KR100249405B1 - 전계 방사 디스플레이에 사용되는 고순도 인광 물질의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전계 방사 디스플레이에 사용되는 고순도의 인광 물질을 제조하는 방법을 제공한다. 고순도의 인광 물질은 발광 특성을 활성화시키는 도판트가 침투된 호스트 격자이다. 격자와 도판트를 처음에 함께 분쇄하여 그들의 평균 입자 크기를 감소시키고, 동시에 격자와 도판트 사이의 완전한 혼합을 달성한다. 결과적으로 생성되는 혼합물은 인광 물질을 오염시킬 수 있는 플럭스 또는 다른 처리제가 실질적으로 없는 채 유지시키고 실질적으로 불투과성의 불순물 없는 재료로 성형된 가열 용기 내에 놓는다. 도판트가 격자 구조 속으로 침투할 수 있는 온도까지 혼합물을 가열한다. 불투과성의 불순물 없는 가열 용기를 사용하고 플럭스 또는 다른 처리제를 혼합물로부터 배제함으로써 원하지 않는 불순물을 피할 수 있고, 제조하는 동안 인광 물질 제품의 입자 크기가 성장하는 것을 피할 수 있다. 따라서, 인광 물질 제품은 평균 입자 크기가 작고 그러나 양극 스크린용 발광 코팅으로서 전계 방사 디스플레이에 사용되는 발광 효율이 충분한 고순도 인광 물질이다.

Description

전계 방사 디스플레이에 사용되는 고순도 인광 물질의 제조 방법

인광 물질(phosphor)이라 지칭되는 발광 재료(luminescent material)는 조명 장치 및 디스플레이 분야에서 널리 이용된다. 이러한 응용 분야에서 공통되는 현상은 공지된 수많은 기술중 어느 하나에 따라서 인광 물질이 여기(勵起, excitation)되는 것인데, 이는 인광 물질의 발광(發光)을 일으킨다. 공지된 여기 기술은 인광 물질을 외부 에너지 공급원으로부터의 방사에 노출시키는 것을 포함한다. 방사(emmision)는 전자, 자외선, x-선, γ-선 등의 형태일 수 있다. 따라서, 이러한 여기 현상은 인광 물질을 포함하는 종래의 모든 형태의 호스트 조명 (host lighting) 설비 또는 디스플레이 설비에서 실질적으로 명백한 현상이다. 이러한 종래의 설비들중에는 형광 튜브, 음극선관, 액체 결정 디스플레이, 가스 방전 플라스마 디스플레이, 진공 형광 디스플레이, 그리고 전계 방사 디스플레이들이 있다.

음극선관은 인광 물질을 여기시키는 수단으로서 전자 방사를 이용하는 전형적인 발광 디스플레이이다. 이러한 디스플레이는 인접 전자 공급 음극으로부터 인광 물질을 향하는 전자에 의해 선택적으로 여기되는 인광 물질로 코팅된 양극 패널(panel)을 구비한다. 여기된 인광 물질은 빛을 방사하고, 이로 인해 관찰자가 볼 수 있는 원하는 상(像, image)을 디스플레이의 스크린 상에 만들어낸다. 디스플레이에 사용되는 인광 물질은 통상적으로 결과로서 얻어지는 조성물에서 발광 성질을 활성화하는 소정양의 도판트(dopant)가 함침된(impregnated) 호스트 격자(host lattice)를 포함한다. 종래에 인광 물질은 공지된 재료에서 호스트 격자와 도판트를 선택하여 제조되었다. 선택된 호스트 격자 및 도판트는 함께 혼합되고 분쇄되어 비교적 균일한 입자 크기로 분포된다. 혼합물의 전형적인 평균 입자 크기는 약 10μ 차수(order) 정도인데, 왜냐하면 비교적 큰 크기의 입자가 결과적으로 얻어지는 인광 물질 제품의 발광 효율에 기여하기 때문이라고 여겨지기 때문이다. 이어서 혼합물의 열처리를 용이하게 하기 위하여 통상 플럭스(flux)를 혼합물에 추가한다. 인광 물질의 예비 처리에 사용되는 플럭스는 통상 비교적 약 1000℃ 또는 그 미만의 낮은 융점을 갖는 재료인데, 가열될 때 도판트가 호스트 격자 속으로 침투되는 것을 촉진시킨다. 종래의 플럭스는 염화 암모늄과 같은 암모늄 화합물, 그리고 알칼리 금속 할로겐화물, 알칼리성의 희토류 금속 할로겐화물과 같은 IA 족 또는 IIA 족 원소와 VIA 족 또는 VIIA 족 원소들을 결합한 화합물을 포함한다. 격자와 도판트의 혼합물을 열처리하는 것을 용이하게 해주는 다른 작용제는 또한 산화방지제로서 역할을 하는 황과 같은 혼합물과 결합될 수 있다.

선택된 다른 처리제(treatment agent)뿐만 아니라 호스트 격자, 도판트, 그리고 플럭스를 포함하는 조성물을 규토(silica) 또는 알루미나와 같은 내화 재료(refractory material)로 형성된 도가니 내에 놓고, 플럭스의 융점 이상으로 가열하여 도판트를 호스트 격자 속으로 침투시킨다. 그러나, 플럭스가 존재할 경우 열처리하는 동안 격자 입자들이 지나치게 성장하는 경향이 있다. 따라서, 열처리된 조성물은 열처리전의 그 원래의 입자 크기로 회복시키기 위하여 열처리에 이어서 재분쇄할 필요가 있다. 유감스럽게도, 열처리된 입자들을 재분쇄하면 비교적 낮은 농도의 도판트를 갖는 인광 물질 제품의 표면이 노출되어, 결과적으로 생성되는 인광 물질 제품의 발광 효율에 부정적인 영향을 줄 수 있다. 하여튼, 인광 물질 제조의 최종 단계는 원하는 인광 물질 제품을 얻기 위하여 물 또는 산 세척과 같은 수단에 의해 입자들로부터 플럭스를 제거하는 것이다.

상기한 종래 기술에 따른 방법에 의해 음극선관을 포함하는 종래의 많은 디스플레이에 사용하기에 적절한 순도의 인광 물질을 제조할 수 있지만, 오늘날 전계 방사 디스플레이 분야에 있어서 종래 기술에 따른 방법에 의해 생산되는 것보다 더 큰 순도의 인광 물질을 필요로 한다. 특히, 잔여 플럭스는 제품을 세척한 후에도 종래 기술에 따라 제조된 인광 물질 제품을 지나치게 오염시킨다.

플럭스로부터 인광 물질에 의해 보유되는 불순물, 즉 IA 족 또는 IIA 족 양이온들은 디스플레이에서 이용되는 실리콘 구조와 종종 양립되지 않는다. 특히, 이러한 불순물들은 전계 방사 디스플레이의 고장을 일으킬 수 있는데, 왜냐하면 전계 방사 디스플레이의 음극 기능을 하는 이미터 팁은 불순물에 상당히 민감하기 때문이다. 양(+)으로 충전된 IA족 또는 IIA족 양이온들은 전계 방사 디스플레이의 진공 환경에서 상당히 유동적이어서, IA족 또는 IIA족 양이온들은 양극판으로부터 음극 이미터 팁까지 비교적 짧은 거리를 쉽게 이동한다. 양이온들이 이미터 팁 상에 과도하게 축적되면 수선할 수 없을 정도로 이미터 팁을 손상시킨다. 내화 도가니는 불순물을 보유하고 있고, 가열되는 경우 바람직하지 않게도 불순물들을 인광 물질 제품 속으로 방출시키게 되는 다공성으로 되어 있어서 마찬가지로 IA족 또는 IIA족 불순물들을 인광 물질 제품에 제공하게 된다.

본 발명은 통상 인광 물질의 제조에 관한 것으로, 특히 전계 방사 디스플레이(field emmision display)에 사용되는 고순도 인광 물질의 제조 방법에 관한 것이다.

도 1은 본 발명에 따라서 연삭 전에 그리고 연삭 후의 전구 물질 재료의 입자 크기 분포를 도시하는 그래프.

도 2는 본 발명에 따라서 제조된 인광 물질의 입자 크기 분포를 도시하는 그래프.

도 3은 종래 기술의 방법에 따라 제조된 상업상 수준의 인광 물질의 입자 크기 분포를 도시하는 그래프.

특히 전계 방사 디스플레이에 사용되는 고순도 인광 물질에 대한 요구가 있다. 따라서, 본 발명의 목적은 전계 방사 디스플레이의 요구 성능을 만족시키는 고순도 인광 물질을 제조하는 방법을 제공하는 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명의 목적은 격자 및 도판트를 열처리하는 동안 플럭스 또는 다른 어떤 처리제를 필요로 하지 않는 고순도의 인광 물질 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은, 인광 물질 제품에는 전계 방사 디스플레이에서 인광 물질과 함께 사용되는 음극 이미터 팁의 작동성을 감소시킬 수 있는 플럭스, 다른 처리제, 또는 처리 용기(precess vessel)에서 기인하는 불순물이 실질적으로 없는 고순도 인광 물질의 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 비교적 작은 입자 크기를 갖고, 그러나 받아들일 수 있는 발광 효율을 갖는 고순도 인광 물질의 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 격자 및 도판트가 실질적으로 입자의 크기 증가 없이 비교적 고온에서 열처리되는 고순도의 인광 물질의 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 도판트가 호스트 격자 전체에 걸쳐 고루게 분포되어 있는 고순도의 인광 물질 제조 방법을 제공하는 것이다. 이러한 목적들은 이하에서 설명하는 본 발명에 의해서 달성된다.

본 발명은 발광 디스플레이, 특히 전계 방사 디스플레이에 사용되는 고순도 인광 물질 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 의해 제조되는 인광 물질은 결과적으로 생성되는 조성물에서 발광 특성을 활성화시키는 도판트가 침투된 호스트 격자를 포함한다. 본 발명의 방법에 따라서, 종래의 격자는 처음에 특별한 형태로 제공되는 선택된 도판트를 수용할 수 있는 특별한 형태로 제공된다. 격자 및 도판트 입자는 함께 미세한 분말로 처리되어, 평균 입자 크기가 실질적으로 감소되고 동시에 격자와 도판트 사이에 완전한 혼합을 달성할 수 있다. 결과적으로 생성되는 혼합물은 IA 족 또는 IIA 족 불순물로 인광 물질 제품을 오염시킬 수 있는 플럭스 또는 다른 어떤 처리제도 실질적으로 없는 채로 유지되고, 실질적으로 불투과성인 불순물 없는 재료로 형성된 가열 용기 내에 놓인다. 도판트가 격자 구조 속으로 침투할 수 있는 비교적 고온까지 용기 및 용기의 내용물을 가열한다.

불투과성의 불순물 없는 가열 용기를 사용하고, 플럭스 또는 다른 처리제를 혼합물로부터 제거함으로써, 인광 물질을 제조하는 동안 원하지 않는 오염과 인광 물질 제품의 입자 크기 성장을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 방법은 바람직하게는 비교적 작은 평균 입자 크기를 갖지만 전계 방사 디스플레이에 사용하기에 충분한 발광 효율을 나타내는 비교적 고순도의 인광 물질을 만들어낸다. 본 발명의 방법은 첨부 도면과 이하에서의 상세한 설명을 통해 더욱 잘 이해할 수 있을 것이다.

본 발명은 전구 물질 재료로부터 인광 물질을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로, 전구 물질 재료는 전계 방사 디스플레이에 특히 사용되는 고순도의 인광 물질 제품을 얻기 위하여 실질적으로 플럭스 또는 다른 불순물 발생 재료가 없는 환경에서 비교적 고온에서 열처리된다. 본명세서에서 고순도의 인광 물질이라 함은, 1개 이상의 호스트 격자와 그안에 함침된 1개 이상의 도판트를 갖고, 그러나 발광 디스플레이 내의 음극을 고장나게 하거나 그렇지 않으면 음극의 작동을 중단시킬 수 있는 다른 어떤 불순물이 실질적으로 없는 발광체 조성물(luminescent composition)이라고 정의된다. 특히, 고순도의 인광 물질은 실질적으로 어떤 양이온 불순물이 없고, 좀 더 자세하게는 전계 방사 디스플레이의 음극 이미터 팁을 손상시킬 수 있는 플럭스 또는 다른 처리제에 의해 조성되는 IA 족 또는 IIA 족 양이온이 없다. "실질적으로 없다"라는 것은 고순도 인광 물질 내에 전혀 감지될 수 없는 농도를 갖거나 또는 고순도 인광 물질 내에 약 1 ppm 미만의 농도를 갖는 종류에 관한 것이다.

인광 물질의 전구 물질 재료는 다음에 어떤 처리 단계를 수행하기 전에 하나 또는 이상의 선택된 호스트 격자 및 하나 또는 이상의 선택된 도판트를 포함한다. 선택된 전구 재료는 바람직하게는 고체 입자 형태로 제공된다는 것에 또한 유의해야 한다. 본 발명에 사용되는 호스트 격자의 조성물은 당업자에게는 주지되어 있으며, 규산염, 알루미산염(aluminate), 산화물, 가닛(garnet), 가레이트(gallate), 밴데이트(vandate), 텅스텐산염, 인산염, 초성인산염(焦性燐酸鹽, pyrophosphate), 불화물, 산황화물, 그리고 이들의 혼합물을 포함한다. 바람직한 호스트 격자 조성물은 이트륨 또는 게이레이트(gailate) 산화물이다. 가레이트는 갈륨 산화물과, 아연과 같은 하나 또는 그 이상의 선택된 금속 산화물을 화학양론적 양으로 결합시켜 형성된 2원종(二元種, binary species)이다. 가레이트의 예로는 (Zn,Ga)_xO_y가 있다. 본 발명에 사용되는 도판트의 조성은 역시 당업자에게 공지되어 있으며, 이러한 도판트는 또한 활성제라고 지칭된다. 유용한 도판트는 하나 또는 그 이상의 선택된 전이 원소, 그리고 특히 하나 또는 그 이상의 선택된 란탄 계열 원소 및/또는 유러퓸(Eu), 테르븀(Tb), 세륨(Ce), 망간, 구리, 알루미늄, 금, 은, 그리고 이들 혼합물과 같은 하나 또는 그 이상의 선택된 전이 금속을 포함한다. 바람직한 도판트는 유러퓸, 세륨, 테르븀이다. 전구 물질 재료는 바람직하게는 단일 호스트 격자 및 단일 도판트, 2원 호스트 격자 및 단일 도판트 또는 단일 호스트 격자 및 2원 도판트로 구성된다. 단일 호스트 격자 및 단일 도판트로 제조된 인광 물질은 2원 인광 물질이라 칭하고, 반면에 2원 호스트 격자 및 단일 도판트 또는 단일 호스트 격자 및 2원 도판트로 제조된 인광 물질은 3원 인광 물질이라 칭한다.

당업자라면 이해할 수 있는 바와 같이, 특정 전구 물질 재료를 선택하는 중요 기준은 본 발명에 따라 제조되는 인광 물질에 의해 방사되는 원하는 색깔의 빛이다. 특정 전구 물질은 붉은색, 파란색 또는 녹색의 빛을 방사한다.

상기한 기준에 따라 전구 재료를 선택하는 경우, 전구 물질 재료, 즉 격자 및 도판트를, 감소된 균일한 입자 크기 분포 및 격자와 도판트 입자 사이에 완전한 혼합을 달성하기 위하여 어떤 다른 활동성 물질 또는 어떤 불순물 발생 물질이 실질적으로 없는 처리 용기 내에 함께 놓는다. 용기 내에 보유된 전구 물질 재료의 wt%로 도판트가 통상 약 0.1% 내지 약 10.0%, 전구 재료의 나머지 wt%는 호스트 격자가 되도록 격자 및 도판트를 상대적인 양으로 처리 용기에 첨가한다. 이 단계에서 바람직한 처리 용기는 입자 크기 감소 용기, 특히 맥크론 분쇄기(McCrone mill), 프릿쉬 플래너터리 분쇄기(Fritsch planetary mill), 또는 종래의 볼 분쇄기(ball mill)와 같은 분쇄기에서 사용되는 분쇄 용기(milling vessel)이다. 이러한 분쇄기들 중 가장 바람직한 것은 맥크론 분쇄기와 같은 왕복형 분쇄기이다. 상기한 것처럼 전구 물질 재료는 이러한 단계 동안에 어떤 다른 활동성 물질 또는 어떤 불순물 발생 물질이 실질적으로 없는 채로 유지되지만, 오염되지 않은 액체 매체가 종종 전구 재료와 결합되어 분쇄 용기 내에 슬러리(slurry)를 형성하고, 이로 인해 분쇄 단계의 효율성을 증대시킨다. 하여튼, 전구 물질 재료는 약 2μ 미만, 바람직하게는 약 1μ 미만의 평균 입자 크기를 갖는 격자 및 도판트 혼합물을 얻기 위하여, 선택한 분쇄기에서 충분히 분쇄된다. 액체 매체가 분쇄 단계에서 사용되는 경우, 전구 물질 재료의 분쇄된 혼합물을 포함하는 슬러리는 완전히 건조되어 그것으로부터 실질적으로 모든 액체 매체를 날려보낸다.

본 방법의 연속되는 다음 단계는 전구 물질 재료의 분쇄된 혼합물을 열처리하는 것으로, 이로 인해 도판트를 호스트 격자 구조에 완전히 함침시키게 된다. 불순물, 특히 IA 족 또는 IIA 족 불순물을 혼합물 속으로 도입시킬 수 있는 어떤 플럭스 또는 다른 작용제가 없는 전구 물질 재료의 분쇄된 혼합물을 열처리함으로써 최종 인광 물질 제품의 고순도를 확보할 수 있다. 따라서, 열처리되는 조성물은 본질적으로 호스트 격자 및 도판트를 함유하는 분쇄된 혼합물에 한정되고, 인광 물질 제품이 발광 디스플레이에 사용되는 경우 음극의 작용을 손상시킬 수 있는 어떤 불순물이 실질적으로 없다. 가열되는 혼합물과 접촉하는 처리 장치가 그 속으로 어떤 불순물을 도입하지 않도록, 열처리하는 동안 분쇄된 혼합물용 함유 용기로서 비교적 순수하고, 실질적으로 불침투성인 무공성(無孔性, nonporous) 도가니를 사용함으로써 인광 물질 제품의 고순도를 더욱 확보할 수 있다. 이러한 기준을 만족시키는 도가니는 예컨대, 백금(Pt) 또는 이리듐(Ir), 바람직하게는 백금으로 형성된다.

분쇄된 혼합물의 열처리는 도가니와 그 내용물을 오븐 또는 가마와 같은 종래의 가열 수단 내에 위치시킴으로써 수행된다. 분쇄된 혼합물을 그 안에서 약 1200℃와 2000℃ 사이의 온도, 바람직하게는 1400℃와 1800℃ 사이의 온도, 더욱 바람직하게는 1600℃까지 가열시킨다. 통상적으로, 혼합물을 혼합물의 특정 조성에 따라 약 30분 내지 약 6시간 또는 그 이상의 시간동안 상기한 온도 범위 내에서 가열 수단 내에 유지시킨다. 가열 수단의 분위기는 공기 또는 일산화탄소 또는 수소 가스와 같은 환원 분위기이다. 바람직하게는, 황을 포함하는 분위기는 피해야 하는데, 황을 함유하는 가스에 노출시키면 생성되는 인광 물질 제품에 해를 끼칠 수 있다. 이러한 상태 하에서, 도판트는 호스트 격자 구조 속으로 완전히 침투하고, 그러나 플럭스가 없기 때문에 제품 입자 크기는 실질적으로 성장하지 않는다. 열처리후의 제품의 평균 입자 크기는 통상 열처리 전의 혼합물의 평균 입자 크기보다 100%(즉, 2배) 이상 크지 않고, 바람직하게는 50% 이상 크지 않다. 그 결과, 인광 물질 제품의 제조는 본질적으로 열처리의 실행으로 완전해지고, 제품을 재분쇄하거나 세척할 필요성을 제거해준다.

결과적으로 생성되는 고순도 인광 물질 제품은 종래의 발광 조명 장치, 디스플레이에 사용되고, 이들 제품의 성능을 향상시킨다. 그러나, 고순도 인광 물질 제품은 특히 전계 방사 디스플레이에 사용된다. 전계 방사 디스플레이 장치는 복수개의 이미터 팁 형태의 차가운 음극 이미터를 사용하는데, 상기 이미터 팁은 진공 환경에서의 전자 방사가 비교적 아주 근접해 있는 인접 양극 스트린을 향하도록 한다. 양극 스크린은 이미터 팁으로부터의 전자에 의해 여기되어 스크린을 선택적으로 조명하는 인광 물질 코팅을 구비한다. 전계 방사 디스플레이 장치와 같은 많은 실시예가 당업계에 공지되어 있는데, 예를 들면 본원에서 참고로 인용하는 미국 특허 제5,229,331호, 제5,232,549호에 개시되어 있다. 따라서, 본 발명에 따라 제조된 고순도 인광 물질은 전계 방사 디스플레이의 양극 스크린 상의 코팅으로서 종래 기술에서 개시된 인광 물질을 대체한다. 본 발명에 따른 고순도 인광 물질은 인광 물질이 양극 스크린 상의 코팅으로서 사용되는 전계 방사 디스플레이의 성능과 수명을 개선시킨다는 것이 발견되었는데, 고순도 인광 물질은 이미터 팁에 역효과를 주어 디스플레이 장치의 예상되는 유효 수명을 감소시키는 불순물을 함유하고 있지 않기 때문이다.

다음의 실시예는 본 발명의 실용성 및 유효성을 증명해주며, 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.

실시예 1

입자 형태로 되어 있는 Y₂O₃호스트 격자 및 EU₂O₃도판트를 포함하는 한쌍의 스톡(stock) 전구 물질 재료를 선택한다. 전구 물질 재료를 입자 크기 분석기에 놓고, 대부분의 입자 크기는 4μ 이상이 되도록 결정한다. 특히, Y₂O₃호스트 격자의 측정된 평균 입자 크기는 5.336μ이고, EU₂O₃도판트의 측정된 평균 입자 크기는 4.031μ이다. 호스트 격자 및 도판트의 입자 크기 분포를 나타내는 곡선이 도 1에 도시되어 있다. 다음에 전구 물질 재료를 액체 매체 내에 놓아 슬러리를 형성시키고 맥크론 분쇄기에서 함께 분쇄한다. 결과적으로 생성되는 전구 물질 재료의 분쇄된 혼합물의 평균 입자 크기는 1.615μ이다. 전구 물질 재료의 분쇄된 혼합물의 입자 크기 분포를 나타내는 곡선을 호스트 격자 및 도판트의 입자 크기 분포 곡선과 인접하여 도 1에 도시하였다. 도 1은 전구 재료가 본 발명의 방법에 따라 분쇄되는 경우 실질적으로 입자 크기가 감소한다는 것을 증명한다.

실시예 2

Y₂O₃:Eu 인광 물질 제품은 초기에 전구 재료를 실시예 1과 실질적으로 동일한 방법으로 분쇄함으로써 Y₂O₃호스트 격자 및 EU₂O₃도판트로부터 제조된다. 다음에 전구 물질 재료의 분쇄된 혼합물을 90℃에서 밤새 건조시킨다. 건조된 분쇄 혼합물을 플럭스 또는 다른 어떤 처리제 없이 2시간 동안 1550℃에서 불에 쬐어 열처리하여 원하는 완전한 Y₂O₃:Eu 인광 물질 제품을 형성시킨다. 결과적으로 생성되는 인광 물질 제품의 크기를 분석해 보면 평균 입자 크기는 1.810μ이다. 인광 물질 제품의 입자 크기 분포를 나타내는 곡선을 도 2에 도시하였다. 비교하기 위하여, 종래 기술에 따른 방법에 의해 제조된 상업적 수준의 Y₂O₃:Eu 인광 물질에 대해 입자 크기를 분석하였는데, 상업적 수준의 인광 물질의 평균 입자 크기는 7.090μ이었다. 도 3은 상업적 수준의 인광 물질의 입자 크기 분포를 나타낸다. 도 2와 도 3을 비교해보면 본 발명에 따라 제조된 인광 물질 제품은 제품을 후열처리 분쇄할 필요 없이 종래의 인광 물질에 비해 실질적으로 감소된 입자 크기를 갖는다는 것을 알 수 있다. 도 2에 도시한 인광 물질 제품의 조성 분석은 또한 어떤 불순물이 실질적으로 없다는 것을 나타내고 있다. 따라서, 인광 물질 제품은 종래의 전계 방사 디스플레이에서 유효 양극 스크린 코팅으로서 사용하기에 적절한 순도를 갖는다.

본 발명의 바람직한 실시예가 설명되고 도시되었지만, 제시된 것 이외의 변형과 수정이 가능하고 이러한 것들은 본 발명의 범위에 속한다는 것을 이해할 것이다.

Claims (23)

1. 전계 방사 디스플레이(field emmision display)에서 발광체로서 사용되는 고순도 인광 물질을 제조하는 방법으로서,

   호스트 격자(host lattice) 및 도판트(dopant)를 선택하는 단계와,

   처리하지 않은 평균 입자 크기를 갖고 실질적으로 어떤 불순물 발생 성분이 없는 전구 물질(前驅 物質, precursor) 혼합물 내에 상기 호스트 격자 및 도판트를 결합시키는 단계와,

   전구 물질의 평균 입자 크기가 약 2μ 미만으로 되는 전구 물질 혼합물을 얻기 위하여 상기 전구 물질 혼합물을 처리하는 단계와,

   상기 크기의 전구 물질 혼합물을 실질적으로 불투과성인 열처리 용기 내에 배치하는 단계와,

   상기 열처리 용기 내의 상기 크기의 전구 물질 혼합물을, 상기 도판트가 상기 호스트 격자 속으로 침투하기에 충분한 시간 동안 약 1200℃와 2000℃ 사이의 온도로 가열하여 고순도 인광 물질을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 규산염, 알루미산염, 산화물, 가닛, 가레이트, 밴데이트, 텅스텐산염, 인산염, 초성인산염, 불화물, 산황화물, 그리고 이들의 혼합물들로 구성되는 그룹에서 상기 호스트 격자를 선택하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
3. 제1항에 있어서, 란탄 계열 원소, 전이 금속 및 이들의 혼합물로 구성되는 그룹에서 상기 도판트를 선택하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 고순도 인광 물질은 2원 또는 3원 인광 물질인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 크기의 전구 물질 혼합물을 약 1400℃와 1800℃ 사이의 온도로 가열시키는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 열처리 용기는 백금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
7. 제1항에 있어서, 상기 전구 물질의 평균 입자 크기는 약 1μ 미만인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
8. 제1항에 있어서, 상기 인광 물질은 제품의 평균 입자 크기가 상기 전구 물질의 평균 입자 크기보다 약 100% 이상 크지 않은 것을 특징으로 하는 제조 방법.
9. 제1항에 있어서, 상기 인광 물질은 제품의 평균 입자 크기가 상기 전구 물질의 평균 입자 크기보다 약 50% 이상 크지 않은 것을 특징으로 하는 제조 방법.
10. 제1항에 있어서, 상기 불순물 발생 성분은 플럭스를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
11. 제1항에 있어서, 상기 불순물 발생 성분은 IA 족 또는 IIA 족 이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
12. 제1항에 있어서, 상기 크기의 전구 물질 혼합물을 얻기 위하여 상기 전구 물질 혼합물을 왕복형 분쇄기에서 분쇄하여 처리하고, 이로 인해 상기 처리되지 않은 상기 전구 물질 혼합물의 평균 입자 크기는 상기 크기의 전구 물질 혼합물의 상기 평균 전구 물질 입자 크기로 감소되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
13. 고순도 인광 물질 코팅을 갖는 전계 방사 디스플레이의 양극(anode)을 제조하기 위한 방법으로서,

    호스트 격자 및 도판트를 선택하는 단계와,

    처리하지 않은 평균 입자 크기를 갖고 실질적으로 어떤 불순물 발생 성분이 없는 전구 물질 혼합물 내에 상기 호스트 격자 및 도판트를 결합시키는 단계와,

    전구 물질의 평균 입자 크기가 약 2μ 미만으로 되는 전구 물질 혼합물을 얻기 위하여 상기 전구 물질 혼합물을 처리하는 단계와,

    상기 크기의 전구 물질 혼합물을 실질적으로 불투과성인 열처리 용기 내에 놓는 단계와,

    상기 열처리 용기 내의 상기 크기의 전구 물질 혼합물을, 상기 도판트가 상기 호스트 격자 속으로 침투하기에 충분한 시간 동안 약 1200℃와 2000℃ 사이의 온도로 가열하여 고순도 인광 물질을 제조하고, 상기 고순도 인광 물질을 전계 방사 디스플레이의 양극 스크린에 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
14. 제13항에 있어서, 규산염, 알루미산염, 산화물, 가닛, 가레이트, 밴데이트, 텅스텐산염, 인산염, 초성인산염, 불화물, 산황화물, 그리고 이들의 혼합물들로 구성되는 그룹에서 상기 호스트 격자를 선택하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
15. 제13항에 있어서, 란탄 계열 원소, 전이 금속 및 이들의 혼합물로 구성되는 그룹에서 상기 도판트를 선택하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
16. 제13항에 있어서, 상기 고순도 인광 물질은 2원 또는 3원 인광 물질인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
17. 제13항에 있어서, 상기 열처리 용기는 백금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
18. 제13항에 있어서, 상기 전구 물질의 평균 입자 크기는 약 1μ 미만인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
19. 제13항에 있어서, 상기 크기의 전구 물질 혼합물을 얻기 위하여 상기 전구 물질을 왕복형 분쇄기에서 분쇄하여 상기 전구 물질 혼합물을 처리하고, 이로 인해 상기 처리되지 않은 상기 전구 물질 혼합물의 평균 입자 크기는 상기 크기의 전구 물질 혼합물의 상기 평균 전구 물질 입자 크기로 감소되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
20. 제13항에 있어서, 상기 불순물 발생 성분은 IA 족 또는 IIA 족 이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
21. 전계 방사 디스플레이에서 발광체로서 사용되는 고순도 인광 물질을 제조하는 방법으로서,

    규산염, 알루미산염, 산화물, 가닛, 가레이트, 밴데이트, 텅스텐산염, 인산염, 초성인산염, 불화물, 산황화물, 그리고 이들의 혼합물들로 구성되는 그룹에서 선택되는 호스트 격자와, 란탄 계열 원소, 전이 금속 및 이들의 혼합물로 구성되는 그룹에서 선택되는 도판트를 선택하는 단계와,

    처리되지 않은 평균 입자 크기를 갖고, 본질적으로 상기 호스트 격자와 도판트로 구성되며, 실질적으로 불순물 발생 성분이 없는 전구 물질 혼합물 내에 상기 호스트 격자와 상기 도판트를 결합시키는 단계와,

    전구 물질의 평균 입자 크기가 약 1μ 미만으로 되는 전구 물질 혼합물을 얻기 위하여 상기 전구 물질 혼합물을 분쇄하는 단계와,

    상기 전구 물질 혼합물을 실질적으로 불투과성인 백금제 열처리 용기에 놓는 단계와,

    상기 열처리 용기 내의 상기 크기의 전구 물질 혼합물을, 상기 도판트가 상기 호스트 격자 속으로 침투하기에 충분한 시간 동안 약 1400℃와 1800℃ 사이의 온도로 가열하여 고순도 인광 물질을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
22. 제21항에 있어서, 상기 인광 물질은 제품의 평균 입자 크기가 상기 전구 물질 입자의 평균 입자 크기보다 약 50% 이상 크지 않은 것을 특징으로 하는 제조 방법.
23. 제21항에 있어서, 상기 불순물 발생 성분은 IA 족 또는 IIA 족 이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.

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