KR100244375B1 - 전도성 페이스트, 및 이를 함유하는 도체 및 세라믹 기판 - Google Patents

전도성 페이스트, 및 이를 함유하는 도체 및 세라믹 기판 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전도성 페이스트, 전도성 페이스트를 이용한 도체 및 세라믹 기판에 관한 것이다. 본 발명의 전도성 페이스트는 세라믹기판용 전도성 재료로서 사용되는 경우, 관통홀에서의 단절 및 소성동안에 관통홀 측벽으로부터의 도체의 박리를 방지하여, 전도율 및 관통홀 도체의 신뢰도를 증진시킨다. 전도성 페이스트는 Cu 분말, Ni 분말, 글래스 프릿 및 유기 비히클을 함유하며, Ni 분말의 양은 전체 Cu 분말 및 Ni 분말의 양에 대해 약 1 내지 20중량%이고, 글래스 프릿의 양은 전체 Cu 분말, Ni 분말 및 글래스 프릿의 양에 대해 약 1 내지 40중량%이다.

Description

전도성 페이스트, 및 이를 함유하는 도체 및 세라믹 기판 {Conductive paste and conductor and ceramic substrate comprising the saame}
본 발명은 세라믹 기판용의 전도성 재료 및 특히 관통홀 도체용의 전도성 재료를 제조하는데 유용한 전도성 페이스트, 및 전도성 페이스트를 함유하는 도체 및 세라믹 기판에 관한 것이다.
도 1a의 단면도에 도시된 바와 같이, 세라믹 기판에서 관통홀 도체를 형성시키는 종래의 시스템에서, Ag/Pd 또는 Ag/Pt 등을 포함하는 전도성 페이스트는 직경이 0.3 내지 0.5mm이며 모울드 또는 레이저에 의해 형성된 관통홀(2)에 스크린 인쇄방법으로 피복되고, 이어서, 소성되어 관통홀(2)의 측벽상에 도체 후막(3)을 형성한다.
최근 전자부품을 소형화하고 고밀도로 하는 것이 요구되어, 도 1b의 단면도에 도시된 바와 같이, 관통홀의 직경을 약 0.1mm로 축소시키고, 관통홀을 전도성 페이스트로 충전하는 시스템이 개발되고 있다.
세라믹 기판의 표면상에 형성된 전극은 주로 낮은 저항값, 및 저항의 변동과 같은 측면에서의 우수한 신뢰성를 지니는 Cu 전극이다. Cu 전극은 감압하에 소성시킴으로써 형성된다. Cu 전극이 세라믹 기판의 표면상에 전극으로 사용되고, Ag/Pd 또는 Ag/Pt가 관통홀의 도체로 사용되는 경우, 관통홀내의 도체 및 세라믹 기판의 표면상에 형성된 전극이 동시에 소성될 수 없어, 사용 가능한 제품의 시간당 양품율이 저하되는 문제가 있다. 따라서, 관통홀에 도체로서 Cu 전극을 사용하는 요구가 증가되고 있다.
그러나, 직경이 약 0.1mm인 관통홀이 Cu 페이스트로 충전되어 소성되는 경우, 페이스트를 소성하는 동안에 관통홀중의 도체가 수축(참조, 도 2a) 또는 관통홀의 측벽으로부터 도체박리(참조, 도 2b)로 인해 절단되어, 전도율 및 관통홀 전도의 신뢰성이 저하되는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 세라믹 기판용 전도성 재료로 사용되는 경우에 도체가 관통홀에서 단절되는 것을 방지하고 관통홀의 측벽으로부터 박리되는 것을 방지하여, 전도율 및 관통홀 전도의 신뢰성을 증진시킬 수 있는 전도성 페이스트, 및 이를 함유하는 도체 및 세라믹 기판을 제공하는데 있다.
본 발명의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제 1관점에 따르면, 본 발명은 Cu 분말, Ni 분말, 글래스 프릿 및 유기 비히클을 포함하며, Ni 분말의 양이 전체 Cu 분말 및 Ni 분말의 양에 대해 약 1 내지 20중량%이고, 글래스 프릿의 양이 전체 Cu 분말, Ni 분말, 및 글래스 프릿의 양에 대해 약 1 내지 40중량%인 전도성 페이스트를 제공한다. 전도성 페이스트에 함유된 글래스 프릿은 보로실리케이트, 바람직하게는 PbO-SiO2-B2O3-ZnO류이다. 전도성 페이스트는 세라믹 기판에 관통홀 도체를 형성시키는데 사용된다.
본 발명의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 또다른 관점에 따르면, 본 발명은 Cu, Ni, 및 글래스 프릿을 포함하는 혼합 소성물을 포함하며, 사용된 Ni 분말의 양은 전체 Cu 분말 및 Ni 분말의 양에 대해 약 1 내지 20중량%로 하고, 사용된 글래스 프릿의 양은 전체 Cu 분말, Ni 분말, 및 글래스 프릿의 양에 대해 약 1 내지 40중량%로 하는 도체를 제공한다. 글래스 프릿은 보로실리케이트, 바람직하게는 PbO-SiO2-B2O3-ZnO류이다.
본 발명의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 또다른 관점에 따르면, 본 발명은 도체 회로에 사용되는 도체를 포함하고, Cu, Ni, 및 글래스의 혼합 소성물을 포함하며, 사용된 Ni 분말의 양이 전체 Cu 분말 및 Ni 분말의 양에 대해 약 1 내지 20중량%이고, 사용된 글래스 프릿의 양이 전체 Cu 분말, Ni 분말, 및 글래스 프릿의 양에 대해 약 1 내지 40중량%인 세라믹 기판을 제공한다. 도체에 함유된 글래스 프릿은 보로실리케이트, 바람직하게는 PbO-SiO2-B2O3-ZnO류이다. 도체는 도체회로의 관통홀에 사용된다.
도 1a는 세라믹의 관통홀 전도부분을 나타내는 제 1단면도이다.
도 1b는 세라믹의 관통홀 전도부분을 나타내는 제 2단면도이다.
도 2a는 세라믹 기판의 관통홀 전도부분에서의 결점을 나타내는 제 1단면도이다.
도 2b는 세라믹 기판의 관통홀 전도부분에서의 결점을 나타내는 제 2단면도이다.
도 3은 Cu 분말/Ni 분말의 중량비와 소성피막/건조피막의 두께비율 사이의 관계를 나타내는 그래프이다.
〈도면의 주요 부호에 대한 설명〉
1; 세라믹 기판
2; 관통홀
3; 도체
본 발명의 전도성 페이스트, 및 형성시에 전도성 페이스트를 사용하는 도체 및 세라믹 기판을 본 발명의 양태를 참조로 하여 기술하고자 한다.
실시예 1
평균입자크기가 각각 1, 3 및 5㎛인 Cu 분말, 평균입자크기가 3㎛인 Ni 분말을 전도성 페이스트용 재료로서 준비하였다. Pb3O4, SiO2, H3BO3및 ZnO를 혼합하고, 고온에서 용융시키고, 이어서 급냉시켜 유리화시켰다. 생성된 글래스를 분쇄하여 PbO-SiO2-B2O3-ZnO 조성의 글래스 프릿을 얻었다.
Cu 및 Ni 분말을 각각 표 1에 나타낸 비율로 글래스 프릿과 혼합하고, 30중량%의 유기 비히클을 가하고, 생성된 혼합물을 반죽하여 전도성 페이스트를 얻었다. 표 1에서, Cu 분말 및 Ni 분말 각각의 양은 전체 Cu 분말 및 Ni 분말의 양에 대한 중량%로 나타내며, 글래스 프릿의 양은 전체 Cu 분말, Ni 분말, 및 글래스 프릿의 양에 대한 중량%로 나타낸다. 유기 비히클은 아크릴성 수지를 α-테르피네올에 용해시켜 얻는다.
생성된 도체 페이스트를 직경 0.1mm의 관통홀을 지니며 두께가 0.63mm이고 세라믹 기판으로 미리 제조된 알루미나 기판상에 도포하였다. 즉, 전도성 페이스트를 스크린 인쇄법으로 2mm x 2mm 형태로 도포하여, 전도성 페이스트층을 형성시켜 알루미나 기판에 대한 소성수축도 및 접착강도를 측정하였다. 관통홀도 도체 페이스트로 충전시켰다. 이어서, 기판을 N2대기하에 580℃의 온도에서 10분동안 소성시켜 2mm 사각전극 및 알루미나 기판내의 관통홀 도체를 형성시켰다. 전극을 형성시키는데 있어서, 소성피막두께/건조피막두께의 비율로 소성 수축도를 측정하기 위해서 도포 및 건조후에, 및 소성후에 피막두께를 측정하였다.
이어서 리드 와이어를 2mm 사각의 전극에 수직으로 솔더링시키고, 일정한 속도로 전극에 수직으로 밀어 알루미나 기판에 대한 전극의 접착강도를 측정하였다. 관통홀의 전도성부분의 저항을 또한 측정하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다. 표 1에서, * 표시된 샘플은 본 발명의 범위를 벗어난 샘플이다. 도 3은 표 1에 나타낸 결과를 근거로 하여 Cu 분말의 평균입자 크기를 파라메터로 하고 글래스 프릿의 양을 10중량%로 일정하게 유지시키면서 소성피막두께/건조피막두께의 비율과 Cu 분말/Ni분말의 중량비 사이의 관계를 나타내는 도면이다. 본 도면에서, 숫자는 표 1에 나타낸 샘플의 번호를 나타낸다.
샘플번호 Cu 분말의 평균입자크기(㎛) Cu 분말/Ni 분말의양(Cu wt%/Ni wt%) 글래스 프릿의 양(wt%) 피막의 두께 접착 강도(kgf) 저항(Ω)
건조피막두께(1)(㎛) 소성피막두께(2)(㎛) (2)/(1)
*1 1 100/0 10 21.5 14.7 0.68 - -
2 1 90/10 10 38.7 37.8 0.98 - -
3 1 85/15 10 27.1 28.1 1.04 - -
4 1 80/20 10 29.2 32.2 1.10 - -
*5 3 100/0 10 22.5 20.4 0.91 - -
6 3 97.5/2.5 10 21.5 19.8 0.92 - -
*7 3 95/5 0 - - - 0 0.1
8 3 95/5 1 - - - 0.2 0.15
9 3 95/5 3 - - - 1.3 0.2
10 3 95/5 5 - - - 2.0 0.3
11 3 95/5 7 - - - 2.3 0.4
12 3 95/5 10 18.1 17.9 0.99 2.5 0.5
13 3 95/5 20 - - - 2.7 1.5
14 3 95/5 30 - - - 2.5 5.0
15 3 95/5 40 - - - 2.0 10.0
*16 3 95/5 50 - - - 1.5 15.0
17 3 92.5/7.5 10 18.5 18.8 1.02 - -
18 3 90/10 10 24.0 25.6 1.07 - -
*19 5 100/0 10 22.4 21.2 0.95 - -
20 5 97.5/2.5 10 20.8 21.5 1.03 - -
21 5 95/5 10 20.2 21.1 1.04 - -
22 5 92.5/7.5 10 19.1 20.2 1.06 - -
23 5 90/10 10 22.9 24.9 1.09 - -
표시 "-"는 측정하지 않음을 나타냄.
표 1 및 도 3에 나타낸 바와 같이, Cu분말, Ni 분말, 글래스 프릿 및 유기 비히클을 포함하는 본 발명의 전도성 페이스트는 소성 수축도가 낮으며, 세라믹 기판에 강한 접착강도를 나타내고, 전도저항이 낮다.
반면, Ni 분말을 포함하지 않는 전도성 페이스트는 샘플번호 1, 5 및 19에 서 알 수 있는 바와 같이 소성 수축도가 높으므로 바람직하지 못하다. 전체 Cu 분말 및 Ni 분말의 양에 대한 Ni분말의 바람직한 양은 Cu 분말의 평균입자크기에 좌우되지만, Ni 분말의 양은 바람직하게는 약 1 내지 20중량%의 범위이고, 더욱 바람직하게 약 2.5 내지 15중량%이다.
글래스 프릿을 포함하지 않은 전도성 페이스트는 샘플번호 7에 나타낸 바와 같이 매우 낮은 접착강도를 지니므로 바람직하지 못하다. 전체 Cu 분말, Ni 분말, 및 글래스 프릿의 양에 대한 글래스 프릿의 양이 약 40중량%를 초과하는 경우, 샘플번호 16에 나타낸 바와 같이, 전도저항이 바람직하지 않게도 증가한다. 전체 Cu 분말, Ni 분말, 및 글래스 프릿의 양에 대한 글래스 프릿의 양은 바람직하게는 약 1 내지 40중량%, 더욱 바람직하게는 약 3내지 30중량%이다.
실시예 2
실시예 1에서와 동일한 방법으로 Cu 분말, Ni 분말 및 글래스 프릿을 준비한 후에, 표 2에 나타낸 조성비를 지니는 도체 페이스트를 제조하였다.
미리 제조한 알루미나 기판의 직경 0.1mm의 관통홀을 전도성 페이스트로 충전시켰다. 그런 후에, 알루미나 기판을 N2대기하에 580℃의 온도에서 10분동안 소성시켜 알루미나 기판에 관통홀 도체를 형성시켰다.
생성된 관통홀 도체에서, 관통홀의 양단 사이의 저항을 측정하여 전도성의 존재를 평가하였고, 관통홀을 관통홀 방향으로 절단하여 관통홀 측벽으로부터의 박리의 존재를 검사하였다. 이러한 특성을 각각의 샘플에 192개의 관통홀에 대하여 검사하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다. 표 2에서, *표시된 샘플은 본 발명의 범위를 벗어난 샘플이다.
샘플번호 Cu 분말의평균입자크기(㎛) Cu 분말/Ni분말의 양(Cu/Ni의 중량비) 글래스 프릿의 양(wt%) 전도율(%) 관통홀 측벽의 박리 유무
*31 1 100/0 10 42 유
32 1 88/12 10 100 무
*33 1 88/12 0 90 유
*34 3 100/0 10 100 유
35 3 94/6 10 100 무
*36 3 94/6 0 90 유
표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 전도성 페이스트를 사용하면, 우수한 전도성능을 지니는 관통홀 도체를 형성시킬 수 있으며, 도체가 관통홀 측벽으로부터 박리되지 않게 할 수 있다.
상기된 양태에서 관통홀 도체가 형성된 알루미나 기판이 세라믹 기판으로 사용되지만, 본 발명은 이로써 제한되는 것이 아니다. 즉, 절연체 세라믹 기판, 비-전도성 유전체 세라믹 기판등과 같은 다양한 세라믹 기판이 사용되는 경우에도, 상기된 바와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
글래스 프릿으로서, 납 아연 보로실리케이트류, 비스무트 보로실리케이트류, 바륨 보로실리케이트류 글래스 프릿이 적절하게 사용될 수 있다.
유기 비히클로서, 아크릴 수지의 α-테르피네올 용액 이외에도 에틸 셀룰로오즈 수지 및 알키드 수지의 고비점 용매 용액이 또한 적절하게 사용될 수 있다.
전도성 페이스트에 함유된 Cu 분말 및 Ni분말의 평균입자크기는 바람직하게는 약 0.3 내지 10㎛의 범위일 수 있다. 즉, 평균입자크기는 전도성 페이스트의 틱소트로피(thixotropy)의 증가 및 그에 따른 유동성의 감소를 억제하고 전도성 페이스트로 관통홀을 충전시키는 특성을 나타내게 하기 위해서 바람직하게는 약 0.3㎛이상이다. 평균입자크기는 또한 전도성 성분이 전도성 페이스트내에 미세-분산되게 하고 일정하게 소성반응되게 하기 위해서 바람직하게는 약 10㎛이하이다. 전도성 페이스트에 함유된 Cu 분말 및 Ni 분말의 평균입자크기는 가장 바람직하게는 약 1 내지 5㎛ 범위이다.
상기된 설명으로 본 발명의 전도성 페이스트는 세라믹 기판에 소성되며, 그에 함유된 Ni 분말이 소성수축을 억제하고, 함유된 글래스 프릿이 세라믹 기판에 대한 접착강도를 증진시킨다는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 전도성 페이스트는 세라믹 기판용의 도체로서, 특히, 관통홀의 전도성 재료로서 사용되는 경우에, 관통홀내의 도체의 단절, 및 전도성 페이스트의 소성동안의 관통홀 측벽으로부터의 도체의 박리를 방지하여, 개선된 전도율 및 전도 신뢰성을 지니는 세라믹 기판을 얻을 수 있게 한다.

Claims (20)

  1. Cu 분말, Ni 분말, 글래스 프릿 및 유기 비히클을 포함하며, 상기 Ni 분말의 양이 전체 Cu 분말 및 Ni 분말의 양에 대해 약 1 내지 15중량%이고, 글래스 프릿의 양이 전체 Cu 분말, Ni 분말 및 글래스 프릿의 양에 대해 약 1 내지 40중량%임을 특징으로 하는 전도성 페이스트.
  2. 제 1항에 있어서, 글래스 프릿이 보로실리케이트임을 특징으로 하는 전도성 페이스트.
  3. 제 2항에 있어서, 글래스 프릿이 PbO-SiO2-B2O3-ZnO임을 특징으로 하는 전도성 페이스트.
  4. 제 1항에 있어서, Ni 분말의 양이 전체 Cu 분말 및 Ni 분말의 양에 대해 약 2.5 내지 15중량%이고, 글래스 프릿의 양이 전체 Cu 분말, Ni 분말 및 글래스 프릿의 양에 대해 약 3 내지 30중량%임을 특징으로 하는 전도성 페이스트.
  5. 제 1항에 있어서, 전도성 페이스트에 함유된 Cu 분말 및 Ni 분말의 평균입자크기가 약 0.3 내지 10㎛ 범위내에 있음을 특징으로 하는 전도성 페이스트.
  6. 제 5항에 있어서, 전도성 페이스트에 함유된 Cu 분말 및 Ni 분말의 평균입자크기가 약 1 내지 5㎛ 범위내에 있음을 특징으로 하는 전도성 페이스트.
  7. Cu 분말, Ni 분말, 및 글래스 프릿을 포함하는 소성물을 포함하며, 상기 Ni 분말의 양이 전체 Cu 분말 및 Ni 분말의 양에 대해 약 1 내지 15중량%이고, 글래스 프릿의 양이 전체 Cu 분말, Ni 분말 및 글래스 프릿의 양에 대해 약 1 내지 40중량%임을 특징으로 하는 도체.
  8. 제 7항에 있어서, 글래스 프릿이 보로실리케이트임을 특징으로 하는 도체.
  9. 제 8항에 있어서, 글래스 프릿이 PbO-SiO2-B2O3-ZnO임을 특징으로 하는 도체.
  10. 제 8항에 있어서, Ni 분말의 양이 전체 Cu 분말 및 Ni 분말의 양에 대해 약 2.5 내지 15중량%이고, 글래스 프릿의 양이 전체 Cu 분말, Ni 분말 및 글래스 프릿의 양에 대해 약 3 내지 30중량%임을 특징으로 하는 도체.
  11. 제 10항에 있어서, 전도성 페이스트에 함유된 Cu 분말 및 Ni 분말의 평균입자크기가 약 0.3 내지 10㎛ 범위내에 있음을 특징으로 하는 도체.
  12. 제 11항에 있어서, 전도성 페이스트에 함유된 Cu 분말 및 Ni 분말의 평균입자크기가 약 1 내지 5㎛ 범위내에 있음을 특징으로 하는 도체.
  13. Cu 분말, Ni 분말, 및 글래스 프릿으로 구성된 소성물을 포함하는 도체회로를 지니며, 상기 Ni 분말의 양이 전체 Cu 분말 및 Ni 분말의 양에 대해 약 1 내지 15중량%이고, 글래스 프릿의 양이 전체 Cu 분말, Ni 분말 및 글래스 프릿의 양에 대해 약 1 내지 40중량%임을 특징으로 하는 세라믹 기판.
  14. 제 13항에 있어서, 글래스 프릿이 보로실리케이트임을 특징으로 하는 세라믹 기판.
  15. 제 14항에 있어서, 글래스 프릿이 PbO-SiO2-B2O3-ZnO임을 특징으로 하는 세라믹 기판.
  16. 제 14항에 있어서, Ni 분말의 양이 전체 Cu 분말 및 Ni 분말의 양에 대해 약 2.5 내지 15중량%이고, 글래스 프릿의 양이 전체 Cu 분말, Ni 분말 및 글래스 프릿의 양에 대해 약 3 내지 30중량%임을 특징으로 하는 세라믹 기판.
  17. 제 16항에 있어서, 전도성 페이스트에 함유된 Cu 분말 및 Ni 분말의 평균입자크기가 약 0.3 내지 10㎛ 범위내에 있음을 특징으로 하는 세라믹 기판.
  18. 제 17항에 있어서, 전도성 페이스트에 함유된 Cu 분말 및 Ni 분말의 평균입자크기가 약 1 내지 5㎛ 범위내에 있음을 특징으로 하는 세라믹 기판.
  19. 제 18항에 있어서, 기판이 하나 이상의 관통홀을 지니며, 도체가 관통홀을 통해 연장됨을 특징으로 하는 세라믹 기판.
  20. 제 13항에 있어서, 기판이 하나 이상의 관통홀을 지니며, 도체가 관통홀을 통해 연장됨을 특징으로 하는 세라믹 기판.
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JP2000048642A (ja) * 1998-07-24 2000-02-18 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト及びガラス回路基板
US6258192B1 (en) * 1999-02-10 2001-07-10 International Business Machines Corporation Multi-thickness, multi-layer green sheet processing
JP2000244123A (ja) 1999-02-19 2000-09-08 Hitachi Ltd 多層セラミック回路基板
JP4246543B2 (ja) * 2003-05-13 2009-04-02 日本特殊陶業株式会社 積層電子部品の製造方法
JP4931334B2 (ja) * 2004-05-27 2012-05-16 京セラ株式会社 噴射装置
JP2010045209A (ja) * 2008-08-13 2010-02-25 Tdk Corp 積層セラミック電子部品の製造方法
US20100038120A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Tdk Corporation Layered ceramic electronic component and manufacturing method therefor
JP2010045212A (ja) * 2008-08-13 2010-02-25 Tdk Corp 積層セラミック電子部品及びその製造方法
KR101288151B1 (ko) * 2011-11-25 2013-07-19 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법
JP2016219256A (ja) * 2015-05-20 2016-12-22 住友金属鉱山株式会社 Ｃｕペースト組成物および厚膜導体
US10748865B2 (en) 2016-04-28 2020-08-18 Hitachi Chemical Company, Ltd. Copper paste for joining, method for manufacturing joined body, and method for manufacturing semiconductor device
US11780769B2 (en) * 2017-10-13 2023-10-10 Corning Incorporated Methods and apparatus for forming shaped articles, shaped articles, methods for manufacturing liquid lenses, and liquid lenses
WO2019073637A1 (ja) * 2017-10-13 2019-04-18 株式会社村田製作所 導電性ペースト、ガラス物品、及びガラス物品の製造方法

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