KR100271623B1 - 메모리셀의이중워드라인디코딩장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 메모리셀을 억세스하기 위한 워드라인의 구동기술에 관한 것으로, 하나의 서브워드디코더가 일정 갯수만큼의 서브워드라인구동부만을 전담하도록 각 단위메모리 어레이내에 분산 배치하기 위하여, 메모리셀(CELL) 및 서브워드라인(SWL)이 로우, 컬럼방향으로 그룹화되고, 단위메모리 어레이내의 서브워드라인 구동부가 메인워드라인신호(MWL) 및 서브워드신호(SWD,SWD)를 앤드조합하여 목적한 셀을 억세스하는 이중 워드라인 디코딩장치에 있어서, 엔코딩된 소정의 어드레스를 디코딩하여 제1서브워드신호(SWD11-SWD14)를 출력하는 제1서브워드디코더(100F)와; 상기 제1서브워드신호(SWD11-SWD14) 중에서 해당 비트의 서브워드신호를 근거로 상기 단위메모리 어레이내의 각각의 서브워드라인 구동부에 제2서브워드신호(SWD21,SWD22), (SWD23,SWD24),(SWD25,SWD26)를 제공하는 제2서브워드디코더(109A-109C)를 포함하여 구성한 것이다.
Description
본 발명은 메모리셀을 억세스하기 위한 워드라인의 구동기술에 관한 것으로, 특히 주,종의 이중 워드라인(Dual Word Line) 구조를 갖는 디코딩장치에 있어서, 서브 워드라인 디코딩신호에 대한 팬아웃(Fan Out)을 저감하고, 전력소모량을 저감하는데 적당하도록한 메모리셀의 이중 워드라인 디코딩장치에 관한 것이다.
통상적으로, 메모리셀을 억세스할 때 해당 메모리셀을 구동하기 위한 어드레스를 발생하고 디코더에서는 그 어드레스에 따라 해당 워드라인을 구동시키게 된다. 상기 워드라인을 구동시키는 방식에는 두가지의 구동방식이 있다. 즉, 하나의 워드라인 구동부를 이용하여 직접 워드라인을 구동시키는 방식과, 하나의 메인워드라인 구동부와 다수의 서브워드라인 구동부를 이용하여 워드라인을 구동시키는 방식이 있으며, 후자의 구동방식이 적용되는 것이 이중 워드라인 디코딩 장치이다.
도 1은 종래의 기술에 의한 메모리셀의 이중 워드라인 디코딩장치의 블록도로서 이에 도시한 바와 같이, 메모리셀(CELL)이 그룹화된 다수의 셀어레이에서 원하는 메모리셀을 억세스하기 위해 로우,컬럼방향으로 각기 배치되어 메인워드라인구동신호(MWL)와 디코딩된 서브워드신호(SWD)을 각각 앤드조합하여 서브워드라인구동신호(SWL)를 출력하는 서브워드라인 구동부(11A-11N)∼(14A-14N)를 포함한 구성의 단위메모리 어레이(10A)와; 상기 단위메모리 어레이(10A)와 동일한 구성의 단위메모리 어레이(10B)와; 상기 단위메모리 어레이(10A),(10B)내의 임의의 메모리셀(CELL)을 리드/라이트할 때 입출력되는 신호를 소정 레벨로 증폭하는 센스앰프부(10C)와; 입력 어드레스를 디코딩하여 상기 단위메모리 어레이(10A),(10B)에 각각의 메인워드라인구동신호(MWL)를 출력하는 메인 로우 디코더(10D),(10E)와; 상기 각부(10A- 10E)로 구성된 메모리부(10) 및 그 메모리부(10)와 동일 구성의 메모리부(20)와; 입력어드레스를 디코딩하여 상기 메모리부(10),(20)내의 각각의 서브워드라인 구동부(11A-14N),(15A-18N)에 디코딩된 서브워드신호(SWD1,SWD2), (SWD3,SWD4), (SWD5,SWD6)를 제공하는 서브워드디코더부(30)와: 입력 어드레스를 버퍼링하여 상기 메모리부(10),(20) 및 서브워드디코더부(30)에 출력하는 어드레스 버퍼부(40)로 구성된 것으로, 이의 작용을 설명하면 다음과 같다.
제1어드레스버퍼(40A) 및 제3어드레스버퍼(40C)는 입력 어드레스(A2-Ai-2),(Ai-1)를 일정 레벨로 버퍼링하여 각각의 출력라인을 통해 출력하고, 제2어드레스버퍼(40B)는 입력 어드레스(A0),(A1)를 버퍼링하여 별도의 직렬전송라인을 통해 출력하게 되며, 그 엔코딩된 어드레스에 따라 메모리부(10),(20)에서 최종적으로 해당 서브워드라인이 구동되어 목적한 셀을 리드하거나 라이트할 수 있게 되는데, 메모리부(10)내 단위메모리 어레이(10A)의 억세스과정을 예로하여 좀더 상세히 설명한다.
제1어드레스버퍼(40A) 및 제3어드레스버퍼(40C)에서 엔코딩된 형태로 출력되는 어드레스가 메모리부(10)내의 메인 로우 디코더(10D),(10E)에 공급되어 이로부터 일정한 수의 서브워드라인(SWL) 그룹을 선택하기 위한 다수의 메인워드라인신호(MWL)가 출력된다. 또한, 제2어드레스버퍼(40B)에서 엔코딩된 형태로 출력되는 어드레스가 서브워드 디코더부(30)내의 각각의 서브워드 디코더(30A-30C)에 공급되어 이들로 부터 디코딩된 서브워드신호(SWD1,SWD2),(SWD3,SWD4),(SWD5,SWD6)가 출력된다.
따라서, 각각의 서브워드라인 구동부(11A-11N),(12A-12N),(13A-13N),(14A-14N)는 상기 메인워드라인신호(MWL)와 서브워드신호(SWD1,SWD2),(SWD3,SWD4),(SWD3,SWD4) ,(SWD5,SWD6)]를 각기 앤드조합하여 그 결과에 따라 각기 그룹화된 다수의 서브워드라인(SWL) 중에서 하나의 서브워드라인을 구동하게 되고, 이에 의해 다수의 메모리셀(CELL) 중에서 해당 셀이 선택되어 그 셀을 리드하거나 라이트할 수 있게 된다. 즉, 해당 셀에 저장된 데이터를 읽어낸 후 센스앰프(19A-19D)를 통해 증폭하여 출력하거나 반대의 경로를 통해 데이터를 기록할 수 있게 된다.
결국, 상기 메인 로우 디코더(10D),(10E)에서 출력되는 메인워드라인신호(MWL)에 의해 선택된 다수의 서브워드라인(SWL) 중에서 서브워드 디코더(30A-30C)와 서브워드라인 구동부(11A-11N)∼(14A-14N)에 의해 하나의 서브워드라인이 구동되어 다수의 메모리셀(CELL) 중에서 원하는 메모리셀을 선택적으로 억세스할 수 있게 된다.
그런데, 상기 서브워드 디코더(30A-30C)는 상기 서브워드라인 구동부(11A-11N)∼(14A-14N)에 의해 각기 그룹화된 셀어레이내에서 목적한 하나의 서브워드라인(SWL)을 구동하기 위하여, 단위메모리 어레이(10A)내의 서브워드라인 구동부(11A-11N)∼(14A-14N), 단위메모리 어레이(10B)내의 각 서브워드라인 구동부, 컬럼방향으로 계속되는 메모리부(20)내 각각의 서브워드라인 구동부를 대상으로 서브워드신호(SWD1,SWD2),(SWD3,SWD4),(SWD5,SWD6)를 출력하기 때문에 팬아웃을 매우 크게 해야 한다.
이와 같이 종래의 이중 워드라인 디코딩장치에 있어서는 로우(Row) 그룹 밖에 별도의 공간을 마련하여 서브워드 디코더부를 설치하게 되어 있어 공간을 많이 차지하게 되는 결함이 있다. 또한, 서브워드 디코더부가 많은 갯수의 서브워드라인 구동부를 대상으로 서브워드신호를 공급하도록 되어 있어 팬아웃이 커지고, 다수의 로우 그룹 중에서 비활성 로우 그룹이 존재하게 되어 비활성 로우 그룹에 연결된 배선에 의한 콘덴서로 인하여 많은 전력을 소모하게 되는 결함이 있다. 또한, 긴 배선과 큰 팬아웃으로 인하여 디코딩된 신호의 전달속도가 저하되는 결함이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 센스앰프를 위해 이미 할당된 영역 중에서 잔여 영역에 필요한 수만큼의 서브워드라인 구동부를 각각 분산 배치하고 이를 이용하여 최종의 디코딩된 서브워드신호를 출력하는 메모리셀의 이중 워드라인 디코딩장치를 제공함에 있다.
도 1은 일반적인 기술에 의한 이중 워드라인 디코딩장치의 블록도.
도 2는 본 발명에 의한 메모리셀의 이중 워드라인 디코딩장치의 블록도.
***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명***
100,200 : 메모리부
100A,100B,200A,200B : 단위메모리 어레이
100C,200C : 서브워드디코더 및 센스앰프부
100D,100E,200D,200E : 메인 로우 디코더
101A-101N∼101A-101N : 서브워드라인 구동부
300 : 어드레스 버퍼부
CELL : 메모리셀
도 2는 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명 메모리셀의 이중 워드라인 디코딩장치의 일실시 예시 블록도로서 이에 도시한 바와 같이, 메모리셀(CELL)이 그룹화된 다수의 셀어레이에서 원하는 메모리셀을 억세스하기 위해 로우,컬럼방향으로 각기 배치되어 메인워드라인구동신호(MWL)와 디코딩된 서브워드신호(SWD)를 각각 앤드조합하여 서브워드라인구동신호(SWL)를 출력하는 서브워드라인 구동부(101A-101N)∼(104A-104N)를 포함한 구성의 단위메모리 어레이(100A)와; 상기 단위메모리 어레이(100A)와 동일한 구성의 단위메모리 어레이(100B)와; 소정 비트의 디코딩된 입력어드레스를 공급받아 상기 서브워드라인 구동부(101A-101N)∼(104A-104N),(105A- 105N)∼(108A-108N)에 제2서브워드신호(SWD21,SWD22),(SWD23,SWD24),(SWD25,SWD26)를 제공하고, 상기 단위메모리 어레이(100A),(100B)내의 임의의 메모리셀(CELL)을 선택하여 리드/라이트할 때 입출력되는 신호를 소정 레벨로 증폭하는 서브워드디코더 및 센스앰프부(100C)와: 입력 어드레스를 디코딩하여 상기 단위메모리 어레이(100A),(100B)에 각각의 메인워드라인구동신호(MWL)를 출력하는 메인 로우 디코더(100D),(100E)와; 상기 서브워드디코더 및 센스앰프부(100C)내의 서브워드디코더에 디코딩된 제1서브워드신호(SWD11-SWD14)를 출력하는 제1서브워드디코더(100F)와; 상기 각부(100A-100F)로 구성된 메모리부(100) 및 그 메모리부(100)와 동일 구성의 메모리부(200)와; 엔코딩된 입력 어드레스를 버퍼링하여 이를 각각의 직렬전송라인을 통해 상기 메모리부(100),(200)에 공급하는 어드레스 버퍼부(300)로 구성한 것으로, 이와 같이 구성한 디코딩장치의 작용 및 효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1어드레스버퍼(300A) 및 제3어드레스버퍼(300C)는 엔코딩된 상태로 입력되는 어드레스(A2-Ai-2),(Ai-1)를 버퍼링하여 각각의 직렬전송라인을 통해 출력하고, 제2어드레스버퍼(300B)는 엔코딩된 상태로 입력되는 어드레스(A0),(A1)를 버퍼링하여 별도의 직렬전송라인을 통해 출력한다. 이렇게 엔코딩된 어드레스에 따라 메모리부(100),(200)에서 최종적으로 해당 서브워드라인이 구동되어 목적한 셀을 리드하거나 라이트할 수 있게 되는데, 메모리부(100)내 단위메모리 어레이(100A)의 억세스과정을 예로하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
메인로우디코더(100D)는 상기 제1어드레스버퍼(300A) 및 제3어드레스버퍼(300C)에서 엔코딩된 형태로 출력되는 어드레스를 디코딩하여 일정한 수의 서브워드라인(SWL) 그룹을 선택하기 위한 다수의 메인워드라인신호(MWL)를 출력하고, 제1서브워드디코더(100F)는 상기 제2어드레스버퍼(300B)에서 엔코딩된 형태로 출력되는 어드레스를 디코딩하여 제1서브워드신호(SWD11-SWD14)를 출력한다.
또한, 서브워드디코더 및 센스앰프부(100C)내의 제2서브워드디코더(109A-109C)는 상기 제1서브워드신호(SWD11,SWD12),(SWD13,SWD14),(SWD11,SWD12)를 근거로하여 제2서브워드신호(SWD21,SWD22),(SWD23,SWD24),(SWD25,SWD26)를 생성한다.
따라서, 각각의 서브워드라인 구동부(101A-101N),(102A-102N),(103A-103N),(104A -104N)는 상기 메인워드라인신호(MWL)와 제2서브워드신호(SWD21,SWD22),(SWD23, SWD24),(SWD25,SWD26)를 각기 앤드조합하여 그 결과에 따라 각기 그룹화된 다수의 서브워드라인(SWL) 중에서 하나의 서브워드라인을 구동하게 되고, 이에 의해 다수의 메모리셀(CELL) 중에서 해당 셀이 선택되어 그 셀을 리드하거나 라이트할 수 있게 된다. 즉, 해당 셀에 저장된 데이터를 읽어낸 후 센스앰프(110A-110D)를 통해 증폭하여 출력하거나 반대의 경로를 통해 데이터를 기록할 수 있게 된다.
결국, 상기 메인 로우 디코더(100D)에서 출력되는 메인워드라인신호(MWL)에 의해 선택된 다수의 서브워드라인(SWL) 중에서 제1서브워드디코더(100F) 및 제2서브워드디코더(109A-109C), 서브워드라인 구동부(101A-101N),(102A-102N),(103A-103N), (104A-104N)에 의해 하나의 서브워드라인이 구동되어 다수의 메모리셀(CELL) 중에서 원하는 메모리셀을 선택적으로 억세스할 수 있게 된다.
단위메모리 어레이(100B)에서도 상기 단위메모리 어레이(100A)에서와 마찬가지로, 메인 로우 디코더(100E)에서 출력되는 메인워드라인신호(MWL)에 의해 선택된 다수의 서브워드라인(SWL) 중에서 제1서브워드디코더(100F) 및 제2서브워드디코더(109A-109C), 서브워드라인 구동부(105A-105N),(106A-106N),(107A-107N),(108A- 108N)에 의해 하나의 서브워드라인이 구동되어 다수의 메모리셀(CELL) 중에서 원하는 메모리셀을 선택적으로 억세스할 수 있게 된다. 또한, 메모리부(200)도 상기 메모리부(100)와 동일하게 동작한다.
여기서, 주목할 사항은 하나의 서브워드 디코더가 그룹화 된 다수의 서브워드라인구동부를 대상으로 서브워드신호를 출력하지 않고 일정 갯수의 서브워드라인구동부만을 대상으로 서브워드신호를 출력하도록 설계하였다는 것이다.
즉, 메모리부(100)에서 볼 때, 제2서브워드디코더(109A)는 컬럼방향으로 서브워드라인구동부(101A-101N),(105A-105N)를 대상으로 제2서브워드신호(SWD21,SWD22)를 발생하며, 제2서브워드디코더(109B)는 컬럼방향으로 서브워드라인구동부[(102A- 102N),(103A-103N)],[(106A-106N),(107A-107N)]를 대상으로 제2서브워드신호(SWD23 ,SWD24)를 발생하며, 제2서브워드디코더(109C)는 컬럼방향으로 서브워드라인구동부(104A-104N),(108A-108N)를 대상으로 제2서브워드신호(SWD25,SWD26)를 발생하도록 설계하였다. 단, 상기 각각의 제2서브워드디코더(109A-109C)에 디코딩된 제1서브워드신호(SWD11,SWD12),(SWD13,SWD14),(SWD11,SWD12)를 공급하기 위해 제1서브워드디코더(100F)가 추가되었음을 알 수 있다.
또한, 상기와 같이 각각의 제2서브워드디코더(109A-109C),(209A-209C)를 설치함에 있어서, 이미 할당된 각 센스앰프(110A-110D),(210A-210D) 영역의 잔여영역에 설치함으로써 별도의 공간을 필요로 하지 않는 다는 것이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명은 하나의 서브워드디코더가 일정 갯수만큼의 서브워드라인구동부만을 전담하도록 각 단위메모리 어레이내에 분산 배치함으로써 실리콘 영역상에서 별도의 배치영역을 필요로 하지 않아 집적도를 향상시킬 수 있는 효과가 있고, 다수의 로우(Row) 그룹별로 서브워드라인을 구동시킴으로써 배선에 발생하는 팬아웃이 작아지고, 배선의 길이가 짧아져 디코딩된 신호의 전달속도를 향상시킬 수 있는 효과가 있으며, 비활성 로우그룹이 존재하지 않게 되어 절전효과를 얻을 수 있다.
Claims (3)
- 메모리셀(CELL) 및 서브워드라인(SWL)이 로우, 컬럼방향으로 그룹화되고, 단위메모리 어레이내의 서브워드라인 구동부가 메인워드라인신호(MWL) 및 서브워드신호(SWD,SWD)를 앤드조합하여 목적한 셀을 억세스하는 이중 워드라인 디코딩장치에 있어서, 엔코딩된 소정의 어드레스를 디코딩하여 제1서브워드신호(SWD11-SWD14)를 출력하는 제1서브워드디코더(100F)와; 상기 제1서브워드신호(SWD11-SWD14) 중에서 해당 비트의 서브워드신호를 근거로 상기 단위메모리 어레이내의 각각의 서브워드라인 구동부에 제2서브워드신호(SWD21,SWD22),(SWD23,SWD24),(SWD25, SWD26)를 제공하는 제2서브워드디코더(109A-109C)를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 메모리셀의 이중 워드라인 디코딩장치.
- 제1항에 있어서, 제2서브워드디코더(109A-109C)는 메모리부(100)를 기준단위로 하여 그 메모리부(100)가 추가될 때 마다 추가된 메모리부에 부가하여 구성된 것을 특징으로 하는 메모리셀의 이중 워드라인 디코딩장치.
- 제1항에 있어서, 제2서브워드디코더(109A-109C)는 센스앰프(110A-110D)를 위해 할당된 실리콘영역 중에서 잔여 영역에 배치하여 구성된 것을 특징으로 하는 메모리셀의 이중 워드라인 디코딩장치.
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JPH0262780A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10320979A (ja) | 1998-12-04 |
DE19816476A1 (de) | 1998-10-15 |
KR19980076800A (ko) | 1998-11-16 |
JP3769382B2 (ja) | 2006-04-26 |
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