KR0161841B1 - 실리콘 산화막과 보론으로 도핑된 p+지역에 의한 반도체 소자의 격리방법 - Google Patents
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Abstract
내용없음.
Description
제1도는 종래의 공정순서도.
제2도는 본 발명의 공정순서도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 실리콘기판 2,7 : n 에피층
3,6 : 실리콘 산화막 4 : 질화막
5 : P+지역
본 발명은 실리콘을 이용한 반도체 소자의 전기적 특성을 향상시키는데 적당하도록 한 실리콘 산화막과 보론(Boron)으로 도핑된 P+지역에 의한 반도체 소자의 격리 방법에 관한 것이다.
종래에는 반도체 소자를 격리시키기 위하여 제1도의 (a)에 도시된 바와같은 P형 기판(1)위에 (b)와 같이 n 에피층(2)을 성장시키고 실리콘 산화막(3)을 형성한 후 (c)와 같이 P+지역(5)을 사진식각 기술을 이용하여 확산방법으로 형성시키고 이후 (f)와 같이 이온주입 및 디포지션 방법에 의한 P+소자 격리지역을 형성하였다.
이와같이 형성된 P+소자 격리지역(5a)로 양쪽이 n 에피층(2)에 대해 다른 형(type)의 반도체 성질 때문에 P+소자 격리지역(5a)과 n 에피층(2)의 접합부분에 디프레션(Depletion)층을 형성시키고 이 디프레션층이 반도체 소자의 전기적 동작시 전류의 흐름을 막아주는 역할을 하여 P+소자 격리지역(5a)의 양쪽 소자들간의 전기적 독립성이 유지되었다.
그러나 종래의 기술에 있어서는 P+소자 격리지역(5a)이 차지하는 면적을 사진식각의 기술이 허용하는 면적이하로 줄이기 어렵고, P+소자 격리지역(5a)의 열적 확산시간을 n 에피층(2)보다 충분히 확산시켜야 하기 때문에 오랜시간이 요구되었다.
따라서 본 발명을 이와같은 종래의 결점을 감안하여 안출한 것으로, 이를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 제2도의 (a)와 같은 P형 실리콘 기판(1)에 (b)와 같이 n 에피층(2)을 성장시키고 실리콘 산화막(3)과 질화막(4)을 형성한 후 실리콘 건식식각이 될 부분을 사진식각 기술을 이용하여 정의한다.
그리고 (c)와 같이 n 에피층(2)의, 실리콘을 건식식각을 통해 제거한 후 이 제거된 부분에 보론 이온을 주입하여 P+지역(5)을 형성한다.
다음에 상기 건식식각을 통해 제거된 n 에피층(2)의 실리콘 부분에 (d)와 같이 열적 실리콘 산화막(6)을 형성하고 다시 2차 건식식각을 실시하여 실리콘 산화막(6)과 P+지역(5)을 (e)와 같이 벽면의 산화막과 P+지역(5a)을 남겨두고 모두 제거한다.
이후, 선택적 에피 형성방법으로 (f)와 같이 2차 n 에피층(7)을 형성한 후 (g)와 같이 습식 및 건식식각을 통해 실리콘 산화막(3)과 질화막(4)을 제거한다.
이와같은 방법으로 형성된 실리콘 격리는 실리콘 산화막(6)과 P+지역(5)을 함께 형성하여 실리콘 산화막(6)으로는 소자간의 격리를 위한 절연 물질로서의 역할을 하게 함과 아울러 P+지역(5)으로는 소자 격리 지역에 발생하기 쉬운 반전층을 막아주는 역할을 하게 하므로 누설 전류의 방지를 할수 있음은 물론 소자 격리지역을 최소화할 수 있어 소자의 크기를 줄일 수 있는 장점이 있다.
Claims (1)
- P형 실리콘 기판(1)에 n 에피층(2)을 형성시키고 실리콘 산화막(3)과 질화막(4)을 형성하여 실리콘 건식 식각이 될 부분을 식각하여 이어 n 에피층(2)의 실리콘을 건식식각으로 제거한 후 보론이온을 주입하여 P+지역(5)을 형성하고 건식식각으로 제거된 부분에 실리콘 산화막(6)을 형성 후 건식식각으로 실리콘 산화막(6)과 P+지역(5)을 벽면만 남기고 모두 제거하여 선택적 에피 형성방법으로 2차 n 에피층(7)을 형성한 후 실리콘 산화막(3)과 질화막(4)을 제거함을 특징으로 하는 실리콘 산화막과 보론으로 도핑된 P+지역에 의한 반도체 소자의 격리방법.
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1990
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Also Published As
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| KR910017620A (ko) | 1991-11-05 |
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