KR0162546B1 - 석영 글라스판의 제조방법 및 장치 - Google Patents

석영 글라스판의 제조방법 및 장치

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KR0162546B1
KR0162546B1 KR1019950013017A KR19950013017A KR0162546B1 KR 0162546 B1 KR0162546 B1 KR 0162546B1 KR 1019950013017 A KR1019950013017 A KR 1019950013017A KR 19950013017 A KR19950013017 A KR 19950013017A KR 0162546 B1 KR0162546 B1 KR 0162546B1
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스께하라 다로우
신에쯔 세끼에이 가부시끼 가이샤
게르하르트 빌스마이어
헤라에우스 퀘르츠글라스 게엠바하
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Abstract

본 발명은 광학적으로 고품질의 석영글라스판을 저렴하게 제조하는 방법 및 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적 달성을 위한 본 발명은 석영글라스 수트층을, 석영글라스 수트보다도 적은 소결활성을 나타내는 실리카 입자로 이루어진 기재상에 퇴적시켜 가열대역 내에서 소결시켜 석영글라스판을 형성한다.
또한 본 발명의 제조장치는 실리카 입자의 운반에 적합한 운반장치; 상기 운반장치의 실리카 입자를 층상으로 퇴적시키기 위한 급송장치; 석영글라스 수트로 이루어진 층을 실리카 입자층 상에 생성시키기 위한 취부장치; 및 석영글라스수트층의 가열을 위한 가열장치로 구성된다.

Description

석영글라스판의 제조방법 및 장치
제1도는 본 발명에 의한 장치의 개략 측면도.
제2도는 제1도를 토대로 운반장치의 운동방향에 대하여 횡으로 본 취부챔버의 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 반송벨트 2 : 플레이트 요소
6 : 공급호퍼 7 : 실리카 입자층(기재)(基材)
8 : 실리카 입자 12 : 취부챔버
13 : 아암 14 : 가수분해 버너
20 : 석영글라스 수트(glass soot) 22 : 소결챔버(가열대역)
26 : 석영글라스대(帶) 또는 체(體)
본 발명은 석영글라스판을 제조하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
석영글라스 블록을 톱을 이용하여 판상으로 절단함으로써 고 에너지 소비 및 고코스트로 판재료를 제조하는 것은 이미 알려져 있다. 절단면의 후처리후, 이와 같이 제조된 판은 표면품질과 평탄도에 있어서는 높은 요구도를 만족한다.
그러나, 절단에 적합한 절단공구는 매우 고가이다. 블록제조와 절단자체가 많은 시간을 요하고 그리고 재료손실을 수반한다.
재료손실은 절단하는 판이 얇을수록 더욱 많게 된다.
영국특허 제 184,434호 명세서에서는 석영글라스관을 장축방향으로 절개한 다음 연화시켜 이에 따라 1장의 판으로 성형하는 석영글라스판 제조방법이 알려져 있다. 그러나, 이와 같이 제조된 판은 평탄하지 않다. 적은 기복이 가공 후에도 남아있게 된다.
석영글라스판을 제조하기 위한 다른 방법 및 그 방법을 실시하기 위한 장치는 독일 특허공개 제 3,226,451호 공보에서도 이미 알려져 있다. 이 방법에서는 원주상 석영글라스가 로내에서 1700℃에서 1900℃의 온도에서 가열되어 용융되어 흑연 도가니로 유출된다. 용융석영글라스는 냉각되고 판으로 하여 흑연도가니로 부터 꺼낼 수 있다.
이와 같이 제조된 판은 높은 광학적 균질성을 갖는다는 점에서 뛰어나다. 그러나, 상기 제조공정은 많은 시간을 필요로 하고 또한 에너지 소비량도 많다.
상기 방법은 모두 예비성형체를 필요로 하고 또한 이로부터 비용을 들여 판을 성형해야만 한다. 독일특허 제 153,503호 명세서에서는 예를 들면 석영글라스판과 같은 형상으로 제조하는 방법이 알려져 있다. 이 방법은 실리카를 예를 들어 실리카로 이루어진 기재 상에 분산시킨 다음 아크방전에 의해 용해시킨다. 이에 따라 실리카질 규사의 응집영역이 판상형태로 되지만, 매우 뒤떨어진 광학적 품질밖에 나타내지 않는다.
또한, 미국특허 제 4,363,647호 명세서에서는 예를 들면 사전에 소결되어 글라스화된 실리카 또는 고순도 석영글라스로 이루어진 지지체 위에 석영글라스 수트(glass soot)의 평활한 층을 복수의 가수분해 버너를 이용하여 연속적으로 침적시켜 이어서 석영글라스판을 형성시키면서 리본화염버너(ribbon-flame burners)를 이용하여 글라스화하는 방법 및 장치가 이미 알려져 있다. 수트(soot)층은 그 두께 전체에 걸쳐서 글라스화할 수 있다. 이 경우 수트층은 지지체로 오염된다. 이 때문에 공지방법에 의해 TiO2함유 압입층(compressive strain layers)을 글라스판상에 형성시킴을 가능하게 하고 있다. 지지체는 기계적으로도 제거될 수 있지만 비용이 들고 또한 특히 얇은 글라스층에 큰 문제가 생긴다.
수트층이 지지체로 오염되지 않는 경우, 융해선단(melting front)이 지지체에 이르기 전에 열공급을 차단해야만 한다.
그러나, 용해선단은 평탄하지 않다. 그 전진(progress)은 수트층의 국부적 두께와 국부적인 열용량과 관계된다. 수트층이 완전히 융해해 버리기 전에 열공급이 차단되면 이 때문에 글라스와 되어 있지 않는 수트영역이 필연적으로 생기고, 여기에 수반되는 지지체에 의해 쉽게 용해된다고 해도 평활하지 않은 글라스판이 생성된다.
일본특개평 4-55331 호 공보의 요약(C-948, 1992. 6. 8. 제1권/No. 249)에서는 SiO2글라스판 의 배취(batchwise)법에 따른 제조가 공지되어 있다. 이 경우 입자상의 석영글라스는 다공성의 SiO2물질로 이루어진 분리층에 의해 상호 분리되어 서로 겹겹이 쌓여 소결된다. 분리층에 의해 석영글라스 층의 융합을 피할 수 있고, 입자상의 석영글라스층으로부터의 가스 빼기가 용이하게 된다. 그러나, 하부의 석영글라스 입자층은 그 상부에 있는 층의 무게에 의해 압축되어 이에 따라 소결이 빠르게 된다. 이 때문에 분리층은 그 사이에 있는 석영글라스 입자와 함께 동질의 블럭으로 소결되고, 한편 상부층은 아직 소결되지 않는 위험이 생긴다.
본 발명은 광학적으로 고품질의 석영글라스판을 저렴하게 제조할 수 있는 방법을 제공하고, 게다가 그 석영글라스판을 제조하기 위한 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명에 의하면 방법에 관한 상기 과제는 석영글라스판 또는 고규산(high silica glass)함유 글라스판의 제조를 위하여 석영글라스 수트로 이루어진 층을 석영글라스 수트보다도 적은 소결활성을 나타내는 실리카 입자로 이루어진 기재상에 퇴적시키고 가열대역 내에서 상기 층을 소결시켜 석영글라스체(體)를 형성함에 의해 해결되는 것이다.
석영글라스 수트층의 연속적 퇴적 및 그 층을 가열대역내에 연속적으로 도입함으로써 석영글라스판 제조를 위해 경제적인 연속적인 방법이 가능하게 된다. 이 경우 실리카 입자를 석영글라스 수트의 기재로 하여 사용하는 것이 소결시의 비정질의 수트가 우수한 단열을 보증하고, 소결석영글라스대의 기재 상에 있어 부착을 방지한다. 동시에 기재로부터의 오염의 확산이 방지된다.
기재로서 사용되는 실리카입자로서는 비정질 실리카에 속하는 천연 및 합성석영 글라스 입자, 결정질 실리카를 열거할 수 있다.
실리카 입자를 석영글라스 수트와 비교하면 적은 소결활성을 나타내므로서, 석영글라스 수트층의 소결이 가능하게 되고, 이 소결은 석영글라스 수트만으로 행해져 기재에 대해서는 전혀 또는 얼마 안되는 범위밖에 행해지지 않는다. 소결활성의 차이는 석영글라스 수트와 실리카가 동일한 화학조성인 경우 예를들면 다른 입도에 의해 또는 입자내에 있어 결정상의 비율이 다른 것에 의해서 생긴다.
상기 실리카 입자는 5m2/g 미만, 바람직하게는 1m2/g 미만의 BET-비표면적을 갖는 것이 바람직하다. 이에 대해 상기 실리카 수트는 약 100m2/g의 BET-표면적을 갖는다. 따라서 상기 수트의 BET 표면은 실리카 입자의 BET-표면보다도 20 내지 100배 크고 이로 인해 상기 수트는 실리카 입자보다도 더 큰 정도의 소결활성을 나타낸다. 즉, 상기 수트입자가 함께 용융하기 시작하는 온도는 상기 실리카 입자를 용융하기에 충분하지 않다.
본 발명에 의한 합성석영글라스판 또는 고규산 함유 글라스판의 연속적 제조에 특히 적합하다. 이 경우, 합성 제조된 석영글라스 수트로 이루어진 층이, 사전에 소결된 합성석영 글라스 수트의 석영글라스 입자로 이루어진 기재상에 퇴적한다. 적은 평균입도로 인하여 합성적으로 제조된 비정질의 석영글라스 수트는 일반적으로 매우 높은 소결활성을 나타낸다. 이와 같은 비정질의 분산된 석영글라스 수트로 이루어진 층은 소결시에 수축한다. 그러나, 석영글라스 수트가 석영글라스 입자로 이루어진 기재에 부착됨은 층의 횡방향으로의 수축을 방지한다. 이에 따라 기본적으로 소결시에는 층의 두께만 작게 된다.
합성석영 글라스 수트에 대한 비면적을 축소시키고 또한 평균입도를 크게 하면서 합성석영 글라스 수트를 미리 소결하므로서 실리카 입자의 소결활성의 저감에 유리하게 된다. 이 경우 입도 분포는 30 에서 350㎛의 범위가 유리함을 알았다. 실리카 입자의 입도가 더 작으면, 비정질의 석영글라스 수트가 기재와 소결할 우려가 생긴다.; 평균입도가 더 크게 되면 석영글라스 수트층의 기재상의 부착이 충분하지 않게 된다. 이 경우 실리카 입자의 층 두께는 40mm와 80mm 사이의 범위에서 유리한 쪽으로 설정된다.
제조된 판의 광학적 무기포성과 순도에 관해서는 석영글라스 수트와 동일한 화학조성을 나타내는 석영글라스 입자를 사용함이 유리하다.
특히 경제적인 방법은 기상반응을 이용하여 상기 층을 석영글라스 입자상에 직접침착(deposition)시킴으로서 얻어진다. 이 방법은 비정질의 규산으로부터 균일한 두께의 층을 침착시키기 위해서 기재의 상부에서 왕복 운동되는 1개 또는 복수개의 가수분해 버너를 이용하여 특히 간단하게 행하는 것이 가능하다.
이 경우 상기 층이 용이하게 완전 소결되도록 퇴적시에 석영글라스 수트를 1000℃에서 1250℃의 온도범위로 가열함이 유리함을 알았다. 비정질의 규산층은 이에 따라 고화(mechanically stabilized)되어 보다 취급이 용이하게 된다. 예를 들면, 비정질 규산 미립자를 휩쓸리게 하지 않고, 층의 퇴적시에 발생할 가능성이 있는 배가스를 흡인할 수 있다. 가수분해 버너를 이용한 층의 퇴적시에는 완전 소결은 특히 간단히 버너가스의 반응열에 의해 행할 수 있다.
실리카 입자는 연속적으로 반송벨트상에 퇴적시킴이 바람직하다. 가열대역의 통과후, 실리카 입자는 반송벨트로부터 다시 취출하고, 기재로서 새로 사용할 수 있다.
가열대역의 소결온도는 특히 가열대역을 통과하는 층의 통과속도 및 수트층의 두께에 따라 다르다. 가열대역에 있어 층의 각 점의 평균체류 시간은 약 1 시간이다. 수트층의 두께는 통상 10mm와 30mm 사이의 범위이다. 이러한 전제에서 1300℃와 1600℃ 사이의 범위의 소결온도가 유리함이 실증된다.
가열대역의 통과후, 층은 글라스화된 석영글라스대로서 존재하며, 판상의 개별요소로서 용이하게 분할할 수 있다.
본 발명에 의하면 약10mm까지의 판두께가 제조 가능하다.
장치에 관한 과제는 본 발명에 따른 석영글라스판 또는 고규산 함유 글라스판을 연속적으로 제조하기 위해 실리카 입자의 운반에 적합한 운반장치와, 상기 운반장치상에 실리카 입자를 퇴적시키기 위한 급속장치와, 합성석영 글라스 수트로 이루어진 층을 실리카 입자위에 생성시키기 위한 취부장치와, 층의 가열을 위한 가열장치를 구비함에 의해 달성된다.
본 발명에 따른 운반장치에 의해 장치의 연속적 운전방법이 가능하게 된다. 반송벨트 또는 소형롤러 통로를 구비한 운반 장치가 특히 적당하다는 것이 실증되어 이들의 벨트 또는 롤러 통로중 어느 것이나 내열성 플레이트 요소를 구비하고 있다.
반송벨트 또는 소형롤러 통로는 Al2O3또는 흑연과 같은 내열성 물질로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 플레이트 요소도 이들의 물질로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 플레이트 요소는 반송벨트를 마모로부터 보호하고, 필요한 경우에는 간단히 교체할 수 있다. 인접된 플레이트 요소가 상호 결합하고, 상기 플레이트 요소간의 적은 틈은 별도로 하고 상기 플레이트 요소가 폐쇄된 면을 형성하도록 한 장치의 설계형상이 바람직하다. 이 방법에 따라 실리카 입자가 플레이트 요소 사이에 들어가지 않도록 실리카 입자를 퇴적할 수 있다.
플레이트 요소가 상호 인접한 단부가 갈고리형으로 서로 맞물려 있는 장치에 의해 특히 간단한 연속적인 방법이 달성된다.
이와 같이 형성된 플레이트 요소는 거의 폐쇄되어 연결된 면을 형성하면서 회전하는 반송벨트상에 순차적으로 설치된다. 가열장치로부터 나온 후에도 플레이트 요소는 개별적으로 순서대로 내려가 청소되고 다시 반송벨트의 장착을 위해 사용될 수 있다.
장치의 연속적인 운전방법에 관해서 특히 유리한 것은 취부장치를 적어도 하나의, 적어도 일측방향으로 실리카 입자의 상방을 진동하여 움직이는 가수분해 버너에 의해 형성할 수 있다. 상기 가수분해 버너에 의해 실리카 입자상에 있어 열분해법 석영글라스 수트로 이루어진 층을 직접 침적시킬 수 있다. 특히 유효하고 코스트적으로 유리한 것은 복수의 가수분해 버너가 운반장치의 운동방향에 대하여 횡으로 일측방향을로 왕복하여 움직이는 하나 또는 복수의 아암에 배설된 장치이다. 이에 따라 실리카 입자 상에서 수트층을 분리하면서 가수분해 버너도 상기한 동작을 한다. 이 경우 1개 또는 복수의 아암이 반응가스의 가수분해 버너로의 공급용으로 설치됨이 바람직하다.
장치로서는 수트층의 전체폭 방향으로 연장되고, 하방으로 열려 있는 소결챔버의 형상으로 가열장치가 형성되고 그리고 전기적 저항 가열기를 구비하고 있는 장치가 바람직하다.
이에 따라 층의 전체폭에 걸쳐 층이 균질한 글라스화가 달성된다. 더욱이 상기 소결챔버에 의해 수트층의 각점이 소결챔버를 통과하는 시간중 거의 같은 온도에서 머무르는 것이 확실하게 된다. 점상의(point-wise) 가열과 비교하면 소결챔버내의 가열시간이 보다 길게 되기 때문에 이 온도를 보다 낮게 할 수 있다. 이에 따라 균질한 글라스화가 달성된다.
이하, 본 발명에 의한 방법 및 본 발명에 의한 장치에 대한 실시예를 도면에 기초하여 상세히 설명한다.
[실시예]
제1도에 도시된 장치에서 1은 체인과 같은 Al2O3로 이루어진 반송벨트이다. 반송벨트는 Al2O3로 이루어진 내열성 플레이트 요소(2)를 구비하고, 상기 요소의 갈고리형 단부(3)은 서로 맞물려 있다. 이 경우 플레이트 요소(2)는 단부 표면(end surface)(4)에 의해 서로 인접하고, 적은 틈은 별도로 하고 폐쇄된 지지면(5)을 형성한다.
공급호퍼(6)는 지지면(5)의 상방으로 열려 있고 이에 따라 열분해법 규산으로 이루어진 석영글라스 입자(8)이 밀집한 입자층(7)이 지지면(5) 상에 퇴적된다. 스크레이퍼(9)는 입자층(7)의 균일한 층의 두께와 평탄도를 형성한다.
반송벨트(1)은 구동장치(10)에 의해 화살표 방향(11)이 가르키는 방향으로 움직인다. 이에 따라 입자층(7)은 취부챔버(12)에 도달한다. 상기 챔버(12)에는 반송방향(11)에 대하여 횡으로 배열된 복수의 아암(13)이 설치되고, 아암에는 각각 복수의 가수분해 버너(14)가 설치되어 있다. 아암(13)은 비어있고, 이에 의해 SiCl4의 증기, H2및 O2와 같은 버너가스(16)용 공급관(15)의 접속관으로 사용된다. 제2도에 나타난 바와 같이, 아암(13)은 양측에서 적절한 축수(support)(17)을 구비하고 있다.
플랜저 구동장치(plunger drive)(18)에 의해, 아암(13)은 화살표 운동방향(19)이 가르키는 바와 같이, 반송방향(11)에 대하여 횡으로 진동 운동한다. 가수분해 버너(14)에 의해, 입자층(7)상에 비정질 규산으로 이루어진 층(20)이 침적된다.
가수분해버너(14)를 향해 연도(煙道, flue)(21)가 설치되고, 이를 통해 규산층(20)의 침적시 발생하는 배가스와 더불어 제거되는 비정질의 규산이 도시되어 있지 않은 청정장치측으로 인도된다.
반송방향(11)에서 보아 하측방향으로 열려 있는 소결챔버(22)가 연도(21)로 이어지고, 상기 챔버는 전기적 저항 가열기(23)을 구비하고, 그리고 내열성 재료로 된 벽(24)에 내장되어 있다. 소결챔버(22)에 의해 규산층(20)이 균일한 가열이 전체폭에 걸쳐 보증되며 또한 소결챔버를 통과할 때 규산층(20)의 각 점에 대하여 일정한 소결온도가 보증된다. 소결챔버(22)를 통과한 후 비정질 규산층(20)으로 부터 생성된 석영글라스대는 지지롤러 상에서 전단장치(도시되어 있지 않음)로 공급된다.
이하, 석영글라스판의 제조를 본 발명의 방법에 따라 예를 들어 상술한 장치를 사용하여 설명한다. 공급호퍼(6)를 사용하여 열분해법으로 제조되고 또한 미리 소결된 석영글라스 입자(8)로 이루어진 입자층(7)을 약 1m/h의 속도로 움직이는 반송벨트(1)상에 공급한다. 스크레이퍼(9)를 이용하여 입자층(7)의 두께를 약 60Cm로 설정한다. 다음에 반송방향(11)로 비정질 규산의 얇은 층(20)을 가수분해 버너(14)를 이용하여 입자층(7) 상에 침적시킨다. 그 외 일련의 버너에 의해 상기 층(20)을 15mm의 두께까지 두텁게 한다. 공통의 아암(13)상에 나란히 배설된 가수분해 버너(14)는 입자층(7)의 표면에 대하여 반송방향(11)에 경사지게 배치된다. 균일한 층 형성은 가수 분해버너(14)가 19와 같은 진동 운동됨에 의해 달성된다. 버너열에 의해 규산층(20)은 1100℃의 온도로 가열되고, 이에 따라 용이하게 완전소결되어 고화된다. 침적시에 발생하는 배가스는 연도(21)을 통해 흡입되어 챔버(12)로부터 흡인된다.
석영글라스 입자(8)의 화학조성은 층(20)으로서 분리된 비정질 규산층의 화학조성과 같다.
이렇게 하여 침적된 비정질 규산층(20)은 계속하여 반송벨트(1)에 의해 소결챔버(22)로 반입되고, 여기서 1400℃의 온도로 글라스화된다. 이 경우 글라스화된 선단은 균질하게 층의 폭전체에 걸쳐서 위로 부터 아래로 비정질 규산층(20)을 통과하여 진행한다. 비정질 규산층(20)이 글라스화시에 규산층의 길이와 폭의 수축은 입자층(7)의 위에 있는 층(20)의 부착에 의해 방지된다. 반송벨트(1)에 대한 입자층(7)의 단열에 의해 폭 전체에 걸쳐 비정질 규산층(20)의 균일한 소결이 용이하게 된다.
게다가 입자층(7)에 의해 소결된 석영글라스대(26)이 플레이트 요소(2)에 부착됨이 방지된다. 소결에 의해 비정질 의해 비정질 규산층(20)으로부터 비정질 규산층(20)의 최초 두께의 30%인 두께 약 5mm의 판상의 석영글라스대(26)이 생성된다.
소결챔버(22)의 통과후, 플레이트 요소(2)는 낙하되어 석영글라스대는 자유로워져 지지롤러(25)를 통하여 전단장치에 공급될 수 있고, 여기서 원하는 길이로 분활된다.
이렇게 하여 제조된 석영글라스판은 공지방법에 따라 연마되고 청정되거나 완성품으로서 생산된다.

Claims (22)

  1. 석영글라스 수트로 이루어진 층을 석영글라스 수트 보다도 적은 소결활성을 나타내는 실리카 입자로 이루어진 기재상에 퇴적시켜 가열대역 내에서 상기 층을 소결시켜 석영글라스체를 형성함을 특징으로 하는 석영글라스판 또는 고규산 함유 글라스판을 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 석영글라스 수트로 이루어진 층을, 상기 석영글라스 수트 보다도 적은 소결활성을 나타내는 실리카 입자로 이루어진 기재 상에 연속적으로 퇴적시켜 가열대역 내에서 연속적으로 도입하여 상기 층을 소결시켜 석영글라스대를 형성함을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 실리카 입자가 연속적으로 반송벨트 상에 퇴적되는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 한항에 있어서, 30㎛ 로 부터 350㎛ 범위의 평균입도를 갖는 실리카 입자를 사용하는 방법.
  5. 제1항 내지 제3항중 어느 한항에 있어서, 상기 실리카 입자가 석영글라스 입자 또는 결정질 실리카 입자를 방법.
  6. 제1항 내지 제3항중 어느 한항에 있어서, 합성적으로 제조된 석영글라스 수트층이 미리 소결된 합성 석영글라스 수트의 석영글라스 입자로 이루어진 기재상에서 제조되는 방법.
  7. 제1항 내지 제3항중 어느 한항에 있어서, 상기 석영글라스 입자가 석영글라스 수트와 동일한 화학조성을 나타내는 방법.
  8. 제1항 내지 제3항중 어느 한항에 있어서, 상기 층의 퇴적이 기상반응에 의한 석영글라스 수트의 침적에 의해 행해지는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 층의 퇴적이 기재의 상측방향을 왕복 운동하는 1개 또는 복수개의 가수분해 버너를 이용하여 행해지는 방법.
  10. 제1항 내지 제3항중 어느 한항에 있어서, 상기 석영글라스 수트가 퇴적하는 동안 1000℃에서 1250℃ 범위의 온도로 가열되는 방법.
  11. 제1항 내지 제3항중 어느 한항에 있어서, 상기 층이 소결챔버 속에서 1300℃와 1600℃ 사이의 범위의 온도로 소결되는 방법.
  12. 제1항 내지 제3항중 어느 한항에 있어서, 상기 가열대역을 통과후에 상기 층이 글라스화된 석영글라스대로 되고 상기 석영글라스대가 판형상의 개별요소로 분할되는 방법.
  13. 실리카 입자의 운반에 적합한 운반장치(1,2,10)을 갖고 상기 운반장치(1,2,10)상의 실리카 입자를 층상으로 퇴적시키기 위한 급송장치(6)를 갖고, 석영글라스 수트로 이루어진 층(20)을 실리카 입자층(8)상에 생성시키기 위한 취부장치(12,13,14,15)를 갖고, 또한 층(20)의 가열을 위한 가열장치(22,23,24)를 갖는 석영글라스판 또는 고규산 함유 글라스판을 연속적으로 제조하기 위한 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 실리카 입자가 석영글라스 입자 또는 결정질 실리카 입자인 장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 운반장치(1,2,10)가 내열성 플레이트 요소(2)를 구비한 반송벨트(1)을 포함하는 장치
  16. 제15항에 있어서, 인접한 상기 플레이트 요소(2)가 상호 결합되고, 상기 플레이트 요소 사이의 적은 틈은 별도로 하고 상기 플레이트 요소가 폐쇄한면(5)을 형성하고 있는 장치.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 플레이트 요소(2)의 상호 인접한 단부(4)가 갈고리형으로 맞물려 있는 장치.
  18. 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 플레이트 요소(2)가 산화 알루미늄 또는 흑연으로 구성되는 장치.
  19. 제13항 또는 제16항에 있어서, 상기 취부장치(12,13,14,15)가 적어도 하나 적어도 일방향(19)으로 진동하여 움직이는 가수분해 버너(14)를 포함하는 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 1개 또는 복수의 가수분해 버너(14)가 운반장치(1,2,10)의 운동방향에 대하여 횡으로 일방향(19)으로 진동하여 움직이는 하나 또는 복수의 아암(13)으로 배설되어 있는 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 아암(13)이 반응가스(16)의 가수분해 버너(14)측의 공급관으로 하여 사용되는 장치.
  22. 제13항 또는 제16항중 어느 한항에 있어서, 상기 가열장치(22,23,24)가 하측 방향으로 열려있고, 석영글라스 수트층(20)의 전체폭 상방으로 연장되어 있고, 전기적 저항 가열기(23)을 구비한 소결챔버의 형상으로 형성되어 있는 장치.
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