KR100837373B1 - 진공자외선을 여기원으로 하는 보레이트계 녹색 형광체 및이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
구분 | 조성식 | 543 ㎚에서의 상대 발광강도 (147 ㎚ 여기) |
실시예 1 | Y0.08Gd0.02Ga3(BO3)4 : Tb0.9 | 225 |
실시예 2 | Gd0.5Ga3(BO3)4 : Tb0.5 | 173 |
실시예 3 | Y0.1Gd0.4Ga3(BO3)4 : Tb0.5 | 148 |
실시예 4 | Y0.2Gd0.3Ga3(BO3)4 : Tb0.5 | 158 |
실시예 5 | Y0.3Gd0.2Ga3(BO3)4 : Tb0.5 | 170 |
실시예 6 | Y0.4Gd0.1Ga3(BO3)4 : Tb0.5 | 184 |
실시예 7 | Y0.5Ga3(BO3)4:Tb0.5 | 183 |
실시예 8 | Y0.792Gd0.198Ga3(BO3)4 : Tb0.01 | 100 |
실시예 9 | Y0.76Gd0.19Ga3(BO3)4 : Tb0.05 | 112 |
실시예 10 | Y0.72Gd0.18Ga3(BO3)4 : Tb0.1 | 139 |
실시예 11 | Y0.64Gd0.16Ga3(BO3)4 : Tb0.2 | 159 |
실시예 12 | Y0.56Gd0.14Ga3(BO3)4 : Tb0.3 | 174 |
실시예 13 | Y0.48Gd0.12Ga3(BO3)4 : Tb0.4 | 181 |
실시예 14 | Y0.4Gd0.1Ga3(BO3)4 : Tb0.5 | 184 |
실시예 15 | Y0.32Gd0.08Ga3(BO3)4 : Tb0.6 | 212 |
실시예 16 | Y0.24Gd0.06Ga3(BO3)4 : Tb0.7 | 207 |
실시예 17 | Y0.16Gd0.04Ga3(BO3)4 : Tb0.8 | 208 |
실시예 18 | Ga3(BO3)4 : Tb1.0 | 208 |
비교예 1 | Zn2SiO4 : Mn | 100 |
Claims (7)
- 다음 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 보레이트계 녹색형광체 :[화학식 1](Y x Gd1- x )1- y Ga3(BO3)4 : Tb y상기 화학식 1에서, 0 ≤ x ≤ 1이고, 0 < y ≤ 1이다.
- 제 1 항에 있어서, 상기 녹색형광체는 120 ∼ 180 nm 범위의 진공 자외선 영역에서 여기 하는 것을 특징으로 하는 보레이트계 녹색형광체.
- 청구항 1 내지 청구항 2 중에서 선택된 어느 한 항의 보레이트계 녹색형광체를 소재로 사용하여 제조된 발광소자.
- 제 3 항에 있어서, 상기 발광소자는 플라즈마 디스플레이 패널인 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 이트륨 전구체, 가돌리늄 전구체, 갈륨 전구체, 붕소 전구체 및 테르븀 전구체를 다음 화학식 1로 표시되는 정량범위로 혼합하여 혼합물을 제조하는 1단계 ;상기 혼합물을 100 ∼ 150 ℃ 범위에서 1 ∼ 24 시간 동안 건조시키는 2단계 ; 및상기 건조된 혼합물을 800 ∼ 1100 ℃에서 3 ∼ 10 시간 동안 열처리하는 3 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 보레이트계 녹색형광체의 제조방법 :[화학식 1](Y x Gd1- x )1- y Ga3(BO3)4 : Tb y상기 화학식 1에서, 0 ≤ x ≤ 1이고, 0 < y ≤ 1이다.
- 제 5 항에 있어서, 상기 3단계 후 분쇄하는 단계를 추가로 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 보레이트계 녹색형광체의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 0.01 ≤ y ≤ 1인 것을 특징으로 하는 보레이트계 녹색형 광체의 제조방법.
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KR1020070015510A KR100837373B1 (ko) | 2007-02-14 | 2007-02-14 | 진공자외선을 여기원으로 하는 보레이트계 녹색 형광체 및이의 제조방법 |
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---|---|---|---|---|
CN104178163A (zh) * | 2013-05-23 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 铈铽共掺杂稀土硼镓酸盐的发光薄膜及其制备方法和电致发光器件 |
CN114686982A (zh) * | 2020-12-29 | 2022-07-01 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种四硼酸镓盐非线性光学晶体及其制备方法和用途 |
Citations (1)
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JP2005025956A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
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2007
- 2007-02-14 KR KR1020070015510A patent/KR100837373B1/ko active IP Right Grant
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CN114686982B (zh) * | 2020-12-29 | 2024-04-12 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种四硼酸镓盐非线性光学晶体及其制备方法和用途 |
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