베이스판(25)의 크기가 결정된다. 즉, 4개의 측면부재(21,22,23,24)와 베이스판(25)을 동시에 조정하여 캐비티(20)의 크기를 조정하는 것이 아니라, 우선 패키지의 면적에 맞도록 4개의 측면부재(21,22,23,24)를 조정하여 캐비티(20)의 표면적을 확정시킨 다음, 이의 면적에 맞는 베이스판(25)을 제작하여 모의 실험을 행하게 된다.
이러한 조건을 전제로 하여, 도 11에 도시된 실험용 몰드 다이의 구성을 상세히 설명한다.
도 11은 하부 몰드 다이만을 도시한 것으로서, 도시된 바와 같이, 다이 몸체(30)의 좌측에 몰딩 수지가 주입되는 게이트(31)가 형성되고, 이 게이트(31)가 4개의 측면부재(21,22,23,24)와 베이스판(25)으로 이루어진 캐비티(20)에 러너(32)로 연결되어서, 게이트(31)를 통해 주입된 몰딩 수지가 러너(32)를 거쳐 캐비티(20)내로 플로우된다. 한편, 몰딩 수지내의 가스가 배출되는 가스 벤트(미도시)는 게이트(31)와 반대편인 다이 몸체(30)의 우측에 형성된다.
즉, 제 1 측면부재(21)가 게이트(31)측인 좌측에 위치되고, 제 2 측면부재(22)가 가스 벤트측인 우측에 위치되며, 제 3 및 제 4 측면부재(23,24)는 상측과 하측에 각각 위치하게 된다. 한편, 전술된 바대로, 제 1 및 제 3 측면부재(21,23)는 전후로만 이동되고, 제 2 및 제 4 측면부재(22,24)는 전후 및 좌우로도 이동이 가능하게 배치된다.
제 2 및 제 4 측면부재(22,24)의 전후 및 좌우 이동이 가능한 구조를 먼저 설명한다. 제 2 및 제 4 측면부재(22,24)와 각각 평행하게 배치된 다이 몸체(30)의 각 측벽에 횡으로 안내홈(33)이 형성된다. 2개의 슬라이더(50)가 각 안내홈(33)에 이동가능하게 끼워진다. 각 슬라이더(50)와 제 2 및 제 4 측면부재(22,24)는 전술된 동일한 구조의 조정볼트(40)에 의해 연결되고, 각 슬라이더(50) 역시 조정볼트(40)에 의해 다이 몸체(30)의 측벽에 연결된다.
이를 도 12 및 도 13을 참조로 하여 보다 상세히 설명한다. 여기서, 도 12는 제 2 측면부재(22)와 슬라이더(50)간의 연결 구조를 확대해서 나타낸 평단면도이고, 도 13은 조정볼트(40)의 지지 구조를 나타낸 분해 사시도이다.
도시된 바와 같이, 제 2 측면부재(22)와 슬라이더(50)의 외측면으로부터 홈부(22a,50a)가 각기 형성된다. 나사공이 형성된 고정판(41)이 제 2 측면부재(22)의 홈부(22a)를 차폐시키도록, 제 2 측면부재(22)의 외측면에 설치된다. 슬라이더(50)의 내면에는 힌지공이 형성된 힌지판(46)이 2개의 볼트(45)에 의해 고정된다.
조정볼트(40)는 힌지판(46)의 힌지공을 통해 고정판(41)의 나사공에 치합된다. 힌지판(46)을 중심으로 조정볼트(40)의 양측에 스냅링(43)이 끼워지고, 또한 고정판(41)을 통과한 조정볼트(40)의 선단에도 스냅링(43)과 와셔(44)가 끼워진다. 따라서, 조정볼트(40)는 좌우로 이동되지 못하도록 한 쌍의 스냅링(43)에 의해 힌지판(46)에 회전가능하게 지지되어 있고, 고정판(41)은 조정볼트(40)에 나사결합되어 있으므로, 조정볼트(40)를 드라이버(60)로 돌리면, 조정볼트(40)는 정위치에서 회전만 하게 되고, 고정판(41)은 조정볼트(40)의 회전력에 의해 좌우로 이동하게 된다.
또한, 슬라이더(50)를 안내홈(33)을 따라 이동시키는 조정볼트(40)가 몰드 다이(30)의 측벽으로부터 슬라이더(50)의 측면에 나사결합된다. 이 조정볼트(40)도 상기된 조정볼트(40)와 마찬가지로, 정위치에서만 회전가능하게 지지되어 있어서, 그의 회전력에 의해 슬라이더(50)가 안내홈(33)을 따라 이동하게 된다. 조정볼트(40)의 양측으로 안내핀(42)이 배치되어서, 그의 일단은 제 2 측면부재(22)에 고정되고, 타단은 슬라이더(50)에 형성된 안내공(51)에 이동가능하게 끼워져서, 제 2 측면부재(22)의 이동을 안내하게 된다.
제 4 측면부재(24)도 제 2 측면부재(22)와 동일한 구조로 슬라이더(50) 및 다이 몸체(30)의 측벽에 연결되어서, 전후 및 좌우로 이동된다.
한편, 전후진 이동만 되는 제 1 및 제 3 측면부재(21,23)는 슬라이더(50)가 다이 몸체(30)의 측벽에 조정볼트(40)에 의해 연결된 구조와 동일하다. 즉, 도 11에서, 제 1 측면부재(21)의 단측면이 다이 몸체(30)의 측벽에 조정볼트(40)에 의해 연결되고, 제 3 측면부재(23)의 장측면도 조정볼트(40)에 의해 다이 몸체(30)의 측벽에 연결된다.
이하, 상기와 같이 구성된 본 실시예에 따른 실험용 몰드 다이로 반도체 칩을 몰딩하는 동작을 도 9 및 10을 참고로 하여 상세히 설명한다. 도 9 및 도 10은 본 발명에 의한 실험용 몰드 다이의 모의 실험에 따라 발생된 문제를 해결한 예를 보인 단면도로서, 도 9은 실험용 몰드 다이로 반도체 칩을 몰딩한 상태를 나타낸 단면도이고, 도 10은 실험용 몰드 다이에서 실험된 결과에 따라 패드 높이가 조정된 반도체 패키지를 나타낸 단면도이다.
정해진 반도체 패키지의 면적과 동일 크기로 베이스판(25)을 제작한다. 베이스판(25)을 다이 몸체(30)의 저면에 배치된 조정볼트(40)에 나사결합시킨다. 그런 다음, 각 조정볼트(40)를 돌려서, 제 1 측면부재(21)는 전진, 제 3 측면부재(22)는 후진, 제 2 측면부재(22)는 좌측 이동 및 후진, 제 4 측면부재(24)는 좌측 이동 및 전진시켜서, 각 측면부재(21,22,23,24)가 베이스판(25)의 각 측면에 밀착되도록 한다.
이러한 상태에서, 칩(1)을 캐비티(20)내에 위치시키고, 게이트(31)을 통해 캐비티(20)내로 몰딩 수지를 주입시킨다. 만일, 패키지 몸체(4)중 하부에 보이드가 형성된다면, 이는 하부 몸체 두께가 상부 몸체 두께보다 두껍다는 의미이다. 즉, 몰딩 수지는 얇은 하부 몸체를 통해 상부 몸체보다 더 빠르게 플로우되므로, 하부 몸체내에 있던 공기가 상부 몸체측으로 이동되어 보이드가 형성되는 것이다.
따라서, 상부 베이스판(25)과 칩(1)과의 거리를 하부 베이스판(25)과 칩(1)간의 거리보다 늘여서, 패키지 상부 몸체를 하부 몸체보다 두껍게 형성시켜야 한다.
이를 위해, 각 조정볼트(40)를 조정하여 상부 및 하부 베이스판(25)을 동일 높이씩 상승시키면서, 몰딩 실험을 행한다. 예를 들어서, 각 베이스판(25)을 0.5㎜ 상승시킨 상태에서 보이드 형성이 방지되면, 도 10과 같이, 칩(1)의 위치를 종전보다 0.5㎜ 하강시키면 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 패키지의 폭과 길이 및 높이를 변경하여 모의 실험을 할 수가 있게 되므로써, 칩의 소형화 및 패키지의 크기 변화에 따른 패키지의 성형성을 실험할 수 있다.
또한, 패키지의 크기 변화에 따른 적정 패키지 사이즈, 즉 워피지나 보이드가 발생되지 않는 패키지 디멘젼을 사전에 설정하여 양산용 몰드 다이에 적용할 수가 있게 되어, 양산용 몰드 다이의 조기 제작을 유도되어, 조기 양산이 가능하게 된다.
그리고, 여러 크기의 패키지를 모의 실험할 수가 있게 되므로써, 종래의 시행 착오에 의한 금형 수정 비용이 절감되고, 또한 금형 제작 기간이 소요되지 않으므로 패키지 개발 기간이 단축되는 효과도 있다.
이상에서는 본 발명에 의한 성형성 개선을 위한 실험용 몰드 다이를 실시하기 위한 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 또한 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.

Claims (4)

  1. 4개의 측면부재와 베이스판으로 이루어지는 캐비티를 갖는 상,하 몰드 다이;
    상기 캐비티를 이루는 4개의 측면부재 중 게이트가 형성된 제 1 부재를 다이 몸체에 대하여 고정함과 아울러 장축 방향으로 이동 가능하게 지지하는 수단;
    상기 4개의 측면부재 중 가스 벤트가 형성된 제 2 부재를 다이 몸체에 대하여 고정함과 아울러 장축과 단축 방향으로 이동 가능하게 지지하는 수단;
    상기 4개의 측면부재 중 제 3 부재를 다이 몸체에 대하여 고정함과 아울러 단축 방향으로 이동 가능하게 지지하는 수단;
    상기 4개의 측면부재 중 제 4 부재를 다이 몸체에 대하여 고정함과 아울러 장축과 단축 방향으로 이동 가능하게 지지하는 수단; 및
    상기 캐비티를 이루는 베이스판을 다이 몸체에 대하여 고정함과 아울러 상하 방향으로 이동 가능하게 지지하는 수단을 포함하여,
    패키지의 폭과 길이 및 높이를 변경 가능토록 한 것을 특징으로 하는 성형성 개선을 위한 실험용 몰드 다이.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 3 측면부재 지지 수단은 다이 몸체에 정위치에서 회전가능하게 지지되어, 상기 제 1 측면부재의 단측면에, 상기 제 3 측면부재의 장측면에 각각 나사결합되어, 상기 제 1 측면부재를 그의 장축 방향으로, 상기 제 3 측면부재를 그의 단축 방향으로 각각 이동시키는 한 쌍의 조정볼트인 것을 특징으로 하는 성형성 개선을 위한 실험용 몰드 다이.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 및 제 4 측면부재의 각 지지 수단은,
    상기 제 2 및 제 4 측면부재와 평행하게 배치되고, 다이 몸체에 횡으로 형성된 안내홈에 이동가능하게 지지된 슬라이더;
    상기 제 2 및 제 4 측면부재의 장측면에 나사결합되고, 상기 슬라이더에 정위치에서 회전가능하게 지지되어, 상기 제 2 및 제 4 측면부재를 그의 단축 방향으로 이동시키는 조정볼트; 및
    상기 슬라이더에 나사결합되고, 상기 다이 몸체에 정위치에서 회전가능하게 지지되어, 상기 제 2 및 제 4 측면부재를 그의 장축 방향으로 이동시키는 조정볼트를 포함하는 것을 특징으로 하는 성형성 개선을 위한 실험용 몰드 다이.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 베이스판 지지 수단은, 베이스판에 나사결합되고, 다이 몸체의 저면에 정위치에서 회전가능하게 지지되어, 상기 베이스판을 승강시키는 조정볼트인 것을 특징으로 하는 성형성 개선을 위한 실험용 몰드 다이.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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