KR100196349B1 - 소형 금속 범프의 제조 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극에 대응하는 위치내의 정렬 바닥판 위에 소형 금속 볼을 동시에 보유하는 단계와, 상기 정렬 바닥판 위에 보유된 소형 금속 볼을 전극과 함께 배열하는 단계와, 소형 금속 볼을 전극에 잠정적으로 고정하기 위하여 전극을 향해 가볍게 압착하는 단계와, 소형 금속 볼의 압착된 표면을 평평하게 하고, 동시에, 소형 금속 볼을 전극에 결합시키기 위하여 잠정적으로 고정된 소형 금속 볼을 압착하는 단계를 포함하여 이루어지는 소형 금속 범프 제조 방법에 관한 것이다.
Description
제1도(a) 내지 제1도(g)는 본 발명에 따른 소형 금속 펌프의 제조과정을 도시한 단면도.
제2도는 본 발명에 따른 평평하게 압착된 상부를 가지는 범프의 단면도.
제3도(a) 내지 제3도 (h)는 본 발명에 따른 소형 금속 범프 제조하는 다른 과정을 도시한 단면도.
제4도는 본 발명에 따른 평평하게 압착된 상부를 가지는 둥근 사다리꼴 범프의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11,12 : 금속 볼 13,14 : 범프
21 : 반도체 칩 22 : 전극
31,34 : 바닥판 32 : 석션홀
33 : 지지대 35 : 함몰부
본 발명은 집적회로 칩이나 그 외 전기 소자들의 패키징을 위한 소형 금속 범프의 제조방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 칩은, 특히 300μm 나 그 이하의 좁은 결합 피치(pitch)를 가지는 다수-핀 패키징이나 면적 패키징에 있어서, 소형 금속 범프의 사용으로 유리하게 필름 캐리어나 기판의 내부 리드 전극과 결합할 수 있게 된다.
종래의 범프 제조에 관한 방법을 포함하는 웨이퍼 범프 방법과 와이어 볼-본딩 및 네크 부분에서의 결합된 와이어 컷팅을 포함하는 스터드(stud)범프 방법 등이 있다.
일본 특허공개(Kokai)공보 제 7-153765 호에는 다량 생산성 및 신뢰성에 있어 상기 언급한 방법보다 유리한 소형 볼 범프 제조방법이 개시되어있다. 소형 볼 범프 제조방법은 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극에 대응하는 위치에 석션(suction) 홀을 구비하는 정렬된 바닥판(baseplate) 위에 소형 금속 범프를 보유하고, 정렬된 바닥판 위에 보유된 소형 금속 볼을 전극과 함께 정렬하며, 범프를 형성하기 위하여 볼을 전극까지 동시에 결합시킬 수 있도록 소형 금속 볼을 압착하는 것을 포함한다. 또한, 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판이 압착되는 동안 볼과 전극간의 양질의 결합을 구축하기 위하여 가열될 수 있음도 발표되었다.
그러나, 소형 볼 범프 제조방법은 가령 탭(TAB)과 같이 필름 캐리어의 내부 리드가 반도체 칩내에 형성된 범프에 대응하여 압착될 때 문제를 갖게 되는데, 그 예로, 내부 리드가 둥근 범프의 상부로 인해 미끄러지거나 범프를 흘러내리게 한다. 석션홀을 가지는 정렬된 바닥판의 사용은 다음과 같은 또 다른 문제를 가진다. 즉, 석션홀에 의해 보유되는 볼이 범프에 대응하여 과도하게 높은 압력 하에서 압착된다면, 볼이 전극 위로 이동하는 대신, 석션홀로 들어가게 되고 전극 위 범프의 형성에 실패하게 되며 범프 부족현상이 발생한다. 석션홀로의 볼의 침입을 방지하기 위하여 압착 압력은 감소되어야 하고, 반도체 칩 또는 그 종류의 다른 것들이 이동되는 동안 결합된 범프가 전극으로부터 떨어지는 것을 방지하기 위하여 볼과 전극간의 결합이 충분히 이루어져야 한다.
본 발명의 목적은 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극과의 양질의 결합을 하고 납작한 상부를 가지며 석션홀으로의 침입이 방지되는 소형 금속 범프의 제조 방법 및 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극에 대응하는 위치내 정렬 바닥판 위에 소형 금속 볼을 동시에 보유하는 단계와, 정렬된 바닥판 위에 보유된 소형 금속 범프를 전극과 함께 정렬하는 단계와, 볼을 전극에 잠정적으로 고정하기 위하여 소형 금속 볼을 전극을 향해 가볍게 압착하는 단계와, 소형 금속 범프의 압착된 표면을 평평하게 하고, 동시에, 소형 금속볼을 전극에 결합시키기 위하여 고정된 소형 금속 볼을 잠정적으로 압착하는 단계를 포함하여 이루어지는, 소형 금속 범프의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 또한, 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극에 대응하는 위치내 정렬된 바닥판 위에 소형 금속 볼을 동시에 보유하기 위한 메카니즘과,
정렬된 바닥판 위에 보유된 소형 금속 볼을 전극과 함께 정렬하기 위한 메카니즘과,
볼을 전극에 잠정적으로 고정하기 위하여 전극을 향해 소형 금속 볼을 동시에 가볍게 압착하기 위한 메카니즘과,
소형 금속 볼의 압착된 표면을 평평하게 하고, 동시에, 소형 금속 볼을 전극에 결합시키기 위하여 잠정적으로 고정된 소형 금속 볼을 압착하기 위한 메카니즘을 포함하는 소형 금속 범프를 제조하는 장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 소형 금속 볼은 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극에 대응하는 위치내 정렬된 바닥판 위에 동시에 보유된다.
여기서 사용된 전극이라는 용어는 내부 리드를 포함한다. 정렬된 바닥판 위에 보유된 소형 금속 범프는 곧 전극과 함께 정렬되고, 이어서 볼을 전극에 잠정적으로 고정하기 위하여 소형 금속 볼을 전극을 향해 동시에 가볍게 압착하고, 이후 압착된 표면을 평평하게 하기 위하여, 동시에, 이에 의해 소형 금속 볼을 전극에 결합시키기 위하여 잠정적으로 고정된 볼을 전극을 향해 조금 더 압착한다.
잠정적으로 고정된 소형 금속 볼은 정렬된 바닥판에 의해 전극을 향해 압착될 수 있다. 예를 들어, 볼이 전극에 잠정적으로 고정된 이후, 전극과 대응하는 위치에 석션홀을 가지는 정렬된 바닥판 위에 석션에 의해 소형 금속 볼이 보유될 때, 정렬된 바닥판 위의 석션홀은 잠정적으로 고정된 볼의 위치를 벗어날 수 있고 정렬된 바닥판의 다른 부분들은 볼을 전극까지 더 압착하는 데에 사용될 수 있다. 이렇게 제조된 범프는 전극과 단단히 결합되며 이동되는 동안 전극으로부터 떨어지지 않는다. 범프가 평평한 상부(또는 압착된 표면)을 가지고 있고, 이에 따라, 종래의 소형 볼 범프 방법에서 상술한 바와 같이 둥근 범프의 상부로 인하여 발생되는 오정렬없이, TAB 내부 리드와 결합할 수 있게 된다. 범프는 압착에 의해 평탄해진 평평한 상부를 가지는 한 어떠한 모양도 가질 수 있고, 제2도에 도시한 바와 같이 타원형의 단면이나 배럴 형태의 프로파일을 가질 수 있다.
압착 바닥판은 볼을 전극에 결합시키기 위하여 잠정적으로 고정된 소형 볼을 압착하는 데에 사용된다. 압착 바닥판은 제3도(e) 내지 제3도(h)에 도시한 바와 같이 평평한 표면이나 함몰부(35)를 구비할 수 있다. 함몰부(35)를 구비하는 정렬 바닥판(34)이 사용될 때, 소형 금속 볼은 전극에 결합되는 동안 정렬됨이 없이 함몰부(35)의 모양에 따라 변형된다. 제4도는 함몰부(35)를 구비하는 압착된 바닥판(34)의 사용으로 형성된 범프를 도시한다. 함몰부(35)는 전극위에 형성되는 범프의 평평한 상부가 제공되는 한 어떠한 형태도 가능하다. 함몰부(35)는 제4도에 도시한 바와 같이 사다리꼴의 프로파일을 가질 수 있으며 범프의 모양과 크기에 따라 디자인 될 수 있다.
소형 금속 볼은 볼당 1~30g의 하중으로 전극에 가볍게 압착되고 잠정적으로 고정된다. 전극에 대한 볼의 잠정적인 고정은 볼의 약간의 변형 및 그에 수반되는 약한 결합에 의해 이루어진다. 잠정적으로 고정된 볼은 곧 10~100g의 하중으로 전극에 더 압착되고 단단히 결합된다. 가볍게 압착되고 이후 더 압착되는 동안, 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판은 더 작은 압력이나 하중에서 볼을 전극에 결합시키는 것을 가능하게 하고 생산성의 향상을 위해 100~500℃의 온도로 가열될 수 있다. 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판은 개별적인 가열 수단이나 정렬 바닥판 또는 압착 바닥판에 의해서 가열될 수 있다. 가볍게 압착되고/되거나 이후 더 압착되는 동안, 초음파 진동 또한 가열 온도와 압착 압력을 줄이기 위한 가열과 함께 양질의 결합을 확고히 구축하기 위해 사용될 수 있다.
종래의 방법에서, 소형 금속 범프의 제조방법은 산업상의 제조의 결지에서 유리하게 0.3mm나 그 이하의 전극 피치에 양질의 결합을 제공한다. 이 경우, 100μm나 그 이하의 직경을 가지는 소형 금속볼이 사용된다. 이러한 볼이 평평한 상부를 얻기 위하여 압착될 때, 제조된 볼은 150μm나 그 이하의 단면적과 100μm나 그 이하의 높이를 가지는 원통 모양의 원주 형태를 지니게 된다. 볼이 정렬된 바닥판 위에 정렬되고 보유될 때 균일한 볼의 높이를 제공하기 위하여 실질적으로 같은 직경을 가지는 소형 금속 볼이 사용된다.
종래의 스터드 범프 제조방법에서는, 전극 위에 범프를 형성하기 위하여 와이어를 자르고 범프는 곧 균일한 범프 높이를 제공하기 위하여 압착된다. 그러나, 본 발명은 균일한 범프 높이를 제공하려고 하지는 않는다.
소형 금속 볼은 전극으로서의 적절한 전기적 전도성이 제공되는 한 어떠한 조성도 가질 수 있다. 금, 플라티늄 또는 다른 불활성 금속 계통의 물질, 구리나 알루미늄 계통의 물질, 그리고 결합물이나 다른 저융점 물질 또는 금속 합금 등이 사용될 수 있다. 정렬 바닥판과 압착 바닥판은 글래스, 아루미나, 보론 나이트라이드, 실리콘 나이트라이드와 같은 세라믹과, 실리콘 카바이드, 내열성 플라스틱, 그리고 스테인리스강과 같은 금속으로 만들어진다. 그 위에 범프가 형성되는 전극을 구비하는 기판은 글래시 에폭시, 글래스 세라믹 등으로 만들어진 인쇄된 회로판이거나, 폴리이미드등으로 만들어진 플렉시블 회로판이다.
본 발명에 의한 제조방법을 수행하기 위한 장치는,
1) 흡입력, 정전기력, 또는 자기력에 의해 전극에 대응하는 위치내의 정렬 바닥판 위에 마운팅 컨테이너로부터 소형 금속 볼을 동시에 보유하기 위한 메카니즘과,
2) 이미지 분석기 등에 의하여, 정렬 바닥판 위에 보유된 소형 금속 볼의 위치와 전극의 위치 및 후자(전극)와 함께 배열되는 전자(볼)의 위치를 확인하기 위한 메카니즘과,
3) 소형 금속볼을 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극에 잠정적으로 고정하기 위하여 소형 금속 볼을 동시에 가볍게 압착하기 위한 메카니즘과,
4) 소형 금속 볼의 압착된 표면을 평평하게 하기 위하여, 동시에, 이에 의해 소형 금속 볼을 전극에 결합시키기 위하여 잠정적으로 고정된 볼을, 정렬 바닥판이나 압착 바닥판에 의해, 압착하기 위한 메카니즘을 필수적으로 구비하여 구성된다.
소형 금속 볼이 축소된 크기를 가질 때, 전극으로 이동될 수 있는 이외의 과잉 볼은 종종 정렬 바닥판이나 정렬된 볼과 부딪히고 정령바닥판 위에 보유된다. 이 현상은 볼이 300μm나 그 이하의 크기를 가질 때 심각해지는데, 특히 150μm나 그 이하일 때 심각하다. 이 현상은 본 발명 범프 제조 장치의 정렬 바닥판을 보유하는 정렬 헤드내에서 초음파의 진동에 의해 과잉 볼을 제거하기 위한 수단을 제공함으로써 방지될 수 있다(일본 특허공개(kokai) 공보 제 7-226425호에 발표).
소형 금속 볼을 전극에 대해 전자(금속 볼)를 후자(전극)에 잠정적으로 고정하도록 가볍게 압착하기 위한 메카니즘은 압력을 발생시키는 메카니즘을 구비하고, 또한 잠정적으로 고정된 볼을 전극에 대해 전자(금속 볼)를 후자(전극)에 단단히 결합시킬 수 있도록 하는 압착 메카니즘을 구성할 수 있으며 또한 개별적으로 구성될 수도 있다. 이 두 메카니즘의 개별적인 제공은 장치의 처리량 및 생산성을 향상시킨다.
소형 금속 범프의 제조를 위한 장치는 범프 제조의 편의를 도모하기 위하여 가열 메카니즘과 초음파 진동 적용 메카니즘을 통합할 수 있고, 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판을 위한 이동 메카니즘과 함께 통합하여 사용할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제조방법 및 장치는 전극으로부터 범프를 떨어뜨리지 않고 범프로부터 내부 리드를 흘리지 않게 하면서 유리하게 소형 금속 범프를 제조할 수 있다.
제1도(a) 내지 제1도(g)는 본 발명에 의한 소형 금속 범프 제조를 위한 공정 과정을 도시한 것이다. 이러한 공정을 도면에 의거하여 상세히 설명한다.
(a) 직경이 45μm 인 금 계통의 소형 금속 볼(11)이 정렬 바닥판(31)의 위에 보유된다. 정렬 바닥판(31)은 직경 30μm 의 석션홀(32)을 가지고, 이는 볼의 크기보다 작다. 그리고, 볼(11)은 정렬 바닥판(31)의 뒷면으로부터의 흡입력으로 석션홀(32)에 보유된다.
(b) 정렬된 바닥판(31)이 반도체칩(21)의 위로 이동하고 볼 및 전극(22)의 위치가 서로 정렬된다.
(c) 정렬 바닥판(31)은 그 위에 구비되는 볼(11)과 함께 지지대(33) 위에 놓여진 반도체칩(21)을 향해 낮춰지고 볼(11)은 볼당 10g의 하중으로 칩(21)의 전극(22)을 향해 압착된다.
(d) 볼(11)이 전극(21)에 잠정적으로 동시에 고정된 다음, 정렬된 바닥판(31)은 올려진다. 잠정적으로 고정된 볼은 12로 표시된다.
(e) 정렬 바닥판(31)은 오른쪽으로 옮겨지고, 이에 의해 석션홀(32)의 위치는 잠정적으로 고정된 볼(12)의 위치로부터 벗어나게 된다.
(f) 정렬 바닥판(31)은 볼당 30g의 하중에서 석션홀(32)보다는 정렬 바닥판(31)의 평평한 부분에 의해서 잠정적으로 고정된 볼(12)을 압착하기 위하여 잠정적으로 고정된 볼(12)을 향해 낮춰진다.
(g) 정렬 바닥판(31)은 올려지고, 반도체 칩(21)의 전극(22) 위를 압착하여 된 평평한 상부를 가지는 소형 금속 범프(13)가 남게 된다.
반도체 칩(21)은 지지대(33)위에 올려지고 350℃로 가열된다. 제2도는 이렇게 제조된 소형 금속 범프(13) 중 하나의 단면을 도시한다. 범프(13)는 55μm 의 단면직경과 20μm 의 높이를 가진 배럴 형태를 지닌다. 범프(13)는 알루미늄 전극을 가지고 알루미늄-금 합금을 형성하는데, 이로써 범프의 부족없이 전극과의 강한 결합이 이루어진다. 이렇게 제조된 범프를 구비하는 칩(21)은 범프의 떨어뜨림없이 이동된다. 칩(21)은 리드의 흘러내림없이 필름 캐리어의 내부 리드에 결합된다.
제3도(a) 내지 제3도(h)는 본 발명에 의한 소형 금속 범프 제조의 다른 공정 과정을 도시한다. 이러한 공정을 도면에 의거하여 상세히 설명 한다.
(a) 직경 50μm 인 플라티늄(Pt) 계통의 소형 금속 볼(11)이 정렬 바닥판(31)의 위에 보유된다. 정렬 바닥판(31)은 직경 35μm 의 석션홀(32)을 가지고, 이는 볼의 크기보다 작다. 그리고, 볼(11)은 정렬 바닥판(31)의 뒷면으로부터의 흡입력에 의해 석션홀(32)에 보유된다.
(b) 정렬 바닥판(31)이 반도체 칩(21)의 위로 이동하고 볼 및 전극(22)의 위치가 서로 정렬된다.
(c) 정렬 바닥판(31)은 그 위에 구비되는 볼(11)과 함께 지지대(33) 위에 놓여진 반도체칩(21)을 향해 낮춰지고 볼(11)은 볼당 15g의 하중으로 칩(21)의 전극(22)을 향해 압착된다.
(d) 볼(11)이 전극(21)에 잠정적으로 동시에 고정된 다음, 장렬 바닥판(31)은 올려진다. 잠정적으로 고정된 볼은 12로 표시된다.
(e) 함몰부(35)를 가지는 압착 바닥판(34)은 잠정적으로 고정된 볼(12) 위로 이동된다.
(f) 압착 바닥판(34)의 함몰부(35)는 상기 잠정적으로 고정된 볼(12)에 정렬된다.
(g) 압착 바닥판(34)은 볼당 50g 의 하중으로 볼(12)을 압착하기 위하여 낮춰진다.
(h) 압착 바닥판(34)은 올려지고 원형의 사다리꼴 범프(14)가 남는다. 반도체 칩(21)은 지지대(33)위에 올려지고 450℃로 가열된다. 제4도는 이렇게 제조된 원형의 마름모꼴 소형 금속 범프(14)중 하나의 단면을 도시한다. 범프(14)는 범프의 부족없이 모든 전극과 단단히 결합된다. 이렇게 제조되어 평평한 상부를 갖는 원형의 마름모꼴 범프(14)를 가지는 칩(21)은 범프의 떨어짐없이 이동된다. 칩(21)은 리드의 흘러내림 없이 필름 캐리어의 내부 리드에 결합된다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 압착 및 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극과의 단단한 결합에 의해 형성된 평평한 상부를 갖는 소형 범프를 제조한다. 이렇게 제조된 펌프는 전극위의 범프 부족현상을 방지하고 필름 캐리어에 결합되는 동안 범프로부터 리드가 흘러내리는 것을 방지한다. 본 발명은 향상된 신뢰성 및 생산성을 가지고 매우 작은 영역으로 이루어지는 소형화된 전자 소자의 패키징을 가능하게 한다.
Claims (6)
- 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극에 대응하는 위치내의 정렬 바닥판 위에 소형 금속 볼을 동시에 보유하는 단계와, 상기 정렬 바닥판 위에 보유된 소형 금속 볼을 전극과 함께 배열하는 단계와, 소형 금속 볼을 전극에 잠정적으로 고정하기 위하여 전극을 향해 가볍게 압착하는 단계와, 소형 금속 볼의 압착된 표면을 평평하게 하고, 동시에, 소형 금속 볼을 전극에 결합시키기 위하여 잠정적으로 고정된 소형 금속 볼을 압착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 소형 금속 범프의 제조방법.
- 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극에 대응하는 위치내에 석션홀을 가지는 정렬 바닥판 위에 흡입력으로 소형 금속 볼을 동시에 보유하는 단계와, 상기 정렬 바닥판 위에 보유된 소형 금속 볼을 전극과 함께 배열하는 단계와, 소형 금속 볼을 전극에 잠정적으로 고정하기 위하여 전극을 향해 동시에 가볍게 압착하는 단계와, 소형 금속 볼의 압착된 표면을 평평하게 하고, 동시에, 소형 금속 볼을 전극에 결합시키기 위하여 석션홀과는 다른 상기 정렬된 바닥판 위의 평평한 부분을 이용하여, 잠정적으로 고정된 소형 금속 볼을 압착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 소형 금속 범프의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 전극에 소형 금속 볼을 결합하기 위하여 소형 금속 볼을 압착하는 단계는 상기 정렬 바닥판보다는 함몰부를 가지는 압착 바닥판에 의해 압착되어 수행되는 것을 특징으로 하는 소형 금속 범프의 제조방법.
- 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극에 대응하는 위치내 정렬 바닥판 위에 소형 금속 볼을 동시에 보유하기 위한 메카니즘과, 상기 정렬 바닥판 위에 보유된 소형 금속 볼을 전극과 함께 정렬하기 위한 메카니즘과, 볼을 전극에 잠정적으로 고정하기 위하여 전극을 향하여 소형 금속 볼을 동시 가볍게 압착하기 위한 메카니즘과, 소형 금속 범프의 압착된 표면을 평평하게 하고, 동시에, 소형 금속 볼을 전극에 결합시키기 위하여 고정된 소형 금속 볼을 잠정적으로 압착하기 위한 메카니즘을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 소형 금속 범프 제조장치.
- 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극에 대응하는 위치내에 석션홀을 가지는 정렬된 바닥판 위에 흡입력으로 소형 금속 볼을 동시에 보유하기 위한 메카니즘과, 상기 정렬 바닥판 위에 보유된 소형 금속 볼을 전극과 함께 배열하기 위한 메카니즘과, 소형 금속 볼을 전극에 잠정적으로 고정하기 위하여 전극을 향해 동시에 가볍게 압착하기 위한 메카니즘과, 소형 금속 볼의 압착된 표면을 평평하게 하고, 동시에, 소형 금속 볼을 전극에 결합시키기 위하여 석션홀과는 다른 상기 정렬 바닥판 위의 평평한 부분을 이용하여, 잠정적으로 고정된 소형 금속 볼을 압착하기 위한 메카니즘을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 소형 금속 범프의 제조장치.
- 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극에 대응하는 위치내 정렬 바닥판 위에 소형 금속 볼을 동시에 보유하기 위한 메카니즘과, 상기 정렬 바닥판 위에 보유된 소형 금속 볼을 전극과 함께 정렬하기 위한 메카니즘과, 볼을 전극에 잠정적으로 고정하기 위하여 전극을 향하여 소형 금속 볼을 동시 가볍게 압착하기 위한 메카니즘과, 소형 금속 범프의 압착된 표면을 평평하게 하고, 동시에, 소형 금속 볼을 전극에 결합시키기 위하여 상기 정렬 바닥판 보다는 함몰부를 가지는 압착 바닥판에 의해서 고정된 소형 금속 볼을 잠정적으로 암착하기 위한 메카니즘을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 하는 소형 금속 범프 제조장치.
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