KR100272187B1 - 프로우브장치 - Google Patents

프로우브장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100272187B1
KR100272187B1 KR1019930024101A KR930024101A KR100272187B1 KR 100272187 B1 KR100272187 B1 KR 100272187B1 KR 1019930024101 A KR1019930024101 A KR 1019930024101A KR 930024101 A KR930024101 A KR 930024101A KR 100272187 B1 KR100272187 B1 KR 100272187B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
stage
magnification
optical system
axis
pads
Prior art date
Application number
KR1019930024101A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940012564A (ko
Inventor
무네토시 나카사카
유우이치 아베
마사오 야마구치
Original Assignee
히가시 데쓰로
동경엘렉트론주식회사
이노우에 쥰이치
도쿄 에레쿠토론 야마나시 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 히가시 데쓰로, 동경엘렉트론주식회사, 이노우에 쥰이치, 도쿄 에레쿠토론 야마나시 가부시키가이샤 filed Critical 히가시 데쓰로
Publication of KR940012564A publication Critical patent/KR940012564A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100272187B1 publication Critical patent/KR100272187B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07314—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2831—Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

프로우브장치는, 복수의 칩이 규칙적으로 배열된 반도체웨이퍼를, 칩이 실질적으로 XY면내에 위치하도록 위치하는 스테이지와, 이 스테이지상의 웨이퍼와 마주보고, 칩의 패드에 각각 대응하여 설치되고, 웨이퍼상의 모든 패드에 대하여 일괄하여 접촉되는 다수의 콘택터와, 이들 콘택터를 통하여 테스트신호를 칩회로에 보내고, 또한 테스트신호를 수신하는 테스터와, 스테이지를 Z축방향으로 승강시키는 승강기구와, 스테이지를 X축방향 및 Y축방향으로 각각 이동시키는 얼라이먼트기구와, 이 얼라이먼트기구 및 승강기구를 제어하는 콘트롤러를 가진다.

Description

프로우브장치
본 발명은, 반도체디바이스 등의 회로를 검사하는 프로우브장치에 관한 것이다.
종래의 프로우브장치에서는, 하나의 IC칩의 프로우빙테스트가 종료하면, 이웃의 IC칩의 프로우빙테스트로 옮긴다고 하는 바와 같이 웨이퍼 스테이지를 1칩 피치거리마다 스텝 바이 스텝으로 움직이고, 수십 내지 수백개의 IC칩을 시퀀셜로 하나씩 검사하고 있다. IC칩 상에는 다수의 패드가 형성되고, 각 패드는 한변이 수십 내지 수백의 직사각형이다. 이와같이 극소면적의 패드에 프로우브 바늘을 각각 접촉시키기 위해서는, 패드와 프로우브바늘과의 고정밀도로 상대위치 맞춤 할 필요가 있다.
미합중국 특허출원번호 제 922,791호에는, 칩상의 패트들 프로우브바늘에 상대위치 맞춤하는 얼라이먼트기구(소위 인덱스기구)가 개시되어 있다.
이와같은 인덱스기구는, 프로우브바늘의 앞끝단의 검출위치에 따라서, 웨이퍼 스테이지를 X축 및 Y축의 각 방향으로 미세조정하여 이동시키도록 되어 있다.
그러나, 종래의 인덱스기구는 X축 및 Y축의 양 좌표상에서 웨이퍼 스테이지를 고정밀도로 위치시킬 필요가 있기 때문에, 그 구동기구는 복잡하고도 대형이고, 더구나 값도 비싸다.
또한, IC칩의 수에 상당하는 회수만큼 웨이퍼스테이지를 빈번하게 이동과 정지를 되풀이하지 않으면 안되므로 진동을 발생하기 쉽다. 특히, 웨이퍼 스테이지는 대중량이기 때문에 감쇠능력이 작고 이동정지후의 비교적 긴 시간에 걸쳐서 스테이지가 진동을 계속하고 있다. 이 때문에, 스테이지 진동이 소실하기까지 다음의 IC칩의 측정을 기다리지 않으면 안되고, 수율이 저하한다. 특히 IC칩 1개당 테스트 소요시간(테스트 시그널을 송신하고 있는 시간)이 짧을 경우에는, 비테스트시간(테스트 시그널을 송신하고 있지 않은 시간)의 테스트 사이클타임으로 점유하는 비율이 커지므로, 비테스트시간의 단축화가 요망되고 있다.
그런데, 종래의 프로우브장치에 있어서는, 인서트링을 개재하여 프로우브카아드회로를 테스트회로에 전기적으로 접속하고, 테스트시그널을 칩회로로 보내고 있다. 인서트링에는 포고핀이 조립되어 있고, 이 포고핀의 한 끝단을 프로우브카아드회로의 패드에 눌러서 양자의 전기적 접촉을 취하고 있다.
그러나, 포고핀은 구성부품의 수가 많고, 통전로중에 다수의 접촉계면(접촉점이나 접촉면)이 존재하므로, 전기저항이 커짐과 동시에, 각 통전로마다 전기저항의 불균일이 크다. 이와같이 포고핀의 저항치에 불균일이 있으면 고정밀도의 테스트를 할 수 없으므로, 저항치가 고른 것을 판별하여 사용하지 않으면 안되고, 이 때문에 번잡한 포고핀의 판별작업이 필요하게 된다.
또, 포고핀은 스프링을 가지므로, 인덕턴스가 크고, 또한 다수의 접촉경계면이 있기 때문에 인서션로스도 크고, 그 결과, 고주파 테스트에 있어서의 측정치에 오차가 생기고, 정확한 측정을 할 수 없다.
또한, 포고핀은, 스프링에 의하여 전기적 접촉을 확보하고 있으므로, 고주파 테스트에 있어서, 스프링과의 저속부에 반사파시그널을 발생하는 일이 있고, 이것도 테스트 정밀도를 저하시키는 한 원인이 된다.
본 발명의 목적은, 고수율을 얻을 수 있는 소형의 프로우브장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 고정밀도의 테스트를 할 수 있는 프로우브장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 실시형태에 의하면, 프로우브장치는, 복수의 디바이스회로가 X축 및 Y축을 포함하는 면내에 규칙적으로 배열된 기판을, 상기 디바이스회로가 X축 및 Y축을 따라서 배열되도록 유지하는 스테이지와, 이 스테이지를 Z축 방향으로 이동시키는 승강수단과, 상기 스테이지상의 기판과 마주하고 상기 디바이스회로의 패드에 각각 대응하여 설치된 복수의 접촉부재와, 이들 복수의 접촉부재 및 패드를 통하여 상기 디바이스회로와의 사이에서 테스트 신호를 송수신하는 테스터수단과, 상기 스테이지를 Z축방향으로 승강시키는 승강수단과, 상기 스테이지를 Y축방향으로 매크로스케일 이동시키는 매크로 이동기구와, 상기 스테이지를 X축방향 및 Y축방향으로 각각 미세 이동시키는 미세 이동기구를 구비하는 프로우브 장치에 있어서, 상기 스테이지와 접촉부재와의 사이에 설치되고, 상기 복수의 접촉부재 및 패드를 각각 촬상하는 광학계와, 이 광학계에서 촬상한 접촉부재 및 패드의 화상을 표시하는 화상표시수단과, 상기 광학계의 촬상배율 및 상기 화상표시수단의 표시배율을 각각 고배율과 저배율과의 사이에서 전환하는 배율전환수단과, 이 배율전환수단에 의해 저배율로 전환하고, 상기 광학계에서 촬상한 저배율의 화상데이터에 의거하여 상기 매크로 이동기구의 동작을 제어하여 접촉부재 및 패드를 위치맞춤시키며, 다음에 상기 배율전환수단에 의해 고배율로 전환하고, 상기 광학계에서 촬상한 고배율의 화상데이터에 의거하여 상기 미세 이동기구의 동작을 제어하여 접촉부재 및 패드를 더욱 고정밀도로 위치맞춤시키며, 다음에 상기 승강수단의 동작을 제어하여 기판상의 전체의 패드를 접촉부재에 일괄 접촉시켜, 상기 테스터수단으로부터 접촉부재 및 패드를 통하여 디바이스회로에 테스터신호를 송신시키는 제어수단을 구비하여 이루어진다.
이러한 실시형태에 의하면, X축방향 및 Y축방향중의 1방향으로 늘어선 1열 전체의 칩의 패드에 각각 대응하고, 각 패드에 일괄해서 접촉되는 접촉수단(콘택터 또는 프로우브바늘)을 프로우브카아드에 설치하고, 스테이지를 X축방향 또는 Y축방향으로 스텝이동시키고, 각 열의 칩에 접촉수단을 차례로 접촉시킨다.
스테이지상에 기판을 얹어놓고, 기판과 접촉수단과의 사이에 광학계를 진입시키고 화상표시수단에 의거하여 기판의 패드와 접촉수단과의 상대위치관게를 파악하고, 이들 위치가 맞도록 얼라이먼트기구에 의하여 X,Y,θ(회전) 방향으로 스테이지를 이동시킨다. 이어서, 승강기구에 의하여 스테이지를 상승시켜서 기판의 패드와 접촉수단을 일괄하여 접촉시키고, 테스트를 실행한다. 이에 의하면, 기판을 차례로 스텝이동시키지 않아서 좋으므로 수율이 향상한다.
또, 기판상에 X축방향(또는 Y축방향)으로 늘어선 칩에 일괄하여 접촉수단이 접촉하므로, 기판을 Y축방향(또는, X축방향)으로만 스텝이동시키면 좋다. 이때문에, Y축방향(X축방향) 이동용 구동기구(인덱스기구)를 설치하는 것만으로 장치구성도 간단하고, 고수율화를 도모할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 관계된 프로우브장치를 반도체 웨이퍼의 프로우빙테스트에 사용한 경우의 여러가지 실시예에 대하여 설명한다.
제1도에 도시한 바와 같이, 프로우브장치 본체의 외장케이싱체(20)내에는 웨이퍼스테이지(2)가 설치되어 있다. 웨이퍼스테이지(2)는 웨이퍼(W)를 흡착 유지하기 위한 진공척을 내장하고 있다. 회전기구(3)는 서보모우터(도시하지 않음)를 내장하고 있고, 웨이퍼스테이지(2)는 모우터의 구동축에 지지되어 있다. 또한, 회전기구(3)는 승강기구(31)의 실린더의 승강축(도시하지 않음)에 지지되고 있다. 또한, 승강기구(31)는 얼라이먼트기구(인덱스기구)(4)에 지지되어 있다.
제4도에 도시한 바와같이, 얼라이먼트기구(4)는 웨이퍼스테이지(2)를 X축방향으로 수개분의 IC칩(200)의 거리만큼 미세이동시키는 X축 미세 이동기구(41)와, 스테이지(2)를 Y축방향으로 수개분의 IC칩(200)의 거리만큼 미세이동시키는 Y축 미세 이동기구(42)를 가진다. 이들 미세 이동기구(41),(42)의 구동계는 도시하지 않았으나, 구동계에는 예컨대 볼나사기구나 피에조소자를 이용한 기구를 사용할 수 있다. 또한, Y축 매크로 이동기구(80)가 미세 이동기구(42)의 하부에 설치되어 있다. Y축 매크로 이동기구(80)의 이동스트로크양은 웨이퍼(W)의 직경보다도 크고, 이에 의하여 웨이퍼스테이지(2)는 Y축방향으로 스텝이동한다.
프로우브카아드(5)가 웨이퍼스테이지(2)의 위쪽에 설치되고, 다수의 콘택터(51)가 실리콘 웨이퍼(W)에 대면하고 있다. 프로우브카아드(5)는 부착링(24)에 부착되고, 또한, 부착링(24)은 인서트링(23)을 개재하여 케이싱체(20)에 부착되어 있다.
프로우브카아드(5)의 위쪽에는 콘택트링(50)이 설치되어 있다.
콘택트링(50)은, 부착링(24)에 유지되고, 중앙에 개구(50)를 갖추고 있다. 이 콘택트링(50)의 본체(51)는 수지 등의 절연재료로 만들어져 있다. 링본체(51)의 상면쪽에는 다수의 접촉자(57a)가 부착되고, 링본체(51)의 하면쪽에도 다수의 접촉자(57b)가 부착되어 있다.
제8도에 도시한 바와 같이, 이들 접촉자(57a),(57b)는 벨로즈부(58) 및 1쌍의 단자슬리브(59)로 이루어진다. 벨로즈부(58)는 전장성(展張性) 니켈의 표면에 금도금되고, 콘택트링(50)의 두께방향으로 신축이 자유롭게 되어 있다. 1쌍의 단자 슬리브(59)는, 벨로즈부(58)의 양단에 설치되고, 벨로즈부(58)와 대략 같은 직경이다. 예컨대, 단자슬리브(59)내의 직경은, 약 1㎜이다.
웨이퍼(W)에는 100개 이상의 IC칩(200)이 형성되어 있다.
IC칩(200)에는 수백개의 패드가 늘어서 있다. 콘택터(52)는, 칩(200)의 패드에 대응하여 프로우브카아드(5)에 배열되어 있다. 각 콘택터(52)는, 프로우브카아드(5)에 배열되어 있다. 각 콘택터(52)는, 프로우브카아드(5)의 하면에 심어 설치되고, 프린트기판의 회로에 접속되어 있다. 콘택터(52)는 금도금된 니켈로 만들어져 있다. 콘택터(52)는 탄성부재(53)에 의하여 백업되어 있고, 일괄하여 다수의 콘택터(52)가 패드에 접촉하도록 되어 있다. 이와같은 프로우브카아드(5)는 미국출원번호 07/978,389에 개시되어 있다.
테스트헤드(90)는 케이싱체(20)의 상면부에 부착되어 있다.
테스트헤드(90)는, 테스터(101) 및 퍼포맨스보오드(92)에 접속되어 있다. 제8도에 도시한 바같이, 퍼포맨스보오드(92)의 하면에는 다수의 패드(93)가 부착되어 있다. 각 패드(93)는 도통로(94)에 의하여 테스트헤드(90)의 내부회로에 접속되어 있다. 한편, 프로우브카아드(7)의 상면에도 다수의 패드(74)가 부착되어 있다. 각 패드(74)는 도통로(75)에 의하여 프로우브바늘(72)에 각각 1대 1로 접속되어 있다. 또한, 범프패드형의 프로우브카아드(5)의 경우는, 각 패드(74)는 콘택터(52)에 각각 1대1로 접속되어 있다.
테스트헤드(90)는, 테스터(101)로부터의 지령을 받아서 고주파신호를 퍼포맨스보오드(92) 및 콘택트링(50)을 개재하여 프로우브카아드(5)로 보내도록 되어 있다. 테스터(90)는 콘트롤러(102)와 서로 접속되어 있다. 콘트롤러(102)의 입력부는 테스터(90) 및 TV카메라(63)에 접속되어 있다. 콘트롤러(102)의 출력부는 회전기구(3), 승강기구(31), X축 미세 이동기구(41), Y축 미세 이동기구(42), Y축 매크로 이동기구(80), 테스터(90)에 각각 접속되어 있다.
화상표시수단으로서의 CRT디스플레이(103)가 케이싱체(20)의 상면부에 설치되어 있다. TV카메라(63)는, 그 광축이 광학계(6)의 광축에 일치하도록 설치되어 있다. TV카메라(63)는 저배율표시와 고배율표시와의 전환을 할 수 있도록 되어 있다. CRT디스플레이(103)에는 TV카메라(63)로부터 칩(200)의 마이크로화상(각종 배율의 화상)이 보내지도록 되어 있다.
제1도 내지 제3도에 도시한 바와 같이, 광학계(6)는 X축방향으로 이동할 수 있도록 리니어가이드(21),(66)에 의하여 지지되어 있다. 이와같은 광학계(6), TV카메라(63), 및 화상표시수단(103)은, 미국출원번호 08/034/779에 상세하게 기재되어 있다. 광학계(6)를 케이싱체(20)의 대략 중앙에서 정지시키면, 광학계(6)는 웨이퍼스테이지(2)와 프로우브카아드(5)와의 상호간에 위치한다. 광학계(6)의 상부중앙에는 윗 개구(61)가 형성되고, 하부중앙에는 아랫 개구(62)가 형성되어 있다. 윗 아랫 개구(61),(62)를 통하여 웨이퍼 스테이지(2)쪽에서 프로우브카아드(5)쪽이 보이도록 되어 있다. 광학계(6)는 중공통형상을 하고, 내부에 제1 및 제2의 밀러(M1),(M2)를 가진다. 제1밀러(M1)는 하프밀러이다. 제2밀러(M2)는 전반사밀러이다.
제1밀러(M1)는 TV카메라(63)에 가까운 위치에 설치되고 윗개구(61)로부터의 콘택터(52)의 화상을 반사하여 TV카메라(63)에 보내는 역할을 갖는다. 제1밀러(M1)는 광학계(6)의 속을 Y축방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다. 제2밀러(M2)는, TV카메라(63)로부터 떨어진 위치에 설치되고, 제1밀러(M1)에 의하여 반사된 웨이퍼(W)의 화상을 TV카메라(63)를 향하여 전반사하는 역할을 갖는다.
하프밀러(M1)는 이동기구(64)에 부착되고, 웨이퍼(W)상에 늘어선 IC칩의 각 열의 한끝단쪽에서 다른 끝단쪽까지의 영역에 대응하는 영역 내를 수평방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다.
또한, 제2도에 도시한 바와같이, 반송수단(10)에 의하여 웨이퍼스테이지(2)와 카세트(도시하지 않음)와의 사이에서 웨이퍼(W)가 주고 받아 질 수 있도록 되어 있다. 이 반송수단(10)에는 벨트기구등을 사용할 수 있다.
다음에, 상기 프로우브장치의 동작에 대하여 설명한다.
먼저 카세트에서 웨이퍼(W)를 꺼내고, 플리얼라이먼트(오리엔테이플렛을 소망방향으로 향하게 하는 위치맞춤)한 후에, 스테이지(2)의 위에 재치한다. 이 웨이퍼(W)상에는, 예컨대 32개의 전극패드를 갖춘 8㎜x12㎜의 피검사칩인 IC칩이 형성되어 있다.
이어서, 광학계(6)를 프로우브카아드(5)와 웨이퍼(W)와의 사이에 위치시킨다. TV카메라(63)에 의하여 콘택터(52)의 화상과 웨이퍼(W)의 화상과의 양자를 관찰하면서 X방향 미세 이동기구(41), Y방향 미세 이동기구(42) 및 회전기구(3)에 의하여, 콘택터(52)에 대한 웨이퍼(W)상의 IC칩(200)군의 X축, Y축, θ 회전축의 위치맞춤을 한다.
콘택터(52)의 화상이 하프밀러(M1)로 반사되어서 TV카메라(63)에 들어옴과 동시에, 웨이퍼(W)의 화상이 하프밀러(M1), 전반사밀러(M2), 하프밀러(M1)를 경유하여 TV카메라(63)속으로 들어간다. 이 경우에 하프밀러(M1)를 밀러이동기구(64)에 의하여 Y방향으로 이동시키면서, 광학계(6)를 X방향으로 이동시킴으로써 웨이퍼(W)상에서 IC칩(200) 배열의 어느곳에 대하여서도 관찰할 수 있다.
광학계(6)를 프로우브카아드(5)의 아래쪽 위치로부터 퇴피시키고, 계속해서 웨이퍼 스테이지(2)를 상승시키고, 웨이퍼(W)상의 전체 전극패드를 콘택터(52)에 일괄하여 접촉시킨다. 테스트헤드(90)쪽의 신호의 접속을 차례차례로 전환하면서 테스트(10)에 의하여 프로윙테스트를 실행한다. 이와같이 하여서 테스트 종료한 웨이퍼(W)는, 반송기구(10)에 의하여 카세트 내로 되돌려진다.
또한, 검사에 의하여 얻어진 데이터는, 온라인에 의하여 혹은 플로피디스크를 개재하여 마아킹 전용기의 호스트컴퓨터의 메모리내에 격납되고, 검사후의 웨이퍼(W)는 마아킹 전용기에 의하여 호스트컴퓨터내의 데이터에 의거하여 마아킹을 하게 된다.
상술한 실시예에서는, 접촉수단을 일괄하여 웨이퍼(W)상의 전체 IC칩의 전극패드에 접촉시키고 있기 때문에, IC칩을 측정할 때마다 웨이퍼스테이지(2)를 스텝이동시키지 않아도 된다. 이 때문에, 웨이퍼 1개당 요하는 검사시간이 짧아지고, 고수율화를 도모할 수 있다.
다음에 제5도를 참조하면서 다른 실시예에 대하여 설명한다.
이 실시예에 프로우브 카아드(7)에는 다수의 프로우브바늘(72)이 Y축방향으로 1열로 늘어서 있다. 이들 프로우브바늘(72)은, 웨이퍼(W)상에 Y축방향으로 늘어선 IC칩(200)에 대응하도록 배열되어 있고, 일렬칩(사선부분)(200)의 전체패드에 일괄하여 접촉되도록 되어 있다. 여기서 「일렬칩」이란 웨이퍼(W)상에 있어서 Y축방향의 가장 긴 열을 말한다.
웨이퍼스테이지(2)의 하부에는 회전기구(3), 승강기구(31) 및 Y방향 미세이동기구(42)가 설치되어 있다. Y방향 미세 이동기구(42)의 하부에는 X축 매크로 이동기구(180)가 설치되어 있다. 기구(180)의 볼나사(182)는 기구(42)의 너트에 맞물리고, 리니어가이드(184)는 기구(42)의 가이드홈에 박혀들어가고, 스테이지(2)가 기구(42)가 함께 X축방향으로 슬라이드 이동하도록 되어 있다. 볼나사(182)는, 한끝단이 모우터(181)의 구동축에 연결되고, 다른 끝단이 스토퍼(183)에 연결되어 있다.
웨이퍼스테이지(2)는 X축 매크로 이동기구(180)에 의하여 웨이퍼(W)의 주고받기영역(S1)과 위치맞춤영역(S2)과의 사이에서 이동된다. 즉, 웨이퍼스테이지(2)를 주고받기영역(S1)에 위치시키고, 여기서 웨이퍼스테이지(2) 상에 웨이퍼(W)를 재치한다. 또한, 웨이퍼스테이지(2)를 위치맞춤영역(S2)에 위치시키고, 여기서 바늘맞춤(프로우브바늘(72)의 선단과 패드와의 위치맞춤)한다. 바늘맞춤에 있어서는, 광학계(6)에 의하여 IC칩(200)상의 패드와 프로우브바늘(72)과를 마이크로시야내에서 관찰하면서, 기구(31),(42),(180)에 의하여 스테이지(2)를 θ 회전축, X축, Y축을 따라서 미동시킨다. 그리고 1열로 늘어선 IC칩(200)의 전체 전극패드에 대하여 프로우브바늘(72)을 일괄로 접속시키고, 테스트신호를 보낸다. 제1열째 칩군의 테스트가 끝나면, 이동기구(80)에 의하여 스테이지(2)를 X축방향으로 스텝이동시키고, 제2열째 칩군의 테스트를 실행한다.
이와같은 프로우브장치에 의하면, 1열의 IC칩(200)에 대하여 일괄로 프로우브바늘(72)을 접촉시키므로, 웨이퍼스테이지(2)를 X축방향으로만 스텝이동시키면 좋고, 스테이지(2)의 이동에 요하는 시간(인덱스에 요하는 시간)이 짧아지고, 수율이 향상한다.
또, 웨이퍼스테이지(2)를 Y축방향으로 스텝이동시키는 기구를 필요로 하지 않으므로, 장치가 소형이고도 간단한 구조가 된다.
다음에 제6도 내지 제8도를 참조하면서 콘택트링(50) 및 프로우브카아드(7)에 대하여 설명한다.
제8도에 도시한 바와같이, 프로우브카아브(7)의 바로 위에는 콘택트링(50)이 설치되고, 접촉자(58b)를 개재하여 양자(7),(50)는 전기적으로 접속되도록 되어 있다. 또한, 콘택트링(50)의 바로 위에 퍼포맨스보오드(92)가 설치되고, 접촉자(57a)를 개재하여 양자(50),(92)는 전기적으로 접속되도록 되어 있다. 또한, 퍼포맨스보오드(92)는 테스트헤드(90)가 전기적으로 접속되어 있다.
제6도에 도시한 바와같이, 콘택트링(50)의 상면에는 다수의 접촉자(57a)가 설치되어 있다. 콘택트링(50)의 화면에는 다수의 접촉자(57b)가 설치되어 있다. 콘택트링(50)의 중앙에는 개구(50a)가 형성되고, 그 링본체(51)는 합성수지 등의 절연재료로 만들어져 있다. 접촉자(57a),(57b)는 모두 벨로즈(58) 및 단자슬리브(59)로 이루어진다.
벨로즈(58)는, 전장성 니켈의 표면에 금도금된 것이고, 가요성을 가진다. 단자슬리브(59)는 벨로즈(58)와 대략 같은 직경인 약 1㎜이다.
내주면이 금등의 도전체로 도금된 관통구멍부(55)가 링본체(51)내에 형성되어 있다. 상하의 접촉자(57a),(57b)는 관통구멍부(55)에 의하여 상호 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 상하의 접촉자(57a),(57b)는 작은 링(57)에 의하여 관통구멍부(55)에 고정되어 있다.
제7도에 도시한 바와같이, 프로우브바늘(72)는 프린트기판(71)의 하면에 지지부재(73)에 의하여 도시되고, 바늘끝이 프로우브의 중앙개구(70)를 향하여 뻗고 있다. 프로우브바늘(72)은 프린트기판의 회로(72)에 의하여 전극(74)에 전기적으로 접속되어 있다. 전극(74)은 금범프로 이루어진다.
퍼포맨스보오드(92)의 하면에는 IC칩(200)의 패드에 대응하여 도시하지 않은 신호입출력용이나 어스용 혹은 전원전압인가용 등의 다수의 전극(93)이 배열되어 있다.
다음에 상기 실시예 장치의 작용에 대하여 기술한다.
먼저 웨이퍼스테이지(2)의 위에 웨이퍼(W)를 재치함과 동시에, 콘택트링 개구(50a) 및 프로우브카아드 개구(70)를 통하여 프로우브바늘(72)의 선단을 들여다보면서 프로우브바늘(72)과 웨이퍼(W)의 전극패드와의 위치가 대응하도록, 구동기구(31)에 의하여 스테이지(2)를 X축, Y축, 및 θ방향으로 이동시킴으로써 프로우브바늘(72)과 웨이퍼(W)의 전극패드와 위치맞춤한다.
다음에, 웨이퍼스테이지(2)를 소정의 위치까지 상승시키고, 프로우브바늘(72)과 웨이퍼(W)의 전극패드를 접촉시키고, 테스트헤드(90)로부터 프로우브바늘로 고주파신호를 보내고, IC칩(200)이 좋은가 아닌가를 판정한다.
상기의 콘택트링방식은, 종래의 포고핀방식에 비하여 접촉계면이 적으므로 자기저항(직류저항)이 작고, 예컨대 약 0.005Ω~0.03Ω정도가 된다. 이때문에, 측정오차가 거의 없는 고정밀도의 테스트결과를 얻을 수 있었다.
또, 종래의 포고핀의 스프링 대신에 벨로즈부(58)를 사용하고 있으므로, 인덕턴스가 예컨대 약 3.0x10-9~9.0x10-10Henry로 작아짐과 동시에, 인서션로스가 작아지고, 고주파로스를 매우 작게 할 수 있다. 또한, 접촉계면이 적으므로, 접촉계면에서 반사되는 노이즈신호가 거의 발생하지 않는다.
또한, 벨로즈부(58)는 내구성이 좋으므로, 종래의 포고핀보다도 수명이 길고, 콘택트포인트의 재현성이 보증된다. 또, 스프링의 스트로크구동시에 있어서의 금속끼리의 마찰운동에 의한 파티클의 발생이 없으므로 웨이퍼(W)가 파티클로 오염되지 않는다.
제9도에 도시한 바와같이, 상기 접촉자(57a),(57b) 대신에 접촉자(256),(257)를 콘택트링본체(251)의 표리면에 각각 부착하여도 좋다. 벨로즈(258)는 기단부보다도 선단부 편이 지름이 작다.
이와같이 벨로즈(258)는, 단자(259)에 연결되고, 또한 작은 링(254)에 의하여 관통구멍부(252)에 고정되어 있다.
또한, 상하접촉자(256),(257)와의 전기적 접속수단에는, 수루홀부(252)대신에 도전체핀을 사용하여도 좋다.
다음에, 제10도를 참조하면서 다른 실시예에 대하여 설명한다.
이 실시예에서는 프린트기판(151)의 하면에 상술의 실시예에서 설명한 것과 같은 벨로즈부(58) 및 단자슬리브(59)를 갖춘 접촉자(57b)를 부착한다. 프린트기판(351)의 상면에는 접촉자(57b)에 각각 프린트기판(351)내의 배선층(353)을 개재하여 전기적으로 접속된 전극(355)을 형성하여 프로우브카아드(250)를 구성하고 있다.
이와같은 구성의 프로우브장치에서는, 스테이지(2)상의 웨이퍼(W)에 프로우브카아드(250)를 눌러붙이면 접촉자(256)의 선단이 칩(200)의 패드에 눌려서 이것들이 서로 확실하게 접촉하고 고정밀도의 테스트를 실행할 수 있다.
상기 실시예에 의하면, 접촉자와 전극패드와의 콘택트에 필요한 하중이 종래의 프로우브바늘의 경우와 비교하여 예컨대 약 1/10으로 작아도 된다. 이 때문에, 웨이퍼스테이지의 베어링부로서 내하중이 큰 것을 사용하지 않더라도 웨이퍼 스테이지를 프로우브카아드의 접촉자의 선단의 늘어선 면에 대하여 평행으로 설정할 수 있다. 또 벨로즈부의 내구성이 크기 때문에, 웨이퍼(W)에 대하여 되풀이 접촉하여도 콘택트포인트의 재현성이 보증된다.
또, 벨로즈부에 의하여 접촉자의 선단이 신축하므로, 웨이퍼(W)에 휘어짐 등의 변형이 있었다고 하더라도 패드의 높이위치의 불균일을 흡수할 수 있고, 한번의 프로우브접촉에 의하여 검사할 수 있는 면적이 넓어진다. 예컨대 웨이퍼의 모든 IC의 전극패드에 일괄하여 접촉자를 접촉시킬 경우에는 특히 그 결과가 크다.
이상에 있어서 본 발명은, 웨이퍼상에 배열된 IC칩의 측정에 한하지 않고, 패키징된 후의 IC칩을 검사하는 경우나, LCD기판을 검사하는 경우에 적용하여도 좋다.
제1도는 본 발명의 실시예에 관계된 프로우브장치의 주요부를 잘라내서 나타낸 구성블록도.
제2도는 프로우브장치의 주요부를 나타낸 분해사시도.
제3도는 광학계를 위쪽에서 보고 나타낸 평면도.
제4도는 X축 및 Y축 미조정기구(인덱스기구)를 나타낸 개요사시도.
제5도는 다른 실시예의 프로우브장치의 개요를 나타낸 분해사시도.
제6도는 콘택트링을 나타낸 사시도.
제7도는 프로우브카아드를 나타낸 사시도.
제8도는 프로우브카아드, 콘택트링 및 퍼포맨스보오드의 일부를 확대하여 나타낸 분해단면도.
제9도는 다른 실시예의 콘택트링을 나타낸 부분단면도.
제10도는 또 다른 실시예의 프로우브장치를 나타낸 개요도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
2 : 웨이퍼 스테이지 3 : 회전기구
4 : 얼라이먼트기구 5 : 프로우브카아드
6 : 광학계 7 : 프로우브카아드
10 : 반송수단 20 : 케이싱체
21 : 리니어가이드 23 : 인서트링
24 : 부착링 31 : 승강기구
41 : X축 미세 이동기구 42 : Y축 미세 이동기구
50 : 콘택트링 50a : 개구
51 : 본체 52 : 콘택터
53 : 탄성부재 55 : 관통구멍부
56 : 링 57a,57b : 접촉자
58 : 벨로즈부 59 : 단자슬리브
61 : 윗개구 62 : 아랫개구
63 : TV카메라 64 : 이동기구
66 : 리니어가이드 70 : 중앙개구
71 : 프린트기판 72 : 프로우브바늘
73 : 지지부재 74 : 패드
75 : 도통로 80 : Y축 매크로이동기구
90 : 테스트헤드 92 : 퍼포맨스보오드
93 : 패드 94 : 도통로
101 ; 테스터 102 : 콘트롤러
103 : CRT디스플레이 180 : X축 매크로이동기구
181 : 모우터 182 : 볼나사
183 : 스토퍼 184 : 리니어가이드
200 : IC칩 250 : 프로우브카아드
251 : 콘택트링본체 252 : 관통구멍부
254 : 작은링 256,257 : 접촉자
258 : 벨로즈 259 : 단자
351 : 프린트기판 353 : 배선층
355 : 전극 W : 웨이퍼
M1 : 제1밀러(하프밀러) M2 : 제2밀러(전반사밀러)
S1 : 주고받기영역 S2 : 위치맞춤영역

Claims (14)

  1. 복수의 디바이스회로가 X축 및 Y축을 포함하는 면내에 규칙적으로 배열된 기판을, 상기 디바이스회로가 X축 및 Y축을 따라서 배열되도록 유지하는 스테이지와, 이 스테이지를 Z축 방향으로 이동시키는 승강수단과, 상기 스테이지상의 기판과 마주보고 상기 디바이스회로의 패드에 각각 대응하여 설치된 복수의 접촉부재와, 이들 복수의 접촉부재 및 패드를 통하여 상기 디바이스회로와의 사이에서 테스트 신호를 송수신하는 테스터수단과, 상기 스테이지를 Z축방향으로 승강시키는 승강수단과, 상기 스테이지를 Y축방향으로 매크로스케일 이동시키는 매크로 이동기구와, 상기 스테이지를 X축방향 및 Y축방향으로 각각 미세 이동시키는 미세 이동기구를 구비하는 프로우브 장치에 있어서, 상기 스테이지와 접촉부재와의 사이에 설치되고, 상기 복수의 접촉부재 및 패드를 각각 촬상하는 광학계와, 이 광학계에서 촬상한 접촉부재 및 패드의 화상을 표시하는 화상표시수단과, 상기 광학계의 촬상배율 및 상기 화상표시수단의 표시배율을 각각 고배율과 저배율과의 사이에서 전환하는 배율전환수단과, 이 배율전환수단에 의해 저배율로 전환하고, 상기 광학계에서 촬상한 저배율의 화상데이터에 의거하여 상기 매크로 이동기구의 동작을 제어하여 접촉부재 및 패드를 위치맞춤시키며, 다음에 상기 배율전환수단에 의해 고배율로 전환하고, 상기 광학계에서 촬상한 고배율의 화상데이터에 의거하여 상기 미세 이동기구의 동작을 제어하여 접촉부재 및 패드를 더욱 고정밀도로 위치맞춤시키며, 다음에 상기 승강수단의 동작을 제어하여 기판상의 전체의 패드를 접촉부재에 일괄 접촉시켜, 상기 테스터수단으로부터 접촉부재 및 패드를 통하여 디바이스회로에 테스터신호를 송신시키는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 프로우브장치.
  2. 제1항에 있어서, 광학계를 디바이스회로의 배열을 따라서 이동시키는 이동수단을 가지는 것으로 이루어지는 프로우브장치.
  3. 제1항에 있어서, 광학계는 기판에 대하여 위치가 고정되어 있는 프로우브장치.
  4. 제1항에 있어서, 또한, 각각 두께방향으로 연장 및 수축이 가능한 도전성 벨로즈부를 가지는 접촉부재를 보유하기 위하여 접촉 링을 가지는 프로우브장치.
  5. 제4항에 있어서, 각 접촉부재가 도전성 벨로즈부의 선단에 도전성에 단자슬리브를 가지는 것으로 이루어지는 프로우브장치.
  6. 복수의 디바이스회로가 X축 및 Y축을 포함하는 면내에 규칙적으로 배열된 기판을, 상기 디바이스회로가 X축 및 Y축을 따라서 배열되도록 유지하는 스테이지와, 이 스테이지를 Z축 방향으로 이동시키는 승강수단과, 상기 스테이지상의 기판과 마주하고 일렬로 배열된 복수의 디바이스회로의 패드에 각각 대응하여 설치된 복수의 접촉부재와, 이들 복수의 접촉부재 및 패드를 통하여 상기 디바이스회로와의 사이에서 테스트 신호를 송수신하는 테스터수단과, 상기 스테이지를 Z축방향으로 승강시키는 승강수단과, 상기 스테이지를 Y축방향으로 매크로스케일 이동시키는 매크로 이동기구와, 상기 스테이지를 X축방향 및 Y축방향으로 각각 미세 이동시키는 미세 이동기구를 구비하는 프로우브 장치에 있어서, 상기 스테이지와 접촉부재와의 사이에 설치되고, 상기 복수의 접촉부재 및 패드를 각각 촬상하는 광학계와, 이 광학계에서 촬상한 접촉부재 및 패드의 화상을 표시하는 화상표시수단과, 상기 광학계의 촬상배율 및 상기 화상표시수단의 표시배율을 각각 고배율과 저배율과의 사이에서 전환하는 배율전환수단과, 이 배율전환수단에 의해 저배율로 전환하고, 상기 광학계에서 촬상한 저배율의 화상데이터에 의거하여 상기 매크로 이동기구의 동작을 제어하여 접촉부재 및 패드를 위치맞춤시키며, 다음에 상기 배율전환수단에 의해 고배율로 전환하고, 상기 광학계에서 촬상한 고배율의 화상데이터에 의거하여 상기 미세 이동기구의 동작을 제어하여 접촉부재 및 패드를 더욱 고정밀도로 위치맞춤시키며, 다음에 상기 승강수단의 동작을 제어하여 기판상의 일렬로 배열된 복수의 디바이스회로의 패드를 접촉부재에 일괄 접촉시켜, 상기 테스터수단으로부터 접촉부재 및 패드를 통하여 디바이스회로에 테스터신호를 송신시키는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 프로우브장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 미세 이동기구는 상기 스테이지를 X축방향으로 스텝이동시키는 것을 특징으로 하는 프로우브장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 미세 이동기구는 상기 스테이지를 Y축방향으로 스텝이동시키는 것을 특징으로 하는 프로우브장치.
  9. 복수의 디바이스회로가 X축 및 Y축을 포함하는 면내에 규칙적으로 배열된 기판을, 상기 디바이스회로가 X축 및 Y축을 따라서 배열되도록 유지하는 스테이지와, 이 스테이지를 Z축 방향으로 이동시키는 승강수단과, 상기 스테이지상의 기판과 마주하고 일렬로 배열된 복수의 디바이스회로의 패드에 각각 대응하여 설치된 복수의 접촉부재와, 이들 복수의 접촉부재 및 패드를 통하여 상기 디바이스회로와의 사이에서 테스트 신호를 송수신하는 테스터수단과, 상기 스테이지를 Z축방향으로 승강시키는 승강수단과, 상기 스테이지를 Y축방향으로 매크로스케일 이동시키는 매크로 이동기구와, 상기 스테이지를 X축방향 및 Y축방향으로 각각 디바이스회로 1개분씩 미세 스텝 이동시키는 미세 스텝 이동기구를 구비하는 프로우브 장치에 있어서, 상기 테스터수단과 접촉부재와의 사이에 설치되고, 테스터수단 및 접촉부재의 양자를 전기적으로 도통시키는 접촉링과, 이 접촉링에 부착되고, Z축방향으로 가요성을 가지는 도전성 벨로우즈와, 상기 스테이지와 접촉부재와의 사이에 설치되고, 상기 복수의 접촉부재 및 패드를 각각 촬상하는 광학계와, 이 광학계에서 촬상한 접촉부재 및 패드의 화상을 표시하는 화상표시수단과, 상기 광학계의 촬상배율 및 상기 화상표시수단의 표시배율을 각각 고배율과 저배율과의 사이에서 전환하는 배율전환수단과, 이 배율전환수단에 의해 저배율로 전환하고, 상기 광학계에서 촬상한 저배율의 화상데이터에 의거하여 상기 매크로 이동기구의 동작을 제어하여 접촉부재 및 패드를 위치맞춤시키며, 다음에 상기 배율전환수단에 의해 고배율로 전환하고, 상기 광학계에서 촬상한 고배율의 화상데이터에 의거하여 상기 미세 스텝 이동기구의 동작을 제어하여 접촉부재 및 패드를 더욱 고정밀도로 위치맞춤시키며, 다음에 상기 승강수단의 동작을 제어하여 기판상에 일렬로 배열된 복수의 디바이스회로의 패드를 접촉부재에 일괄 접촉시켜, 상기 테스터수단으로부터 접촉링, 도전성 벨로우즈, 접촉부재 및 패드를 통하여 디바이스회로에 테스터신호를 송신시키는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 프로우브장치.
  10. 제9항에 있어서, 각 접촉부재가 도전성 벨로즈부재의 선단에 도전성의 단자슬리브를 가지는 것으로 이루어지는 프로우브장치.
  11. 제10항에 있어서, 광학계를 디바이스회로의 배열을 따라서 이동시키는 이동수단을 더 가지는 것으로 이루어지는 프로우브장치.
  12. 제10항에 있어서, 광학계는 기판에 대하여 위치가 고정되어 있는 프로우브장치.
  13. 복수의 디바이스 IC 다이가 X축 및 Y축을 포함하는 면내에 규칙적으로 배열된 기판을, 상기 디바이스 IC 다이가 X축 및 Y축을 따라서 배열되도록 유지하는 스테이지와, 이 스테이지를 Z축 방향으로 이동시키는 승강수단과, 상기 스테이지상의 기판과 마주하고 상기 디바이스 IC 다이의 패드에 각각 대응하여 설치된 복수의 접촉부재와, 이들 복수의 접촉부재 및 패드를 통하여 상기 디바이스 IC 다이와의 사이에서 테스트 신호를 송수신하는 테스터수단과, 상기 스테이지를 Z축방향으로 승강시키는 승강수단과, 상기 스테이지를 Y축방향으로 매크로스케일 이동시키는 매크로 이동기구와, 상기 스테이지를 X축방향 및 Y축방향으로 각각 미세 이동시키는 미세 이동기구를 구비하는 프로우브 장치에 있어서, 상기 스테이지와 접촉부재와의 사이에 설치되고, 상기 복수의 접촉부재 및 패드를 각각 촬상하는 광학계와, 이 광학계에서 촬상한 접촉부재 및 패드의 화상을 표시하는 화상표시수단과, 상기 광학계의 촬상배율 및 상기 화상표시수단의 표시배율을 각각 고배율과 저배율과의 사이에서 전환하는 배율전환수단과, 이 배율전환수단에 의해 저배율로 전환하고, 상기 광학계에서 촬상한 저배율의 화상데이터에 의거하여 상기 매크로 이동기구의 동작을 제어하여 접촉부재 및 패드를 위치맞춤시키며, 다음에 상기 배율전환수단에 의해 고배율로 전환하고, 상기 광학계에서 촬상한 고배율의 화상데이터에 의거하여 상기 미세 이동기구의 동작을 제어하여 접촉부재 및 패드를 더욱 고정밀도로 위치맞춤시키며, 다음에 상기 승강수단의 동작을 제어하여 기판상의 전체의 패드를 접촉부재에 일괄 접촉시켜, 상기 테스터수단으로부터 접촉부재 및 패드를 통하여 디바이스 IC 다이에 테스터신호를 송신시키는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 프로우브장치.
  14. 복수의 디바이스 IC 다이가 X축 및 Y축을 포함하는 면내에 규칙적으로 배열된 기판을, 상기 디바이스 IC 다이가 X축 및 Y축을 따라서 배열되도록 유지하는 스테이지와, 이 스테이지를 Z축 방향으로 이동시키는 승강수단과, 상기 스테이지상의 기판과 마주하고 상기 디바이스 IC 다이의 패드에 각각 대응하여 설치된 복수의 접촉부재와, 이들 복수의 접촉부재 및 패드를 통하여 상기 디바이스 IC 다이와의 사이에서 테스트 신호를 송수신하는 테스터수단과, 상기 스테이지를 Z축방향으로 승강시키는 승강수단과, 상기 스테이지를 Y축방향으로 매크로스케일 이동시키는 매크로 이동기구와, 상기 스테이지를 X축방향 및 Y축방향으로 각각 디바이스 IC 다이의 1개분씩 미세 스텝 이동시키는 미세 스텝 이동기구를 구비하는 프로우브 장치에 있어서, 상기 스테이지와 접촉부재와의 사이에 설치되고, 상기 복수의 접촉부재 및 패드를 각각 촬상하는 광학계와, 이 광학계에서 촬상한 접촉부재 및 패드의 화상을 표시하는 화상표시수단과, 상기 광학계의 촬상배율 및 상기 화상표시수단의 표시배율을 각각 고배율과 저배율과의 사이에서 전환하는 배율전환수단과, 이 배율전환수단에 의해 저배율로 전환하고, 상기 광학계에서 촬상한 저배율의 화상데이터에 의거하여 상기 매크로 이동기구의 동작을 제어하여 접촉부재 및 패드를 위치맞춤시키며, 다음에 상기 배율전환수단에 의해 고배율로 전환하고, 상기 광학계에서 촬상한 고배율의 화상데이터에 의거하여 상기 미세 스텝 이동기구의 동작을 제어하여 접촉부재 및 패드를 더욱 고정밀도로 위치맞춤시키며, 다음에 상기 승강수단의 동작을 제어하여 다른 복수열로 배열된 디바이스 IC다이의 패드를 접촉부재에 일괄 접촉시켜, 상기 테스터수단으로부터 접촉부재 및 패드를 통하여 디바이스 IC 다이에 테스터신호를 송신시키는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 프로우브장치.
KR1019930024101A 1992-11-13 1993-11-13 프로우브장치 KR100272187B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP92-328920 1992-11-13
JP4328920A JPH06151532A (ja) 1992-11-13 1992-11-13 プローブ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940012564A KR940012564A (ko) 1994-06-23
KR100272187B1 true KR100272187B1 (ko) 2000-12-01

Family

ID=18215571

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930024101A KR100272187B1 (ko) 1992-11-13 1993-11-13 프로우브장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5521522A (ko)
JP (1) JPH06151532A (ko)
KR (1) KR100272187B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101017626B1 (ko) 2009-08-27 2011-02-28 (주)유비프리시젼 Ｌｃｄ검사 장비용 얼라인먼트 스테이지

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6288561B1 (en) * 1988-05-16 2001-09-11 Elm Technology Corporation Method and apparatus for probing, testing, burn-in, repairing and programming of integrated circuits in a closed environment using a single apparatus
US20030199179A1 (en) * 1993-11-16 2003-10-23 Formfactor, Inc. Contact tip structure for microelectronic interconnection elements and method of making same
US20020053734A1 (en) * 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
KR100213840B1 (ko) * 1995-01-24 1999-08-02 오우라 히로시 반도체 시험장치
KR0144231B1 (ko) * 1995-04-06 1998-08-17 김주용 웨이퍼 프로브 스테이션의 프로브 카드 고정장치
KR0144230B1 (ko) * 1995-04-06 1998-08-17 김주용 웨이퍼 테스트용 프로브 스테이션의 프로브 카드 고정장치
US20100065963A1 (en) * 1995-05-26 2010-03-18 Formfactor, Inc. Method of wirebonding that utilizes a gas flow within a capillary from which a wire is played out
US6483328B1 (en) * 1995-11-09 2002-11-19 Formfactor, Inc. Probe card for probing wafers with raised contact elements
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
JPH09270446A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Toshiba Corp 半導体検査装置
US5914613A (en) 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
US6798224B1 (en) * 1997-02-11 2004-09-28 Micron Technology, Inc. Method for testing semiconductor wafers
US6060891A (en) 1997-02-11 2000-05-09 Micron Technology, Inc. Probe card for semiconductor wafers and method and system for testing wafers
US5894161A (en) 1997-02-24 1999-04-13 Micron Technology, Inc. Interconnect with pressure sensing mechanism for testing semiconductor wafers
EP0860704A3 (en) * 1997-02-24 2000-01-19 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for inspecting semiconductor integrated circuits, and contactor incorporated in the apparatus
US5977787A (en) * 1997-06-16 1999-11-02 International Business Machines Corporation Large area multiple-chip probe assembly and method of making the same
US6137299A (en) * 1997-06-27 2000-10-24 International Business Machines Corporation Method and apparatus for testing integrated circuit chips
US6078186A (en) 1997-12-31 2000-06-20 Micron Technology, Inc. Force applying probe card and test system for semiconductor wafers
US6426636B1 (en) 1998-02-11 2002-07-30 International Business Machines Corporation Wafer probe interface arrangement with nonresilient probe elements and support structure
US6256882B1 (en) 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6181148B1 (en) 1998-07-20 2001-01-30 International Business Machines Corporation Automated test head interface board locking and docking mechanism
US6530805B1 (en) 1998-07-20 2003-03-11 International Business Machines Corporation Contact pin holder assembly
US6380755B1 (en) * 1998-09-14 2002-04-30 Tokyo Electron Limited Testing apparatus for test piece testing method contactor and method of manufacturing the same
US6323669B1 (en) * 1999-02-02 2001-11-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for a contact test between an integrated circuit device an a socket
US6731327B1 (en) 1999-02-12 2004-05-04 Hypervision, Inc. Dynamic structural coupling mechanism for reducing optical degradation in vibrating environments
WO2000073905A2 (en) * 1999-05-27 2000-12-07 Nanonexus, Inc. Test interface for electronic circuits
US6764272B1 (en) * 1999-05-27 2004-07-20 Micron Technology, Inc. Adjustable coarse alignment tooling for packaged semiconductor devices
US6445202B1 (en) 1999-06-30 2002-09-03 Cascade Microtech, Inc. Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current
US6137502A (en) * 1999-08-27 2000-10-24 Lexmark International, Inc. Dual droplet size printhead
US7262611B2 (en) * 2000-03-17 2007-08-28 Formfactor, Inc. Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor
JP2001284416A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Nagase & Co Ltd 低温試験装置
US6914423B2 (en) 2000-09-05 2005-07-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station
US6965226B2 (en) 2000-09-05 2005-11-15 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
JP4476467B2 (ja) * 2000-11-06 2010-06-09 東京エレクトロン株式会社 コンタクタの組立装置及び組立方法
DE20114544U1 (de) 2000-12-04 2002-02-21 Cascade Microtech Inc Wafersonde
US6441632B1 (en) 2001-04-09 2002-08-27 International Business Machines Corporation Spring probe contactor for testing PGA devices
US6729019B2 (en) * 2001-07-11 2004-05-04 Formfactor, Inc. Method of manufacturing a probe card
WO2003052435A1 (en) 2001-08-21 2003-06-26 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
JP3878449B2 (ja) * 2001-10-17 2007-02-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP3594136B2 (ja) * 2001-11-15 2004-11-24 横河電機株式会社 Ｉｃテスタ及びｄｕｔカード
DE10253717B4 (de) * 2002-11-18 2011-05-19 Applied Materials Gmbh Vorrichtung zum Kontaktieren für den Test mindestens eines Testobjekts, Testsystem und Verfahren zum Testen von Testobjekten
US7057404B2 (en) 2003-05-23 2006-06-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Shielded probe for testing a device under test
US7492172B2 (en) 2003-05-23 2009-02-17 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US6924655B2 (en) * 2003-09-03 2005-08-02 Micron Technology, Inc. Probe card for use with microelectronic components, and methods for making same
US7250626B2 (en) 2003-10-22 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe testing structure
US7187188B2 (en) 2003-12-24 2007-03-06 Cascade Microtech, Inc. Chuck with integrated wafer support
WO2005065258A2 (en) 2003-12-24 2005-07-21 Cascade Microtech, Inc. Active wafer probe
WO2006031646A2 (en) 2004-09-13 2006-03-23 Cascade Microtech, Inc. Double sided probing structures
JP4413130B2 (ja) * 2004-11-29 2010-02-10 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 プローブカードを用いた半導体素子の検査方法およびその検査方法により検査した半導体装置
KR100706228B1 (ko) * 2004-12-07 2007-04-11 삼성전자주식회사 반도체 대상물의 전기적 특성을 테스트하는 장치 및 방법
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
JP2006237378A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Elpida Memory Inc ウェハプローバおよびウェハ検査方法
EP1739440A3 (de) * 2005-06-30 2009-05-13 Feinmetall GmbH Elektrisches Prüfverfahren und -vorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung einer Kontaktiervorrichtung
KR200411355Y1 (ko) * 2005-12-26 2006-03-15 송광석 반도체 검사용 프로브카드
US7602199B2 (en) * 2006-05-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Mini-prober for TFT-LCD testing
US7786742B2 (en) * 2006-05-31 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Prober for electronic device testing on large area substrates
US7764072B2 (en) 2006-06-12 2010-07-27 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probing system
US7403028B2 (en) 2006-06-12 2008-07-22 Cascade Microtech, Inc. Test structure and probe for differential signals
US7723999B2 (en) 2006-06-12 2010-05-25 Cascade Microtech, Inc. Calibration structures for differential signal probing
WO2008095489A1 (en) * 2007-02-08 2008-08-14 Widex A/S Receiver in the ear (rite) component for a hearing aid
KR100839798B1 (ko) * 2007-03-05 2008-06-19 주식회사 파이컴 전기 검사 장치와 그 제조 방법
US7876114B2 (en) 2007-08-08 2011-01-25 Cascade Microtech, Inc. Differential waveguide probe
US7888957B2 (en) 2008-10-06 2011-02-15 Cascade Microtech, Inc. Probing apparatus with impedance optimized interface
WO2010059247A2 (en) 2008-11-21 2010-05-27 Cascade Microtech, Inc. Replaceable coupon for a probing apparatus
US8319503B2 (en) 2008-11-24 2012-11-27 Cascade Microtech, Inc. Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test
JP2013250142A (ja) * 2012-05-31 2013-12-12 Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd プローブカード
CN113495178A (zh) * 2020-04-07 2021-10-12 迪科特测试科技(苏州)有限公司 用于探测系统的屏蔽
CN111620094B (zh) * 2020-07-29 2020-11-06 苏州华兴源创科技股份有限公司 一种显示模组的传输方法及系统

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4934064A (en) * 1987-04-09 1990-06-19 Canon Kabushiki Kaisha Alignment method in a wafer prober
JPH0388349A (ja) * 1989-08-30 1991-04-12 Nec Yamagata Ltd プロービング装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4063172A (en) * 1976-06-01 1977-12-13 International Business Machines Corporation Multiple site, differential displacement, surface contacting assembly
US4535424A (en) * 1982-06-03 1985-08-13 Texas Instruments Incorporated Solid state three dimensional semiconductor memory array
US4954458A (en) * 1982-06-03 1990-09-04 Texas Instruments Incorporated Method of forming a three dimensional integrated circuit structure
US4585991A (en) * 1982-06-03 1986-04-29 Texas Instruments Incorporated Solid state multiprobe testing apparatus
US4754316A (en) * 1982-06-03 1988-06-28 Texas Instruments Incorporated Solid state interconnection system for three dimensional integrated circuit structures
JPS6115341A (ja) * 1984-07-02 1986-01-23 Canon Inc ウエハプロ−バ
JP2644579B2 (ja) * 1988-06-03 1997-08-25 株式会社東京精密 半導体素子の検査方法及び装置
US4985676A (en) * 1989-02-17 1991-01-15 Tokyo Electron Limited Method and apparatus of performing probing test for electrically and sequentially testing semiconductor device patterns
US5012187A (en) * 1989-11-03 1991-04-30 Motorola, Inc. Method for parallel testing of semiconductor devices
JPH03209737A (ja) * 1990-01-11 1991-09-12 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
KR100196195B1 (ko) * 1991-11-18 1999-06-15 이노우에 쥰이치 프로우브 카드
US5416592A (en) * 1992-03-23 1995-05-16 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Probe apparatus for measuring electrical characteristics of objects

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4934064A (en) * 1987-04-09 1990-06-19 Canon Kabushiki Kaisha Alignment method in a wafer prober
JPH0388349A (ja) * 1989-08-30 1991-04-12 Nec Yamagata Ltd プロービング装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101017626B1 (ko) 2009-08-27 2011-02-28 (주)유비프리시젼 Ｌｃｄ검사 장비용 얼라인먼트 스테이지

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06151532A (ja) 1994-05-31
KR940012564A (ko) 1994-06-23
US5521522A (en) 1996-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100272187B1 (ko) 프로우브장치
JP3135378B2 (ja) 半導体試験装置
KR100309889B1 (ko) 프로우브장치
US5657394A (en) Integrated circuit probe card inspection system
US4934064A (en) Alignment method in a wafer prober
JP2978720B2 (ja) プローブ装置
US5550482A (en) Probe device
US5585738A (en) Probe system having vertical height detection and double focal image pickup coinciding with probe contact in height adjustment
KR100349386B1 (ko) 반도체 집적 회로의 검사 방법, 검사 장치 및 검사용 컨택터와, 반도체 소자의 검사 장치
US4908571A (en) Contact probe assembly with fine positioning means
JPH0792479B2 (ja) プローブ装置の平行度調整方法
US5416592A (en) Probe apparatus for measuring electrical characteristics of objects
JP3156192B2 (ja) プローブ方法及びその装置
JPH05218150A (ja) プローブカード
JP3245227B2 (ja) プローブ装置
KR20010050313A (ko) 반도체 기판 시험장치
WO1992008144A1 (en) Alignment of wafer test probes
JP3902747B2 (ja) プローブ装置
JP3169900B2 (ja) プローバ
JPH0758167A (ja) プローブ装置
JPH0758168A (ja) プローブ装置
KR200339978Y1 (ko) 프로브 가이드 조립체
JPH04335162A (ja) 検査装置
JP3115112B2 (ja) 半導体検査装置
JP3103957B2 (ja) プローブ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080808

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee