KR0147298B1 - 순수 폴리 실리콘 저항으로의 금속 침투 방지 방법 - Google Patents
순수 폴리 실리콘 저항으로의 금속 침투 방지 방법Info
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Abstract
본 발명은 금속과 접촉되는 부분을 가지는 폴리실리콘 저항을 형성하는 방법에 있어서, 금속과 접촉되는 폴리실리콘 저항 부위에 금속의 확산을 방지하기 위하여 고농도의 불순물 도핑 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 순수 폴리실리콘 저항으로의 금속 침투 방지 방법에 관한 것이다.
따라서, 본 발명은 금속과 저항 사이의 일부위를 N형의 고농도 불순물로 도핑시켜주게 되면 저항이 안정된 값을 얻게 되어 제품의 신뢰도를 높일수가 있다.
그리고, 시모스 반도체에서 P형 확산 영역에 순수 폴리 실리콘에 의한 접촉의 효율성을 증가시켜 회로의 면적을 축소시킴으로써 고집적도 소자의 개발이 용이해지는 효과를 갖게 된다.
Description
제1도는 종래의 시모스 반도체 기억소자의 구성 단면도
제2도, 제3도는 제1도에서 금속이 순수 폴리 실리콘 내부로 침투하는 현상 설명도
제4도는 본 발명에 따른 시모스 반도체 기억소자의 구성 단면도
제5도는 제4도에서 도우핑된 폴리 실리콘이 금속의 침투를 방지하는 상태를 도시한 설명도
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11:실리콘기판 12a,12b:순수 폴리 실리콘
17,13:도우핑된 폴리 실리콘 14a,14b:금속
15:산화막 16:필드 산화막
본 발명은 불순물이 도핑되진 않은 순수 폴리 실리콘 저항으로의 금속(Al:알루미늄) 침투방지 방법에 관한 것으로 특히 시모스(C-MOS)반도체 기억소자에서 고집적도를 요하는 기억소자의 P형 확산영역과 순수 폴리 실리콘 저항의 연결이 요구되는 부분에 적당하도록 한 순수 폴리 실리콘 저항으로의 금속침투 방지방법에 관한 것이다.
종래의 기술구성을 제1도와 제2도 및 제3도를 참고로 설명하면 다음과 같다.
반도체 기억소자를 제조하기 위해서는 제1도에 도시된 바와같이 109Ω/□ 단위의 매우 큰 저항(12C)을 필요로 하게되며 (제1도 A부분), 이를 위해 저항(12C)을 불순물이 주입되지 않은 순수한 폴리 실리콘(12b)으로 형성시킨다.
또한 시모스 기억소자에서는 N형과 P형 트랜지스터가 있으며, P형 트랜지스터의 확산영역에서는 순수한 폴리 실리콘으로 연결되어 있다.
즉, 금속(14a,14b)은 도핑(Doping)된 폴리 실리콘(13)으로는 잘 침투하지 못하지만, 이 금속(14a,14b)와 접촉되는 부분의 순수한 폴리 실리콘(12a,b)과는 잘 융합되므로 109Ω/□ 원하는 회로를 구성시킬 수가 있다.
여기서 미설명 부호 15는 산화막이며, 16은 필드 산화막이다.
그러나, 금속(14a,14b)이 순수한 폴리 실리콘(12a,12b)에 연결되어 있으므로 저항(12c)으로 사용되는 폴리 실리콘과의 사이에 금속(14b)의 침투를 방지시킬 아무런 장벽도 없다.
따라서, 이와같은 종래의 기술구성에 있어서 금속(14a,14b)과 순수 폴리실리콘(12a,12b)를 연결시키는 부분은 문제가 없으나, 금속(14b)이 제조공정의 변화로 인해서 제2도에서 제3도처럼 변화된다.
즉, 순수 폴리실리콘인 저항(12c)이 제2도와 같은 A로 표시된 두께로 표시된 만큼 불순물이 도핑되지 않은 순수폴리실리콘 성분을 가지고 있으나, 점차로 도 3과 같이, 금속(14b) 성분이 저항(12c)으로 사용될 순수 폴리실리콘(전체 A 두께로 표시됨) 내로 과다하게 침투하게 됨으로써 B 두께만큼 불순물이 도핑된다.
따라서, 결과적으로, 저항값이 감소하게 되어 설계 당시의 원하는 회로 동작특성을 얻지 못하게 된다. 그러므로, 제품의 생산 수율저하 및 신뢰도가 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 단점을 개선시키기 위해 안출된 것으로써 제4도와 제5도를 참고로 기술구성을 설명하면 다음과 같다.
제 4도와 제 5도에 도시된 바와같이, 본 발명은 금속(14b)의 접한 순수 폴리실리콘인 저항(12c) 접촉부위에 고농도의 불순물 도핑 영역(17)을 형성하고, 이 불순물로는 N형을 도핑한다. 즉, N형의 불순물이 도핑된 영역(17)은 열처리시 금속(14b) 성분이 순수 폴리실리콘(12c) 내로 침투되는 것을 막아주는 방어벽이 된다. 상기에서, 불순물이 도핑된 영역(17)은 도핑되는 불순물의 농도가 1019∼1020/㎤ 정도가 되도록 하고, 이 도핑된 불순물은 열처리시 금속 성분이 순수 폴리실리콘인 저항(12c) 내로 확산되는 것을 방지하는 역할을 하므로, 결과적으로, 순수폴리실리콘인 저항(12c)의 저항값이 감소되는 것을 방지한다.
상세히 설명하면, 제조과정 중에 필연적으로 수반되는 열처리로 인해, 제4도에서 처럼, 금속(14a,14b)과 접촉된 순수 폴리실리콘(12a,12b)부위에서 금속이 순수 폴리실리콘 내로 금속이 침투하게 됨으로써, 이 금속(14a,14b)이 P+ 확산 영역과 연결되고, 또한, 제5도에서 처럼, 금속(14b)이 저항(12c)으로 사용될 부분의 순수 폴리 실리콘 내로 계속 침투하려 하나, 이를 불순물이 도핑된 영역(17)이 저지한다. 즉, 금속(14b)은 불순물이 고농도로 도핑된 폴리실리콘인 불순물이 도핑된 영역(17)으로는 잘 침투하지 못하게 하는 성질을 이용한다. 따라서, 최초 설계시의 순수 폴리실리콘 저항(12c)은 금속(14b)이 침투하지 못하게 되어 원하고자 하는 안정된 고저항을 얻을수가 있다.
이와같이, 금속과 저항 사이의 일부위를 N형의 고농도 불순물로 도피시키주게 되면 저항이 안정된 값을 얻게 되어 제품의 신뢰도를 높일수가 있다.
또한, 시모스 반도체에서 P형 확산 영역에 순수 폴리 실리콘에 의한 접촉의 효율성을 증가시켜 회로의 면적을 축소시킴으로써 고집적도 소자의 개발이 용이해지는 효과를 갖게 된다.
Claims (1)
- 금속과 접촉되는 부분을 가지는 폴리실리콘 저항을 형성하는 방법에 있어서, 상기 금속과 접촉되는 폴리실리콘 저항 부위에 금속의 확산을 방지하기 위하여 고농도의 불순물 도핑 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 순수 폴리실리콘 저항으로의 금속 침투 방지 방법.
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| KR1019890012077A KR0147298B1 (ko) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 순수 폴리 실리콘 저항으로의 금속 침투 방지 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019890012077A KR0147298B1 (ko) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 순수 폴리 실리콘 저항으로의 금속 침투 방지 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR910005487A KR910005487A (ko) | 1991-03-30 |
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1989
- 1989-08-24 KR KR1019890012077A patent/KR0147298B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR910005487A (ko) | 1991-03-30 |
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